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    • 1. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR ABSCHEIDUNG VON MEHRLAGENSCHICHTEN UND/ODER GRADIENTENSCHICHTEN
    • 用于多层膜和/或梯度分离
    • WO2011080661A1
    • 2011-07-07
    • PCT/IB2010/055954
    • 2010-12-20
    • ROTH & RAU AGMAI, JoachimSCHLEMM, HermannGROSSE, ThomasDECKER, DanielGRIMM, MichaelSPERLICH, Hans-Peter
    • MAI, JoachimSCHLEMM, HermannGROSSE, ThomasDECKER, DanielGRIMM, MichaelSPERLICH, Hans-Peter
    • C23C14/54C23C16/34C23C16/517H01L31/0216
    • C23C14/54C23C16/345C23C16/517H01L31/02168Y02E10/50
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung von Mehrlagenschichten und/oder Gradientenschichten auf wenigstens ein Substrat in einer Inline-Plasmabeschichtungs-anlage mit wenigstens einer Prozesskammer, in der wenigstens zwei einzelne Plasmaquellen in Transportrichtung der Substrate nacheinander angeordnet sind, mit plasmaunterstützter chemischer Gasphasenabscheidung. Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren dieser Gattung zur Verfügung zu stellen, mit welchem mehrere unterschiedliche Schichten eines Schichtstapels oder eine sich mit ihrer Dicke hinsichtlich ihrer Eigenschaften ändernde Schicht auf wenigstens einem Substrat in einer einzigen Prozesskammer während des Transportes des Substrates durch die Prozesskammer herstellbar sind. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren der genannten Gattung gelöst, wobei die wenigstens zwei Plasmaquellen mit unterschiedlichen Prozessbedingungen bei Anregungsfrequenzen zwischen 10 kHz und 2,45 GHz betrieben werden, wenigstens eine der wenigstens zwei Plasmaquellen dabei gepulst wird und das Substrat kontinuierlich durch die Beschichtungsgebiete der einzelnen Plasmaquellen hindurch transportiert wird, wobei wenigstens ein definierter zweilagiger Schichtstapel mit unterschiedlichen Schichteigenschaften der Einzelschichten und/oder wenigstens eine definierte Gradientenschicht auf dem Substrat abgeschieden wird.
    • 本发明涉及用于多层涂层和/或梯度层中的至少一个基板上与至少一个处理腔室的内联等离子体涂覆设备的沉积的方法,两个单独的等离子体源被布置在所述基片逐一在至少的输送方向,利用等离子体增强化学气相沉积。 本发明的目的是提供这种类型的方法是可用的,与通过所述衬底的运输过程中的多个层堆叠或它的厚度相对于它们的性质层上在单个工艺室中的至少一个衬底上的变化的不同层的 是处理室以产生。 该目的通过上述类型,其中所述至少两个等离子体源与10千赫和2.45 GHz之间的在激励频率不同的工艺条件下操作的方法来实现,所述至少两个等离子体源中的至少一个是通过个别的涂层区域连续脉冲它与基板 等离子体源被输送穿过其中,其中至少一个限定与所述各个层的不同的涂层性能两层层堆叠和/或在至少一个定义的梯度层沉积在衬底上。