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1. 发明申请

WO2011113638A1 LASERDIODENANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LASERDIODENANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：激光二极管及其制造方法的激光二极管组件，
公开(公告)号：WO2011113638A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：PCT/EP2011/051282
申请日：2011-01-31
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL, Alfred , STRASSBURG, Martin
发明人： LELL, Alfred , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/042 , H01S5/323 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/4043 , H01S5/0224 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/2059 , H01S5/3013 , H01S5/3095 , H01S5/323 , H01S5/32341 , H01S5/34313 , H01S5/405 , H01S5/4087 , H01S5/4093 , H01S2301/173
摘要： Es handelt sich um eine Laserdiodenanordnung mit mindestens einem Halbleitersubstrat (2; 2x, 2y), mit mindestens zwei Laserstapeln (30, 31, 32) mit jeweils einer aktiven Zone (6, 12, 18) und mit mindestens einer Zwischenschicht (9, 15; 56, 58). Die Laserstapel (30, 31, 32) und die Zwischenschicht (9, 15; 56, 58) sind monolithisch auf das Halbleitersubstrat (2; 2x, 2y) aufgewachsen. Die Zwischenschicht (9, 15; 56, 58) ist zwischen den Laserstapeln (30, 31, 32) angeordnet. Die aktive Zone (6) des ersten Laserstapel (30) ist von der aktiven Zone (12, 18) des mindestens einen weiteren Laserstapels (31, 32) getrennt ansteuerbar. Die Zwischenschicht kann als Tunneldiode (9, 15) aufweisen, die insbesondere einen elektrischen Durchlassbereich innerhalb einer Stromblende (55, 57) darstellen kann. Alternativ kann die Zwischenschicht (4009, 4015) einen Isolator aufweisen. Die aktiven Zonen (6, 12, 18) sind insbesondere so ausgelegt, dass Laserdioden aus verschiedenen Laserstapeln (30, 31, 32) elektromagnetische Strahlung in voneinander verschiedenen Wellenlängenbereichen emittieren.
摘要翻译：有一个激光二极管阵列与至少一个半导体衬底（2; 2X，2Y），具有至少两个激光叠层（30，31，32），每个具有有源区（6,12，18）和至少一个中间层（9，15 ; 56，58）。激光堆（30，31，32）和中间层（9，15; 56，58）是整体地在半导体基板上（2; 2X，2Y）生长。布置在所述激光叠层（30，31，32）之间;所述中间层（56，58 9，15）。从所述至少一个另外的激光堆（31，32）的有源区（12，18）与第一激光叠层（30）的有源区（6）可分别控制。该中间层可以被用作隧道二极管（9，15），其尤其可以是一个当前的光圈（55，57）内的电通带。可替换地，中间层（4009，4015）有一个绝缘体。有源区（6,12，18）是特别设计了不同的激光叠层（30，31，32）在相互不同的波长范围发射的电磁辐射，使得激光二极管。

2. 发明申请

WO2009106070A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER MIT TUNNELÜBERGANG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLCHEN 审中-公开
标题翻译：与隧道过渡和方法光电子半导体本体，其制造方法
公开(公告)号：WO2009106070A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000282
申请日：2009-02-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias
发明人： STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/04 , H01L29/88 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0421 , H01S5/3095 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge angegeben, die einen Tunnelübergang (2) und eine zur Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (4) aufweist. Der Tunnelübergang weist eine Zwischenschicht (23) zwischen einer n-Typ-Tunnelübergangsschicht (21) und einer p-Typ-Tunnelübergangsschicht (22) auf. Bei einer Ausführungsform weist die Zwischenschicht eine der n-Typ-Tunnelübergangsschicht zugewandte n-Barriereschicht (231), eine der p-Typ-Tunnelübergangsschicht zugewandte p-Barriereschicht (233) und eine Mittelschicht (232) auf. Die Materialzusammensetzung der Mittelschicht unterscheidet sich von der Materialzusammensetzung der n-Barriereschicht und der p-Barriereschicht. Bei einer weiteren Ausführungsform ist die Zwischenschicht (23) alternativ oder zusätzlich gezielt mit Störstellen (6) versehen. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines solchen optoelektronischen Halbleiterkörpers angegeben.
摘要翻译：它与外延半导体层序列指定，具有隧道结的光电子半导体主体（2）和用于电磁辐射活性层的发射（4）。隧道结包括一个n型隧道结层（21）和p型隧道结层（22）之间的中间层（23）。在一个实施例中，中间层具有面对正势垒层（231），面向对 - 阻挡层（233）和中间层（232）在p型隧道结层中的一个的n型隧道结层中的一个。中间层的材料组合物，是从n势垒层和p型势垒层的材料组成不同。在另一个实施例中，中间层（23）被替代地或额外地提供有特定杂质（6）。此外，提供了一种用于制造这样的光电子半导体本体的方法。

3. 发明申请

WO2009015645A3 OPTOELECTRONIC COMPONENT HAVING A LAYER STACK 审中-公开
标题翻译： WITH A栈层OPTO电子元件
公开(公告)号：WO2009015645A3
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：PCT/DE2008001225
申请日：2008-07-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT MAGNUS , BADER STEFAN , BAUR JOHANNES , SABATHIL MATTHIAS , STRASSBURG MARTIN , ZEHNDER ULRICH
发明人： AHLSTEDT MAGNUS , BADER STEFAN , BAUR JOHANNES , SABATHIL MATTHIAS , STRASSBURG MARTIN , ZEHNDER ULRICH
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/46
摘要： Optoelectronic component (20) having a layer stack (10), comprising at least the following: a layer sequence constituting a semiconductor light emitting diode (5) and comprising at least a first light emitting diode layer (2), a second light emitting diode layer (4) and an optically active zone (3) between the first (2) and the second light emitting diode layer (4), wherein the two light emitting diode layers (2, 4) are in each case formed from a III-V semiconductor material containing in each case at least one of the elements aluminium, gallium and indium and in each case at least one of the elements nitrogen, phosphorus and arsenic, and wherein the first light emitting diode layer (2) is an n-doped layer and the second light emitting diode layer (4) is a p-doped layer, a silver-containing metallic layer (9) and an interlayer (8) composed of a transparent conductive oxide, which is arranged between the semiconductor light emitting diode (15) and the metallic layer (9), characterized in that the metallic layer (9) and the interlayer (8) are arranged on that side of the semiconductor light emitting diode (15) which the p-doped second light emitting diode layer (4) faces, and in that at least one highly doped first semiconductor layer (7), the dopant concentration of which is greater than the dopant concentration of the second light emitting diode layer (4), is arranged between the second light emitting diode layer (4) and the interlayer (8).
摘要翻译：光电子器件（20），包括一个叠层（10），至少包括：一个层序列，其是一种半导体发光二极管（5）和至少一个第一发光二极管（2），第二发光层（4）和光学活性区域（3）第一（2）和第二发光层（4），其中所述两个发光层（2,4）分别由III-V族半导体材料，元素铝，镓和铟的至少一种形成，并且在每种情况下之间包含的元素氮，磷和砷的至少一种，并且其中，所述第一发光层（2）的n型掺杂层和第二发光层（4）p型掺杂的层，含银金属层（9）和一个中间层（8 ），其特征在于透明导电氧化物，其被设置在半导体发光二极管（15）和所述金属层（9）之间的，所述金属金属层（9）和所述中间层（8）上的半导体发光二极管的那侧（15）被布置成面对所述p型第二发光层（4），并且所述第二发光层（4）和中间层（8）之间（7）被布置在至少一个高度掺杂的第一半导体层，掺杂剂浓度比所述第二发光层（4）的掺杂剂浓度。

4. 发明申请

WO2012052257A3 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片及其制造方法
公开(公告)号：WO2012052257A3
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：PCT/EP2011066687
申请日：2011-09-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERGBAUER WERNER , RODE PATRICK , STRASSBURG MARTIN
发明人： BERGBAUER WERNER , RODE PATRICK , STRASSBURG MARTIN
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/12 , B82Y40/00 , H01L33/0025 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L33/508 , H01L33/62 , H01L2224/48463
摘要： The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10) comprising a stack of semiconductor layers (1) consisting of a nitride compound semiconductor material on a carrier substrate (2), said carrier substrate having a surface (2a) containing silicon. The stack (1) of semiconductor layers comprises a recess (3) that extends from a rear side (1e) of the stack (1) of semiconductor layers, through an active layer (1a), to a layer (1b) of a first type of conductivity. The layer (1b) of the first type of conductivity is electrically connected via the recess (3) by means of a first electrical connection layer (4) that covers the rear side (1e) at least in parts. A layer (1c) of a second type of conductivity is electrically connected by means of a second electrical connection layer (5) arranged on the rear side (1e). The invention also relates to a method for producing such a semiconductor chip (10).
摘要翻译：提供一种光电子半导体芯片（10），其具有在载体衬底（2）上由氮化物化合物半导体材料制成的半导体层叠层（1），其中载体衬底（2）具有包含硅的表面（2a）。半导体层堆叠（1）具有从半导体层堆叠（1）的后侧（1e）穿过有源层（1a）延伸到第一导电类型的层（1b）的凹槽（3）。第一导电类型的层（1b）借助于第一电连接层（4）通过凹部（3）电连接，该第一电连接层（4）至少局部覆盖后侧（1e）。第二导电类型的层（1c）通过布置在后侧（1e）上的第二电连接层（5）电连接。此外，给出了用于制造这种半导体芯片（10）的方法。

5. 发明申请

WO2011144199A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和方法及其
公开(公告)号：WO2011144199A1
公开(公告)日：2011-11-24
申请号：PCT/DE2011/001025
申请日：2011-04-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERGBAUER, Werner , HÖPPEL, Lutz , DRECHSEL, Philipp , KÖLPER, Christopher , STRASSBURG, Martin , RODE, Patrick
发明人： BERGBAUER, Werner , HÖPPEL, Lutz , DRECHSEL, Philipp , KÖLPER, Christopher , STRASSBURG, Martin , RODE, Patrick
IPC分类号： H01L31/0236
CPC分类号： H01L33/02 , H01L31/02 , H01L31/02327 , H01L31/02363 , H01L31/18 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/24 , Y02E10/50
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) und eine Strahlungsaustrittsfläche oder Strahlungseintrittsfläche (3) aufweist. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine aktive Schicht (2a) auf, die zur Erzeugung oder zum Empfangen elektromagnetischer Strahlung geeignet ist. Im Halbleiterschichtenstapel (2) und/oder auf der Strahlungsaustrittsfläche oder Strahlungseintrittsfläche (3) ist eine Mehrzahl von Nanostrukturen (4) angeordnet, die zumindest teilweise zumindest eine Substruktur (41, 42) aufweisen. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Halbleiterchips (10) angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一半导体层堆叠（2）和辐射出射面或辐射入射表面（3）的光电子半导体芯片（10）。半导体层堆叠（2）具有的活性层（2a）中，其适用于生成或接收的电磁辐射。在半导体层堆叠（2）和/或在辐射出射面或辐射入射面（3）包括多个纳米结构（4）被布置为至少部分的至少一个子结构（41,42）。此外，被指定用于制造这样的光电子半导体芯片（10）的方法。

6. 发明申请

WO2009015645A2 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM SCHICHTENSTAPEL 审中-公开
标题翻译：具有层堆栈的光电子器件
公开(公告)号：WO2009015645A2
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/DE2008/001225
申请日：2008-07-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus , BADER, Stefan , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , STRASSBURG, Martin , ZEHNDER, Ulrich
发明人： AHLSTEDT, Magnus , BADER, Stefan , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , STRASSBURG, Martin , ZEHNDER, Ulrich
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/46
摘要： Optoelektronisches Bauelement (20) mit einem Schichtenstapel (10), der zumindest folgendes umfasst: eine Schichtenfolge, die eine Halbleiterleuchtdiode (5) darstellt und zumindest eine erste Leuchtdiodenschicht (2), eine zweite Leuchtdiodenschicht (4) und eine optisch aktive Zone (3) zwischen der ersten (2) und der zweiten Leuchtdiodenschicht (4) umfasst, wobei die beiden Leuchtdiodenschichten (2, 4) jeweils aus einem III-V-Halbleiter-material gebildet sind, das jeweils mindestens eines der Elemente Aluminium, Gallium und Indium und jeweils mindestens eines der Elemente Stickstoff, Phosphor und Arsen enthält, und wobei die erste Leuchtdiodenschicht (2) eine n-dotierte Schicht und die zweite Leuchtdiodenschicht (4) eine p-dotierte Schicht ist, eine silberhaltige metallische Schicht (9) und eine Zwischenschicht (8) aus einem transparenten leitfähigen Oxid, die zwischen der Halbleiterleuchtdiode (15) und der metallischen Schicht (9) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schicht (9) und die Zwischenschicht (8) auf derjenigen Seite der Halbleiterleuchtdiode (15) angeordnet sind, der die p-dotierte zweite Leuchtdiodenschicht (4) zugewandt ist, und dass zwischen der zweiten Leuchtdiodenschicht (4) und der Zwischenschicht (8) zumindest eine hochdotierte erste Halbleiterschicht (7) angeordnet ist, deren Dotierstoffkonzentration größer ist als die Dotierstoffkonzentration der zweiten Leuchtdiodenschicht (4).
摘要翻译：
包括一个叠层（10），至少包括所述的光电子器件（20）：一个层序列，这是一种半导体发光二极管（5）和至少一个第一发光二极管（2），第二发光层（4）和光学活性区域（3）的第一（2）和第二发光层（4），其中所述两个发光层（2,4）分别由III-V族半导体材料，其在每种情况下中的至少一个的形成之间包括元素铝，镓和铟和元素氮，磷中的至少一种和砷包含HOLDS，并且其中，所述第一发光层（2）的n型掺杂层和第二发光层（4）p型掺杂的层，含银设置在半导体发光二极管（15）和金属层（9）之间的透明导电氧化物的金属层（9）和中间层（8） ichnet在于，所述金属层（9）和所述中间层（8）上的半导体发光二极管的那侧（15）被布置成面对所述p型第二发光层（4），并且所述第二发光层（4）之间和中间层（8）设置有至少一个掺杂浓度大于第二发光二极管层（4）的掺杂浓度的高掺杂第一半导体层（7）

7. 发明申请

WO2008089728A3 LIGHT-EMITTING DIODE CHIP WITH A METAL REFLECTIVE LAYER, THROUGH CONTACT, TUNNEL CONTACT AND A CHARGE CARRIER CONTACT 审中-公开
标题翻译： LEDS芯片金属镜层，通过，隧道接触和承载器水库
公开(公告)号：WO2008089728A3
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：PCT/DE2008000081
申请日：2008-01-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL MATTHIAS , HOEPPEL LUTZ , EICHLER CHRISTOPH , ENGL KARL , PETER MATTHIAS , STRASSBURG MARTIN
发明人： SABATHIL MATTHIAS , HOEPPEL LUTZ , EICHLER CHRISTOPH , ENGL KARL , PETER MATTHIAS , STRASSBURG MARTIN
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a light-emitting diode chip comprising a series of layers (10) provided with at least one n-type conductivity layer. Said light-emitting diode chip comprises a reflective layer (5) that is connected in a conductive manner to the n-type conductivity layer (31). At least one transparent dielectric layer (4) is arranged between the n-type conductivity layer and the reflective layer.
摘要翻译：公开了一种具有层序列（10），其具有至少一个n型层的发光二极管芯片。 LED芯片包括一个相关联的反射镜层（5）上传导地连接到n型层（31）。 n型层和该反射层之间包括至少一个透明的介电层（4）被布置。

8. 发明申请

WO2012052257A2 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和方法及其
公开(公告)号：WO2012052257A2
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/EP2011/066687
申请日：2011-09-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERGBAUER, Werner , RODE, Patrick , STRASSBURG, Martin
发明人： BERGBAUER, Werner , RODE, Patrick , STRASSBURG, Martin
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/12 , B82Y40/00 , H01L33/0025 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L33/508 , H01L33/62 , H01L2224/48463
摘要： Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (1) aus einem nitridischen Verbindungshalbleitermaterial auf einem Trägersubstrat (2) angegeben, wobei das Trägersubstrat (2) eine Oberfläche (2a) aufweist, die Silizium enthält. Der Halbleiterschichtenstapel (1) weist eine Ausnehmung (3) auf, die sich von einer Rückseite (1e) des Halbleiterschichtenstapels (1) durch eine aktive Schicht (1a) zu einer Schicht (1b) eines ersten Leitfähigkeitstyps erstreckt. Die Schicht (1b) des ersten Leitfähigkeitstyps ist mittels einer ersten elektrischen Anschlussschicht (4), welche die Rückseite (1e) zumindest stellenweise bedeckt, durch die Ausnehmung (3) hindurch elektrisch angeschlossen. Eine Schicht (1c) eines zweiten Leitfähigkeitstyps ist mittels einer zweiten elektrischen Anschlussschicht (5), die an der Rückseite (1e) angeordnet ist, elektrisch angeschlossen. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.
摘要翻译：它是具有载体衬底（2）上由氮化物化合物半导体材料构成的半导体层堆叠（1），其中所述载体基片（2）具有一表面（2A）的光电子半导体芯片（10），其中包含硅。半导体层堆叠（1）具有从后方侧延伸的凹部（3）通过的有源层（1a）的第一导电类型的层（1b）中的半导体层堆叠（1）的（1E）。由在由凹部（3）覆盖的地方通过至少背面侧（1E）电连接的第一电连接层（4）的装置中的第一导电类型的层（1b）中。由布置在后侧（1E）的第二电连接层（5），电连接的装置的第二导电类型的层（1c）中。此外，被指定用于制造这样的半导体芯片（10）的方法。

9. 发明申请

WO2011117056A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：辐射半导体部件和方法用于产生辐射半导体元器件
公开(公告)号：WO2011117056A1
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：PCT/EP2011/053327
申请日：2011-03-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BERGBAUER, Werner , STRASSBURG, Martin , LUGAUER, Hans-Juergen , RODE, Patrick
发明人： BERGBAUER, Werner , STRASSBURG, Martin , LUGAUER, Hans-Juergen , RODE, Patrick
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/18 , B82Y20/00 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02603 , H01L21/02609 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2933/0083
摘要： Es wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben mit zumindest einer epitaktisch entlang einer Wachstumsrichtung (91, 92) gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (10), die auf einem Gruppe-III-Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basiert und die in Wachstumsrichtung Stickstoff-Polarität aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) in Wachstumsrichtung (91, 92) eine n-dotierte Halbleiterschicht (11) und darüber eine aktive Zone (12) aufweist, wobei die aktive Zone (12) zumindest eine aktive Schicht enthält, die im Betrieb des Halbleiterbauelements elektromagnetische Strahlung abstrahlt, und wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) als Nanostab ausgebildet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eins Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：它是沿着生长方向外延设有至少一个发射辐射的半导体器件（91，92）生长的半导体层序列（10），它是基于III族氮化物化合物半导体材料和包含在生长氮极性的方向，其特征在于，所述半导体层序列（10）在生长方向（91，92）的n掺杂半导体层（11）和有源区（12），其中，所述有源区（12）至少包含该半导体器件的操作期间发射电磁辐射的有源层之上，并且其中所述半导体层序列（10）被设计为一个纳米棒。此外，用于制备方法中给出一个发射辐射的半导体部件。

10. 发明申请

WO2011069769A2 LASERDIODENANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LASERDIODENANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：激光二极管及其制造方法的激光二极管组件，
公开(公告)号：WO2011069769A2
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：PCT/EP2010/067271
申请日：2010-11-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STRASSBURG, Martin , LELL, Alfred
发明人： STRASSBURG, Martin , LELL, Alfred
IPC分类号： H01S5/323 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/4043 , H01S5/2068 , H01S5/22 , H01S5/227 , H01S5/3063 , H01S5/3095 , H01S5/32341 , H01S5/405 , H01S5/4087
摘要： Es handelt sich um eine Laserdiodenanordnung mit - einem Halbleitersubstrat (2; 101; 201; 301; 72), - mindestens zwei Laserstapeln (17, 18;117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) mit jeweils einer aktiven Zone (6, 12; 105, 109, 113; 207, 213; 307, 311; 76, 82, 88) und - mindestens einem lichtdurchlässigen ohmschen Kontakt (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85). Die Laserstapel (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) und der lichtdurchlässige ohmsche Kontakt (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85) sind monolithisch auf das Halbleitersubstrat (2; 101; 201; 301; 72) aufgewachsen. Die Laserstapel (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) sind durch den lichtdurchlässigen ohmschen Kontakt (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85) elektrisch leitend miteinander verbunden. Die aus den Laserstapeln (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) gebildeten Laserdioden (26a, 26b, 27a, 27b; 36a, 36b, 37a, 37b; 46a, 46b, 47a, 47b; 66a, 66b, 67a, 67b; 94a, 94b, 95a, 95b, 96a, 96b) weisen eine zwei-dimensionale Struktur auf.
摘要翻译：它是一种激光二极管组件，包括： - 一个半导体基片（2; 101; 201; 301; 72）， - 至少两个激光叠层（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98，99 ），每个有源区（6,12; 105，109，113; 207，213; 307，311; 76，82，88），以及 - 至少一个透光性欧姆接触（9; 107，111; 204，210; 304 ，309; 79，85）。激光堆（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98，99）和所述透光性欧姆接触（9; 107，111; 204，210; 304，309; 79，85 ）是单片的半导体衬底（2; 72生长）; 101; 201;第三百〇一激光堆（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98,99）（通过透光欧姆接触9; 107,111; 204，210; 304，309; 79， 85）电连接到彼此。从激光叠层（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98，99）形成的激光二极管（26A，26B，27A，27B; 36A，36B，37A，37B; 46A， 46B，47A，47B; 66A，66B，67A，67B; 94A，94B，95A，95B，96A，96B）具有一个二维结构。

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