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1. 发明申请

WO2002063334A2 RADARGERÄT 审中-公开
标题翻译：雷达装备
公开(公告)号：WO2002063334A2
公开(公告)日：2002-08-15
申请号：PCT/DE2002/000273
申请日：2002-01-26
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SCHMIDT, Ewald , PFIZENMAIER, Heinz , LEUTZ, Steffen , IRION, Hans , HASCH, Juergen
发明人： SCHMIDT, Ewald , PFIZENMAIER, Heinz , LEUTZ, Steffen , IRION, Hans , HASCH, Juergen
IPC分类号： G01S7/03
CPC分类号： H05K3/308 , G01D5/2405 , G01S13/888 , G01V3/088 , H01Q1/526 , H01Q9/0407 , H01R4/027 , H01R12/707
摘要： Ein kompaktes und mit geringem Aufwand herstellbares Radargerät weist mindestens einen Hohlraum (3) mit einem darin eingeordneten Strahlerelement (10) und einen abgeschirmten Raum (2) für elektrische Schaltkreise (4) auf. Ein Gehäuse (1) ist so geformt, dass es sowohl den abgeschirmten Raum (2) für die Schaltkreise (4) als auch den mindestens einen Hohlraum (3) für das mindestens eine Antennen-Strahlerelement (10) bildet. Eine die elektrischen Schaltkreise (4) tragende Leiterplatte (5) ist als abschirmende Trennwand zwischen den beiden Räumen (2, 3) in das Gehäuse (1) eingesetzt. Das Antennen-Strahlerelement (10) ist über Kontaktstifte (16, 19) an zwei Leitungsarmen an ein Speisenetzwerk auf der Leiterplatte (5) elektrisch angekoppelt. (Figur 1)
摘要翻译：紧凑且可生产毫不费力雷达装置具有至少一个空腔（3）具有插入其中的辐射元件（10）和屏蔽空间（2），用于电子电路（4）。壳体（1）被成形为使得，对于电路（4），并且还形成至少一个空腔（3），用于所述至少一个天线辐射元件（10），两个屏蔽空间（2）携带所述电路板（5）的电气电路（4）被设置为在两个空间之间的屏蔽壁（2，3）在所述壳体（1）。天线辐射元件（10）处电于电路板（5）的进料经由网络接触销（16，19）上的两个管臂联接。（图1）

2. 发明申请

WO2002063343A1 ORTUNGSGERÄT 审中-公开
标题翻译：跟踪装置
公开(公告)号：WO2002063343A1
公开(公告)日：2002-08-15
申请号：PCT/DE2002/000396
申请日：2002-02-04
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SCHMIDT, Ewald , PFIZENMAIER, Heinz , LEUTZ, Steffen , IRION, Hans , HASCH, Juergen , CLAUSS, Stefan , SKULTETY-BETZ, Uwe , HAASE, Bjoern , HOFFMANN, Ulli
发明人： SCHMIDT, Ewald , PFIZENMAIER, Heinz , LEUTZ, Steffen , IRION, Hans , HASCH, Juergen , CLAUSS, Stefan , SKULTETY-BETZ, Uwe , HAASE, Bjoern , HOFFMANN, Ulli
IPC分类号： G01V3/08
CPC分类号： G01V3/088 , G01D5/2405 , H01R12/707
摘要： Die Erfindung betrifft ein Ortungsgerät, insbesondere handgehaltenes Ortungsgerät zur Detektion von Einschlüssen in Wänden, Decken und/oder Böden, mit einer in einem Gehäuse angeordneten kapazitiven Sensorvorrichtung, mit Mitteln zur Erzeugung eines Detektionssignals der mindestens einen kapazitiven Sensorvorrichtung, mit einer mit der Sensorvorrichtung verbundenen Steuer- und Auswerteeinheit zur Ermittlung von Messwerten aus dem Detektionssignal, sowie mit einer Ausgabeeinheit zur Wiedergabe von Messwerten der kapazitiven Sensorvorrichtung. Erfindungsgemäss wird vorgeschlagen, dass ein Messkondensator (16) der kapazitiven Sensorvorrichtung (10) eine erste Elektrode (21) aufweist, die eine Fläche des Gehäuses (14) der Sensorvorrichtung (10) umfasst.
摘要翻译：本发明涉及的定位装置，特别是手持式用于墙壁，天花板和/或与设置在壳体中的电容式传感器装置地板检测夹杂物，其具有用于产生至少一个电容性传感器装置的检测信号的装置定位装置，具有一连接到所述传感器设备控制 - 用于从所述检测信号来确定的测量值和评价单元，以及用于所述电容性传感器装置的测量值的再现的输出单元。根据本发明，它提出了具有包含所述传感器装置（10）的壳体（14）的表面上的第一电极（21）的电容性传感器装置（10）的测量电容器（16）。

3. 发明申请

WO2003041117A2 INTEGRIRERTES HALBLEITERBAUELEMENT FÜR HOCHFREQUENZMESSUNGEN UND DESSEN VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译： INTEGRIRERTES半导体部件进行高频测量及其用途
公开(公告)号：WO2003041117A2
公开(公告)日：2003-05-15
申请号：PCT/DE2002/003004
申请日：2002-08-16
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SCHMIDT, Ewald , PFIZENMAIER, Heinz , IRION, Hans , HASCH, Juergen
发明人： SCHMIDT, Ewald , PFIZENMAIER, Heinz , IRION, Hans , HASCH, Juergen
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H03B9/14 , G01S7/032 , H01L23/66 , H01L29/864 , H01L2224/16145 , H01L2924/01068 , H01L2924/12032 , H01Q9/0435 , H01Q19/062 , H01Q23/00 , H03B9/147 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein integriertes Halbleiterbauelement für Hochfrequenzmessungen und dessen Verwendung. Es ist vorgesehen, dass das Halbleiterbauelement Bestandteil einer Halbleiterschaltung (10) aus einer ersten Siliziumschicht (12), einer sich anschliessenden Siliziumdioxidschicht (Isolierschicht (14)) und einer nachfolgenden weiteren Siliziumschicht (Strukturschicht (16)) ist (SOI-Wafer), und das Halbleiterbauelement aus einem Impatt-Oszillator (30) mit einem Resonator (24), der einen in der Strukturschicht (16) angeordneten metallisierten Zylinder (18) aus Silizium, eine den Zylinder (18) im Bereich der ersten Schicht (12) überdeckende Ankopplungsscheibe (28) und eine über eine Ausnehmung (38) der Ankopplungsscheibe (28) mit dem Zylinder (18) des Resonators (24) in Verbindung stehende Impatt-Diode (32) umfasst, sowie einem Referenz-Oszillator (46) niedrigerer Frequenz mit einem Resonator (24), der einen in der Strukturschicht (16) angeordneten metallischen Zylinder (18) aus Silizium und den Zylinder im Bereich der ersten Schicht (12) überdeckende Ankopplungsscheibe (28) und einem über eine Ausnehmung (38) der Ankopplungsscheibe (28) mit dem Zylinger (18) des Resonators (24) in Verbindung stehenden Mikrowellenleiter umfasst, wobei der Referenz-Oszillator über eine aktive Oszillatorschaltung (58) einer Frequenzstabilisierung des Impatt-Oszillators (30) dient, einem Empfangsmischer mit integrierten Schotty-Dioden und einer Sende- und Empfangsantenne besteht.
摘要翻译：本发明涉及一种用于高频的测量和它的使用一个集成的半导体器件。可以预期的是，半导体部件是具有谐振器24的第一硅层12，二氧化硅的绝缘层14的后续层的一个半导体电路10的半导体装置的组分和以下进一步的硅层结构层16的SOI晶片，并且从IMPATT振荡器30，其包括一个设置在所述结构层16的金属化缸18由硅制成，气缸18中的第一层12覆盖该离合器盘28的区域，和联接盘28的与所述气缸连通IMPATT二极管32，谐振器24的18的凹部38，和参考振荡器46，具有子24频率较低，硅中的一个布置在结构层16的金属筒18和在第一层12的区域中的气缸覆盖离合器盘28和离合器盘28的凹部38 包括Zylinger通信微波波导中的谐振器24，其中，所述基准振荡器是IMPATT振荡器30的频率稳定的活性振荡器电路58的18，有一个接收混频器具有集成肖特基二极管，以及发射和接收天线。

4. 发明申请

WO2002063333A3 ANTENNENANORDNUNG ZUM SENDEN UND/ODER EMPFANGEN VON RADARSTRAHLENMIT KOPLANAREM SPEISENETZWERK 审中-公开
公开(公告)号：WO2002063333A3
公开(公告)日：2002-08-15
申请号：PCT/DE2001/004850
申请日：2001-12-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SCHMIDT, Ewald , PFIZENMAIER, Heinz , IRION, Hans , HASCH, Juergen
发明人： SCHMIDT, Ewald , PFIZENMAIER, Heinz , IRION, Hans , HASCH, Juergen
IPC分类号： G01S7/03
摘要： Die Vorrichtung weist eine Leiterplatte (5) auf, auf deren einer Seite mindestens eine Antenne (1) und auf deren anderer Seite elektrische Schaltkreise (3) angeordnet sind. Eine elektromagnetische Abschirmung zwischen der Antenne (1) und den elektrischen Schaltkreisen (3) wird auf fertigungstechnisch einfache Art und Weise dadurch realisiert, dass auf der antennenseitigen Oberfläche der Leiterplatte (5) ein in Koplanar-Leitungstechnik ausgeführtes Speisenetzwerk (13, 15) mit dem die mindestens eine Antenne (1) kontaktiert ist, aufgebracht ist und dass der auf Masse liegende Ausseleiter (45) der Koplanar-Leitung die antennenseitige Oberfläche der Leiterplatte (5) soweit überdeckt, dass daurch die geforderte Abschirmung zwischen der Antenne (1) und den elektrischen Schaltkreisen (3) entsteht.

5. 发明申请

WO2003041215A1 MIKROMECHANISCHER RESONATOR 审中-公开
标题翻译：微机械谐振器
公开(公告)号：WO2003041215A1
公开(公告)日：2003-05-15
申请号：PCT/DE2002/003003
申请日：2002-08-16
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SCHMIDT, Ewald , PFIZENMAIER, Heinz , HASCH, Juergen
发明人： SCHMIDT, Ewald , PFIZENMAIER, Heinz , HASCH, Juergen
IPC分类号： H01P7/06
CPC分类号： H01P7/065
摘要： Die Erfindung betrifft einen mikromechanischen Resonator mit einem kontaktierbaren Resonanzkörper sowie ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Resonators fur Halbleiterbauelemente. Erfindungsgemäss ist vorgesehen, dass der Resonator (26) aufeinander folgend aus einer ersten Schicht (16) aus Silizium, zur schaltungstechnischen Ankopplung des Resonators (26), einer Isolationsschicht (14) aus Siliziumdioxid, einer zylinderförmigen Basisschicht (Zylinder 18) und einer den Zylinder (18) vollständig umschliessenden Metallschicht (20) besteht. Verfahrensgemäss ist vorgsehen, dass in eine über eine Isolationsschicht (14) aus Siliziumdioxid von einer Schicht (16) aus Silizium getrennte Basisschicht (12) aus p-dotiertem Silizium (SOI-Wafer) eine zylinderförmige Struktur (18) (Zylinder) geätzt wird (Trench-Ätzverfahren) und die zylinderförmige Struktur (18) mit einer Metallschicht (20) beschichtet ist.
摘要翻译：本发明涉及一种具有谐振体接触微机械谐振器，以及用于制造用于半导体器件的微机械谐振器的方法。本发明的特征在于，从硅的第一层（16）的谐振器（26）顺序地说，到电路耦合到所述谐振器（26），二氧化硅的绝缘层（14），圆筒状的基体层（气缸18）和一个气缸（18）完全包围所述金属层（20）。根据一种方法，是vorgsehen，在通孔二氧化硅的绝缘层（14）由p型掺杂的硅（SOI晶片）的硅分离的基座层（12）的层（16）包括圆柱形结构（18）（气缸）进行蚀刻（沟槽蚀刻）和圆柱形结构（18）与金属层（20）是涂覆的。

6. 发明申请

WO2003041173A1 HOCHFREQUENZ-OSZILLATOR FÜR EINE INTEGRIERTE HALBLEITERSCHALTUNG UND DESSEN VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：高频振荡器的集成半导体电路及其使用
公开(公告)号：WO2003041173A1
公开(公告)日：2003-05-15
申请号：PCT/DE2002/002940
申请日：2002-08-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , PFIZENMAIER, Heinz , HASCH, Juergen
发明人： PFIZENMAIER, Heinz , HASCH, Juergen
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/84 , H01L27/1203 , H01P7/065
摘要： Die Erfindung betrifft einen Hochfrequenz-Oszillator für eine integrierte Halbleiterschaltung und dessen Verwendung. Der Hochfrequenz-Oszillator (30) ist Bestandteil der Halbleiterschaltung (10) die eine erste Siliziumschicht (12), eine sich anschliessende Siliziumdioxidschicht (Isolierschicht (14)) und eine nachfolgende weitere Siliziumschicht (Struckturschicht) 16)) umfasst (SOI-Wafer), wobei der Hochfrequenz-Oszillator (30) (a) einen Resonator (24) mit einem in der Strukturschicht (16) angeordneten, metallisierten Zylinder (18) aus Silizium und einer den Zylinder (18) im Bereich der Schicht (12) überdeckenden Ankopplungsscheibe (28) sowie (b) eine über eine Ausnehmung (38) der Ankopplungsscheibe (28) mit dem Zylinder (18) des Resonators (24) in Verbindung stehende Impatt-Diode (32) umfasst.
摘要翻译：本发明涉及一种用于集成半导体电路及其中使用的高频振荡器。高频振荡器（30）是包括第一硅层（12），随后的二氧化硅层（绝缘层（14））的半导体电路（10）的成分和以下进一步的硅层（Struckturschicht）16））包括（SOI晶片），其中硅的（a）中的谐振器（24）布置成与一个在所述结构层（16）的高频振荡器（30），金属化的圆柱体（18）和在该层的区域覆盖所述联接盘的气缸（18）（12）（包括：（28）和（b）耦合圆盘（28）与通信IMPATT二极管（32谐振器（24）的气缸18）的（凹部38））。

7. 发明申请

WO2003031235A1 RÜCKHALTEVORRICHTUNG FÜR EIN FAHRZEUG 审中-公开
标题翻译：限制装置用于车辆
公开(公告)号：WO2003031235A1
公开(公告)日：2003-04-17
申请号：PCT/DE2002/003256
申请日：2002-09-04
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , MATTES, Bernhard , PFIZENMAIER, Heinz , THIEL, Michael
发明人： MATTES, Bernhard , PFIZENMAIER, Heinz , THIEL, Michael
IPC分类号： B60R21/01
CPC分类号： B60R21/013 , B60R2021/01088
摘要： Die erfindungsgemässe Rückhaltevorrichtung dient dazu, die Übertragungssicherheit zu erhöhen und den Herstellungsprozess zu vereinfachen. Durch die Verwendung von Frequenzen im Mikrowellenbereich liegt eine höhere Bandbreite vor, die einmal durch Verwendung von Spreadspektrum-Techniken eine höhere Übertragungssicherheit gewährleistet und es auch ermöglicht, beispielsweise mittels Codespreizung, dass alle beteiligten Stationen dasselbe Frequenzband verwenden.
摘要翻译：根据本发明的保持装置用于增加传输可靠性，并简化了制造过程。在微波范围内的使用频率的是更高的带宽之前，一旦通过使用扩频技术保证更高的传输可靠性和它也允许例如通过交织所有参与的站使用相同的频带。

8. 发明公开

EP1474841A1 MIKROMECHANISCHER RESONATOR 审中-公开
标题翻译：微机械谐振器
公开(公告)号：EP1474841A1
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：EP02754528.4
申请日：2002-08-16
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： SCHMIDT, Ewald , PFIZENMAIER, Heinz , HASCH, Juergen
IPC分类号： H01P7/06
CPC分类号： H01P7/065
摘要： The invention relates to a micromechanical resonator comprising a contactable resonance body and to a method for producing a micromechanical resonator for semiconductor components. According to the invention, the resonator (26) is comprised of a series of layers consisting of a first layer (16), which is made of silicon and provided for coupling the resonator using circuit technology, of an insulation layer (14) made of silicon dioxide, of a cylindrical base layer (cylinder 18), and of a metal layer (20) that completely surrounds the cylinder (18). The inventive method provides that a cylindrical structure (18) (cylinder) is etched (trench etching method), into a base layer (12), which is made of p-doped silicon (SOI wafer) and which is separated from a layer (16) made of silicon via an insulation layer (14) made of silicon dioxide, and said cylindrical structure (18) is coated with a metal layer (20).

9. 发明公开

EP1449255A1 HOCHFREQUENZ-OSZILLATOR FÜR EINE INTEGRIERTE HALBLEITERSCHALTUNG UND DESSEN VERWENDUNG 有权
标题翻译：高频振荡器的集成半导体电路及其使用
公开(公告)号：EP1449255A1
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：EP02754516.9
申请日：2002-08-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： PFIZENMAIER, Heinz , HASCH, Juergen
IPC分类号： H01L27/12 , G01S13/93 , H01P7/10
CPC分类号： H01L21/84 , H01L27/1203 , H01P7/065
摘要： The invention relates to a high-frequency oscillator for an integrated semiconductor circuit and to the use thereof. The high-frequency oscillator (30) is part of the semiconductor circuit (10) (SOI wafer) comprising a first silicon layer (12), a silicon dioxide layer (insulating layer (14)) connected thereto, and a subsequent additional silicon layer (structural layer) 16)). The high-frequency oscillator (30) comprises: (a) a resonator (24) with a metallized cylinder (18), which is located in the structural layer (16) and made of silicon, and with a coupling disc (28), which covers the cylinder (18) in the area of the layer (12), and; (b) an IMPATT diode (32) that is connected to the cylinder (18) of the resonator (24) via a recess (38) of the coupling disc (28).

10. 发明公开

EP0324743A1 HOCHFREQUENZ-LEISTUNGS-TRANSISTOR IN BIPOLAR-EPITAXIAL-TECHNIK 失效
标题翻译：高频功率晶体管双极磊晶技术。
公开(公告)号：EP0324743A1
公开(公告)日：1989-07-26
申请号：EP87905597.0
申请日：1987-09-02
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： CONZELMANN, Gerhard , PFIZENMAIER, Heinz
IPC分类号： H01L29 , H01L21 , H01L23 , H01L27
CPC分类号： H01L29/0692 , H01L23/66 , H01L29/0813 , H01L29/7322 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： Dans un transistor de puissance HF à technique épitaxiale bipolaire, les bornes d'émetteur (2), de base (3) et de collecteur (4) se situent toutes sur un plan principal de la plaquette de silicium. Sur le deuxième plan principal, opposé au premier, on peut appliquer une couche de métallisation (22) qui permet la connexion sans problèmes à un corps de refroidissement. A l'intérieur du substrat, des grilles de protection (13, 15) peuvent être agencées afin de compenser dans une large mesure l'effet indésirable de blocage des diodes de la couche de jonction.

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