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1. 发明申请

WO2004008526A1 A LAYER TRANSFER METHOD 审中-公开
标题翻译：层转移方法
公开(公告)号：WO2004008526A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/EP2003/007853
申请日：2003-07-16
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , BRESSOT, Séverine , RAYSSAC, Olivier
发明人： ASPAR, Bernard , BRESSOT, Séverine , RAYSSAC, Olivier
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76259 , H01L21/76254
摘要： The invention concerns a method for transferring a layer of material (41) deriving from a source substrate (4) onto a support substrate (5), comprising at least the steps consisting in : depositing additional material (6) on at least one of the front faces of the source substrate (4) and the support substrate (5) and applying said two substrates (4, 5) against each other; then detaching said layer to be transferred (41) from the source substrate (4) along a zone of weakness (43) by applying a stress of mechanical origin. This method is remarkable in that prior to the step of depositing the material (6), at least one recess (56) for receiving excess additional material (6) is formed in at least one of the two substrates (4, 5), said recess opening onto the front face of said substrate. Application to the fabrication of a composite substrate in the fields of electronics, optoelectronics and optics.
摘要翻译：本发明涉及一种将从源底物（4）衍生的材料层（41）转移到支撑衬底（5）上的方法，该方法至少包括以下步骤：将附加材料（6）沉积在至少一个所述源极基板（4）和所述支撑基板（5）的前表面彼此相对地施加所述两个基板（4,5）; 然后通过施加机械来源的应力，将所述待迁移层（41）从所述源基板（4）沿弱区（43）分离。该方法是显着的，因为在沉积材料（6）的步骤之前，用于接收多余的附加材料（6）的至少一个凹部（56）形成在两个基板（4,5）中的至少一个中，所述在所述衬底的前表面上的凹口。应用于电子，光电子学和光学领域的复合衬底的制造。

2. 发明申请

WO2004066380A1 A LAYER TRANSFER METHOD 审中-公开
标题翻译：层转移方法
公开(公告)号：WO2004066380A1
公开(公告)日：2004-08-05
申请号：PCT/EP2004/000646
申请日：2004-01-22
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , BRESSOT, Séverine , RAYSSAC, Olivier , ASPAR, Bernard
发明人： BRESSOT, Séverine , RAYSSAC, Olivier , ASPAR, Bernard
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76259 , C09J5/00 , H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method of removing a peripheral zone (62) of adhesive while using a layer of adhesive (6) in the process of assembling and transferring a layer (41) of material coming from a source substrate (4) and placed on a support substrate (5). The method is remarkable in that it consists in bonding the two substrates (4 and 5) together by means of an intermediate layer of curable adhesive (6), in curing only that zone (61) of the layer of adhesive (6) which extends facing the front face (43) of said layer (41) of material to be transferred, in removing the zone (62) of non-cured adhesive, and in detaching said layer (41) to be transferred from the remainder (42) of the source substrate. The invention is applicable to fabricating a composite substrate in the fields of electronics, optoelectronics, or optics.
摘要翻译：本发明涉及一种在组装和转移来自源底板（4）的材料层（41）的过程中使用一层粘合剂（6）的同时去除粘合剂的周边区域（62）的方法，并将其放置在支撑基板（5）。该方法是显着的，它包括通过可固化粘合剂（6）的中间层将两个基底（4和5）粘合在一起，仅固化延伸的粘合剂层（6）的区域（61）面对所述待转移材料的所述层（41）的前表面（43），以去除未固化粘合剂的区域（62），并且从所述层（41）的剩余部分（42）分离所述待转移的层（41）源底物。本发明可应用于在电子，光电子学或光学领域制造复合衬底。

3. 发明申请

WO2003032384A1 PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES CONTENANT DES MICROCOMPOSANTS 审中-公开
标题翻译：用于制造含有微米级薄层的方法
公开(公告)号：WO2003032384A1
公开(公告)日：2003-04-17
申请号：PCT/FR2002/003422
申请日：2002-10-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle , GHYSELEN, Bruno
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L2221/68322
摘要： La présente invention concerne un procédé de fabrication, au moyen d'un substrat (1), de couches minces (5) contenant des microcomposants (6). Ce procédé comprend notamment, pour chaque couche (5), les étapes suivantes; l'implantation localisée d'au moins une espèce gazeuse dans ledit substrat (1) au droit d'une pluralité de zones d'implantation définies à la surface du substrat (1), en évitant, par un choix adéquat de la profondeur d'implantation et de la géométrie desdites zones d'implantation, une dégradation de cette surface du substrat (1) lors de l'étape b); la réalisation de microcomposants (6) dans la couche superficielle (5) du substrat (1) délimitée par la profondeur d'implantation, et; la séparation en deux parties du substrat (1), une partie contenant ladite couche superficielle (5) contenant lesdits microcomposants (6), et l'autre le reste du substrat (1). Application à la réalisation de microcomposants devant être intégrés sur des supports différents de ceux permettant leur fabrication.
摘要翻译：本发明涉及一种制造（1）使用基底的含微量元件（6）的薄层（5）的方法。所述方法特别地包括对于每个层（5），以下步骤：a）垂直于限定在衬底（1）的表面上的多个注入区域，在所述衬底（1）中局部植入至少一种气态物质，通过充分选择所述注入区的深度和形状，避免在步骤b）期间所述衬底（1）的所述表面的劣化; b）在由植入深度限定的衬底（1）的表面层（5）中产生微组件（6）; 以及c）将所述基板（1）分成两部分，一部分包含包括所述微组件（6）的表面层（5），并且所述基板（1）的其余部分。本发明可用于生产微型组件，以集成在不同于用于制造的支架上的支架上。

4. 发明申请

WO2002084721A3 SUBSTRAT OU STRUCTURE DEMONTABLE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2002084721A3
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001266
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , ZUSSY, Marc , RAYSSAC, Olivier
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , ZUSSY, Marc , RAYSSAC, Olivier
IPC分类号： H01L21/18
摘要： Le procédé de préparation d'une couche mince comportant une étape de réalisation d'une interface entre une couche destinée à faire partie de cette couche mince et un substrat est caractérisé en ce que cet interface est réalisé en sorte d'avoir au moins une première zone (Z1) ayant un premier niveau de tenue mécanique, et une seconde zone (Z2) ayant un second niveau de tenue mécanique sensiblement inférieur au premier niveau de tenue mécanique. Cette interface peut notamment être constituée par le collage de surfaces préparées de façons différenciées, par une couche enterrée fragilisée de façon différenciée dans ces zones, ou par une couche intermédiaire poreuse.

5. 发明申请

WO2002084721A2 SUBSTRAT OU STRUCTURE DEMONTABLE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
标题翻译：可分离的基板或可拆卸的结构及其生产方法
公开(公告)号：WO2002084721A2
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001266
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , ZUSSY, Marc , RAYSSAC, Olivier
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , ZUSSY, Marc , RAYSSAC, Olivier
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/7813 , H01L21/6835 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L2221/68318 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2924/19041 , Y10T156/11
摘要： Le procédé de préparation d'une couche mince comportant une étape de réalisation d'un interface entre une couche destinée à faire de cette couche mince et un substrat est caractérisé en ce que cet interface est réalisé en sorte d'avoir au moins une première zone (Z1) ayant un premier niveau de teneue mécanique sensiblement inférieur au premier niveau de tenue mécanique. Cette interface peut notamment être constituée par le collage de surfaces préparées de façons différenciées, par une couche enterrée fragilisée de façon différenciée dans ces zones, ou rpar une couche intermédiaire poreuse.
摘要翻译：本发明涉及薄层的制备，其包括在用于产生所述薄层的层与基底之间形成界面的步骤，其特征在于所述界面以至少提供至少具有第一级机械强度的第一区域（Z1）和具有基本上低于第一区域的机械强度水平的第二区域（Z2）。所述界面可以通过以不同的方式制备的表面，通过在所述区域中以不同的方式被掩埋和脆化的层或通过中间多孔层来胶合表面而形成。

6. 发明申请

WO2003081664A2 PROCEDE DE TRANSFERT D'ELEMENTS DE SUBSTRAT A SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：用于传输基板之间的元素的方法
公开(公告)号：WO2003081664A2
公开(公告)日：2003-10-02
申请号：PCT/FR2003/000905
申请日：2003-03-21
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , RAYSSAC, Olivier , FOURNEL, Franck
发明人： ASPAR, Bernard , RAYSSAC, Olivier , FOURNEL, Franck
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/76254 , H01L2221/68318 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368
摘要： La présente invention concerne un procédé de transfert d'au moins un élément depuis un substrat donneur vers un substrat cible (40). Conformément à l'invention, on rend un élément à transférer solidaire d'un substrat-poignée (30) par l'intermédiaire d'une couche de colle (32) susceptible d'être dégradée et dans lequel on procède à une dégradation de la couche de colle lors d'une étape de libération de l'élément à transférer. Application au report de composants.
摘要翻译：本发明涉及一种用于将至少一个元件从施主衬底转移到目标衬底（40）的方法。本发明的特征在于其包括通过能够降解并在产生释放待转移元件的步骤期间导致结合层的劣化的结合层（32）将元件固定到手柄基板上。本发明适用于组件的传送。

7. 发明申请

WO2002084722A3 SUBSTRAT DEMONTABLE A TENUE MECANIQUE CONTROLEE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2002084722A3
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001268
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/20
摘要： Procédé de préparation d'un substrat démontable, comportant une étape de réalisation d'une interface par collage par adhésion moléculaire d'une face d'une couche sur une face d'un substrat , dans lequel est prévu, avant collage, une étape de traitement de l'une au moins de ces faces propre à mettre la tenue mécanique de l'interface à un niveau contrôlé compatible avec un démontage ultérieur.

8. 发明申请

WO2002084722A2 SUBSTRAT DEMONTABLE A TENUE MECANIQUE CONTROLEE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
标题翻译：具有受控机械保持的可拆卸基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2002084722A2
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001268
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： B81C99/008 , H01L21/76254 , Y10S438/958
摘要： Procédé de préparation d'un substrat démontable, comportant une étape de réalisation d'une interface par collage par adhésion moléculaire d'une face d'une couche sur une face d'un substrat , dans lequel est prévu, avant collage, une étape de traitement de l'une au moins de ces faces propre à mettre la tenue mécanique de l'interface à un niveau contrôlé compatible avec un démontage ultérieur.
摘要翻译：本发明涉及一种可拆卸基板的制造方法，其特征在于，包括：通过使用分子粘合固定在基板的一个面上的一个面固定界面的方法制造界面的方法，提供了用于至少一个所述面部的处理台，使得在该受控水平处的界面处的机械保持与随后的分离兼容。

9. 发明申请

WO2003081664A3 PROCEDE DE TRANSFERT D'ELEMENTS DE SUBSTRAT A SUBSTRAT 审中-公开
公开(公告)号：WO2003081664A3
公开(公告)日：2003-10-02
申请号：PCT/FR2003/000905
申请日：2003-03-21
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , RAYSSAC, Olivier , FOURNEL, Franck
发明人： ASPAR, Bernard , RAYSSAC, Olivier , FOURNEL, Franck
IPC分类号： H01L21/68
摘要： La présente invention concerne un procédé de transfert d'au moins un élément depuis un substrat donneur vers un substrat cible (40). Conformément à l'invention, on rend un élément à transférer solidaire d'un substrat-poignée (30) par l'intermédiaire d'une couche de colle (32) susceptible d'être dégradée et dans lequel on procède à une dégradation de la couche de colle lors d'une étape de libération de l'élément à transférer. Application au report de composants.

10. 发明申请

WO2008117173A1 METHOD FOR PRODUCING SELF-SUPPORTING MEMBRANES 审中-公开
标题翻译：生产自支撑膜的方法
公开(公告)号：WO2008117173A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/IB2008/000781
申请日：2008-03-25
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , SOUSBIE, Nicolas , ASPAR, Bernard , LAGAHE BLANCHARD, Chrystelle
发明人： SOUSBIE, Nicolas , ASPAR, Bernard , LAGAHE BLANCHARD, Chrystelle
IPC分类号： B81C5/00 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method for separating a membrane (4) from a substrate (6), comprising : a) the fixing of at least one adhesive (10) solely on a part of the surface of said membrane which is not facing the substrate, b) the separation of the membrane by traction on one of the adhesives.
摘要翻译：本发明涉及一种从衬底（6）分离膜（4）的方法，包括：a）仅将至少一种粘合剂（10）固定在所述膜的不面向衬底的表面的一部分上，b）通过在一种粘合剂上的牵引来分离膜。

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