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61. 发明公开

EP2277174A4 MEMORY DEVICES, MEMORY DEVICE CONSTRUCTIONS, CONSTRUCTIONS, MEMORY DEVICE FORMING METHODS, CURRENT CONDUCTING DEVICES, AND MEMORY CELL PROGRAMMING METHODS 失效
标题翻译：存储设备，存储设备的结构，制造用于存储器单元编程存储设备和电导体器件和方法
公开(公告)号：EP2277174A4
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：EP09751113
申请日：2009-04-30
申请人： MICRON TECHNOLOGY INC
发明人： MOULI CHANDRA
IPC分类号： G11C8/08
CPC分类号： H01L27/2418 , G11C5/02 , G11C11/34 , G11C11/39 , G11C11/4026 , G11C11/5664 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/003 , G11C2013/009 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , G11C2216/08 , H01L29/6609 , H01L45/00 , H01L45/141 , H01L45/145 , H01L45/16
摘要： Some embodiments include memory devices having a wordline, a bitline, a memory element selectively configurable in one of three or more different resistive states, and a diode configured to allow a current to flow from the wordline through the memory element to the bitline responsive to a voltage being applied across the wordline and the bitline and to decrease the current if the voltage is increased or decreased. Some embodiments include memory devices having a wordline, a bitline, memory element selectively configurable in one of two or more different resistive states, a first diode configured to inhibit a first current from flowing from the bitline to the wordline responsive to a first voltage, and a second diode comprising a dielectric material and configured to allow a second current to flow from the wordline to the bitline responsive to a second voltage.
摘要翻译：一些实施例包括具有一个字线，位线，存储元件在三个或三个以上不同电阻状态中的一可选择性地配置，并且被配置以允许电流通过所述存储器元件从字线流向响应于所述位线的二极管的存储器设备电压跨越所述字线和位线被施加，并且如果电压增加或减少，以降低电流。一些实施例包括具有一个字线，位线，存储元件在两个或两个以上不同电阻状态中，被配置为从位线到响应于第一电压的字线中流动的抑制的第一电流的第一二极管的一个可选择性地配置的存储器装置，和第二二极管包括电介质材料且经配置以允许第二电流从所述字线以响应于第二电压位线流动。

62. 发明授权

EP1801896B1 Process for manufacturing a selection device with reduced current leakage, and selection device, in particular for phase change memory devices 有权
标题翻译：一种制备具有降低的泄漏电流的选择装置，以及选择装置，特别是用于相变存储器的过程
公开(公告)号：EP1801896B1
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：EP05112912.0
申请日：2005-12-23
申请人： STMicroelectronics Srl
发明人： Dennison, Charles , Peters, John
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2427 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/141 , H01L45/1675

63. 发明授权

EP1801897B1 Procédé amélioré de réalisation de cellules mémoires de types PMC 失效
标题翻译：用于生产的类型的PMC存储器单元的改进的方法
公开(公告)号：EP1801897B1
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：EP06126684.7
申请日：2006-12-20
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： Dressler, Cyril , Sousa, Véronique
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C2213/55 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/1641

64. 发明公开

EP2017906A1 Process for manufacturing a copper compatible chalcogenide phase change memory element and corresponding phase change memory element 有权
标题翻译：一种制备铜兼容相变存储元件和对应的相变存储器元件的方法
公开(公告)号：EP2017906A1
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：EP07425437.6
申请日：2007-07-17
申请人： STMicroelectronics S.r.l.
发明人： Kuo, Charles , Kim, Yudong
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/126 , H01L45/1266 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： A copper diffusion plug 21 is provided within a pore in dielectric layer (18, 20, 28, 30) over a copper signal line (16). By positioning the plug (21) below a chalcogenide region (36), the plug is effective to block copper diffusion upwardly into the pore and into the chalcogenide region and thus to avoid adversely affecting the electrical characteristics of the chalcogenide region.
摘要翻译：铜扩散插头21在在铜信号线（16）电介质层（18，20，28，30）的孔内。由插件（21）定位下方的硫族化物区域（36），插塞是有效的阻止铜扩散向上进入所述孔并进入所述硫族化物区域，从而避免了硫族化物区域的电特性产生不利影响。

65. 发明公开

EP1969602A1 PHASE CHANGE MEMORY MATERIALS, DEVICES AND METHODS 有权
标题翻译：相变存储材料，装置和方法
公开(公告)号：EP1969602A1
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：EP06820493.2
申请日：2006-12-12
申请人： UNIVERSITY OF SOUTHAMPTON
发明人： HEWAK, Daniel, William , CURRY, Richard, J. , MAIRAJ, Mohammed, Khawar, Arshad , SIMPSON, Robert, E.
IPC分类号： G11C16/02
CPC分类号： H01L45/141 , G11B7/243 , G11B7/2585 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24316 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/008 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1293 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1625
摘要： A new class of phase change materials has been discovered based on compounds of: Ga; lanthanide; and chalcogenide. This includes compounds of Ga, La, and S (GLS) as well as related compounds in which there is substitution of S with O, Se and/or Te. Moreover, La can be substituted with other lanthanide series elements. It has been demonstrated that this class of materials exhibit low energy switching. For example, the GLS material can provide an optical recording medium with erasability 3-5 dB greater than the erasability of GeSbTe (GST) material which is the standard material for phase change memories.

66. 发明公开

EP1810334A1 SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
标题翻译：一种用于制造半导体器件的工艺
公开(公告)号：EP1810334A1
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：EP05806734.9
申请日：2005-11-09
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人： ABE, Hiroko, SEMICONDUCTOR ENERGY LAB. CO. LTD. , YUKAWA, Mikio, SEMICONDUCTOR ENERGY LAB. CO. LTD. , NOMURA, Ryoji, SEMICONDUCTOR ENERGY LAB. CO. LTD. , YAMAZAKI, Shunpei, SEMICONDUCTOR EN. LAB. CO. LTD. , NEMOTO, Yukie, SEMICONDUCTOR ENERGY LAB. CO. LTD.
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L27/2463 , B82Y10/00 , G11C13/00 , G11C13/0004 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/0069 , G11C17/143 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C2013/009 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L21/8221 , H01L23/66 , H01L27/0688 , H01L27/1266 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/283 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1213 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L51/0098 , H01L2223/6677 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/12044 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： The invention provides a semiconductor device which is non-volatile, easily manufactured, and can be additionally written. A semiconductor device of the invention includes a plurality of transistors, a conductive layer which functions as a source wiring or a drain wiring of the transistors, and a memory element which overlaps one of the the plurality of transistors, and a conductive layer which functions as an antenna. The memory element includes a first conductive layer, an organic compound layer and a phase change layer, and a second conductive layer stacked in this order. The conductive layer which functions as an antenna and a conductive layer which functions as a source wiring or a drain wiring of the plurality of transistors are provided on the same layer.

67. 发明公开

EP1801897A1 Procédé amélioré de réalisation de cellules mémoires de types PMC 失效
标题翻译： Verbeetes Verfahren zur Herstellung von Speicherzellen vom Typ PMC
公开(公告)号：EP1801897A1
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：EP06126684.7
申请日：2006-12-20
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： Dressler, Cyril , Sousa, Véronique
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C2213/55 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/1641
摘要： L'invention concerne un dispositif microélectronique doté d'une ou plusieurs cellules ou éléments comportant respectivement, au moins une première électrode, au moins une deuxième électrode, et au moins un empilement de couches minces entre la première électrode et la deuxième électrode, ledit empilement comprenant:
- au moins une couche de chalcogénure (405) dopée, apte à former un électrolyte solide, sur et en contact de la première électrode,
- au moins une couche (406), dite « d'interface », sur et en contact de ladite couche de chalcogénure et à base de carbone,
- au moins une couche métallique (407) dite « donneuse d'ions », sur et en contact de ladite couche (406) « d'interface », et destinée à former une source d'ions pour ledit électrolyte solide. L'invention concerne également un procédé de réalisation d'un tel dispositif.
摘要翻译：该方法包括在形成电极的导电层（402）上形成掺杂了金属微粒的硫族化物层（405），形成固体电解质。界面层（406）形成在硫族化物层上并与硫族化物层接触。界面层的厚度在1-10纳米之间，由诸如碳或碳的材料制成，具有金属添加剂例如。铜/银或半导体添加剂。硅。离子供体层（407）形成在界面层上并与界面层接触，其中层（407）形成用于电解质的离子源。还包括以下独立权利要求：（1）配备有电池或元件的微电子器件（2）存储器。

68. 发明公开

EP1764847A1 Ring heater for a phase change memory device 有权
标题翻译： RingförmigerHeizerfüreinePhasenübergangsspeichervorrichtung
公开(公告)号：EP1764847A1
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：EP05108413.5
申请日：2005-09-14
申请人： STMicroelectronics S.r.l.
发明人： Karpov, Ilya , Kostlev, Sergey , Kuo, Charles
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24 , G11C16/02
CPC分类号： H01L45/141 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2013/008 , H01L27/2427 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1691
摘要： A ring shaped heater (26) surrounds a chalcogenide region (36) along the length of a cylindrical solid phase portion (35) thereof defining a change phase memory element. The chalcogenide region (36) is formed in a sub-lithographic pore (34), so that a relatively compact structure is achieved. Furthermore, the ring contact between the heater and the cylindrical solid phase portion (35) results in a more gradual transition of resistance versus programming current, enabling multilevel memories to be formed.
摘要翻译：环形加热器（26）围绕限定变化相位存储元件的圆柱形固相部分（35）的长度围绕硫族化物区域（36）。硫族化物区（36）形成在亚光刻孔（34）中，使得获得相对紧凑的结构。此外，加热器和圆柱形固相部分（35）之间的环接触导致电阻对编程电流的更渐进的转变，从而形成多层存储器。

69. 发明授权

EP1326158B1 Second-layer phase change memory array on top of a logic device 失效
标题翻译：相移存储器阵列安装在一逻辑阵列
公开(公告)号：EP1326158B1
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：EP03003231.2
申请日：1996-10-22
申请人： ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.
发明人： Ovshinsky, Stanford, R. , Wicker, Guy
IPC分类号： G06F1/04 , H01L27/24 , G11C7/22 , G11C11/34
CPC分类号： H01L21/34 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L51/05

70. 发明授权

EP1097456B1 UNIVERSAL MEMORY ELEMENT AND METHOD OF PROGRAMMING SAME 有权
标题翻译：通用存储器元和编程程序
公开(公告)号：EP1097456B1
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：EP99931788.6
申请日：1999-06-10
申请人： ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.
发明人： OVSHINSKY, Stanford, R. , PASHMAKOV, Boil
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： G11C11/5678 , G11C11/54 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/144
摘要： Method of programming Ovonic memory multistate-digital multibit memory element (14), and use thereof for neural networks and data storage. The device is programmed by applying an energy pulse which is insufficient to switch the memory element from high resistance state to low resistance state, but sufficient to modify said memory material (36) such that accumulation of additional energy pulses causes the memory element to switch from said high resistance state to said low resistance state.

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