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1. 发明申请

WO2010085949A2 SUBSTRATTRÄGER ZUR HALTERUNG VON SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：衬底载体基板保持
公开(公告)号：WO2010085949A2
公开(公告)日：2010-08-05
申请号：PCT/DE2010/000138
申请日：2010-01-31
申请人： ROTH & RAU AG , PRÜSTEL, Mario , SCHUBERT, Stefan , SCHLEMM, Hermann , UHLIG, Matthias , LUX, André , DECKER, Daniel , KRAUTWALD, Silvia
发明人： PRÜSTEL, Mario , SCHUBERT, Stefan , SCHLEMM, Hermann , UHLIG, Matthias , LUX, André , DECKER, Daniel , KRAUTWALD, Silvia
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L31/18 , C23C16/4583 , C23C16/54 , H01L21/67336 , H01L21/6734 , H01L21/67363 , H01L21/67383 , H01L21/68735 , H01L21/68757 , H01L21/68778
摘要： Die Erfindung betrifft einen Substratträger zur Halterung von Substraten, bestehend aus einem Tragrahmen (1) und mindestens einer Substrataufnahme (2). Der Tragrahmen (1) weist eine selbsttragende und biegesteife Rahmenstruktur aus winklig zueinander angeordneten Längsstegen (6) und Querstegen (7) aus einem bis 800 0C formstabilen Material auf. Die Substrataufnahme (2) liegt auf dem Tragrahmen (1) auf und ist plattenartig derart ausgebildet, dass die Solarzellenwafer (5) auf der Oberseite der Substrataufnahme (2) positioniert werden können. Zwischen dem Tragrahmen (1) und der Substrataufnahme (2) sind thermische Isolierelemente (9) vorhanden. Die Elemente des Tragrahmens (1) und die Substrataufnahme (2) bestehen aus Stahl, Titan, Aluminium, Keramik, CFC (CFC = Carbon Fiber reinforced Carbon) oder daraus hergestellten Verbundwerkstoffen.
摘要翻译：本发明涉及一种基板支撑件，用于保持衬底，其包括支撑框架（1）和至少一个衬底保持器（2）。所述支撑框架（1）具有自支撑和刚性框架中的角度的尺寸稳定的布置成彼此纵向腹板（6）和横向腹板（7）高达800 0℃的材料。衬底保持器（2）的支撑框架上放置（1）和是平板状形成，使得在基片架（2）的顶部上的太阳能电池晶片（5）可被定位。所述支撑框架（1）和所述衬底保持器（2）之间是热绝缘体（9）中都存在。所述支撑框架（1）和所述衬底保持器（2）的元件由钢，钛，铝，陶瓷，CFC（CFC =碳纤维增强碳），或者从这样的复合材料制成的。

2. 发明申请

WO2010105585A1 SUBSTRATBEARBEITUNGSANLAGE UND SUBSTRATBEARBEITUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：基板处理系统及基板处理方法
公开(公告)号：WO2010105585A1
公开(公告)日：2010-09-23
申请号：PCT/DE2009/000383
申请日：2009-03-17
申请人： ROTH & RAU AG , SCHLEMM, Hermann , UHLIG, Matthias
发明人： SCHLEMM, Hermann , UHLIG, Matthias
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/02 , H01L21/311
CPC分类号： H01J37/3244 , H01L31/02363 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要： Substratbearbeitungsanlage, welche wenigstens eine evakuierbare Prozesskammer (20) aufweist, in welche wenigstens ein Substratträger (30) mit wenigstens einem Substrat (40) einbringbar ist, und welche ein Plasmaerzeugungsmodul (50), wenigstens eine Gaszuführung (61) und wenigstens eine Gasabführung aufweist (62). Ferner ein Substratbearbeitungsverfahren, wobei in wenigstens eine evakuierbare Prozesskammer wenigstens ein Substratträger mit wenigstens einem Substrat eingebracht wird und in der Prozesskammer in einem Plasmaprozess durch ein Plasmaerzeugungsmodul in einem Gas oder einem Gasgemisch ein Plasma erzeugt und eine Beschichtung, Ätzung, Oberflächenmodifizierung und/oder Reinigung des Substrates vorgenommen wird. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung stark oberflächentexturierte Substrate mit hohem Durchsatz und hoher Qualität isotrop zu ätzen. Die Aufgabe wird einerseits durch eine Substratbearbeitungsanlage der genannten Gattung gelöst, bei welcher in der Prozesskammer ein Dampfätzmodul (70) integriert ist. Die Aufgabe wird ferner durch ein Substratbearbeitungsverfahren der genannten Gattung gelöst, bei welchem in der Prozesskammer vor und/oder nach und/oder abwechselnd mit dem Plasmaprozess eine Dampfätzung des wenigstens einen Substrates durchgeführt wird.
摘要翻译：具有至少一个抽真空的处理室（20）插入其中的至少一个基板承载器（30）与至少一个衬底（40）的基板处理系统可被插入，并且它包括一个等离子体生成模块（50），至少一个气体供应（61）和至少一个气体出口（ 62）。另外，基板处理方法，其中，与至少一个基板的至少一个基板承载器被放置在至少一个排气的处理容器，并在等离子体处理的处理室中通过的气体中的等离子体生成模块或气体混合物和涂层，蚀刻，表面改性和/或清洁的产生等离子体基板进行。本发明极大地oberflächentexturierte基板以高通量和高品质的各向同性蚀刻的对象。该目的是由上述类型的基板处理系统，其中在所述处理室中的Dampfätzmodul（70）被集成解决的一方面。该目的通过上述类型的基板处理方法，进一步实现，其中在处理室中之前和/或之后和/或交替的至少一个基片与所述等离子体处理，气相刻蚀进行。

3. 发明申请

WO2011080659A1 INLINE-BESCHICHTUNGSANLAGE 审中-公开
标题翻译： INLINE涂装线
公开(公告)号：WO2011080659A1
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/IB2010/055949
申请日：2010-12-20
申请人： ROTH & RAU AG , MAI, Joachim , SCHLEMM, Hermann , GROSSE, Thomas , DECKER, Daniel , GRIMM, Michael
发明人： MAI, Joachim , SCHLEMM, Hermann , GROSSE, Thomas , DECKER, Daniel , GRIMM, Michael
IPC分类号： C23C16/517 , C23C16/54 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/517 , H01J37/32082 , H01J37/32192 , H01J37/32779
摘要： Die Erfindung betrifft eine Inline-Beschichtungsanlage, die wenigstens eine Prozesskammer mit wenigstens zwei nacheinander in Förderrichtung von Substraten durch die Prozesskammer angeordnete Plasmaquellen aufweist. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine solche Inline-Plasmabeschichtungsanlage bereit zu stellen, die eine kontinuierliche, großflächige und effektive Abscheidung von hochqualitativen Mehrlagen- und/oder Gradientenschichten ermöglicht. Die Aufgabe wird durch eine Inline- Plasmabeschichtungsanlage der oben genannten Gattung gelöst, wobei die wenigstens zwei Plasmaquellen unterschiedliche Plasmaquellen sind, die bei unterschiedlichen Anregungsfrequenzen arbeiten.
摘要翻译：本发明涉及一种在线涂布装置，其包括至少一个处理腔室具有至少两个通过处理室的等离子源连续地布置在基板的输送方向。本发明的目的是提供这样一种涂层在线等离子体可用的系统，其允许连续的，大规模和高品质的多层和/或梯度的有效沉积。该目的通过上述类型，其特征在于，所述至少两个等离子体源在不同的激励频率下工作的不同的等离子体源的串联式等离子体涂层系统来解决。

4. 发明申请

WO2011080661A1 VERFAHREN ZUR ABSCHEIDUNG VON MEHRLAGENSCHICHTEN UND/ODER GRADIENTENSCHICHTEN 审中-公开
标题翻译：用于多层膜和/或梯度分离
公开(公告)号：WO2011080661A1
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/IB2010/055954
申请日：2010-12-20
申请人： ROTH & RAU AG , MAI, Joachim , SCHLEMM, Hermann , GROSSE, Thomas , DECKER, Daniel , GRIMM, Michael , SPERLICH, Hans-Peter
发明人： MAI, Joachim , SCHLEMM, Hermann , GROSSE, Thomas , DECKER, Daniel , GRIMM, Michael , SPERLICH, Hans-Peter
IPC分类号： C23C14/54 , C23C16/34 , C23C16/517 , H01L31/0216
CPC分类号： C23C14/54 , C23C16/345 , C23C16/517 , H01L31/02168 , Y02E10/50
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung von Mehrlagenschichten und/oder Gradientenschichten auf wenigstens ein Substrat in einer Inline-Plasmabeschichtungs-anlage mit wenigstens einer Prozesskammer, in der wenigstens zwei einzelne Plasmaquellen in Transportrichtung der Substrate nacheinander angeordnet sind, mit plasmaunterstützter chemischer Gasphasenabscheidung. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren dieser Gattung zur Verfügung zu stellen, mit welchem mehrere unterschiedliche Schichten eines Schichtstapels oder eine sich mit ihrer Dicke hinsichtlich ihrer Eigenschaften ändernde Schicht auf wenigstens einem Substrat in einer einzigen Prozesskammer während des Transportes des Substrates durch die Prozesskammer herstellbar sind. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren der genannten Gattung gelöst, wobei die wenigstens zwei Plasmaquellen mit unterschiedlichen Prozessbedingungen bei Anregungsfrequenzen zwischen 10 kHz und 2,45 GHz betrieben werden, wenigstens eine der wenigstens zwei Plasmaquellen dabei gepulst wird und das Substrat kontinuierlich durch die Beschichtungsgebiete der einzelnen Plasmaquellen hindurch transportiert wird, wobei wenigstens ein definierter zweilagiger Schichtstapel mit unterschiedlichen Schichteigenschaften der Einzelschichten und/oder wenigstens eine definierte Gradientenschicht auf dem Substrat abgeschieden wird.
摘要翻译：本发明涉及用于多层涂层和/或梯度层中的至少一个基板上与至少一个处理腔室的内联等离子体涂覆设备的沉积的方法，两个单独的等离子体源被布置在所述基片逐一在至少的输送方向，利用等离子体增强化学气相沉积。本发明的目的是提供这种类型的方法是可用的，与通过所述衬底的运输过程中的多个层堆叠或它的厚度相对于它们的性质层上在单个工艺室中的至少一个衬底上的变化的不同层的是处理室以产生。该目的通过上述类型，其中所述至少两个等离子体源与10千赫和2.45 GHz之间的在激励频率不同的工艺条件下操作的方法来实现，所述至少两个等离子体源中的至少一个是通过个别的涂层区域连续脉冲它与基板等离子体源被输送穿过其中，其中至少一个限定与所述各个层的不同的涂层性能两层层堆叠和/或在至少一个定义的梯度层沉积在衬底上。

5. 发明申请

WO2012069943A1 PLASMABEARBEITUNGSVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：等离子体处理设备
公开(公告)号：WO2012069943A1
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：PCT/IB2011/054859
申请日：2011-11-02
申请人： ROTH & RAU AG , MAI, Joachim , WOLF, Patrik , SCHLEMM, Hermann
发明人： MAI, Joachim , WOLF, Patrik , SCHLEMM, Hermann
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32091 , H01J37/32651 , H01J37/32834
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Plasmabearbeitungsvorrichtung zur Bearbeitung wenigstens eines flächigen Substrates in einer Substratdurchlaufanlage, wobei die Plasmabearbeitungsvorrichtung aufweist: wenigstens eine Substratträgerelektrode, auf welcher das Substrat aufliegend durch die Substratdurchlaufanlage transportierbar ist und welche gleichstrommäßig isoliert gegenüber Massepotenzial geführt wird; eine flächenhaft ausgebildete Hochfrequenz-Elektrode, die an einem Wechselspannungspotenzial anliegt und in einem Abstand über dem wenigstens einen auf der Substratträgerelektrode aufliegenden Substrat vorgesehen ist, eine topfförmig über der Substratträgerelektrode ausgebildete Dunkelraumabschirmung, wobei der offene Bereich der topfförmigen Dunkelraumabschirmung auf das wenigstens eine Substrat gerichtet ist und die topfförmige Dunkelraumabschirmung einen die Dunkelraumabschirmung nach außen verbreiternden Rand aufweist, der dicht über der Substratträgerelektrode und parallel zu deren Oberfläche angeordnet ist, und wobei im Betrieb der Plasmabearbeitungsvorrichtung zwischen Substratträgerelektrode bzw. Substrat(en), Hochfrequenz-Elektrode und Dunkelraumabschirmung ein Plasmaraum für die Ausbildung eines Niederdruckplasmas vorgesehen ist; wenigstens eine rückseitig und parallel zur Substratträgerelektrode angeordnete, elektrisch leitfähige zweite Elektrode, und eine Gasversorgung zum Einbringen von Prozessgas in den Plasmaraum. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Plasmabearbeitungsvorrichtung der oben genannten Gattung mit möglichst geringem technischen Aufwand so fortzubilden, dass bei definiertem Substrattransport und vorteilhafter Gaszu- und Gasabführung auch bei großflächigen Substraten oder Substratträgern mit einer Vielzahl von Einzelsubstraten eine hochenergetische Wechselwirkung von Ionen aus dem Plasmaraum mit der Substratoberfläche möglich ist. Die Aufgabe wird durch eine Plasmabearbeitungsvorrichtung der oben genannten Gattung gelöst, bei welcher die zweite Elektrode eine auf Massepotenzial liegende Masseelektrode ist, wobei die Substratträgerelektrode kapazitiv an die Masseelektrode ankoppelbar ist, und die Gasversorgung wenigstens einen in der Hochfrequenz-Elektrode und/oder der Dunkelraumabschirmung vorgesehenen Gaseinlass und wenigstens einen in der Dunkelraumabschirmung vorgesehenen Gasauslass aufweist.
摘要翻译：本发明涉及一种用于处理的等离子体处理装置至少在一个衬底传送带式系统中的片状基材，所述等离子体处理装置包括：在其上衬底搁置由衬底传送带系统运送，并且是直接在至少一个基片支撑电隔离相对于地电位进行; 被施加到AC电位和基板载体电极基板上的一个静止的平面地形成的高频电极是在所提供的至少一个杯形的基板载体电极形成暗空间屏蔽，其中，所述盆状暗空间屏蔽的开口区域被引导到至少一个基片上方的一定距离和所述杯形暗空间屏蔽一方面，暗空间屏蔽向外加宽，其是（S）的基板支撑件电极或基片，高频电极和暗区之间的等离子体处理装置的操作过程中其只是衬底载体电极和，并且其中，上述布置成平行于表面屏蔽的等离子体空间边缘被提供，以形成低压等离子体; 至少一个后，并平行于布置导电第二电极的基板支撑件电极，和气体供应用于将工艺气体引入等离子体空间。本发明的目的，上述类型以最小技术开支重新训练中的等离子体处理装置，使得在限定的基板搬运和有利的气体供应和气体排出，即使大面积基板或衬底载具用多个单独的基板，从所述离子的高能量的相互作用与基板表面等离子体室是可能的。该目的通过上述类型，其特征在于，所述第二电极是接地电位的接地电极，其中，所述基板支撑件电极耦合电容与接地电极的等离子处理装置来实现，气体供应装置包括至少一个在高频电极和/或暗区屏蔽设置具有气体入口和至少一个在黑暗空间屏蔽气体出口规定。

6. 发明申请

WO2013156924A1 MIKROWELLENPLASMAERZEUGUNGSVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN BETRIEB 审中-公开
标题翻译：微波等离子体生成装置和方法进行操作
公开(公告)号：WO2013156924A1
公开(公告)日：2013-10-24
申请号：PCT/IB2013/053006
申请日：2013-04-16
申请人： ROTH & RAU AG , MAI, Joachim , SCHLEMM, Hermann
发明人： MAI, Joachim , SCHLEMM, Hermann
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32211 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J2237/3321 , H05H1/46 , H05H2001/463 , H05H2001/4637
摘要： Die vorliegende Erfindung beinhaltet eine Mikrowellenplasmaerzeugungsvorrichtung mit einer Plasmakammer. Außerhalb der Plasmakammer ist wenigstens eine Mikrowellenerzeugungsvorrichtung vorgesehen, deren Mikrowellen über wenigstens eine Mikrowelleneinkoppelvorrichtung in die Plasmakammer eingekoppelt werden. Die Mikrowelleneinkoppelvorrichtung weist einen durch wenigstens eine Kammerwand der Plasmakammer in die Plasmakammer führenden Innenleiter, ein den Innenleiter einschließendes und den Innenleiter von einem Innenraum der Plasmakammer abtrennen- des Isolierrohr und wenigstens einen durch die wenigstens eine Kammerwand in die Plasmakammer führenden, koaxial, aber nicht vollumfänglich um den gesamten Innenleiter vorgesehenen Außenleiter auf. Der Außenleiter besitzt in der Plasmakammer wenigstens ein Außenleiter-Ende. Der Innenleiter und der Außenleiter bilden eine Mikrowellenleitung aus, wobei in der Plasmakammer ein Austritt von Mikrowellen aus der Mikrowellenleitung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas in dem Innenraum der Plasmakammer vorgesehen ist. Erfindungsgemäß ist in dem Innenraum der Plasmakammer, koaxial zu dem Innenleiter wenigstens eine gegenüber der Kammerwand elektrisch isolierte und mit einer DC-, NF- oder HF-Spannung beaufschlagbare Plasmaelektrode vorgesehen, mit welcher das Mikrowellenplasma elektrisch kontaktierbar ist, sodass dem Mikrowellenplasma zumindest teilweise die Funktion des Außenleiters übertragbar ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Betreiben einer solchen Mikrowellenplasmaerzeugungsvorrichtung.
摘要翻译：本发明包括具有一个等离子体腔室的微波等离子体产生装置。等离子体室外面，一微波发生装置至少设置中，微波通过至少一个Mikrowelleneinkoppelvorrichtung在等离子体腔室耦接。所述Mikrowelleneinkoppelvorrichtung已经领先通过等离子体腔室的至少一个室壁到等离子体腔室内导体，包围内导体和等离子体室abtrennen-所述绝缘管的内部的内导体和至少一个不完全穿过所述至少一个腔室的壁，导致等离子体室，同轴，但围绕设置在所述外导体的整个内导体。所述外导体具有至少一个线对端在等离子体腔室中。内导体和外导体形成微波线路，由此来自用于产生微波等离子体的微波线路的微波的泄漏在等离子体腔室中的等离子体腔室的内部设置。根据本发明，在等离子体腔室的内部，同轴地一个相对于所述腔室的壁是电绝缘，并且可以在与一个DC，NF或提供给内部导体的至少与该微波等离子体，可以电接触RF电压等离子体电极被加载，使得微波等离子体至少部分功能是转让外导体的。本发明还涉及一种用于操作这样的微波等离子体产生装置的方法。

7. 发明公开

EP2839500A1 MIKROWELLENPLASMAERZEUGUNGSVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN BETRIEB 有权转让
标题翻译：微波等离子体生成装置和方法进行操作
公开(公告)号：EP2839500A1
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：EP13726028.7
申请日：2013-04-16
申请人： Roth & Rau AG
发明人： MAI, Joachim , SCHLEMM, Hermann
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32211 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J2237/3321 , H05H1/46 , H05H2001/463 , H05H2001/4637
摘要： The invention relates to a microwave plasma generating device with a plasma chamber. At least one microwave generating device is provided outside of the plasma chamber, and the microwaves of said microwave generating device are coupled into the plasma chamber via at least one microwave incoupling device. The microwave incoupling device has an inner conductor which leads into the plasma chamber through at least one chamber wall of the plasma chamber, an insulating tube which encloses the inner conductor and separates the inner conductor from an interior of the plasma chamber, and at least one outer conductor which leads into the plasma chamber through the at least one chamber wall and which is coaxial to the inner conductor but is not provided over the entire circumference of the inner conductor. The outer conductor has at least one outer conductor end in the plasma chamber. The inner conductor and the outer conductor form a microwave line, an outlet of microwaves out of the microwave line being provided in the plasma chamber in order to generate a microwave plasma in the interior of the plasma chamber. According to the invention, at least one plasma electrode which is electrically insulated from the chamber wall and to which a DC, NF, or HF voltage can be applied is provided in the interior of the plasma chamber coaxially to the inner conductor. The microwave plasma can be brought into electric contact with the plasma electrode such that the function of the outer conductor can be transferred at least partly to the microwave plasma. The invention further relates to a method for operating such a microwave plasma generating device.

8. 发明公开

EP2409313A1 SUBSTRATBEARBEITUNGSANLAGE UND SUBSTRATBEARBEITUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：基板处理系统及基板处理方法
公开(公告)号：EP2409313A1
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：EP09775849.4
申请日：2009-03-17
申请人： Roth & Rau AG
发明人： SCHLEMM, Hermann , UHLIG, Matthias
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/02 , H01L21/311
CPC分类号： H01J37/3244 , H01L31/02363 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要： The invention relates to a substrate processing system, comprising at least one process chamber (20) which can be evacuated and in which at least one substrate carrier (30) having at least one substrate (40) can be introduced, and further comprising a plasma generating module (50), at least one gas supply (61), and at least one gas discharge (62). The invention further relates to a substrate processing method, wherein at least one substrate carrier having at least one substrate is introduced in at least one process chamber that can be evacuated and in the process chamber in a plasma process a plasma is generated in a gas or a gas mixture by a plasma generating module, and the substrate is coated, etched, surface-modified and/or cleaned. The problem underlying the present invention is that of isotropically etching highly surface-structured substrates with high throughput and high quality. The problem is solved by a substrate processing system of the type described above, wherein a steam etching module (70) is integrated in the process chamber. The problem is further solved by a substrate processing method of the type described above, wherein the at least one substrate is steam-etched in the process chamber before and/or after and/or alternately with the plasma process.

9. 发明公开

EP2521803A1 VERFAHREN ZUR ABSCHEIDUNG VON MEHRLAGENSCHICHTEN UND/ODER GRADIENTENSCHICHTEN 失效转让
标题翻译：用于多层膜和/或梯度分离
公开(公告)号：EP2521803A1
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：EP10816356.9
申请日：2010-12-20
申请人： Roth & Rau AG
发明人： MAI, Joachim , SCHLEMM, Hermann , GROSSE, Thomas , DECKER, Daniel , GRIMM, Michael , SPERLICH, Hans-Peter
IPC分类号： C23C14/54 , C23C16/34 , C23C16/517 , H01L31/0216
CPC分类号： C23C14/54 , C23C16/345 , C23C16/517 , H01L31/02168 , Y02E10/50
摘要： The invention relates to a method for depositing multi-layered layers and/or gradient layers on at least one substrate in an inline plasma coating installation comprising at least one process chamber in which at least two individual plasma sources are successively arranged in the transport direction of the substrate, by means of plasma-assisted chemical gas phase deposition. The aim of the invention is to provide such a method by which means a plurality of different layers in a stack of layers, or a layer having properties that change according to its thickness, can be produced on at least one substrate in a single process chamber during the transport of the substrate through the process chamber. To this end, according to such a method, the at least two plasma sources are operated under different process conditions at excitation frequencies of between 10 kHz and 2,45 GHz, at least one of the at least two plasma sources is pulsed, and the substrate is continuously transported through the coating areas of the individual plasma sources, at least one defined double-layered stack comprising individual layers having different properties and/or at least one defined gradient layer being deposited on the substrate.

10. 发明公开

EP2521804A1 INLINE-BESCHICHTUNGSANLAGE 失效转让
标题翻译： INLINE涂装线
公开(公告)号：EP2521804A1
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：EP10816355.1
申请日：2010-12-20
申请人： Roth & Rau AG
发明人： MAI, Joachim , SCHLEMM, Hermann , GROSSE, Thomas , DECKER, Daniel , GRIMM, Michael
IPC分类号： C23C16/517 , C23C16/54 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/517 , H01J37/32082 , H01J37/32192 , H01J37/32779
摘要： The invention relates to an inline coating installation comprising at least one process chamber having at least two plasma sources successively arranged in the direction of transport of substrates through the process chamber. The aim of the invention is to provide such an inline plasma coating installation that enables a continuous, large-surface and effective deposition of highly qualitative multi-layered and/or gradient layers. To this end, such an inline plasma coating installation is provided, wherein the at least two plasma sources are different plasma sources operating at different excitation frequencies.

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