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    • 1. 发明申请
    • LASERDIODENANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LASERDIODENANORDNUNG
    • 激光二极管及其制造方法的激光二极管组件,
    • WO2011113638A1
    • 2011-09-22
    • PCT/EP2011/051282
    • 2011-01-31
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBHLELL, AlfredSTRASSBURG, Martin
    • LELL, AlfredSTRASSBURG, Martin
    • H01S5/40H01S5/042H01S5/323H01S5/20
    • H01S5/4043H01S5/0224H01S5/026H01S5/0425H01S5/2059H01S5/3013H01S5/3095H01S5/323H01S5/32341H01S5/34313H01S5/405H01S5/4087H01S5/4093H01S2301/173
    • Es handelt sich um eine Laserdiodenanordnung mit mindestens einem Halbleitersubstrat (2; 2x, 2y), mit mindestens zwei Laserstapeln (30, 31, 32) mit jeweils einer aktiven Zone (6, 12, 18) und mit mindestens einer Zwischenschicht (9, 15; 56, 58). Die Laserstapel (30, 31, 32) und die Zwischenschicht (9, 15; 56, 58) sind monolithisch auf das Halbleitersubstrat (2; 2x, 2y) aufgewachsen. Die Zwischenschicht (9, 15; 56, 58) ist zwischen den Laserstapeln (30, 31, 32) angeordnet. Die aktive Zone (6) des ersten Laserstapel (30) ist von der aktiven Zone (12, 18) des mindestens einen weiteren Laserstapels (31, 32) getrennt ansteuerbar. Die Zwischenschicht kann als Tunneldiode (9, 15) aufweisen, die insbesondere einen elektrischen Durchlassbereich innerhalb einer Stromblende (55, 57) darstellen kann. Alternativ kann die Zwischenschicht (4009, 4015) einen Isolator aufweisen. Die aktiven Zonen (6, 12, 18) sind insbesondere so ausgelegt, dass Laserdioden aus verschiedenen Laserstapeln (30, 31, 32) elektromagnetische Strahlung in voneinander verschiedenen Wellenlängenbereichen emittieren.
    • 有一个激光二极管阵列与至少一个半导体衬底(2; 2X,2Y),具有至少两个激光叠层(30,31,32),每个具有有源区(6,12,18)和至少一个中间层(9,15 ; 56,58)。 激光堆(30,31,32)和中间层(9,15; 56,58)是整体地在半导体基板上(2; 2X,2Y)生长。 布置在所述激光叠层(30,31,32)之间;所述中间层(56,58 9,15)。 从所述至少一个另外的激光堆(31,32)的有源区(12,18)与第一激光叠层(30)的有源区(6)可分别控制。 该中间层可以被用作隧道二极管(9,15),其尤其可以是一个当前的光圈(55,57)内的电通带。 可替换地,中间层(4009,4015)有一个绝缘体。 有源区(6,12,18)是特别设计了不同的激光叠层(30,31,32)在相互不同的波长范围发射的电磁辐射,使得激光二极管。
    • 3. 发明申请
    • OPTOELECTRONIC COMPONENT HAVING A LAYER STACK
    • WITH A栈层OPTO电子元件
    • WO2009015645A3
    • 2009-04-23
    • PCT/DE2008001225
    • 2008-07-24
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBHAHLSTEDT MAGNUSBADER STEFANBAUR JOHANNESSABATHIL MATTHIASSTRASSBURG MARTINZEHNDER ULRICH
    • AHLSTEDT MAGNUSBADER STEFANBAUR JOHANNESSABATHIL MATTHIASSTRASSBURG MARTINZEHNDER ULRICH
    • H01L33/02H01L33/04H01L33/32H01L33/40H01L33/42H01L33/46
    • H01L33/02H01L33/04H01L33/32H01L33/40H01L33/42H01L33/46
    • Optoelectronic component (20) having a layer stack (10), comprising at least the following: a layer sequence constituting a semiconductor light emitting diode (5) and comprising at least a first light emitting diode layer (2), a second light emitting diode layer (4) and an optically active zone (3) between the first (2) and the second light emitting diode layer (4), wherein the two light emitting diode layers (2, 4) are in each case formed from a III-V semiconductor material containing in each case at least one of the elements aluminium, gallium and indium and in each case at least one of the elements nitrogen, phosphorus and arsenic, and wherein the first light emitting diode layer (2) is an n-doped layer and the second light emitting diode layer (4) is a p-doped layer, a silver-containing metallic layer (9) and an interlayer (8) composed of a transparent conductive oxide, which is arranged between the semiconductor light emitting diode (15) and the metallic layer (9), characterized in that the metallic layer (9) and the interlayer (8) are arranged on that side of the semiconductor light emitting diode (15) which the p-doped second light emitting diode layer (4) faces, and in that at least one highly doped first semiconductor layer (7), the dopant concentration of which is greater than the dopant concentration of the second light emitting diode layer (4), is arranged between the second light emitting diode layer (4) and the interlayer (8).
    • 光电子器件(20),包括一个叠层(10),至少包括:一个层序列,其是一种半导体发光二极管(5)和至少一个第一发光二极管(2),第二发光层(4)和光学活性区域(3) 第一(2)和第二发光层(4),其中所述两个发光层(2,4)分别由III-V族半导体材料,元素铝,镓和铟的至少一种形成,并且在每种情况下之间 包含的元素氮,磷和砷的至少一种,并且其中,所述第一发光层(2)的n型掺杂层和第二发光层(4)p型掺杂的层,含银金属层(9)和一个中间层(8 ),其特征在于透明导电氧化物,其被设置在半导体发光二极管(15)和所述金属层(9)之间的,所述金属 金属层(9)和所述中间层(8)上的半导体发光二极管的那侧(15)被布置成面对所述p型第二发光层(4),并且所述第二发光层(4)和中间层(8)之间 (7)被布置在至少一个高度掺杂的第一半导体层,掺杂剂浓度比所述第二发光层(4)的掺杂剂浓度。
    • 6. 发明申请
    • OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM SCHICHTENSTAPEL
    • 具有层堆栈的光电子器件
    • WO2009015645A2
    • 2009-02-05
    • PCT/DE2008/001225
    • 2008-07-24
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBHAHLSTEDT, MagnusBADER, StefanBAUR, JohannesSABATHIL, MatthiasSTRASSBURG, MartinZEHNDER, Ulrich
    • AHLSTEDT, MagnusBADER, StefanBAUR, JohannesSABATHIL, MatthiasSTRASSBURG, MartinZEHNDER, Ulrich
    • H01L33/00
    • H01L33/02H01L33/04H01L33/32H01L33/40H01L33/42H01L33/46
    • Optoelektronisches Bauelement (20) mit einem Schichtenstapel (10), der zumindest folgendes umfasst: eine Schichtenfolge, die eine Halbleiterleuchtdiode (5) darstellt und zumindest eine erste Leuchtdiodenschicht (2), eine zweite Leuchtdiodenschicht (4) und eine optisch aktive Zone (3) zwischen der ersten (2) und der zweiten Leuchtdiodenschicht (4) umfasst, wobei die beiden Leuchtdiodenschichten (2, 4) jeweils aus einem III-V-Halbleiter-material gebildet sind, das jeweils mindestens eines der Elemente Aluminium, Gallium und Indium und jeweils mindestens eines der Elemente Stickstoff, Phosphor und Arsen enthält, und wobei die erste Leuchtdiodenschicht (2) eine n-dotierte Schicht und die zweite Leuchtdiodenschicht (4) eine p-dotierte Schicht ist, eine silberhaltige metallische Schicht (9) und eine Zwischenschicht (8) aus einem transparenten leitfähigen Oxid, die zwischen der Halbleiterleuchtdiode (15) und der metallischen Schicht (9) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schicht (9) und die Zwischenschicht (8) auf derjenigen Seite der Halbleiterleuchtdiode (15) angeordnet sind, der die p-dotierte zweite Leuchtdiodenschicht (4) zugewandt ist, und dass zwischen der zweiten Leuchtdiodenschicht (4) und der Zwischenschicht (8) zumindest eine hochdotierte erste Halbleiterschicht (7) angeordnet ist, deren Dotierstoffkonzentration größer ist als die Dotierstoffkonzentration der zweiten Leuchtdiodenschicht (4).
    • 包括一个叠层(10),至少包括所述的光电子器件(20):一个层序列,这是一种半导体发光二极管(5)和至少一个第一发光二极管(2),第二发光层(4) 和光学活性区域(3)的第一(2)和第二发光层(4),其中所述两个发光层(2,4)分别由III-V族半导体材料,其在每种情况下中的至少一个的形成之间包括 元素铝,镓和铟和元素氮,磷中的至少一种和砷包含HOLDS,并且其中,所述第一发光层(2)的n型掺杂层和第二发光层(4)p型掺杂的层,含银 设置在半导体发光二极管(15)和金属层(9)之间的透明导电氧化物的金属层(9)和中间层(8) ichnet在于,所述金属层(9)和所述中间层(8)上的半导体发光二极管的那侧(15)被布置成面对所述p型第二发光层(4),并且所述第二发光层(4)之间和 中间层(8)设置有至少一个掺杂浓度大于第二发光二极管层(4)的掺杂浓度的高掺杂第一半导体层(7)

    • 10. 发明申请
    • LASERDIODENANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LASERDIODENANORDNUNG
    • 激光二极管及其制造方法的激光二极管组件,
    • WO2011069769A2
    • 2011-06-16
    • PCT/EP2010/067271
    • 2010-11-11
    • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBHSTRASSBURG, MartinLELL, Alfred
    • STRASSBURG, MartinLELL, Alfred
    • H01S5/323H01S5/40
    • H01S5/4043H01S5/2068H01S5/22H01S5/227H01S5/3063H01S5/3095H01S5/32341H01S5/405H01S5/4087
    • Es handelt sich um eine Laserdiodenanordnung mit - einem Halbleitersubstrat (2; 101; 201; 301; 72), - mindestens zwei Laserstapeln (17, 18;117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) mit jeweils einer aktiven Zone (6, 12; 105, 109, 113; 207, 213; 307, 311; 76, 82, 88) und - mindestens einem lichtdurchlässigen ohmschen Kontakt (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85). Die Laserstapel (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) und der lichtdurchlässige ohmsche Kontakt (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85) sind monolithisch auf das Halbleitersubstrat (2; 101; 201; 301; 72) aufgewachsen. Die Laserstapel (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) sind durch den lichtdurchlässigen ohmschen Kontakt (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85) elektrisch leitend miteinander verbunden. Die aus den Laserstapeln (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) gebildeten Laserdioden (26a, 26b, 27a, 27b; 36a, 36b, 37a, 37b; 46a, 46b, 47a, 47b; 66a, 66b, 67a, 67b; 94a, 94b, 95a, 95b, 96a, 96b) weisen eine zwei-dimensionale Struktur auf.
    • 它是一种激光二极管组件,包括: - 一个半导体基片(2; 101; 201; 301; 72), - 至少两个激光叠层(17,18; 117,118,119; 217,218; 317,318; 97,98,99 ),每个有源区(6,12; 105,109,113; 207,213; 307,311; 76,82,88),以及 - 至少一个透光性欧姆接触(9; 107,111; 204,210; 304 ,309; 79,85)。 激光堆(17,18; 117,118,119; 217,218; 317,318; 97,98,99)和所述透光性欧姆接触(9; 107,111; 204,210; 304,309; 79,85 )是单片的半导体衬底(2; 72生长); 101; 201;第三百〇一 激光堆(17,18; 117,118,119; 217,218; 317,318; 97,98,99)(通过透光欧姆接触9; 107,111; 204,210; 304,309; 79, 85)电连接到彼此。 从激光叠层(17,18; 117,118,119; 217,218; 317,318; 97,98,99)形成的激光二极管(26A,26B,27A,27B; 36A,36B,37A,37B; 46A, 46B,47A,47B; 66A,66B,67A,67B; 94A,94B,95A,95B,96A,96B)具有一个二维结构。