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    • 4. 发明申请
    • INTEGRIRERTES HALBLEITERBAUELEMENT FÜR HOCHFREQUENZMESSUNGEN UND DESSEN VERWENDUNG
    • INTEGRIRERTES半导体部件进行高频测量及其用途
    • WO2003041117A2
    • 2003-05-15
    • PCT/DE2002/003004
    • 2002-08-16
    • ROBERT BOSCH GMBHSCHMIDT, EwaldPFIZENMAIER, HeinzIRION, HansHASCH, Juergen
    • SCHMIDT, EwaldPFIZENMAIER, HeinzIRION, HansHASCH, Juergen
    • H01L
    • H03B9/14G01S7/032H01L23/66H01L29/864H01L2224/16145H01L2924/01068H01L2924/12032H01Q9/0435H01Q19/062H01Q23/00H03B9/147H01L2924/00
    • Die Erfindung betrifft ein integriertes Halbleiterbauelement für Hochfrequenzmessungen und dessen Verwendung. Es ist vorgesehen, dass das Halbleiterbauelement Bestandteil einer Halbleiterschaltung (10) aus einer ersten Siliziumschicht (12), einer sich anschliessenden Siliziumdioxidschicht (Isolierschicht (14)) und einer nachfolgenden weiteren Siliziumschicht (Strukturschicht (16)) ist (SOI-Wafer), und das Halbleiterbauelement aus einem Impatt-Oszillator (30) mit einem Resonator (24), der einen in der Strukturschicht (16) angeordneten metallisierten Zylinder (18) aus Silizium, eine den Zylinder (18) im Bereich der ersten Schicht (12) überdeckende Ankopplungsscheibe (28) und eine über eine Ausnehmung (38) der Ankopplungsscheibe (28) mit dem Zylinder (18) des Resonators (24) in Verbindung stehende Impatt-Diode (32) umfasst, sowie einem Referenz-Oszillator (46) niedrigerer Frequenz mit einem Resonator (24), der einen in der Strukturschicht (16) angeordneten metallischen Zylinder (18) aus Silizium und den Zylinder im Bereich der ersten Schicht (12) überdeckende Ankopplungsscheibe (28) und einem über eine Ausnehmung (38) der Ankopplungsscheibe (28) mit dem Zylinger (18) des Resonators (24) in Verbindung stehenden Mikrowellenleiter umfasst, wobei der Referenz-Oszillator über eine aktive Oszillatorschaltung (58) einer Frequenzstabilisierung des Impatt-Oszillators (30) dient, einem Empfangsmischer mit integrierten Schotty-Dioden und einer Sende- und Empfangsantenne besteht.
    • 本发明涉及一种用于高频的测量和它的使用一个集成的半导体器件。 可以预期的是,半导体部件是具有谐振器24的第一硅层12,二氧化硅的绝缘层14的后续层的一个半导体电路10的半导体装置的组分和以下进一步的硅层结构层16的SOI晶片,并且从IMPATT振荡器30,其 包括一个设置在所述结构层16的金属化缸18由硅制成,气缸18中的第一层12覆盖该离合器盘28的区域,和联接盘28的与所述气缸连通IMPATT二极管32,谐振器24的18的凹部38, 和参考振荡器46,具有子24频率较低,硅中的一个布置在结构层16的金属筒18和在第一层12的区域中的气缸覆盖离合器盘28和离合器盘28的凹部38 包括Zylinger通信微波波导中的谐振器24,其中,所述基准振荡器是IMPATT振荡器30的频率稳定的活性振荡器电路58的18,有一个接收混频器具有集成肖特基二极管,以及发射和接收天线。
    • 6. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR STÖRBEFREIUNG VON MESSIGNALEN
    • 消除干扰测量信号的方法
    • WO2004017519A1
    • 2004-02-26
    • PCT/DE2003/001521
    • 2003-05-12
    • ROBERT BOSCH GMBHIRION, HansHAASE, Bjoern
    • IRION, HansHAASE, Bjoern
    • H03K5/1252
    • H04L1/244H03K5/125
    • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Störbefreiung von Messsignalen (s M ), die von gepulsten Störsignalen (s ST ) mit einem bekannten oder bestimm­baren Störpulsabstand (T St ) verfälscht sind, wobei die Erfassungsdauer (Δt E ) eines Einzelmesswertes (E) kleiner ist als eine Störpulsdauer (Δt st ) und mehrere Einzelmesswerte (E) in frei wählbaren Zeitabständen (T E ) des Messsignals (s M ) erfasst werden. Eine zuverlässige Beseitigung von durch impulsartig sendende Störquellen verursachten Störungen wird dadurch erreicht, dass mindestens drei auf einanderfolgende Einzelmesswerte (E) mit Zeitabständen (T E ) erfasst werden, die sich von dem Störpulsabstand (T St ) unterscheiden, und dass mit den min­destens drei Einzelmesswerten (E) eine störbefreite Messgrösse (M) ermittelt wird.
    • 本发明涉及一种方法,用于从测量信号(SM),所述(SST)具有已知或可确定的干扰脉冲间隔(TST)除去干扰由脉冲干扰信号失真,检测周期(DeltatE)是以下的各个测量值(E)的作为干扰脉冲持续时间 (Deltatst),并在可自由选择的时间间隔测量信号(SM)的多个单独的测量值(E)的(TE)进行检测。 由干扰引起的扰动的脉冲发射源的可靠消除在该至少三个连续的各个测量值(E)与时间间隔(TE)被收集,其从干扰脉冲间隔(TST)不同是不同的实现,和(与所述至少三个单独的测量值E )的干扰滤波测量的变量(M)被确定。
    • 8. 发明申请
    • MODULEINHEIT FÜR EINE RADAR-ANTENNENANORDNUNG MIT INTEGRIERTEM HF-CHIP
    • 模块单元与集成HF-CHIP雷达天线安排
    • WO2007062970A1
    • 2007-06-07
    • PCT/EP2006/068271
    • 2006-11-09
    • ROBERT BOSCH GMBHSCHMIDT, EwaldIRION, HansHASCH, JuergenRUOSS, Hans-Oliver
    • SCHMIDT, EwaldIRION, HansHASCH, JuergenRUOSS, Hans-Oliver
    • G01S7/03H01Q13/24
    • G01S7/032H01Q13/24Y10T29/49826
    • Die offenbarte Moduleinheit für eine Radar-Antennenanordnung mit einem integrierten HF-Chip (100) mit wenigstens einem eine Mikrowellenstruktur aufweisendes Antennenelement, mit einem im Strahlengang der Radar-Antennenanordnung vor dem wenigstens einen Antennenelement angeordneten Fokussierelement (200), mittels dessen eine verstärkte Ausleuchtung des HF-Chips (100) erreicht wird, weist insbesondere eine Anbauvorrichtung (115, 120) auf, mittels der Fokussierelemente (200) unterschiedlicher Antennencharakteristik an die Moduleinheit angebaut werden können. Die Anbauvorrichtung ist bevorzugt durch Befestigungsmittel wie Klemmvorrichtungen (120), Steckvorrichtungen oder dergleichen gebildet. Zusätzlich können Positionsvorrichtungen (115) angeordnet sein, mittels derer das Fokussierelement (200) mit der erforderlichen Präzision an die Moduleinheit angebaut werden kann.
    • 用于具有集成的RF芯片(100)与至少一个微波结构到所述至少一个天线元件表现出天线元件,具有雷达天线组件的波束路径现有的雷达天线装置所公开的模块单元,被布置聚焦元件(200),通过该增强的照明 RF芯片(100)被实现的,特别地包括安装装置(115,120)中,由不同的天线特性的聚焦元件(200)的装置可以被安装在模块单元上。 优选通过紧固形成在安装装置是指,例如终端装置(120),插头等。 此外,位置装置(115)可被布置,借助于该聚焦元件(200)可以与所需的精度到模块单元中生长。