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1. 发明申请

WO2009155899A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片
公开(公告)号：WO2009155899A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/DE2009/000856
申请日：2009-06-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERGENEK, Krister , WIRTH, Ralph , LINDER, Norbert , WIESMANN, Christopher
发明人： BERGENEK, Krister , WIRTH, Ralph , LINDER, Norbert , WIESMANN, Christopher
IPC分类号： H01L33/00 , H01L51/52
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/46 , H01L51/5268 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip mit einer Vorderseite (7), die zur Strahlungsauskopplung vorgesehen ist, angegeben. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip weist in Richtung von einer der Vorderseite (7) gegenüberliegenden Rückseite (8) zur Vorderseite (7) hin folgende Elemente in der angegebenen Reihenfolge auf: eine aktive Schicht (1), die zur Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist; eine Durchmischungsschicht (2), die Streuelemente (21) zur Streuung der elektromagnetischen Strahlung enthält; eine Übergangsschicht (3), die einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der aktiven Schicht (1); und einen ersten photonischen Kristall (4).
摘要翻译：它是具有前侧（7），其被设置用于耦合输出辐射，所指定的发射辐射的半导体芯片。发射辐射的半导体芯片具有在所述前侧中的一个的方向（7）相反的后侧（8）前面（7）通过在所指示的顺序的下列元件：它被设置用于发射电磁辐射的有源层（1）; 的混合层（2），散射元件（21），用于的电磁辐射包括散射; 具有折射率比有源层（1）的折射率更小的过渡层（3）; 和的第一光子晶体（4）。

2. 发明申请

WO2011069747A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND PHOTONISCHER KRISTALL 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件和光子晶体
公开(公告)号：WO2011069747A1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：PCT/EP2010/066647
申请日：2010-11-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF ST. ANDREWS , BERGENEK, Krister , WIESMANN, Christopher , KRAUSS, Thomas, F.
发明人： BERGENEK, Krister , WIESMANN, Christopher , KRAUSS, Thomas, F.
IPC分类号： H01L33/20 , G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/42
CPC分类号： H01L33/22 , G02B1/005 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L2933/0083
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) beinhaltet dieses wenigstens eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (3) sowie zumindest einen photonischen Kristall (4) zur Einkopplung oder zur Auskopplung einer von der mindestens einen aktiven Schicht (3) zu erzeugenden oder zu empfangenden Strahlung aus der oder in die Halbleiterschichtenfolge (2). Die Strahlung weist eine Scheitelwellenlänge (lambda 0) auf. Der photonische Kristall (4) ist von der aktiven Schicht (3) beabstandet und durch eine Überlagerung von mindestens zwei Gittern (41, 42) mit voneinander verschiedenen, auf die Scheitelwellenlänge (lambda 0) normierten, reziproken Gitterkonstanten gebildet.
摘要翻译：在此光电子半导体器件（1）的至少一个实施例至少包括：半导体层序列（2）具有至少一个有源层（3）以及用于耦合或脱开所述至少一个有源层（3）中的一个的至少一个光子晶体（4）生成或从或到半导体层序列（2）接收的辐射。辐射具有的峰值波长（拉姆达0）。光子晶体（4）被从活性层（3）和由至少两个格栅（41，42）具有相互不同的，峰值波长（拉姆达0）归一化的倒数形成晶格常数的叠加隔开。

3. 发明申请

WO2012038235A1 BELEUCHTUNGSMODUL 审中-公开
标题翻译：照明模块
公开(公告)号：WO2012038235A1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：PCT/EP2011/065127
申请日：2011-09-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERGENEK, Krister , WIRTH, Ralph , SABATHIL, Matthias
发明人： BERGENEK, Krister , WIRTH, Ralph , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/50 , H01L25/075 , H05B33/08
CPC分类号： H05B33/0866 , F21Y2113/10 , H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Beleuchtungsmodul angegeben, das ein erstes Licht emittierendes Halbleiterbauelement (1), das im Betrieb rotes Licht (901) abstrahlt, ein zweites Licht emittierendes Halbleiterbauelement (2), das im Betrieb grünes Licht (902) abstrahlt, und ein drittes Licht emittierendes Halbleiterbauelement (3), das im Betrieb blaues oder kaltweißes Licht (903) abstrahlt, aufweist, wobei das zweite Halbleiterbauelement (2) einen blau emittierenden zweiten Halbleiterchip und ein zweites Wellenlängenkonversionselement aufweist, das einen Anteil von größer oder gleich 90% des vom zweiten Halbleiterchip emittierten blauen Lichts in das grüne Licht (902) umwandelt, und wobei eine Überlagerung des vom ersten, zweiten und dritten Halbleiterbauelement (1, 2, 3) jeweils abgestrahlten Lichts (901, 902, 903) warmweißes Licht (904) ergibt.
摘要翻译：它是指定的照明模块，第一发光半导体组件（1），操作（901）期间，红光发射第二发光半导体元件（2），在操作期间的绿色光（902）发射，并且一个第三发光的半导体器件（3），蓝色或在操作冷白光（903）发射，所述第二半导体器件（2）具有一个发射蓝光的第二半导体芯片和包括所述第二半导体芯片的大于或等于90％的比例的第二波长转换元件转换中的绿色光（902）所发出的蓝色光，并且其中（1，2，3）中得到的第一，第二和第三半导体器件的叠加每个发射光（901，902，903）的暖白光（904）。

4. 发明申请

WO2012001059A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译： OPTO电子元件
公开(公告)号：WO2012001059A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/EP2011/060931
申请日：2011-06-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BIEBERSDORF, Andreas , BERGENEK, Krister , MOOSBURGER, Jürgen
发明人： BIEBERSDORF, Andreas , BERGENEK, Krister , MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/50 , F21V5/002 , H01L33/44 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauteil (100) angegeben, mit - zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement (1); - zumindest einem Konverterelement (2), welches zur Konversion der von dem Halbleiterbauelement (1) emittierten elektromagnetischen Strahlung dient; - zumindest einem Filtermittel (3), welches Filterpartikel (31) umfasst oder mit diesen gebildet ist, wobei - das Filtermittel (3) zumindest einen vorgebbaren Wellenlängenbereich der von dem Halbleiterbauelement (1) emittierten elektromagnetischen Strahlung stärker streut und/oder absorbiert als einen von dem vorgegebenen Wellenlängenbereich verschiedenen Wellenlängenbereich, und - die Filterpartikel (31) einen d 50 -Wert, in Q 0 gemessen, von wenigstens 0,5 nm bis höchstens 500 nm und/oder - die Filterpartikel (31) zumindest stellenweise fadenartig ausgebildet sind und in einem fadenartigen Bereich (31A) einen Durchmesser (D) aufweisen, der wenigstens 0,5 nm und höchstens 500 nm beträgt.
摘要翻译：本发明提供一种光电器件（100），具有： - 至少一个发射辐射的半导体元件（1）; - 至少一个转换元件（2），其用于从所述半导体部件（1）的电磁辐射发射的光转换; - 至少一个滤波器装置（3）包括所述过滤器的颗粒（31）或与其一起，其特征在于形成 - 散射滤波器装置（3）的半导体器件中的至少一个预先确定的波长范围内的（1）的电磁辐射发射的更强和/或吸收的作为一个在预定的波长范围不同的波长范围，以及 - 具有d 50值，所述过滤器的颗粒（31）在Q0测量的至少0.5纳米，和至多500nm和/或 - 形成（31）的地方，线状至少过滤颗粒和细丝状的具有区域（31A）的直径（D），这是在500nm以下为至少0.5nm和。

5. 发明申请

WO2012010702A1 GARNET MATERIAL, METHOD FOR ITS MANUFACTURING AND RADIATION-EMITTING COMPONENT COMPRISING THE GARNET MATERIAL 审中-公开
标题翻译： GARNET材料，其制造方法和包含GARNET材料的辐射发射组件
公开(公告)号：WO2012010702A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：PCT/EP2011/062677
申请日：2011-07-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERGENEK, Krister , WEI, George, C. , RAUKAS, Madis , ZINK, Nathan, M. , LANGE, Stefan
发明人： BERGENEK, Krister , WEI, George, C. , RAUKAS, Madis , ZINK, Nathan, M. , LANGE, Stefan
IPC分类号： C09K11/77
CPC分类号： C09K11/7774 , C04B35/44 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/5436 , C04B2235/6582 , C04B2235/764 , C04B2235/77 , C04B2235/9646 , G02B1/00 , G02B5/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
摘要： A material, comprising a garnet having the composition represented by the formula A 3 -xB 5 O 12 :D x and a barium-containing oxide. In the garnet A 3-x B 5 O 12 :D x , A is selected from lutetium, yttrium, gadolinium, terbium, scandium, another rare earth metal or mixtures thereof. B is selected from aluminum, scandium, gallium, indium, boron or mixtures thereof. D is at least one dopant selected from chromium, manganese and rare earth metals, particularly cerium, praseodymium or gadolinium. The dopant is present with x is 0 ≤ x ≤ 2.
摘要翻译：一种材料，其包含具有由式A3-xB5O12：Dx表示的组成的石榴石和含钡氧化物。在石榴石A3-xB5O12：Dx中，A选自镥，钇，钆，铽，钪，另一种稀土金属或其混合物。 B选自铝，钪，镓，铟，硼或其混合物。 D是选自铬，锰和稀土金属，特别是铈，镨或钆中的至少一种掺杂剂。存在x为0 = x = 2的掺杂剂。

6. 发明申请

WO2011101238A1 ELEKTRISCHES WIDERSTANDSELEMENT GEIGNET FÜR LEUCHTDIODEN, LASERDIODEN ODER FOTODETEKTOREN 审中-公开
标题翻译：电气电阻元件适用于发光二极管，二极管或光电探测器
公开(公告)号：WO2011101238A1
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：PCT/EP2011/051388
申请日：2011-02-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERGENEK, Krister
发明人： BERGENEK, Krister
IPC分类号： H01C7/112 , H01C7/12 , H01L21/00
CPC分类号： H01L28/20 , H01C7/112 , H01C7/12
摘要： Es wird ein elektrisches Widerstandselement (1) angegeben, mit - einem Grundkörper (2), der mit einem Halbleitermaterial gebildet ist, - einem ersten Kontaktelement (5), das mit dem Grundkörper (2) elektrisch leitend verbunden ist, und - einem zweiten Kontaktelement (6), das mit dem Grundkörper (2) elektrisch leitend verbunden ist, wobei - der Grundkörper (2) eine erste Hauptfläche (2a) aufweist, in die eine Ausnehmung (3) eingebracht ist, - das erste Kontaktelement (5) in der Ausnehmung (3) zumindest stellenweise elektrisch leitend mit dem Grundkörper (2) verbunden ist, - der Grundkörper (2) eine zweite Hauptfläche (2b) aufweist, die der ersten Hauptfläche (2a) gegenüberliegend angeordnet ist, - das zweite Kontaktelement (6) an der zweiten Hauptfläche (2b) zumindest stellenweise elektrisch leitend mit dem Grundkörper (2) verbunden ist.
摘要翻译：提供了一种电阻元件（1），具有： - 其与半导体材料形成的基体（2）， - 一个第一接触元件（5），其连接到所述基体（2）的导电连接，以及 - 一个第二接触元件（6）连接到所述基体（2）的导电连接，其特征在于， - 所述基体（2）具有第一主面（2a）中，在其中的凹部（3）被插入， - 所述第一接触元件（5）在凹部（3）至少在导电连接到所述基体（2）的地方被连接， - 在基体（2）的第二主表面（2b）中，第一主表面（2a）的相对地设置， - 所述第二接触元件（6），以的地方的第二主表面（2b）的至少导电连接到所述基体（2）连接。

7. 发明申请

WO2011085889A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：辐射半导体部件
公开(公告)号：WO2011085889A1
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：PCT/EP2010/069509
申请日：2010-12-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERGENEK, Krister , AHLSTEDT, Mikael , LIEPOLD, Ute
发明人： BERGENEK, Krister , AHLSTEDT, Mikael , LIEPOLD, Ute
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/58
CPC分类号： H01L33/50 , H01L33/025 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1) angegeben, der eine aktive Schicht (3) aufweist, die im Betrieb elektromagnetische Strahlung einer ersten Wellenlänge Lambda 1 in eine Hauptstrahlungsrichtung (13) emittiert, und mit einer Lumineszenzkonversionsschicht (5) die zumindest einen Teil der emittierten Strahlung in Strahlung einer zweiten Wellenlänge Lambda 2 konvertiert, die größer ist als die erste Wellenlänge Lambda 1 . Der aktiven Schicht (3) folgt in der Hauptstrahlungsrichtung (13) eine Funktionsschicht (6) zur Verbesserung der Strahlungsauskopplung, Farbmischung und/oder Winkelabhängigkeit der emittierten Strahlung nach, wobei die Funktionsschicht (6) ein Glas, eine Keramik, eine Glaskeramik oder Saphir enthält.
摘要翻译：提供了一种具有半导体主体（1）具有的有源层（3），其中第一波长为λ1的操作过程中发出的主辐射方向（13）的电磁辐射，以及具有发光转换层（5），其覆盖至少一部分的发射辐射的半导体元件所发射的辐射的转换成第二波长为λ2，其比所述第一波长为λ1时的辐射。在有源层的主辐射方向（13）（3）之后是功能层（6），以改善辐射输出耦合，混色和/或角度的依赖性，其中所述功能层（6）包括玻璃，陶瓷，玻璃陶瓷或蓝宝石的所发射的辐射，

8. 发明申请

WO2011069791A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2011069791A1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：PCT/EP2010/067707
申请日：2010-11-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KRÄUTER, Gertrud , BARCHMANN, Bernd , BERGENEK, Krister , RAMCHEN, Johann , ZITZLSPERGER, Michael
发明人： KRÄUTER, Gertrud , BARCHMANN, Bernd , BERGENEK, Krister , RAMCHEN, Johann , ZITZLSPERGER, Michael
IPC分类号： H01L33/56
CPC分类号： H01L33/56 , H01L31/035281 , H01L33/505
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (100) angegeben, aufweisend: zumindest einen Strahlungsemittierenden Halbleiterchip (3) mit einer Strahlungsauskoppelfläche (6), durch die zumindest ein Teil der im Halbleiterchip (3) erzeugten elektromagnetischen Strahlung den Halbleiterchip (3) verlässt; zumindest ein Konverterelement (4), das dem Halbleiterchip (3) an seiner Strahlungsauskoppelfläche (6) zur Konversion von vom Halbleiterchip (3) emittierter elektromagnetischer Strahlung nachgeordnet ist und eine der Strahlungsauskoppelfläche (6) abgewandete erste Oberfläche (7) aufweist; eine reflektierende Umhüllung (5), wobei die reflektierende Umhüllung (5) den Halbleiterchip (3) und zumindest stellenweise das Konverterelement an Seitenflächen (33, 44) formschlüssig umhüllt, und die erste Oberfläche (7) des Konverterelements (4) frei von der reflektierenden Umhüllung (5) ist.
摘要翻译：本发明提供一种光电子半导体器件（100），包括：至少一个发射辐射的半导体芯片（3），其具有辐射输出（6），通过它至少在半导体芯片所产生的部分（3）电磁辐射离开该半导体芯片（3）; 包括至少一个转换元件（4），它是将半导体芯片（3）在它的辐射输出的（6）下游发射到的从半导体芯片的转化（3）电磁辐射和辐射（6）abgewandete第一表面（7）; 一个反射罩（5），其中，所述反射罩（5）的半导体芯片（3）和至少局部转换器在侧面元件（33，44）接合正包裹和转换器元件（4）的第一表面（7）没有反射的是包络线（5）。

9. 发明申请

WO2013056916A2 AUFLAGE FÜR EINE LEUCHTVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：支持A发光装置
公开(公告)号：WO2013056916A2
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/EP2012/068044
申请日：2012-09-14
申请人： OSRAM GMBH , KRÄUTER, Gertrud , BARCHMANN, Bernd , BERGENEK, Krister , BECKER, Dirk , BIEBERSDORF, Andreas , WIRTH, Ralph
发明人： KRÄUTER, Gertrud , BARCHMANN, Bernd , BERGENEK, Krister , BECKER, Dirk , BIEBERSDORF, Andreas , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2924/00
摘要： Eine Auflage (17) ist für ein Substrat (12) einer Leuchtvorrichtung (11) vorgesehen und weist mindestens eine Aussparung (18) für mindestens eine Halbleiterlichtquelle (14) der Leuchtvorrichtung (11) auf, wobei die Auflage (17) mindestens eine umlaufende Wand (19a-g) aufweist, welche mindestens eine Aussparung (18) umgibt. Die Leuchtvorrichtung (11) weist ein mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle (14) bestücktes Substrat (12) auf, wobei das Substrat (12) mit einer Auflage (17) nach einem der vorhergehenden Ansprüche belegt ist, so dass die mindestens eine Halbleiterlichtquelle (14) sich innerhalb einer Aussparung (18) der Auflage (17) befindet, und wobei mindestens ein durch mindestens eine umlaufende Wand (19a-g) gebildeter Kasten (20a-g) mit mindestens einer Füllmasse (23, 24a-c, 25) gefüllt ist.
摘要翻译：的支撑件（17）的基板（12）上的发光装置（11）设置，并且具有至少一个凹部（18），用于所述照明装置（11）中的至少一个半导体光源（14），所述支承件（17）的至少一个外周壁（图19A-G），其围绕至少一个凹部（18）。的照明装置（11）包括（14），其安装基板（12）上的至少一个半导体光源，其特征在于，具有支承件（17）在基板（12）通过前述权利要求中的一个占用，使得该至少一个半导体光源（14）所述支承件（17），并且其中的一凹槽（18）内的至少一个通过至少一个周壁具有至少一个填充材料（23，24A-C，25）（图19A-G）形成箱（20A-G）填充，

10. 发明申请

WO2016174236A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：辐射光电组件
公开(公告)号：WO2016174236A1
公开(公告)日：2016-11-03
申请号：PCT/EP2016/059672
申请日：2016-04-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , OSRAM GMBH
发明人： TRAGL, Sonja , EISERT, Dominik , LANGE, Stefan , KAUFMANN, Nils , MARTIN, Alexander , BERGENEK, Krister
IPC分类号： C09K11/55 , C09K11/62 , C09K11/67 , C09K11/60 , C09K11/68 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/50 , A61B1/0653 , A61B1/0661 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement angegeben, umfassend: - einen Halbleiterchip, der im Betrieb des Bauelements eine Primärstrahlung emittiert, - ein Konversionselement umfassend ein Konversionsmaterial, das Cr- und/oder Ni-Ionen und ein Wirtsmaterial umfasst und das die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung im Betrieb des Bauelements in eine Sekundärstrahlung einer Wellenlänge zwischen 700 nm und 2000 nm konvertiert, wobei das Wirtsmaterial aus einer Gruppe von Verbindungen ausgewählt ist, die EAGa 12 O 19 , A y Ga 5 O (15+y)/2 , AE 3 Ga 2 Ge 4 O 14 , Ln 3 Ga 5 GeO 14 , Ga 2 O 3 , Ln 3 Ga 5,5 D 0,5 O 14 und Mg 4 D 2 O 9 umfasst, wobei EA = Mg, Ca, Sr und/oder Ba, A = Li, Na, K und/oder Rb, AE = Mg, Ca, Sr und/oder Ba, Ln = La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb und/oder Lu und D = Nb und/oder Ta und y = 0,9-1,9.
摘要翻译：它是指定的发射辐射的光电子器件，包括： - 发射在该装置的操作的初级辐射的半导体芯片， - 包括包含转换材料，将Cr和/或Ni离子和主体材料和所述光从半导体芯片发射的转换元件转换的初级辐射的装置的操作到700至2000nm之间的波长的次级辐射，其中从一组基质材料选自化合物其中EAGa12O19，AyGa5O（15 + Y）/ 2，AE3Ga2Ge4O14，Ln3Ga5GeO14，Ga2O3，Ln3Ga5,5D0 ，5O14和Mg4D2O9，其中EA =的Mg，Ca，Sr和/或Ba，A =锂，钠，钾和/或R b，AE =的Mg，Ca，Sr和/或Ba，Ln为镧，铈，镨，钕，PM，钐，铕，钆，铽，镝，钬，铒，铥，镱和/或Lu和D = Nb和/或Ta，Y = 0.9-1.9。

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