专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2003032384A1 PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES CONTENANT DES MICROCOMPOSANTS 审中-公开
标题翻译：用于制造含有微米级薄层的方法
公开(公告)号：WO2003032384A1
公开(公告)日：2003-04-17
申请号：PCT/FR2002/003422
申请日：2002-10-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle , GHYSELEN, Bruno
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L2221/68322
摘要： La présente invention concerne un procédé de fabrication, au moyen d'un substrat (1), de couches minces (5) contenant des microcomposants (6). Ce procédé comprend notamment, pour chaque couche (5), les étapes suivantes; l'implantation localisée d'au moins une espèce gazeuse dans ledit substrat (1) au droit d'une pluralité de zones d'implantation définies à la surface du substrat (1), en évitant, par un choix adéquat de la profondeur d'implantation et de la géométrie desdites zones d'implantation, une dégradation de cette surface du substrat (1) lors de l'étape b); la réalisation de microcomposants (6) dans la couche superficielle (5) du substrat (1) délimitée par la profondeur d'implantation, et; la séparation en deux parties du substrat (1), une partie contenant ladite couche superficielle (5) contenant lesdits microcomposants (6), et l'autre le reste du substrat (1). Application à la réalisation de microcomposants devant être intégrés sur des supports différents de ceux permettant leur fabrication.
摘要翻译：本发明涉及一种制造（1）使用基底的含微量元件（6）的薄层（5）的方法。所述方法特别地包括对于每个层（5），以下步骤：a）垂直于限定在衬底（1）的表面上的多个注入区域，在所述衬底（1）中局部植入至少一种气态物质，通过充分选择所述注入区的深度和形状，避免在步骤b）期间所述衬底（1）的所述表面的劣化; b）在由植入深度限定的衬底（1）的表面层（5）中产生微组件（6）; 以及c）将所述基板（1）分成两部分，一部分包含包括所述微组件（6）的表面层（5），并且所述基板（1）的其余部分。本发明可用于生产微型组件，以集成在不同于用于制造的支架上的支架上。

2. 发明申请

WO2004008526A1 A LAYER TRANSFER METHOD 审中-公开
标题翻译：层转移方法
公开(公告)号：WO2004008526A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/EP2003/007853
申请日：2003-07-16
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , BRESSOT, Séverine , RAYSSAC, Olivier
发明人： ASPAR, Bernard , BRESSOT, Séverine , RAYSSAC, Olivier
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76259 , H01L21/76254
摘要： The invention concerns a method for transferring a layer of material (41) deriving from a source substrate (4) onto a support substrate (5), comprising at least the steps consisting in : depositing additional material (6) on at least one of the front faces of the source substrate (4) and the support substrate (5) and applying said two substrates (4, 5) against each other; then detaching said layer to be transferred (41) from the source substrate (4) along a zone of weakness (43) by applying a stress of mechanical origin. This method is remarkable in that prior to the step of depositing the material (6), at least one recess (56) for receiving excess additional material (6) is formed in at least one of the two substrates (4, 5), said recess opening onto the front face of said substrate. Application to the fabrication of a composite substrate in the fields of electronics, optoelectronics and optics.
摘要翻译：本发明涉及一种将从源底物（4）衍生的材料层（41）转移到支撑衬底（5）上的方法，该方法至少包括以下步骤：将附加材料（6）沉积在至少一个所述源极基板（4）和所述支撑基板（5）的前表面彼此相对地施加所述两个基板（4,5）; 然后通过施加机械来源的应力，将所述待迁移层（41）从所述源基板（4）沿弱区（43）分离。该方法是显着的，因为在沉积材料（6）的步骤之前，用于接收多余的附加材料（6）的至少一个凹部（56）形成在两个基板（4,5）中的至少一个中，所述在所述衬底的前表面上的凹口。应用于电子，光电子学和光学领域的复合衬底的制造。

3. 发明申请

WO2004066380A1 A LAYER TRANSFER METHOD 审中-公开
标题翻译：层转移方法
公开(公告)号：WO2004066380A1
公开(公告)日：2004-08-05
申请号：PCT/EP2004/000646
申请日：2004-01-22
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , BRESSOT, Séverine , RAYSSAC, Olivier , ASPAR, Bernard
发明人： BRESSOT, Séverine , RAYSSAC, Olivier , ASPAR, Bernard
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76259 , C09J5/00 , H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method of removing a peripheral zone (62) of adhesive while using a layer of adhesive (6) in the process of assembling and transferring a layer (41) of material coming from a source substrate (4) and placed on a support substrate (5). The method is remarkable in that it consists in bonding the two substrates (4 and 5) together by means of an intermediate layer of curable adhesive (6), in curing only that zone (61) of the layer of adhesive (6) which extends facing the front face (43) of said layer (41) of material to be transferred, in removing the zone (62) of non-cured adhesive, and in detaching said layer (41) to be transferred from the remainder (42) of the source substrate. The invention is applicable to fabricating a composite substrate in the fields of electronics, optoelectronics, or optics.
摘要翻译：本发明涉及一种在组装和转移来自源底板（4）的材料层（41）的过程中使用一层粘合剂（6）的同时去除粘合剂的周边区域（62）的方法，并将其放置在支撑基板（5）。该方法是显着的，它包括通过可固化粘合剂（6）的中间层将两个基底（4和5）粘合在一起，仅固化延伸的粘合剂层（6）的区域（61）面对所述待转移材料的所述层（41）的前表面（43），以去除未固化粘合剂的区域（62），并且从所述层（41）的剩余部分（42）分离所述待转移的层（41）源底物。本发明可应用于在电子，光电子学或光学领域制造复合衬底。

4. 发明申请

WO2009090236A1 PROCESS OF TREATING DEFECTS DURING THE BONDING OF WAFERS 审中-公开
标题翻译：在水泥粘结过程中处理缺陷的过程
公开(公告)号：WO2009090236A1
公开(公告)日：2009-07-23
申请号：PCT/EP2009/050480
申请日：2009-01-16
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , LAGAHE, Chrystelle , ASPAR, Bernard
发明人： LAGAHE, Chrystelle , ASPAR, Bernard
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/2007
摘要： The invention concerns a process of preparing a thin layer to be transferred onto a substrate (8) having a surface topology, and therefore variations in altitude or level, in a direction perpendicular to a plane defined by the thin layer, this process comprising the formation, on the thin layer, of a layer (4) of adhesive material, the thickness of which enables to carry out a plurality of polishing steps of its surface in order to eliminate any defect or void (24, 26), or almost any defect or void, in preparation for an assembly via a molecular kind of bonding with the substrate (8).
摘要翻译：本发明涉及一种制备要转移到具有表面拓扑结构的衬底（8）的薄层的方法，因此在垂直于由薄层限定的平面的方向上的高度或水平的变化，该方法包括地层在薄层上的粘合剂材料层（4），其厚度能够执行其表面的多个抛光步骤，以消除任何缺陷或空隙（24,26）或几乎任何缺陷或空隙，以通过与衬底（8）的分子类型的结合来制备组件。

5. 发明申请

WO2009077538A2 PROCESS OF ASSEMBLY WITH BURIED MARKS 审中-公开
标题翻译：装配标记的程序
公开(公告)号：WO2009077538A2
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/EP2008/067652
申请日：2008-12-16
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/50 , H01L21/762
CPC分类号： H01L23/544 , B81C3/002 , B81C2203/051 , H01L21/187 , H01L2223/54453 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a process of forming an assembly of at least two substrates with at least one alignment mark, comprising the following steps: a) a step of forming of at least one alignment mark (10) on or in a first substrate (4) or a layer formed on this substrate, b) a first step of assembly of this first substrate, or of a layer formed on this first substrate, with a second substrate (2) or a layer formed on this second substrate, c) a step of thinning of at least a peripheral portion of at least one of the two substrates, in order to have at least one of said alignment marks appear.
摘要翻译：本发明涉及一种用至少一个对准标记形成至少两个基板的组件的方法，包括以下步骤：a）在第一基板（4）上或第一基板（4）上形成至少一个对准标记）或形成在该衬底上的层，b）将第一衬底或形成在该第一衬底上的层与第二衬底（2）或形成在该第二衬底上的层组装的第一步骤，c）使两个基板中的至少一个的至少一个周边部分变薄的步骤，以便具有至少一个所述对准标记出现。

6. 发明申请

WO2004032183A2 REALISATION D'UN SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR DEMONTABLE ET OBTENTION D'UN ELEMENT SEMICONDUCTEUR. 审中-公开
标题翻译：制造可分离的半导体基板和获得半导体元件的方法
公开(公告)号：WO2004032183A2
公开(公告)日：2004-04-15
申请号：PCT/FR2003/050077
申请日：2003-10-03
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , LAGAHE, Chrystelle , ASPAR, Bernard , BEAUMONT, Aurélie
发明人： LAGAHE, Chrystelle , ASPAR, Bernard , BEAUMONT, Aurélie
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： L'invention concerne un Procédé de réalisation d'un substrat semiconducteur démontable, comprenant les étapes suivantes : - introduction d'espèces gazeuses dans le substrat (1) selon des conditions permettant la constitution d'une couche fragilisée par la présence dans cette couche de micro-cavités et/ou de micro bulles, une couche mince de matériau semiconducteur étant ainsi délimitée entre la couche fragilisée et une face (2) du substrat, - traitement thermique du substrat pour augmenter le niveau de fragilisation de la couche fragilisée, ce traitement thermique étant mené jusqu'à l'apparition de déformations locales de ladite face (2) du substrat (1) sous forme de cloques mais sans générer d'exfoliations de la couche mince lors de cette étape et au cours de la suite du procédé, - épitaxie de matériau semiconducteur (6) sur ladite face du substrat pour fournir au moins une couche épitaxiée sur ladite couche mince.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造可分离半导体衬底的方法，包括以下步骤：在能够形成弱化层的条件下将气体物质引入衬底（1）中，通过在所述层中提供微腔和/或微泡，半导体材料的薄膜因此被限定在弱化层与基板的一个表面（2）之间; 在基板上进行热处理以增加弱化层的脆化，所述热处理被进行，直到基板（1）的表面（2）局部变形为起泡状，而不产生剥离薄片并且随后：在衬底的所述表面上外延生长半导体材料（6），以在所述薄膜上产生至少一个外延层。

7. 发明申请

WO2002084722A3 SUBSTRAT DEMONTABLE A TENUE MECANIQUE CONTROLEE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2002084722A3
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001268
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/20
摘要： Procédé de préparation d'un substrat démontable, comportant une étape de réalisation d'une interface par collage par adhésion moléculaire d'une face d'une couche sur une face d'un substrat , dans lequel est prévu, avant collage, une étape de traitement de l'une au moins de ces faces propre à mettre la tenue mécanique de l'interface à un niveau contrôlé compatible avec un démontage ultérieur.

8. 发明申请

WO2002084722A2 SUBSTRAT DEMONTABLE A TENUE MECANIQUE CONTROLEE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
标题翻译：具有受控机械保持的可拆卸基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2002084722A2
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001268
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： B81C99/008 , H01L21/76254 , Y10S438/958
摘要： Procédé de préparation d'un substrat démontable, comportant une étape de réalisation d'une interface par collage par adhésion moléculaire d'une face d'une couche sur une face d'un substrat , dans lequel est prévu, avant collage, une étape de traitement de l'une au moins de ces faces propre à mettre la tenue mécanique de l'interface à un niveau contrôlé compatible avec un démontage ultérieur.
摘要翻译：本发明涉及一种可拆卸基板的制造方法，其特征在于，包括：通过使用分子粘合固定在基板的一个面上的一个面固定界面的方法制造界面的方法，提供了用于至少一个所述面部的处理台，使得在该受控水平处的界面处的机械保持与随后的分离兼容。

9. 发明申请

WO2008117173A1 METHOD FOR PRODUCING SELF-SUPPORTING MEMBRANES 审中-公开
标题翻译：生产自支撑膜的方法
公开(公告)号：WO2008117173A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/IB2008/000781
申请日：2008-03-25
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , SOUSBIE, Nicolas , ASPAR, Bernard , LAGAHE BLANCHARD, Chrystelle
发明人： SOUSBIE, Nicolas , ASPAR, Bernard , LAGAHE BLANCHARD, Chrystelle
IPC分类号： B81C5/00 , H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method for separating a membrane (4) from a substrate (6), comprising : a) the fixing of at least one adhesive (10) solely on a part of the surface of said membrane which is not facing the substrate, b) the separation of the membrane by traction on one of the adhesives.
摘要翻译：本发明涉及一种从衬底（6）分离膜（4）的方法，包括：a）仅将至少一种粘合剂（10）固定在所述膜的不面向衬底的表面的一部分上，b）通过在一种粘合剂上的牵引来分离膜。

10. 发明申请

WO2008090428A1 SURFACE ROUGHENING PROCESS 审中-公开
标题翻译：表面粗糙化工艺
公开(公告)号：WO2008090428A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/IB2008/000086
申请日：2008-01-10
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , ASPAR, Bernard , LAGAHE BLANCHARD, Chrystelle , SOUSBIE, Nicolas
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE BLANCHARD, Chrystelle , SOUSBIE, Nicolas
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00952 , B81B3/001 , B81C2201/115
摘要： The invention relates to a process of forming a rough interface (12) in a semiconductor substrate (2), comprising: the formation, on a surface (4) of said substrate, of a zone of irregularities (8) in or on an oxide or a material (6) that may be oxidized, the formation of roughnesses in or on the semiconductor substrate (2) by thermal oxidation of or through this material or this oxide (6) and a part of the semiconductor substrate.
摘要翻译：本发明涉及在半导体衬底（2）中形成粗糙界面（12）的方法，包括：在所述衬底的表面（4）上形成在氧化物中或氧化物上的不规则区域（8）或可能被氧化的材料（6），通过或通过该材料或该氧化物（6）和半导体衬底的一部分的热氧化在半导体衬底（2）中或之上形成粗糙度。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式