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1. 发明申请

WO2010009690A1 STRAHLUNGEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP MIT SCHUTZ GEGEN ELEKTROSTATISCHE ENTLADUNGEN UND ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：具有防止电气放电及对应的方法STRAHLUNGEMITTIERENDER半导体芯片
公开(公告)号：WO2010009690A1
公开(公告)日：2010-01-28
申请号：PCT/DE2009/000885
申请日：2009-06-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , HAHN, Berthold , STREUBEL, Klaus , KLEIN, Markus
发明人： ENGL, Karl , HAHN, Berthold , STREUBEL, Klaus , KLEIN, Markus
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/40
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge weist einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), eine erste Halbleiterschicht (21) und eine zweite Halbleiterschicht (22) auf. Der aktive Bereich ist zwischen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht angeordnet. Die erste Halbleiterschicht ist auf der dem Träger abgewandten Seite des aktiven Bereichs angeordnet. Der Halbleiterkörper weist zumindest eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich hindurcherstreckt. Die erste Halbleiterschicht ist elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussschicht (31) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht in der Ausnehmung von der ersten Halbleiterschicht in Richtung des Trägers erstreckt. Die erste Anschlussschicht ist mit der zweiten Halbleiterschicht über eine Schutzdiode (4) elektrisch verbunden. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一个支撑件（5）和（2），其具有半导体层序列的半导体主体中的发射辐射的半导体芯片（1）。半导体层序列具有提供用于产生辐射激活区（20），第一半导体层（21）和第二半导体层（22）。所述有源区设置在第一半导体层和第二半导体层之间。所述第一半导体层被设置在有源区的碱基远程侧。半导体本体具有至少一个凹部（25）延伸穿过所述活性区域。第一半导体层导电地连接至第一连接层（31），其中，在从在所述载体的方向上的第一半导体层延伸的凹部中的第一连接层。第一连接层是通过保护二极管（4）电连接到所述第二半导体层。此外，被指定用于制造发射辐射的半导体芯片的方法。

2. 发明申请

WO2007076743A1 LUMINESZENZDIODENCHIP MIT STROMAUFWEITUNGSSCHICHT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译： LED芯片MIT电流扩展层FOR和方法及其
公开(公告)号：WO2007076743A1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：PCT/DE2006/002046
申请日：2006-11-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , WIRTH, Ralph , ALBRECHT, Tony , AHLSTEDT, Magnus , ILLEK, Stefan , STREUBEL, Klaus
发明人： HAHN, Berthold , WIRTH, Ralph , ALBRECHT, Tony , AHLSTEDT, Magnus , ILLEK, Stefan , STREUBEL, Klaus
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/42
摘要： Es wird ein Lumineszenzdiodenchip angegeben, der mindestens ein Strombarriere aufweist. Die Strombarriere ist geeignet, die Erzeugung der Strahlung in einem von dem elektrischen Anschlusskörper lateral bedeckten Bereich durch eine verringerte Stromdichte selektiv zu verhindern oder zu verringern. Die Stromaufweitungsschicht enthält mindestens ein TCO (Transparent Conductive Oxide). In einer besonders bevorzugten Ausführungsform ist mindestens eine Strombarriere enthalten, die Material der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge, Material der Stromaufweitungsschicht und/oder eine Grenzfläche zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Stromaufweitungsschicht aufweist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有至少一个流动屏障的LED芯片。电流阻挡适于防止辐射的产生以横向通过所述电连接器本体部分覆盖的减小的电流密度选择性或减小。电流扩展层包括至少一个TCO（透明导电氧化物）。在特别优选的实施方案中，包括至少一个电流阻挡层，其包括外延半导体层序列的材料，所述电流扩展层材料和/或半导体层序列和所述电流扩展层之间的界面。还提供了用于制造LED芯片的方法。

3. 发明申请

WO2010072191A1 OPTOELEKTRONISCHE PROJEKTIONSVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：亚光电子投影设备
公开(公告)号：WO2010072191A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/DE2009/001694
申请日：2009-11-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin , STREUBEL, Klaus , RODE, Patrick , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen
发明人： VON MALM, Norwin , STREUBEL, Klaus , RODE, Patrick , ENGL, Karl , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L27/156 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es ist eine optoelektronische Projektionsvorrichtung vorgesehen, die im Betrieb ein vorgegebenes Bild (10) erzeugt. Die Projektionsvorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper (1), der eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (101) und eine Strahlungsaustrittsseite (102) aufweist. Der Halbleiterkörper (1) ist ein Bild gebendes Element der Projektionsvorrichtung. Zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (1) sind eine erste Kontaktschicht (2) und eine zweite Kontaktschicht (3) an einer der Strahlungsaustrittsseite (102) gegenüberliegenden Rückseite (103) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet und mittels einer Trennschicht (4) elektrisch voneinander isoliert.
摘要翻译：它是光电突出部被设置装置，该装置产生在操作的预定的图像（10）。投影装置包括半导体主体（1），适于产生电磁辐射活性层（101）和具有辐射出射侧（102）的装置构成。半导体本体（1）是所述投影装置的成像元件。用于半导体本体（1），第一接触层的电接触（2）和第二接触层（3）在半导体本体的辐射出射侧（102）相对的后侧（103）的一（1），并通过分离层（4）从每个电隔离，

4. 发明申请

WO2009143802A1 LED-ARRAY MIT MITTELN ZUR REDUKTION VON OPTISCHEM ÜBERSPRECHEN 审中-公开
标题翻译：有用于LED阵列用于降低光学TALK ABOUT
公开(公告)号：WO2009143802A1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：PCT/DE2009/000646
申请日：2009-05-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WIRTH, Ralph , ENGL, Karl , STREUBEL, Klaus
发明人： WIRTH, Ralph , ENGL, Karl , STREUBEL, Klaus
IPC分类号： H01L33/00 , H01L25/13
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine strahlungsemittierende Vorrichtung angegeben, die einen Träger (1) umfasst, auf dem zumindest zwei Halbleiterbauelemente (2) nebeneinander angeordnet sind, wobei jedes der Halbleiterbauelemente (2) - im Betrieb eine elektromagnetische Primärstrahlung emittiert und - eine vom Träger (1) abgewandte Hauptoberfläche (21) aufweist, auf der ein Wellenlängenkonversionselement (3) zur zumindest teilweisen Umwandlung der Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung angeordnet ist, - das Wellenlängenkonversionselement (3) eine Strahlungseintrittsfläche (31), eine Strahlungsaustrittsfläche (32) und Seitenflächen (33), die die Strahlungseintrittsfläche (31) mit der Strahlungsaustrittsfläche (32) verbinden, umfasst und mit der Strahlungseintrittsfläche (31) auf der Hauptoberfläche (21) angeordnet ist, - wobei auf den Seitenflächen (33) ein erstes nicht-transparentes Material (4) angeordnet ist.
摘要翻译：它是提供一种发射辐射的装置，包括：载体（1），其上的至少两个半导体组件（2）彼此相邻地布置，每个所述半导体组件（2） - 发射操作过程中的电磁初级辐射，以及 - 从载体一（1）的面向远离具有在其上的波长转换元件（3）被布置为初级辐射的至少部分转化成电磁次级辐射主表面（21）， - 所述波长转换元件（3）具有一个辐射入射面（31），辐射出射表面（32）和侧面（33）与辐射出射表面（32）连接所述辐射入射面（31），与辐射入射面（31）的主表面上包括：（21）设置， - 其中，在所述侧表面（33）被布置在第一非透明材料（4）。

5. 发明申请

WO2010051790A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNG EMITTIERENDEN DÜNNSCHICHTBAUELEMENTS UND STRAHLUNG EMITTIERENDES DÜNNSCHICHTBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产辐射发射的薄膜成分和发射辐射的薄膜COMPONENT
公开(公告)号：WO2010051790A1
公开(公告)日：2010-05-14
申请号：PCT/DE2009/001449
申请日：2009-10-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LUGAUER, Hans-Jürgen , STREUBEL, Klaus , STRASSBURG, Martin , WINDISCH, Reiner , ENGL, Karl
发明人： LUGAUER, Hans-Jürgen , STREUBEL, Klaus , STRASSBURG, Martin , WINDISCH, Reiner , ENGL, Karl
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , B82Y20/00 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/44
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Dünnschichtbauelements (1) weist dieses folgende Schritte auf: - Bereitstellen eines Substrats (2), - Aufwachsen von Nanostäben (3) auf dem Substrat (2), - epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (4) mit mindestens einer aktiven Schicht (5) auf den Nanostäben (3), - Aufbringen eines Trägers (6) auf der Halbleiterschichtenfolge (4), und - Abtrennen von Halbleiterschichtenfolge (4) und Träger (6) vom Substrat (2) durch mindestens teilweises Zerstören der Nanostäbe (3). Durch ein solches Herstellungsverfahren können mechanische Spannungen und Risse in der Halbleiterschichtenfolge (4), die durch das Aufwachsen resultieren, reduziert werden.
摘要翻译：在用于制造发射辐射的薄膜元件（1）具有在此以下步骤的方法的至少一个实施例中： - 在衬底（2）上的纳米棒（3）的生长， - - 提供衬底（2），外延生长的半导体层序列（4- ），具有至少一个有源层（5）上的纳米棒（3）， - 将载体（6）在该半导体层序列（4），以及 - （4）和载体从衬底（2）由至少（6）分离所述半导体层序列纳米棒的部分破坏（3）。由机械应力和裂纹这样的制造方法，能够在半导体层序列中的（4）可以减小通过生长得到的。

6. 发明申请

WO2008145096A1 LUMINESZENZDIODENCHIP MIT WINKELFILTERELEMENT 审中-公开
标题翻译： LED芯片与角过滤元件
公开(公告)号：WO2008145096A1
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/DE2008/000869
申请日：2008-05-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STREUBEL, Klaus , WIRTH, Ralph
发明人： STREUBEL, Klaus , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/50 , H01L33/22 , H01L33/44 , H01L33/46
摘要： Die Erfindung betrifft einen Lumineszenzdiodenchip mit - einem Halbleiterkörper (1), der Strahlung einer ersten Wellenlänge erzeugt, - einem Lumineszenzkonversionselement (5), das aus der Strahlung erster Wellenlänge Strahlung einer zweiten Wellenlänge erzeugt, und - einem Winkelfilterelement (4), das Strahlung, die unter einem speziellen Winkel relativ zu einer Hauptabstrahlrichtung auf das Winkelfilterelement auf trifft, in Richtung des Halbleiterkörpers zurückreflektiert.
摘要翻译：本发明涉及一种发光二极管芯片，包括： - 是从具有第二波长的第一波长的辐射和辐射产生的发光转换元件（5） - - 半导体基体（1），所述产生的第一波长的辐射的角度过滤器元件（4），所述辐射，这在特定相对角过滤元件的主发射方向的角度满足，在半导体本体的方向反射回来。

7. 发明申请

WO2004021457A2 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTROMAGNETISCHE STRAHLUNG EMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND ELEKTROMAGNETISCHE STRAHLUNG EMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：生产电磁辐射发射半导体芯片和电磁辐射发射半导体芯片的方法
公开(公告)号：WO2004021457A2
公开(公告)日：2004-03-11
申请号：PCT/DE2003/002786
申请日：2003-08-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KARNUTSCH, Christian , STAUSS, Peter , STREUBEL, Klaus
发明人： KARNUTSCH, Christian , STAUSS, Peter , STREUBEL, Klaus
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/30 , H01L21/02381 , H01L21/02543 , H01L21/0262 , H01L33/0066
摘要： Bei einem Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips auf AlGaInP-Basis mit den Verfahrensschritten: Bereitstellen eines Substrats; Aufbringen einer Halbleiterschichtfolge auf das Substrat, welche eine Photonen emittierende aktive Schicht enthält; und Aufbringen einer transparenten Auskoppelschicht, die Ga x (In y Al 1-y ) 1-x P mit 0,8 ≤ x und 0 ≤ y ≤ 1 umfaßt, ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß das Substrat aus Germanium gebildet ist und daß die transparente Auskoppelschicht bei niedriger Temperatur aufgebracht wird.
摘要翻译：在制造基于AlGaInP的发射辐射的半导体芯片的方法中，包括以下步骤：提供衬底; 在包含光子发射活性层的衬底上沉积半导体层序列; 并且将包含Ga（x）（In y Al 1-y）1-x P的透明耦合输出层与根据本发明，0.8≤x且0≤y≤1≤t。只要＆s; 衬底由锗和锗构成，透明耦合输出层在低温下使用。

8. 发明申请

WO2007036190A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和方法及其
公开(公告)号：WO2007036190A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/DE2006/001549
申请日：2006-09-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STREUBEL, Klaus
发明人： STREUBEL, Klaus
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/44 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (12) mit einem Dünnfilm-Halbleiterkörper (8) angegeben, der eine Halbleiterschichtenfolge (2, 20) mit einem zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (3) umfasst, und einer auf der Halbleiterschichtenfolge ausgebildeten, den Dünnfilm-Halbleiterkörper tragenden Trägerschicht (7).
摘要翻译：它是具有薄膜半导体主体（8）的光电子半导体芯片（12）被指定，轴承，（3），和一个形成在该半导体层序列的半导体层序列（2，20）与合适的用于产生辐射有源区中，薄膜半导体本体载体层（7）。

9. 发明申请

WO2008065170A1 STRAHLUNGSDETEKTOR MIT EINSTELLBARER SPEKTRALER EMPFINDLICHKEIT 审中-公开
标题翻译：具有可调光谱灵敏度辐射检测器
公开(公告)号：WO2008065170A1
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：PCT/EP2007/063007
申请日：2007-11-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , JAEGER, Arndt , STAUSS, Peter , STREUBEL, Klaus , KUHLMANN, Werner
发明人： JAEGER, Arndt , STAUSS, Peter , STREUBEL, Klaus , KUHLMANN, Werner
IPC分类号： G01J1/42 , G01J3/36
CPC分类号： G01J1/4228 , G01J1/0488 , G01J3/36 , G01J3/46 , G01J3/465 , G01J3/50 , G01J3/51 , G01J3/513 , G01J2003/507 , H01L31/105
摘要： Es wird ein Strahlungsdetektor (1) mit einer Detektoranordnung (2), die eine Mehrzahl von Detektorelementen (4, 5, 6) aufweist, mittels derer im Betrieb des Strahlungsdetektors ein Detektorsignal (DS) erhalten wird, und mit einer Regelungsvorrichtung (3) angegeben, wobei die Detektorelemente jeweils eine spektrale Empfindlichkeitsverteilung (400, 500, 600) aufweisen und zur Signalerzeugung (S4, S5, S6) geeignet sind, zumindest ein Detektorelement ein Verbindungshalbleitermaterial enthält und dieses Detektorelement zur Detektion von Strahlung im sichtbaren Spektralbereich ausgebildet ist, der Strahlungsdetektor derart ausgebildet ist, dass mittels der Empfindlichkeitsverteilungen der Detektorelemente verschiedene spektrale Empfindlichkeitskanäle (420, 520, 620) des Strahlungsdetektors gebildet sind, in den Empfindlichkeitskanälen mittels der Detektorelemente ein dem jeweiligen Empfindlichkeitskanal zugeordnetes Kanalsignal (K4, K5, K6) erzeugt werden kann, und die Regelungsvorrichtung derart ausgebildet ist, dass die Beiträge verschiedener Kanalsignale zum Detektorsignal des Strahlungsdetektors unterschiedlich geregelt sind.
摘要翻译：它是一种具有（2）具有多个检测器元件的检测器阵列的辐射检测器（1）（4，5，6），通过该辐射检测器的操作期间获得的检测器信号（DS）的装置，并指示与控制装置（3）其中所说的每一个都具有光谱灵敏度分布（400，500，600）的检测器元件和用于产生信号（S4，S5，S6）适于至少一个检测器元件是化合物半导体材料含有与该检测器元件适于在可见光谱范围内，所述辐射检测器检测辐射被设计为使得由辐射检测器的检测器元件不同的频谱灵敏度通道（420，520，620）的灵敏度分布的装置被形成在灵敏度通道由检测器元件的每个灵敏度信道相关联的信道信号（K4，K5，K6）的装置可以被产生，并且 Regelungsvorrichtun 形成在这样一种方式，不同的信道信号的贡献被不同地调节到辐射检测器的检测器信号g。

10. 发明申请

WO2008040300A1 LED-HALBLEITERKÖRPER UND VERWENDUNG EINES LED-HALBLEITERKÖRPERS 审中-公开
标题翻译： LED半导体主体和LED半导体主体的用途
公开(公告)号：WO2008040300A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/DE2007/001693
申请日：2007-09-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WINDISCH, Reiner , WIRTH, Ralph , GRÖTSCH, Stefan , BOGNER, Georg , KIRCHBERGER, Günter , STREUBEL, Klaus
发明人： WINDISCH, Reiner , WIRTH, Ralph , GRÖTSCH, Stefan , BOGNER, Georg , KIRCHBERGER, Günter , STREUBEL, Klaus
IPC分类号： H01L25/16 , H01L27/15 , H01L33/00
CPC分类号： H01L27/15 , H01L24/24 , H01L25/0756 , H01L25/167 , H01L33/08 , H01L2224/32145 , H01L2924/0002 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung beschreibt einen LED-Halbleiterkörper (1) mit einer Anzahl von mindestens zwei strahlungserzeugenden aktiven Schichten (2, 3), die jeweils eine Durchlassspannung (ULED) aufweisen, wobei die Anzahl der aktiven Schichten derart an eine Betriebsspannung (UB) angepasst ist, dass die an einem zu den aktiven Schichten (2, 3) in Serie geschalteten Vorwiderstand (10) abfallende Spannung (UW) höchstens so groß ist wie eine am LED-Halbleiterkörper (1) abfallende Spannung (UH). Ferner beschreibt die Erfindung verschiedene Verwendungen des LED-Halbleiterkörpers (1).
摘要翻译：本发明描述了具有多个至少两个产生辐射的有源层的LED半导体主体（1）（2，3）各自具有的正向电压（U LED），其特征在于，以这样的方式来工作电压的有源层的（UB）的数量被适配使得在有源层中的一个（2,3）串联连接串联电阻器（10）下降的电压（UW）至多为大到LED半导体主体（1）下降的电压（UH）。本发明进一步描述的LED半导体主体（1）的各种用途。

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