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1. 发明公开

CN104103480A 低能量离子铣削或沉积有权
公开(公告)号：CN104103480A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410132480.7
申请日：2014-04-03
申请人： FEI公司
发明人： J.J.L.穆德斯 , R.T.J.P.格尔特斯 , P.H.F.特罗姆佩纳亚斯 , E.G.T.博世
IPC分类号： H01J37/08
CPC分类号： C23C14/48 , G01N1/286 , G01N1/32 , H01J37/02 , H01J37/3053 , H01J37/3171 , H01J37/3178 , H01J2237/004 , H01J2237/006 , H01J2237/31732 , H01J2237/3174 , H01J2237/31742 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要：本发明涉及低能量离子铣削或沉积。样本必须在从晶片挖出所述样本之后被薄化，以形成具有例如20nm的厚度的薄片。这一般地通过在带电粒子设备中用离子进行溅射来完成。当将薄片铣削成这样的厚度时，问题是：薄片的一大部分由于离子的轰击而变成无定形的并且离子变得被注入样本中。本发明通过在GIS的毛细管（201）与样本（200）之间施加电压差并将离子或电子束（206）引导到气体喷射（207）来提供所述问题的解决方案。束从而使被加速至样本的气体电离，其中（当在样本与GIS之间使用低电压时）发生低能量铣削，并且因此几乎没有样本厚度变成无定形的。

2. 发明授权

CN104103480B 低能量离子铣削或沉积有权
公开(公告)号：CN104103480B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410132480.7
申请日：2014-04-03
申请人： FEI , 公司
发明人： J.J.L.穆德斯 , R.T.J.P.格尔特斯 , P.H.F.特罗姆佩纳亚斯 , E.G.T.博世
IPC分类号： H01J37/08
CPC分类号： C23C14/48 , G01N1/286 , G01N1/32 , H01J37/02 , H01J37/3053 , H01J37/3171 , H01J37/3178 , H01J2237/004 , H01J2237/006 , H01J2237/31732 , H01J2237/3174 , H01J2237/31742 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
摘要：本发明涉及低能量离子铣削或沉积。样本必须在从晶片挖出所述样本之后被薄化，以形成具有例如20nm的厚度的薄片。这一般地通过在带电粒子设备中用离子进行溅射来完成。当将薄片铣削成这样的厚度时，问题是：薄片的一大部分由于离子的轰击而变成无定形的并且离子变得被注入样本中。本发明通过在GIS的毛细管（201）与样本（200）之间施加电压差并将离子或电子束206）引导到气体喷射（207）来提供所述问题的解决方案。束从而使被加速至样本的气体电离，其中（当在样本与GIS之间使用低电压时）发生低能量铣削，并且因此几乎没有样本厚度变成无定形的。

3. 发明申请

WO01077774A2 METHOD AND DEVICE FOR AUTOMATIC OPTIMAL LOCATION OF AN OPERATION ON AN INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：用于自动最佳定位在一体化电路上的方法和装置
公开(公告)号：WO01077774A2
公开(公告)日：2001-10-18
申请号：PCT/FR2001/001048
申请日：2001-04-06
IPC分类号： G06F17/50 , G06F
CPC分类号： G06F17/5068 , H01J2237/31742
摘要： The invention concerns a method and an installation for automatic optimal location of an intervention procedure on a printed circuit which consists in retrieving polygons accessible from topographical description data and data representing a circuit diagram. The method consists in: determining, for each step, different execution options corresponding respectively to each of the different accessible polygons, and calculating and assigning a rating to each execution option on the basis of the depth of each possible initial polygon relative to the surface of intervention, and accessibility parameters of each possible initial polygon, and in automatically determining the execution option to be used to execute each step of the intervention procedure, by digital optimisation calculation using the ratings assigned to the different execution options of each step of the intervention procedure.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在印刷电路上自动优化定位介入程序的方法和装置，该方法和装置包括从地形描述数据和表示电路图的数据获取的多边形。该方法包括：为每个步骤确定分别对应于每个不同可访问的多边形的不同执行选项，以及基于每个可能的初始多边形相对于表面的深度来计算和分配给每个执行选项的评级干预和可访问性参数，并且在通过使用分配给干预程序的每个步骤的不同执行选项的评级的数字优化计算来自动确定要用于执行干预过程的每个步骤的执行选项。

4. 发明申请

WO2008009139A1 METHOD AND SYSTEM FOR COUNTING SECONDARY PARTICLES 审中-公开
标题翻译：计算二次颗粒的方法和系统
公开(公告)号：WO2008009139A1
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：PCT/CA2007/001304
申请日：2007-07-23
申请人： FIBICS INCORPORATED , LAGAREC, Ken, Guillaume , PHANEUF, Michael, William
发明人： LAGAREC, Ken, Guillaume , PHANEUF, Michael, William
IPC分类号： H01J37/28 , G01N15/10 , G01N23/225
CPC分类号： H01J37/3005 , H01J37/3056 , H01J2237/226 , H01J2237/24507 , H01J2237/24535 , H01J2237/2806 , H01J2237/30488 , H01J2237/31742 , H01J2237/31749
摘要： An apparatus for visualizing an ion beam editing operation of a sample. The apparatus comprises a charged particle beam column for producing an charged particle beam and for directing the charged particle beam onto the sample and beam rastering electronics (BRE) for controlling a movement and a dwell time of the charged particle beam. The apparatus further comprises a detector for detecting charged particles stemming from the sample as a result of the charged particle beam impinging on the sample and a multi-channel scalar (MCS) coupled to the detector and to the IBRE, and time-correlated with the BRE, the MCS for binning events detected at the detector as a function of time duration from a start event. Finally, the apparatus comprises an analysis module connected to the MCS for processing data from the MCS into a display signal, and a display module connected to the analysis module for displaying the display signal.
摘要翻译：一种可视化样品的离子束编辑操作的装置。该装置包括用于产生带电粒子束的带电粒子束柱，并用于将带电粒子束引导到用于控制带电粒子束的运动和驻留时间的样品和射束扫描电子装置（BRE）上。该装置还包括一个检测器，用于检测由于带电粒子束入射在样本上而导致样品产生的带电粒子以及耦合到检测器和IBRE的多通道标量（MCS），并与时间相关 BRE，作为起始事件的持续时间的函数的在检测器处检测到的合并事件的MCS。最后，该装置包括连接到MCS的用于处理来自MCS的数据到显示信号的分析模块，以及连接到分析模块的用于显示显示信号的显示模块。

5. 发明申请

WO0177774A3 METHOD AND DEVICE FOR AUTOMATIC OPTIMAL LOCATION OF AN OPERATION ON AN INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：用于自动最佳定位在一体化电路上的方法和装置
公开(公告)号：WO0177774A3
公开(公告)日：2002-03-21
申请号：PCT/FR0101048
申请日：2001-04-06
申请人： CENTRE NAT ETD SPATIALES , DESPLATS ROMAIN , BENTEO BRUNO
发明人： DESPLATS ROMAIN , BENTEO BRUNO
IPC分类号： G06F17/50 , G01R31/307 , H01L21/66
CPC分类号： G06F17/5068 , H01J2237/31742
摘要： The invention concerns a method and an installation for automatic optimal location of an intervention procedure on a printed circuit which consists in retrieving polygons accessible from topographical description data and data representing a circuit diagram. The method consists in: determining, for each step, different execution options corresponding respectively to each of the different accessible polygons, and calculating and assigning a rating to each execution option on the basis of the depth of each possible initial polygon relative to the surface of intervention, and accessibility parameters of each possible initial polygon, and in automatically determining the execution option to be used to execute each step of the intervention procedure, by digital optimisation calculation using the ratings assigned to the different execution options of each step of the intervention procedure.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在印刷电路上自动最佳定位介入程序的方法和装置，其中包括从地形描述数据和表示电路图的数据中检索多边形。该方法包括：为每个步骤确定分别对应于每个不同可访问的多边形的不同执行选项，以及基于每个可能的初始多边形相对于表面的深度来计算和分配给每个执行选项的评级干预和每个可能的初始多边形的可访问性参数，并且在通过使用分配给干预程序的每个步骤的不同执行选项的评级的数字优化计算来自动确定要用于执行干预过程的每个步骤的执行选项。

6. 发明授权

EP1272914B1 PROCEDE ET INSTALLATION DE LOCALISATION OPTIMALE AUTOMATIQUE D'UNE OPERATION SUR UN CIRCUIT INTEGRE 有权
标题翻译：方法和设备自动最佳位置动作的集成电路上的
公开(公告)号：EP1272914B1
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：EP01921505.2
申请日：2001-04-06
申请人： Centre National d'Etudes Spatiales (C.N.E.S.)
发明人： DESPLATS, Romain , BENTEO, Bruno
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5068 , H01J2237/31742

7. 发明授权

EP1577927B1 Charged particle beam system 无效
标题翻译：带电粒子束系统
公开(公告)号：EP1577927B1
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：EP05075600.6
申请日：2005-03-11
申请人： FEI COMPANY
发明人： Stewart, Diane K. , Knowles, Ralph W , Kimball, Brian T
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/317 , H01J37/02
CPC分类号： G01N23/225 , H01J37/244 , H01J2237/0045 , H01J2237/2817 , H01J2237/31737 , H01J2237/31742 , H01J2237/31798

8. 发明公开

EP0734045A3 Focused ion beam apparatus and method for irradiating focused ion beam 失效
标题翻译：使用聚焦离子束聚焦离子束发生装置和照射方法
公开(公告)号：EP0734045A3
公开(公告)日：1997-11-12
申请号：EP96103903.9
申请日：1996-03-12
申请人： HITACHI, LTD.
发明人： Ishitani, Tohru , Ohnishi, Tsuyoshi
IPC分类号： H01J37/30
CPC分类号： H01J37/3007 , H01J37/3005 , H01J2237/31742
摘要： In an optical system, the total optical path length from the emitter tip of an ion source (1) to the surface of a sample (10) is in the range of from 300 to 450 mm, the distance from the ion source to the centre of a condenser lens (2) is in the range of from 15 to 45 mm, and the distance from the centre of an objective lens (8) to the sample is in the range of from 10 to 40 mm. The optical system is installed in a focused ion beam apparatus in order to realise milling of fine elements to high accuracy at high speed, image observation with high resolution in failure analysis and process evaluation of fine elements such as semiconductors.

9. 发明公开

EP0734045A2 Focused ion beam apparatus and method for irradiating focused ion beam 失效
标题翻译： Fokussierte Ionenstrahlen erzeugende Vorrichtung und Bestrahlungsverfahren mittels eines fokussierten Ionenstrahls
公开(公告)号：EP0734045A2
公开(公告)日：1996-09-25
申请号：EP96103903.9
申请日：1996-03-12
申请人： HITACHI, LTD.
发明人： Ishitani, Tohru , Ohnishi, Tsuyoshi
IPC分类号： H01J37/30
CPC分类号： H01J37/3007 , H01J37/3005 , H01J2237/31742
摘要： In an optical system, the total optical path length from the emitter tip of an ion source (1) to the surface of a sample (10) is in the range of from 300 to 450 mm, the distance from the ion source to the centre of a condenser lens (2) is in the range of from 15 to 45 mm, and the distance from the centre of an objective lens (8) to the sample is in the range of from 10 to 40 mm. The optical system is installed in a focused ion beam apparatus in order to realise milling of fine elements to high accuracy at high speed, image observation with high resolution in failure analysis and process evaluation of fine elements such as semiconductors.
摘要翻译：在光学系统中，从离子源（1）的发射极尖端到样品（10）的表面的总光路长度在从300到450mm的范围内，从离子源到中心的距离聚光透镜（2）的距离在15至45mm的范围内，并且从物镜（8）的中心到样品的距离在10至40mm的范围内。光学系统安装在聚焦离子束装置中，以实现高精度高精度铣削，高分辨率图像观察，半导体等精细元件的工艺评估。

10. 发明申请

US20080156998A1 Focused Ion Beam Apparatus 审中-公开
标题翻译：聚焦离子束装置
公开(公告)号：US20080156998A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：US11961967
申请日：2007-12-20
申请人： Yasuhiko Sugiyama
发明人： Yasuhiko Sugiyama
IPC分类号： H01J3/14
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3007 , H01J37/3056 , H01J2237/0817 , H01J2237/31742 , H01J2237/31749
摘要： A focused ion beam apparatus including a plasma type gas ion source for generating an ion beam, and an ion optical system for gathering the ion beam generated from the plasma type gas ion source onto a sample. The ion optical system is constructed by a constitution having 2 pieces of basic electrostatic lenses and an ion optical system magnification of the 2 pieces of basic electrostatic lenses is set to be equal to or smaller than 1/300.
摘要翻译：包括用于产生离子束的等离子体型气体离子源的聚焦离子束装置和用于将从等离子体型气体离子源产生的离子束聚集到样品上的离子光学系统。离子光学系统由具有2个基本静电透镜的构造构成，并且2个基本静电透镜的离子光学系统放大率设定为等于或小于1/300。

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