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    • 1. 发明授权
      US07217625B2 Method of fabricating a semiconductor device having a shallow source/drain region 有权
    • Method of fabricating a semiconductor device having a shallow source/drain region
    • 制造具有浅源/漏区的半导体器件的方法
    • US07217625B2
    • 2007-05-15
    • US10753447
    • 2004-01-09
    • Sang-Jin Lee , Kyung-Soo Kim , Chang-Bong Oh , Hee-Sung Kang
    • Sang-Jin Lee , Kyung-Soo Kim , Chang-Bong Oh , Hee-Sung Kang
    • H01L21/336
    • H01L29/6653 , H01L21/2652 , H01L21/26586 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7833
    • A method of fabricating a semiconductor device forms a shallow source/drain region after a deep source/drain region. First, a gate insulating layer including a gate pattern and a gate electrode are formed on a semiconductor substrate. A buffer insulating layer, a first insulating layer, and a second insulating layer are then sequentially formed on the entire surface of the gate pattern and the semiconductor substrate. A first spacer is formed on the first insulating layer at both sidewalls of the gate pattern by etching the second insulating layer. A deep source/drain region is then formed on the semiconductor substrate as aligned by the first spacer. The first spacer is removed. Next, an offset spacer is formed at both sidewalls of the gate pattern by etching the first insulating layer. Finally, a shallow source/drain region is formed on the semiconductor substrate adjacent to the deep source/drain region as aligned by the offset spacer.
    • 半导体器件的制造方法在深源极/漏极区域之后形成浅的源极/漏极区域。 首先，在半导体基板上形成包括栅极图案和栅电极的栅极绝缘层。 然后在栅极图案和半导体衬底的整个表面上依次形成缓冲绝缘层，第一绝缘层和第二绝缘层。 通过蚀刻第二绝缘层，在栅极图案的两个侧壁的第一绝缘层上形成第一间隔物。 然后在第一间隔物对准的半导体衬底上形成深源/漏区。 第一个垫片被去除。 接下来，通过蚀刻第一绝缘层在栅极图案的两个侧壁处形成偏移间隔物。 最后，在与偏移间隔物对齐的深源/漏区附近的半导体衬底上形成浅源极/漏极区。
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    • 2. 发明申请
      US20080032483A1 Trench isolation methods of semiconductor device 审中-公开
    • Trench isolation methods of semiconductor device
    • 半导体器件的沟槽隔离方法
    • US20080032483A1
    • 2008-02-07
    • US11973044
    • 2007-10-05
    • Hyuk-Ju Ryu , Heon-Jong Shin , Hee-Sung Kang , Choong-Ryul Ryou , Mu-Kyeng Jung , Kyung-Soo Kim
    • Hyuk-Ju Ryu , Heon-Jong Shin , Hee-Sung Kang , Choong-Ryul Ryou , Mu-Kyeng Jung , Kyung-Soo Kim
    • H01L21/78
    • H01L21/76237 , H01L21/76224 , H01L21/823878
    • In a trench isolation method, a semiconductor substrate having an N-MOS region and a P-MOS region is prepared. A first mask pattern exposing an N-MOS field region is formed on the N-MOS region, and a second mask pattern exposing a P-MOS field region is formed on the P-MOS region. A first photoresist pattern is formed to cover the P-MOS region and expose the N-MOS region. First impurity ions are implanted into the N-MOS region, using the first mask pattern and the first photoresist pattern as ion implantation masks, thereby forming a first impurity layer in the N-MOS field region. In this case, a portion of the first impurity layer is formed to extend below the first mask pattern. The first photoresist pattern is removed. The semiconductor substrate is etched using the first and second mask patterns as etch masks, thereby forming trenches in the N-MOS field region and the P-MOS field region and concurrently, forming a first impurity pattern of the first impurity layer remaining below the first mask pattern. A trench isolation layer filling the trenches is then formed.
    • 在沟槽隔离方法中，制备具有N-MOS区和P-MOS区的半导体衬底。 在N-MOS区形成露出N-MOS场区的第一掩模图案，在P-MOS区形成露出P-MOS场区的第二掩模图案。 形成第一光致抗蚀剂图案以覆盖P-MOS区并暴露N-MOS区。 使用第一掩模图案和第一光致抗蚀剂图案作为离子注入掩模将第一杂质离子注入到N-MOS区域中，从而在N-MOS场区域中形成第一杂质层。 在这种情况下，第一杂质层的一部分形成为延伸到第一掩模图案的下方。 去除第一光致抗蚀剂图案。 使用第一和第二掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻半导体衬底，从而在N-MOS场区和P-MOS场区中形成沟槽，同时，形成第一杂质图案的第一杂质图案保留在第一 掩模图案。 然后形成填充沟槽的沟槽隔离层。
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    • 3. 发明申请
      US20060240636A1 Trench isolation methods of semiconductor device 审中-公开
    • Trench isolation methods of semiconductor device
    • 半导体器件的沟槽隔离方法
    • US20060240636A1
    • 2006-10-26
    • US11358454
    • 2006-02-21
    • Hyuk-Ju Ryu , Heon-Jong Shin , Hee-Sung Kang , Choong-Ryul Ryou , Mu-Kyeng Jung , Kyung-Soo Kim
    • Hyuk-Ju Ryu , Heon-Jong Shin , Hee-Sung Kang , Choong-Ryul Ryou , Mu-Kyeng Jung , Kyung-Soo Kim
    • H01L21/76
    • H01L21/76237 , H01L21/76224 , H01L21/823878
    • In a trench isolation method, a semiconductor substrate having an N-MOS region and a P-MOS region is prepared. A first mask pattern exposing an N-MOS field region is formed on the N-MOS region, and a second mask pattern exposing a P-MOS field region is formed on the P-MOS region. A first photoresist pattern is formed to cover the P-MOS region and expose the N-MOS region. First impurity ions are implanted into the N-MOS region, using the first mask pattern and the first photoresist pattern as ion implantation masks, thereby forming a first impurity layer in the N-MOS field region. In this case, a portion of the first impurity layer is formed to extend below the first mask pattern. The first photoresist pattern is removed. The semiconductor substrate is etched using the first and second mask patterns as etch masks, thereby forming trenches in the N-MOS field region and the P-MOS field region and concurrently, forming a first impurity pattern of the first impurity layer remaining below the first mask pattern. A trench isolation layer filling the trenches is then formed.
    • 在沟槽隔离方法中，制备具有N-MOS区和P-MOS区的半导体衬底。 在N-MOS区形成露出N-MOS场区的第一掩模图案，在P-MOS区形成露出P-MOS场区的第二掩模图案。 形成第一光致抗蚀剂图案以覆盖P-MOS区域并暴露N-MOS区域。 使用第一掩模图案和第一光致抗蚀剂图案作为离子注入掩模将第一杂质离子注入到N-MOS区域中，从而在N-MOS场区域中形成第一杂质层。 在这种情况下，第一杂质层的一部分形成为延伸到第一掩模图案的下方。 去除第一光致抗蚀剂图案。 使用第一和第二掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻半导体衬底，从而在N-MOS场区和P-MOS场区中形成沟槽，同时，形成第一杂质图案的第一杂质图案保留在第一 掩模图案。 然后形成填充沟槽的沟槽隔离层。
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    • 4. 发明授权
      US08792415B2 Apparatus and method for scheduling of high-speed portable internet system 有权
    • Apparatus and method for scheduling of high-speed portable internet system
    • 高速便携式互联网系统调度装置及方法
    • US08792415B2
    • 2014-07-29
    • US11993936
    • 2006-06-27
    • Ju-Hee Kim , Sook-Jin Lee , Kyung-Soo Kim
    • Ju-Hee Kim , Sook-Jin Lee , Kyung-Soo Kim
    • H04W4/00 , H04J3/22 , H04B7/212 , H04L12/403 , H04L12/28 , H04W28/14 , H04W72/12 , H04W28/06
    • H04W72/1273 , H04W28/065 , H04W28/14 , H04W72/1205
    • The present invention relates to a scheduling apparatus and a method thereof in an HPi system. A scheduling algorithm is applied appropriate to a characteristic of each multimedia service (e.g., real-time service, non real-time service, best-effort service, etc.) and a transmission order of the IP packets transmitted from a network is determined such that a transmit wait queue is generated. Radio resource allocation is performed in accordance with the order of the data items queued in the transmit wait queue, the size of transmittable data is determined such that a PDU is generated. In addition, frame data formed of bursts of PDUs is generated and transmitted to a physical layer. Therefore, a scheduling algorithm can be applied appropriate to characteristics of each multimedia service. In addition, packet scheduling is performed in two steps in order to schedule traffic corresponding to radio frames such that packets can be efficiently processed.
    • 本发明涉及一种HPi系统中的调度装置及其方法。 适用于每个多媒体业务的特性（例如，实时业务，非实时业务，尽力服务等）的调度算法被确定为从网络发送的IP分组的传输顺序， 生成发送等待队列。 根据发送等待队列中排队的数据项的顺序执行无线资源分配，确定可发送数据的大小，使得生成PDU。 另外，由突发的PDU形成的帧数据被生成并发送到物理层。 因此，可以适用于每个多媒体业务的特征的调度算法。 另外，分两个步骤进行分组调度，以便调度与无线帧相对应的业务，从而可以有效地处理分组。
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    • 10. 发明授权
      US07904070B2 Method and device for searching and deallocating abnormal terminal in wireless portable internet system 有权
    • Method and device for searching and deallocating abnormal terminal in wireless portable internet system
    • 在无线便携式互联网系统中搜索和解除异常终端的方法和设备
    • US07904070B2
    • 2011-03-08
    • US11636937
    • 2006-12-11
    • Sook-Jin Lee , Sung-Cheol Chang , Eun-Kyung Kim , Kyung-Soo Kim
    • Sook-Jin Lee , Sung-Cheol Chang , Eun-Kyung Kim , Kyung-Soo Kim
    • H04M3/00
    • H04W24/08 , H04W76/30
    • The present invention relates to a method for searching and releasing an abnormal subscriber station in a wireless portable Internet system, and an apparatus using the same. The apparatus searches for an abnormal group including abnormal subscriber stations based on a ranging code provided in a periodic ranging process, and searches for an abnormal subscriber station by transmitting a connection maintenance message to subscriber stations included in the abnormal group so as to check an operation status of the respective subscriber stations. In addition, the apparatus releases a connection of an abnormal subscriber station. Therefore, waste of radio resources allocated to the abnormal subscriber station can be prevented, thereby achieving efficient resource management. Further, a secondary search process is performed only for subscriber stations included in an abnormal group, thereby preventing a system load from occurring when searching for an abnormal subscriber station.
    • 本发明涉及一种在无线便携式互联网系统中搜索和释放异常用户站的方法及其使用方法。 该装置基于在周期性测距处理中提供的测距码，搜索包括异常用户站的异常组，并通过向包括在异常组中的用户站发送连接维护消息来搜索异常用户站，以便检查操作 各个用户站的状态。 此外，该装置释放异常用户台的连接。 因此，可以防止分配给异常用户站的无线资源的浪费，从而实现有效的资源管理。 此外，仅对包括在异常组中的用户站执行辅助搜索处理，从而防止在搜索异常用户站时发生系统负载。
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