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31. 发明公开

EP3092649A1 REAL TIME CORRECTION OF BIT FAILURE IN RESISTIVE MEMORY 有权
标题翻译：在电阻式存储器实时修正位错误
公开(公告)号：EP3092649A1
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：EP14824661.4
申请日：2014-12-12
申请人： Qualcomm Incorporated
发明人： KIM, Taehyun , KIM, Sungryul , KIM, Jung Pill
IPC分类号： G11C29/00
CPC分类号： G06F11/0766 , G06F11/1008 , G11C29/808 , G11C29/814 , G11C2029/0411 , H03M13/05
摘要： Systems and methods for correcting bit failures in a resistive memory device include dividing the memory device into a first memory bank and a second memory bank. A first single bit repair (SBR) array is stored in the second memory bank, wherein the first SBR array is configured to store a first indication of a failure in a first failed bit in a first row of the first memory bank. The first memory bank and the first SBR array are configured to be accessed in parallel during a memory access operation. Similarly, a second SBR array stored in the first memory bank can store indications of failures of bits in the second memory bank, wherein the second SBR array and the second memory bank can be accessed in parallel. Thus, bit failures in the first and second memory banks can be corrected in real time.

32. 发明公开

EP2962304A4 SUB-BLOCK DISABLING IN 3D MEMORY 有权
标题翻译：三维存储中的子块失活
公开(公告)号：EP2962304A4
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：EP14757046
申请日：2014-02-27
申请人： MICRON TECHNOLOGY INC
发明人： HA CHANG WAN
IPC分类号： G11C5/02 , G11C7/10 , G11C11/56 , G11C16/08 , G11C29/00 , G11C29/04
CPC分类号： G11C8/12 , G11C8/06 , G11C8/08 , G11C11/5621 , G11C16/08 , G11C16/20 , G11C29/00 , G11C29/04 , G11C29/76 , G11C29/765 , G11C29/78 , G11C29/832

33. 发明授权

EP1506552B8 INCREASING THE EFFECTIVENESS OF ERROR CORRECTION CODES AND OPERATING MULTI-LEVEL MEMORY SYSTEMS BY USING INFORMATION ABOUT THE QUALITY OF THE STORED DATA 有权转让
标题翻译：增纠错码，并且更多级别的存储系统运行的有效性BY信息使用上的数据存储的质量
公开(公告)号：EP1506552B8
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：EP03731164.4
申请日：2003-05-12
申请人： SanDisk Technologies LLC
发明人： GUTERMAN, Daniel, C. , GROSS, Stephen, J. , GONGWER, Geoffrey, S.
IPC分类号： G11C29/00 , G06F11/10
CPC分类号： G11C16/3418 , G06F11/1012 , G06F11/1072 , G11C11/56 , G11C11/5621 , G11C16/3431 , G11C29/00 , G11C29/42 , G11C29/76 , G11C2029/0411

34. 发明公开

EP3072134A1 DEFECT MANAGEMENT POLICIES FOR NAND FLASH MEMORY 有权转让
标题翻译： DEFEKTVERWALTUNGSRICHTLINIENFÜRNAND-FLASH-SPEICHER
公开(公告)号：EP3072134A1
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：EP14864526.0
申请日：2014-10-21
申请人： Intel Corporation
发明人： KALAVADE, Pranav , ZHU, Feng , RAGHUNATHAN, Shyam Sunder , MOTWANI, Ravi H.
IPC分类号： G11C29/00 , G11C16/06
CPC分类号： G06F11/0751 , G06F11/073 , G06F11/1012 , G11B20/1816
摘要： Systems and methods of managing defects in nonvolatile storage systems that can be used to avoid an inadvertent loss of data, while maintaining as much useful memory in the nonvolatile storage systems as possible. The disclosed systems and methods can monitor a plurality of trigger events for detecting possible defects in one or more nonvolatile memory (NVM) devices included in the nonvolatile storage systems, and apply one or more defect management policies to the respective NVM devices based on the types of trigger events that resulted in detection of the possible defects. Such defect management policies can be used proactively to retire memory in the nonvolatile storage systems with increased granularity, focusing the retirement of memory on regions of nonvolatile memory that are likely to contain a defect.
摘要翻译：管理非易失性存储系统中的缺陷的系统和方法，可用于避免无意中丢失数据，同时尽可能保持非易失性存储系统中有用的内存。所公开的系统和方法可以监视多个触发事件，以检测非易失性存储系统中包括的一个或多个非易失性存储器（NVM）设备中的可能缺陷，并且基于类型向相应的NVM设备应用一个或多个缺陷管理策略触发事件导致检测到可能的缺陷。可以主动地使用这种缺陷管理策略来以更小的粒度来使非易失性存储系统中的存储器退出，将存储器的退出集中在可能包含缺陷的非易失性存储器的区域上。

35. 发明授权

EP2092529B8 EMBEDDED MEMORY REPAIR ON THE BASIS OF FUSE BURN STATE MACHINE AND A FUSE DOWNLOAD STATE MACHINE 失效转让
标题翻译：嵌入式存储器REPAIR基于状态机来熔断熔丝以及状态机读取熔丝
公开(公告)号：EP2092529B8
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：EP07761356.0
申请日：2007-04-26
申请人： Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd.
发明人： FISCHER, Frederick, Harrison , MARTIN, Richard, P.
IPC分类号： G11C29/44 , G11C29/04 , G11C29/00 , G11C29/02
CPC分类号： G11C29/027 , G11C29/44 , G11C29/4401 , G11C29/72 , G11C2029/0401

36. 发明授权

EP1714294B1 NONVOLATILE MEMORY 有权
标题翻译：非易失性存储器
公开(公告)号：EP1714294B1
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：EP05710153.7
申请日：2005-02-04
申请人： Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
发明人： KATO, Kiyoshi
IPC分类号： G11C29/00 , G11C16/22
CPC分类号： G11C16/22 , G11C29/702

37. 发明授权

EP2092529B1 EMBEDDED MEMORY REPAIR ON THE BASIS OF FUSE BURN STATE MACHINE AND A FUSE DOWNLOAD STATE MACHINE 失效转让
标题翻译：基于熔丝状态机和保险丝下载状态机的嵌入式存储器修复
公开(公告)号：EP2092529B1
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：EP07761356.0
申请日：2007-04-26
申请人： Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd.
发明人： FISCHER, Frederick, Harrison , MARTIN, Richard, P.
IPC分类号： G11C29/44 , G11C29/04 , G11C29/00 , G11C29/02
CPC分类号： G11C29/027 , G11C29/44 , G11C29/4401 , G11C29/72 , G11C2029/0401

38. 发明授权

EP2159705B1 CACHE MEMORY DEVICE, ARITHMETIC PROCESSING UNIT, AND ITS CONTROL METHOD 有权
标题翻译： CACHE存储器结构，算术处理单元及其控制方法
公开(公告)号：EP2159705B1
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：EP07790189.0
申请日：2007-06-20
申请人： Fujitsu Limited
发明人： IMAI, Hiroyuki , KIYOTA, Naohiro , MOTOKURUMADA, Tsuyoshi
IPC分类号： G06F12/08 , G11C29/00
CPC分类号： G06F12/0895 , G11C29/808

39. 发明公开

EP2973587A2 SENSE AMPLIFIER COLUMN REDUNDANCY 有权
标题翻译：读出放大器 - 列冗余
公开(公告)号：EP2973587A2
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：EP14720747.6
申请日：2014-03-11
申请人： Qualcomm Incorporated
发明人： JUNG, Chulmin
IPC分类号： G11C29/00 , G11C16/28 , G11C16/34 , G11C7/08 , G11C16/04 , G11C11/56 , G11C16/26
CPC分类号： G11C7/08 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/28 , G11C29/702 , G11C29/848
摘要： A memory includes a redundant sense amplifier and a plurality of sense amplifier pairs. Each sense amplifier pair includes a first sense amplifier and a second sense amplifier. Each sense amplifier pair drives a common load line. The memory is configured to implement column redundancy using a single redundant sense amplifier without requiring local read lines for each sense amplifier.

40. 发明公开

EP2798639A4 BUILT IN SELF-TESTING AND REPAIR DEVICE AND METHOD 审中-公开
标题翻译： INTEGRIERTER SELBSTTEST SOWIE REPARATURVORRICHTUNG UND VERFAHREN
公开(公告)号：EP2798639A4
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：EP13731652
申请日：2013-01-08
申请人： MOSYS INC
发明人： KLEVELAND BENDIK , SIKDAR DIPAK K , CHOPRA RAJESH , PATEL JAY
IPC分类号： G11C29/44 , G06F11/10 , G11C29/00 , G11C29/04 , G11C29/06 , G11C29/16 , G11C29/42 , G11C29/50
CPC分类号： G06F11/2094 , G06F11/106 , G11C29/06 , G11C29/12 , G11C29/16 , G11C29/42 , G11C29/44 , G11C29/4401 , G11C29/50 , G11C29/808 , G11C2029/0409

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