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1. 发明申请

WO2012130499A1 HALBLEITERCHIP, DISPLAY MIT EINER MEHRZAHL VON HALBLEITERCHIPS UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：半导体芯片中，随着对半导体芯片的数字和方法施展
公开(公告)号：WO2012130499A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/EP2012/051446
申请日：2012-01-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin , LINKOV, Alexander , LINDER, Norbert
发明人： VON MALM, Norwin , LINKOV, Alexander , LINDER, Norbert
IPC分类号： H01L33/46 , H01L27/15 , H01L33/10 , H01L33/40 , H01L33/58 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/10 , H01L27/156 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/60
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) angegeben, der einen Halbleiterkörper (6) aus Halbleitermaterial, eine dem Halbleiterkörper in Abstrahlrichtung nachgeordnete Auskoppelfläche (9) und eine Spiegelschicht (1) aufweist. Der Abstand zwischen aktiver Schicht (2) und Spiegelschicht (1) ist derart eingestellt, dass eine von der aktiven Schicht (2) in Richtung der Auskoppelfläche (9) emittierte Strahlung mit einer an der Spiegelschicht (1) reflektierten Strahlung so interferiert, dass der Halbleiterchip (100) eine Abstrahlcharakteristik der emittierten Strahlung mit einer Vorzugsrichtung in Vorwärtsrichtung aufweist. Weiter wird ein Display (1000) mit einer Mehrzahl von derartigen Halbleiterchips (100) angegeben. Weiter werden Verfahren zu deren Herstellung angegeben.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片（100）包括半导体材料的半导体本体（6），在辐射耦合输出区域（9）下游的半导体主体和反射镜层（1）。活性层（2）和镜面层（1）之间的距离被设定为使得所述有源层中的一个（2）辐射朝向输出表面发射（9），其具有在反射镜层（1）反射的辐射，从而干扰该半导体芯片（100）具有所发射的辐射与在向前方向上的优选方向的辐射图案。此外，具有多个这样的半导体芯片（100）的显示（1000）中指定的。下一步程序及其制备规定。

2. 发明申请

WO2005004244A2 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：辐射半导体部件
公开(公告)号：WO2005004244A2
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/DE2004/001344
申请日：2004-06-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BUTENDEICH, Rainer , LINDER, Norbert , MAYER, Bernd , PIETZONKA, Ines
发明人： BUTENDEICH, Rainer , LINDER, Norbert , MAYER, Bernd , PIETZONKA, Ines
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/02 , H01S5/3086
摘要： Bei einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement mit einer Schichtstruktur, die eine n-dotierte Confinementschicht (14), eine p-dotierte Confinementschicht (22), und eine zwischen der n-dotierten Confinementschicht (14) und der p-dotierten Confinementschicht (22) angeordnete aktive, Photonen emittierende Schicht (18) enthält, ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß die n-dotierte Confinementschicht (14) mit einem ersten n-Dotierstoff (oder zwei voneinander verschiedenen n-Dotierstoffen) zur Erzeugung einer hohen aktiven Dotierung und eines scharfen Dotierprofils dotiert ist, und die aktive Schicht (18) mit nur einem von dem ersten Dotierstoff verschiedenen zweiten n-Dotierstoff zur Verbesserung der Schichtqualität der aktiven Schicht (18) dotiert ist.
摘要翻译：在具有层结构，其设置在n掺杂限制层（14）发射辐射的半导体器件，p型掺杂的限制层（22），和n型掺杂的限制层（14）和p掺杂限制层（22）的活性之间，光子发光层（18），本发明提供了具有第一n型掺杂剂（或两种不同的n型掺杂剂）的n型掺杂的限制层（14）被掺杂，以产生高活性掺杂和尖锐的掺杂分布，和有源层（18）仅掺杂有从第一掺杂第二n型掺杂剂以改善活性层（18）的膜质量不同的角度。

3. 发明申请

WO2003026355A2 ELEKTROLUMINESZIERENDER KÖRPER 审中-公开
标题翻译：电致发光体
公开(公告)号：WO2003026355A2
公开(公告)日：2003-03-27
申请号：PCT/DE2002/003200
申请日：2002-08-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LINDER, Norbert , NIRSCHL, Ernst , SPÄTH, Werner
发明人： LINDER, Norbert , NIRSCHL, Ernst , SPÄTH, Werner
IPC分类号： H05B33/00
CPC分类号： H01L33/08 , H01L27/156 , H01L33/20 , H01L33/46
摘要： Es wird ein elektrolumineszierendes Bauelement (1), insbesondere ein LED-Chip, vorgeschlagen, der bei einfachem Aufbau einen hohen externen Wirkungsgrad aufweist. Das elektrolumineszierende Bauelement (1) weist ein Substrat (2); mehrere, nebeneinander auf dem Substrat (2) in Abstand angeordnete Strahlungsauskoppelelemente mit einem aktiven Schichtstapel (7) mit einer Emissionszone (8); und ein Kontaktelement (9) auf jedem Strahlungsauskoppelelement (4) auf. Erfindungsgemäß sind die Kontaktelemente (9), deren Breite (b') kleiner als die Breite (b) der Strahlungsauskoppelelemente (4) bemessen ist, mittig auf den Strahlungsauskoppelelementen (4) angeordnet, und die Breite (b) der Strahlungsauskoppelelemente (4) ist bei gegebener Höhe (h) derart klein gewählt, dass ein wesentlicher Anteil des seitlich von der Emissionszone (8) abgestrahlten Lichts (11) direkt durch die Seitenflächen (12) der Strahlungsauskoppelelemente (4) ausgekoppelt werden kann.
摘要翻译：提出了一种电致发光组件（1），尤其是LED芯片，其具有高的外部效率和简单的结构。电致发光器件（1）具有基板（2）; 在基板（2）上的多个并排的排列以一定距离Strahlungsauskoppelelemente与活性层堆叠（7）具有一个发射区（8）; 和每个辐射解耦元件（4）上的接触元件（9）。发明＆AUML;大街接触元件（9），所述宽度（B“）比宽度（b）的Strahlungsauskoppelelemente的（4）的尺寸，居中于Strahlungsauskoppelelementen（4）被布置更小，并且宽度（b）的Strahlungsauskoppelelemente（4）是在给定的H＆ouml;他（H），这样小GEW＆AUML; HLT一个实质的发光区域（8）发射的光（11）的侧面的直接通过Seitenfl BEAR陈Strahlungsauskoppelelemente的部分（12）（4）可以耦合

4. 发明申请

WO2010022694A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2010022694A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/DE2009/001038
申请日：2009-07-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LINDER, Norbert , WIESMANN, Christopher , WIRTH, Ralph , STANLEY, Ross , HOUDRE, Romuald
发明人： LINDER, Norbert , WIESMANN, Christopher , WIRTH, Ralph , STANLEY, Ross , HOUDRE, Romuald
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/46
摘要： Es wird ein Halbleiterchip angegeben, mit einer aktiven Schicht (2), die zur Emission einer elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist, und einer zweidimensionalen Anordnung von Struktureinheiten (5), die der aktiven Schicht in einer Hauptabstrahlrichtung (6) des Halbleiterchips nachgeordnet ist. Die Struktureinheiten (5) sind in einer willkürlichen statistischen Verteilung angeordnet. Durch eine derartige Anordnung von Struktureinheiten kann ein Halbleiterchip mit einer gerichteten Abstrahlcharakteristik realisiert werden.
摘要翻译：公开的是具有有源层（2），其设置用于发射电磁辐射，以及有源层（5）的结构单元的在主发光方向上的半导体芯片（6）被布置下游的二维布置的半导体芯片。结构单元（5）被布置在随机统计分布。通过结构单元的这种布置中，具有定向辐射特性的半导体芯片可以实现的。

5. 发明申请

WO2009000257A2 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2009000257A2
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：PCT/DE2008/001050
申请日：2008-06-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GRÖTSCH, Stefan , LINDER, Norbert
发明人： GRÖTSCH, Stefan , LINDER, Norbert
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit - einer Strahlungsdurchtrittsfläche (3), - einer Kontaktmetallisierung (2a), die auf die Strahlungsdurchtrittsfläche (3) aufgebracht ist, und - einer ersten reflektierenden Schichtenfolge (2b) angegeben, die auf die der Strahlungsdurchtrittsfläche (3) abgewandte Oberfläche der Kontaktmetallisierung (2a) aufgebracht ist. Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Bauelement mit solch einem Chip angegeben.
摘要翻译：它是一种光电子半导体芯片（1），包括： - 辐射穿透表面（3）， - 其被施加到辐射通路表面（3），并接触金属化物（2a）的 - 第一反射层序列（2b）中表示，（在辐射通道表面 3）背离所述触点（2a的表面的距离）被施加。此外，被指定具有这种芯片的光电子器件。

6. 发明申请

WO2007036214A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：辐射光电组件
公开(公告)号：WO2007036214A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/DE2006/001701
申请日：2006-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISERT, Dominik , LINDER, Norbert , OBERSCHMID, Raimund , BERBEN, Dirk , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin
发明人： EISERT, Dominik , LINDER, Norbert , OBERSCHMID, Raimund , BERBEN, Dirk , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der eine aktive Halbleiterschichtenfolge (2) umfasst offenbart, die geeignet ist, elektromagnetische Strahlung einer ersten Wellenlänge zu erzeugen, die von einer Vorderseite (3) des Halbleiterkörpers (1) emittiert wird. Weiterhin umfasst das Bauelement einen dem Halbleiterkörper (1) in dessen Abstrahlrichtung nachgeordneten ersten Wellenlängenkonversionsstoff (6), der Strahlung der ersten Wellenlänge in Strahlung einer von der ersten Wellenlänge verschiedenen zweiten Wellenlänge umwandelt und eine erste selektiv reflektierende Schicht (8) zwischen der aktiven Halbleiterschichtenfolge (2) und dem ersten Wellenlängenkonversionsstoff (6), die Strahlung der zweiten Wellenlänge selektiv reflektiert und für Strahlung der ersten Wellenlänge durchlässig ist.
摘要翻译：它与一个半导体本体（1），光电装置的公开包括有源半导体层序列（2），其适合于从正面侧产生第一波长的电磁辐射（3）的半导体主体（1）被发射。此外，该装置包括一个半导体主体（1）在所述第一波长转换材料的下游的辐射方向（6），所述第一波长成与所述第一波长不同的方向上的辐射的辐射，第二波长转换，并且第一选择性反射层（8）在有源半导体层序列之间（ 2）与第一波长转换材料（6），选择性地反射第二波长的辐射是透明的第一波长的辐射。

7. 发明申请

WO2005107027A2 OPTISCH GEPUMPTE HALBLEITERVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：光泵半导体器件
公开(公告)号：WO2005107027A2
公开(公告)日：2005-11-10
申请号：PCT/DE2005/000649
申请日：2005-04-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KARNUTSCH, Christian , LINDER, Norbert , SCHMID, Wolfgang
发明人： KARNUTSCH, Christian , LINDER, Norbert , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18305 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/18313 , H01S5/18327 , H01S5/18388 , H01S5/32341
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit einem optisch gepumpten Vertikalemitter, der eine aktive Vertikalemitterschicht (3) aufweist, und einer Pumpstrahlungsquelle, mittels der ein in lateraler Richtung propagierendes Pumpstrahlungsfeld erzeugt wird, das die Vertikalemitterschicht (3) in einem Pumpbereich optisch pumpt, wobei die Wellenlänge des Pumpstrahlungsfeldes kleiner ist als die Wellenlänge des von dem Vertikalemitter generierten Strahlungsfeldes (12). Die Pumpstrahlungsquelle weist eine aktive Pumpschicht (2) auf, die der Vertikalemitterschicht (3) in vertikaler Richtung nachgeordnet ist und die in vertikaler Richtung gesehen zumindest teilweise mit der Vertikalemitterschicht überlappt, wobei die aktive Pumpschicht (2) so angeordnet ist, dass das im Betrieb erzeugte Pumpstrahlungsfeld eine höhere Leistung aufweist als ein parasitäres, von der Vertikalemitterschicht (3) erzeugtes, laterales propagierendes Strahlungsfeld, oder wobei eine Erzeugung eines parasitären, lateral propagierenden Strahlungsfeldes durch die Vertikalemitterschicht (3) unterdrückt wird.
摘要翻译：本发明涉及与具有活性垂直发射层（3）和泵辐射源，通过在泵辐射场的横向方向传播的方式的光学泵浦垂直发射的半导体器件中产生，其光学地泵的垂直发射极层（3）的泵区域，所述泵浦辐射场的波长比所产生的辐射场的由垂直发射器（12）的波长小。泵浦辐射源具有有源泵层（2），其在垂直发射层（3）的垂直方向的下游侧布置并且在垂直方向上观察至少部分地重叠的垂直发射层，有源泵层（2）被布置成使得在操作中产生的泵浦辐射场具有比寄生更高的功率，由所述垂直发射层（3）产生的，横向传播的辐射场，或在其中产生的寄生的由垂直发射极层（3）被抑制横向传播辐射场。

8. 发明申请

WO2009155899A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片
公开(公告)号：WO2009155899A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/DE2009/000856
申请日：2009-06-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERGENEK, Krister , WIRTH, Ralph , LINDER, Norbert , WIESMANN, Christopher
发明人： BERGENEK, Krister , WIRTH, Ralph , LINDER, Norbert , WIESMANN, Christopher
IPC分类号： H01L33/00 , H01L51/52
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/46 , H01L51/5268 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip mit einer Vorderseite (7), die zur Strahlungsauskopplung vorgesehen ist, angegeben. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip weist in Richtung von einer der Vorderseite (7) gegenüberliegenden Rückseite (8) zur Vorderseite (7) hin folgende Elemente in der angegebenen Reihenfolge auf: eine aktive Schicht (1), die zur Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist; eine Durchmischungsschicht (2), die Streuelemente (21) zur Streuung der elektromagnetischen Strahlung enthält; eine Übergangsschicht (3), die einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der aktiven Schicht (1); und einen ersten photonischen Kristall (4).
摘要翻译：它是具有前侧（7），其被设置用于耦合输出辐射，所指定的发射辐射的半导体芯片。发射辐射的半导体芯片具有在所述前侧中的一个的方向（7）相反的后侧（8）前面（7）通过在所指示的顺序的下列元件：它被设置用于发射电磁辐射的有源层（1）; 的混合层（2），散射元件（21），用于的电磁辐射包括散射; 具有折射率比有源层（1）的折射率更小的过渡层（3）; 和的第一光子晶体（4）。

9. 发明申请

WO2009094994A1 OPTOELEKTRONISCHES MODUL UND PROJEKTIONSVORRICHTUNG MIT DEM OPTOELEKTRONISCHEN MODUL 审中-公开
标题翻译：光电模块和投影设备符合光电模块
公开(公告)号：WO2009094994A1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/DE2009/000103
申请日：2009-01-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETERSEN, Kirstin , GRÖTSCH, Stefan , MILLER, Stephan , SPATH, Günter , LINDER, Norbert , EISERT, Dominik , PETER, Matthias
发明人： PETERSEN, Kirstin , GRÖTSCH, Stefan , MILLER, Stephan , SPATH, Günter , LINDER, Norbert , EISERT, Dominik , PETER, Matthias
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H04N9/3164 , F21K9/00 , H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Modul (11) zur Abstrahlung von monochromatischer Strahlung im sichtbaren Wellenlängenbereich angegeben. Das Modul (11) weist mehrere Leuchtdiodenchips (1) auf, die UV-Strahlung erzeugen. Die UV-Strahlung wird von einem Wellenlängenkonverter (2) in Licht im sichtbaren Bereich, beispielsweise in grünes Licht, umgewandelt. Durch den Einsatz zweier selektiv reflektierender und transmittierender Filter (3, 4) wird die Lichtauskopplung des Moduls (11) optimiert. Dieses Modul (11) kann als Lichtquelle in einer Projektionsvorrichtung (12) eingesetzt werden.
摘要翻译：提供了一种用于在可见波长范围内发射的单色辐射的光电模块（11）。所述模块（11）具有多个LED芯片（1），其产生UV辐射。的UV辐射转换为光在可见光范围内，例如，在绿色光的波长转换器（2）的。通过使用两个选择性地反射和透射滤光器（3，4）优化模块（11）的光输出。这个模块（11）可被用作在一个投影装置（12）的光源。

10. 发明申请

WO2009086808A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2009086808A1
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：PCT/DE2008/002150
申请日：2008-12-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LINDER, Norbert , WIESMANN, Christopher , WINDISCH, Reiner
发明人： LINDER, Norbert , WIESMANN, Christopher , WINDISCH, Reiner
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01S5/1046
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der eine Strahlungsdurchtrittsfläche (2) umfasst, einer Zwischenschicht (4), die direkt auf der Strahlungsdurchtrittsfläche (2) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist und einen niedrigeren optischen Brechungsindex (n4) als das an sie grenzende Halbleitermaterial des Halbleiterkörpers (1) aufweist, und einer strukturierten Metallschicht (3), die auf der dem Halbleiterkörper (1) gegenüberliegenden Oberfläche der Zwischenschicht (4) angeordnet ist, angegeben.
摘要翻译：它与一个半导体主体（1），包括辐射穿透表面（2），中间层的光电子半导体装置（4）直接在辐射穿透表面（2）的半导体主体（1）和一个下光学折射率（N4），作为（3）形成为具有连续的给它的半导体本体（1）的半导体材料，以及图案化金属层的半导体主体（1）（4）被布置成规定的中间层的相对表面上。

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