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1. 发明申请

WO2010031367A1 LEUCHTMITTEL 审中-公开
标题翻译： LAMPS
公开(公告)号：WO2010031367A1
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：PCT/DE2009/001122
申请日：2009-08-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISSLER, Dieter , HERRMANN, Siegfried
发明人： EISSLER, Dieter , HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L25/075
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L33/44 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Leuchtmittels (10) weist dieses eine erste Gruppe (11) von Halbleiterchips (1) und eine zweite Gruppe (22) von Halbleiterchips (2) auf, wobei die Gruppen (11, 22) jeweils mindestens einen Halbleiterchip (1, 2) umfassen und die erste und die zweite Gruppe (11, 22) von Halbleiterchips (1, 2) wenigstens zum Teil bezüglich einer Hauptabstrahlrichtung (H) des Leuchtmittels (10) lateral nebeneinander angeordnet sind. Weiterhin umfasst das Leuchtmittel (10) eine dritte Gruppe (33) von Halbleiterchips (3), die mindestens einen Halbleiterchip (3) beinhaltet und wobei die dritte Gruppe (33) bezüglich der Hauptabstrahlrichtung (H) der ersten und der zweiten Gruppe (11, 22) nachgeordnet ist. Jede Gruppe (11, 22, 33) von Halbleiterchips (1, 2, 3) ist dazu ausgestaltet, in paarweise voneinander verschiedenen Wellenlängenbereichen elektromagnetische Strahlung (L1, L2, L3), insbesondere im sichtbaren Spektralbereich, zu emittieren. Die von der dritten Gruppe (33) von Halbleiterchips (3) emittierte Strahlung (L3) weist hierbei den kurzwelligsten Wellenlängenbereich auf. Die von der ersten und zweiten Gruppe (11, 22) von Halbleiterchips (1, 2) emittierte Strahlung (L1, L2) gelangt wenigstens teilweise in den wenigstens einen Halbleiterchip (3) der dritten Gruppe (33). Über eine Abstrahlfläche (4) des Leuchtmittels (10) wird eine Mischstrahlung (M) emittiert.
摘要翻译：在发光装置的至少一个实施例中（10）具有在半导体芯片（1）和半导体芯片（2）的第二组（22）的该第一组（11），其中，所述组（11，22）各具有至少（一个半导体芯片1 包括2）和发光装置（10）的第一和2）至少部分的半导体芯片（参照图1，第二组（11，22）相对于发射（H的主方向）横向并置。此外，所述发光装置（10）包括半导体芯片的第三组（33）（3）包括至少一个半导体芯片（3）和相对于所述第一和第二组的主波束方向（H）的第三组（33）（11， 22）被布置在下游。的半导体芯片的每个组（11,22，33）（1，2，3）适于在对电磁辐射（L1，L2，L3）的相互不同的波长范围在可见光谱范围内发射特定。从在这种情况下，半导体芯片（3）所发出的第三组（33）的辐射（L3）的具有波长的最短波长范围。半导体芯片的第一和第二组（11，22）的（1，2）发射的辐射（L1，L2）通过至少部分地进入所述至少一个半导体芯片（3）第三组（33）。混合辐射经由灯泡（10）的辐射表面（4）发出的光（M）。

2. 发明申请

WO2009140947A2 OPTOELEKTRONISCHES MODUL 审中-公开
标题翻译：光电模块
公开(公告)号：WO2009140947A2
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：PCT/DE2009/000679
申请日：2009-05-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISSLER, Dieter , HERRMANN, Siegfried
发明人： EISSLER, Dieter , HERRMANN, Siegfried
IPC分类号： H01L27/15 , F21K7/00
CPC分类号： H01S5/0261 , H01L25/167 , H01L27/32 , H01L2924/0002 , H01S5/36 , H01S5/4025 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronisches Modul (1) umfasst eine Träger-Substratschicht (10) mit verschiedenen Schaltkreisen (200), die in oder auf der Träger-Substratschicht (10) auf Waferlevelebene in Frontend-Prozessen vorstrukturiert worden sind. Auf der Träger-Substratschicht (10) sind Leuchtdioden (100) angeordnet, deren Abstrahlcharakteristik, Helligkeit und Farbe von den in/auf der Träger-Substratschicht (10) integrierten Schaltkreisen (200) gesteuert werden. Durch die Verschaltung mehrerer optoelektronischer Module (1, 2, 3) entstehen Modulanordnungen höchster Packungsdichte mit hervorragenden Eigenschaften in Bezug auf Farbtreue und Dimmbarkeit. Die einzelnen optoelektronischen Module einer derartigen Modulanordnung lassen sich autonom oder gekoppelt, aufeinander oder auf die Umgebung abstimmen.
摘要翻译：一种光电模块（1）包括与各种电路（200），其已在或在前端工艺在晶片级平面载体基板层（10）上被预结构化的载体基板层（10）。在载体基材层（10）是发光二极管（100），布置成控制所述支撑基板层（10）的电路（200）上的集成在/的辐射图案，亮度和颜色。通过互连多个光电模块（1，2，3）中创建模块组件最高密度与色彩保真度和调光方面具有极好的性能。这样的模块化布置的各个光电子模块可以是自主或耦合，坐标，或对周围环境。

3. 发明申请

WO2010012267A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译：光电半导体芯片和光电元件
公开(公告)号：WO2010012267A1
公开(公告)日：2010-02-04
申请号：PCT/DE2009/001024
申请日：2009-07-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISSLER, Dieter , FISCHER, Helmut , MÜLLER, Rüdiger
发明人： EISSLER, Dieter , FISCHER, Helmut , MÜLLER, Rüdiger
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/00 , H01L33/62 , H01S5/042
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/0079 , H01L33/0083 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01S5/0425 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (2), der auf einem III/V-Verbindungs-Halbleitermaterial basiert, und - einem elektrisch leitenden, metallischen Schichtenstapel (3), der auf dem Halbleiterkörper (2) angeordnet ist, wobei - der metallische Schichtenstapel (3) zumindest eine erste Schicht umfasst (32, 33), die Nickel enthält, und - der metallische Schichtenstapel (3) zumindest eine zweite Schicht (35) umfasst, die Gold enthält, wobei die erste (32, 33) Schicht zwischen dem Halbleiterkörper (2) und der zweiten Schicht (35) angeordnet ist.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片（1），包括： - 一个半导体主体（2）的基础上，III / V族化合物半导体材料，以及 - 一个导电性的金属层堆叠（3）设置在所述半导体主体（2）上，其特征在于， - 所述金属层堆叠（3）的至少一个第一层包含（32，33）含镍，以及 - 所述金属层堆叠（3）至少一个第二层（35）含有金，其中，所述第一（ 32，33）的半导体主体（2）和第二层（35）之间层布置。

4. 发明申请

WO2007022741A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LUMINESZENZDIODENCHIPS UND LUMINESZENZDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译：一种用于生产LED芯片的LED芯片和
公开(公告)号：WO2007022741A1
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：PCT/DE2006/001262
申请日：2006-07-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRUNNER, Herbert , EISSLER, Dieter , FISCHER, Helmut , GUENTHER, Ewald, Karl, Michael , HEINDL, Alexander
发明人： BRUNNER, Herbert , EISSLER, Dieter , FISCHER, Helmut , GUENTHER, Ewald, Karl, Michael , HEINDL, Alexander
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren angegeben, bei dem ein Grundkörper bereitgestellt wird, der eine Schichtenfolge für den Lumineszenzdiodenchip aufweist, die geeignet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Auf zumindest eine Hauptfläche des Grundkörpers wird eine Deckschicht aufgebracht. In die Deckschicht wird mindestens eine Kavität eingebracht, die vollständig oder teilweise mit einem Lumineszenzkonversionsmaterial gefüllt wird. Das Lumineszenzkonversionsmaterial weist mindestens einen Leuchtstoff auf. Zudem wird ein Verfahren angegeben, bei dem die Deckschicht photostrukturierbares Material sowie mindestens einen Leuchtstoff aufweist, so dass sie als Lumineszenzkonversionsmaterial fungieren und unmittelbar photostrukturiert werden kann. Weiterhin werden Lumineszenzdiodenchips beschrieben, die mit den Verfahren herstellbar sind.
摘要翻译：提供了一种在其基体设置，具有用于发光二极管芯片，其适于发射电磁辐射的层序列的方法。在基体的至少一个主表面的覆盖层施加。在覆盖层中至少一个腔结合，其被完全地或部分地填充有发光转换材料。发光转换材料包含至少一种磷光体。此外，提供了一种方法，其中，所述涂膜材料可光图案化和至少一种磷光体，使得它们用作发光和可以立即发生光结构化的。此外，所描述的LED芯片可与方法来制造。

5. 发明申请

WO2006034663A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON LUMINESZENZDIODENCHIPS UND LUMINESZENZDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： PRODUCING方法和LED芯片的LED芯片
公开(公告)号：WO2006034663A1
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：PCT/DE2005/001382
申请日：2005-08-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRUNNER, Herbert , EISSLER, Dieter , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , JÄGER, Harald , KRÄUTER, Gertrud , WAITL, Günter
发明人： BRUNNER, Herbert , EISSLER, Dieter , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , JÄGER, Harald , KRÄUTER, Gertrud , WAITL, Günter
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/508 , H01L2933/0041
摘要： Die Erfindung betrifft Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips, die mit einem Lumineszenzkonversionsmaterial versehen sind, das mindestens einen Leuchtstoff aufweist. Dabei wird ein Schichtenverbund bereitgestellt, der eine Lumineszenzdioden-Schichtfolge für eine Vielzahl von Lumineszenzdiodenchips umfasst und der auf einer Hauptfläche für jeden Lumineszenzdiodenchip mindestens eine elektrische Kontaktfläche zum elektrischen Anschließen von diesem aufweist. Auf der Hauptfläche wird eine Schicht Haftvermittler aufgebracht und selektiv von zumindest Teilen der Kontaktflächen entfernt. Nachfolgend wird auf dei Hauptfläche mindestens ein Leuchtstoff aufgebracht. Alternativ wird auf die Hauptfläche ein Lumineszenzkonversionsmaterial aufgebracht und selektiv von zumindest Teilen der Kontaktflächen entfernt. Die Erfindung betrifft zudem einen mit einem Lumineszenzkonversionsmaterial versehenen Lumineszenzdiodenchip.
摘要翻译：本发明涉及一种用于LED芯片，其设置有发光转换材料的制造方法，包括至少一种磷光体。这里，提供了一种层压体，其包括用于多个LED芯片，并且所述至少一个主表面的每个LED芯片，用于其电连接的电接触表面的发光二极管层序列。在主表面上的粘合剂层被沉积和从接触表面的至少部分选择性地去除。随后，至少一个磷光体被施加到DEI主表面。可替代地，发光转换材料被沉积，并从在所述接触区域的主表面上的至少部分选择性地去除。本发明还涉及设置有发光转换LED芯片。

6. 发明申请

WO2005081319A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT, VORRICHTUNG MIT EINER MEHRZAHL OPTOELEKTRONISCHER BAUELEMENTE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件，具有用于制造光电子器件光电元器件多个和方法的装置
公开(公告)号：WO2005081319A1
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/DE2005/000281
申请日：2005-02-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WIRTH, Ralf , BRUNNER, Herbert , ILLEK, Stefan , EISSLER, Dieter
发明人： WIRTH, Ralf , BRUNNER, Herbert , ILLEK, Stefan , EISSLER, Dieter
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01L31/022408 , H01L31/022416 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/382 , H01L2224/16225
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1), umfassend einen Halbleiterfunktionsbereich (2) mit einer aktiven Zone (400) und einer lateralen Haupterstreckungsrichtung angegeben, wobei der Halbleiterfunktionsbereich zumindest einen Durchbruch (9,27,29) durch die aktive Zone umfasst, im Bereich des Durchbruchs ein Verbindungsleitermaterial (8) angeordnet ist, das von der aktiven Zone zumindest in einem Teilbereich des Durchbruchs elektrisch isoliert (10) ist. Ferner werden ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Bauelements und eine Vorrichtung mit einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente angegeben. Das Bauelement und die Vorrichtung können komplett im Waferverbund hergestellt werden.
摘要翻译：它是（1），包括半导体功能区域的光电元件（2）与活性区（400）和所示的横向主延伸方向，所述半导体功能区域中的至少一个开口（9,27,29）包括通过所述有源区，在该区域通过断裂，连接导体材料（8）布置，其电从有源区至少在开口（10）的部分区域绝缘。此外，待指定的用于制造这样的光电器件和具有多个光电元件的装置的方法。设备和装置可以在晶片组件被完全制造。

7. 发明申请

WO2007087769A2 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT STROMAUFWEITUNGSSCHICHT 审中-公开
标题翻译：具有功率扩展层的光电子半导体元件
公开(公告)号：WO2007087769A2
公开(公告)日：2007-08-09
申请号：PCT/DE2006/001617
申请日：2006-09-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus , EISSLER, Dieter , WALTER, Robert , WIRTH, Ralf
发明人： AHLSTEDT, Magnus , EISSLER, Dieter , WALTER, Robert , WIRTH, Ralf
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/0224 , H01S5/042
CPC分类号： H01L31/022466 , H01L31/103 , H01L31/1884 , H01L33/0095 , H01L33/42 , H01L2224/48463 , H01S5/0421 , Y02E10/50
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (10), und einer Stromaufweitungsschicht (3) angegeben. Die Stromaufweitungsschicht (3) ist zumindest stellenweise auf den Halbleiterkörper (10) aufgebracht. Dabei enthält die Stromaufweitungsschicht (3) ein Metall (1), das in der Stromaufweitungsschicht ein transparentes, elektrisch leitfähiges Metalloxid (2) bildet, und die Konzentration (x) des Metalls (1) nimmt von der dem Halbleiterkörper (10) zugewandten Seite zur dem Halbleiterkörper (10) abgewandten Seite der Stromaufweitungsschicht (3) hin ab. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：提供了具有半导体本体（10）和电流扩展层（3）的光电子半导体器件。电流扩展层（3）至少局部地施加到半导体本体（10）。由此，电流扩展层（3）包括在电流扩展层中形成透明导电金属氧化物（2）的金属（1），并且金属（1）的浓度（x）从半导体本体（10）侧远离电流扩散层（3）的半导体本体（10）侧。此外，指定了用于制造这种半导体器件的方法。

8. 发明申请

WO2009039802A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTES UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法的半导体元件和半导体元件
公开(公告)号：WO2009039802A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001291
申请日：2008-08-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISSLER, Dieter , HEINDL, Alexander
发明人： EISSLER, Dieter , HEINDL, Alexander
IPC分类号： B29C41/12 , B29C41/36 , B29C41/38 , B29C41/20 , H05K3/12 , H01L21/56
CPC分类号： B29C41/12 , B29C41/20 , B29C41/36 , B29C41/38 , H01L21/568 , H01L24/97 , H01L33/44 , H01L33/52 , H05K3/0052 , H05K3/284 , H05K2203/0582
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes (9), wobei ein Gitter (7) auf einem Träger (1) gebildet wird, so dass Vertiefungen entstehen, eine Mehrzahl von Halbleiterchips (4) auf dem Träger (1) angeordnet wird, so dass die Halbleiterchips (4) innerhalb der Vertiefungen positioniert sind, die Vertiefungen, in denen die Halbleiterchips (4) angeordnet sind, mit einem Abdeckmaterial (8) gefüllt werden, so dass die Vertiefungen bis zur Höhe des Gitters (7) gefüllt sind, das Abdeckmaterial (8) ausgehärtet wird und die Halbleiterchips (4) von dem Träger (1) und dem Gitter (7) getrennt werden.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在载体上制造半导体元件（9），（7）在载体上的（1），从而形成凹陷部形成的光栅，多个半导体芯片（4）（1）被配置成半导体芯片（4）被定位在所述凹槽内，其中，所述半导体芯片（4）被布置在凹槽中填充有覆盖材料（8），从而使凹部一直到光栅的高度填充（7）所述载体（1）和电网（7）是分离的覆盖材料（8）被固化和半导体芯片（4）。

9. 发明申请

WO2009033453A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2009033453A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/DE2008/001446
申请日：2008-08-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISSLER, Dieter , OBERSCHMID, Raimund , WIRTH, Ralph
发明人： EISSLER, Dieter , OBERSCHMID, Raimund , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00
CPC分类号： H01L27/15 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, aufweisend ein elektrisch leitfähiges Substrat (1) mit einer Deckseite (2) und einer Grundseite (3), wobei die Deckseite mit einem ersten Kontakt (4) und die Grundseite mit einem zweiten, gegenpoligen Kontakt (5) elektrisch in Verbindung steht und zwischen den Kontakten ein Licht emittierender pn-Übergang (6) an der Deckseite des Substrats angeordnet ist, wobei das Bauelement einen Ableiterkörper (7) zur Ableitung von Überspannungen aufweist, der mit dem pn-Übergang in paralleler elektrischer Verbindung steht.
摘要翻译：本发明提供一种光电子器件，包括：（1）具有顶侧导电性基材（2）和基端侧（3），所述具有第一触头（4）中，用相反的第二极性的接触底座侧顶侧（5）在通信电布置，并且触点pn结（6）在基板的顶侧上，其中所述装置包括一个避雷器体之间发射光（7），用于过电压的推导，其与并联电连接的pn结进行通信，

10. 发明申请

WO2008131743A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2008131743A1
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：PCT/DE2008/000715
申请日：2008-04-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ILLEK, Stefan , PLOESSL, Andreas , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , EISSLER, Dieter
发明人： ILLEK, Stefan , PLOESSL, Andreas , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , EISSLER, Dieter
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (4) aufweist, einer auf dem Halbleiterkörper angeordneten Reflektorschicht (72) und zwei elektrischen Kontakten (7,8) angegeben, wobei ein erster Kontakt (7) der beiden Kontakte auf der der Reflektorschicht zugewandten Seite des aktiven Bereichs elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden ist, der zweite Kontakt (8) der beiden Kontakte auf der von der Reflektorschicht abgewandten Seite des aktiven Bereichs elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden ist und die Reflektorschicht zwischen einem Teilbereich des zweiten Kontakts und dem Halbleiterkörper angeordnet ist.
摘要翻译：它是与具有合适的半导体层序列的半导体主体（2），用于生成辐射有源区（4），一个设置在半导体本体反射器层（72）和两个电触头（7,8）上，其中，第一光电装置（7）接触的面对所述有源区域的反射层侧的一侧上的两个触点导电连接到所述半导体主体，所述第二触头（8）上从所述活性区域的所述反射层侧的远程侧的两个触点的导电地连接到所述半导体基体是和半导体主体的第二接触的部分之间的反射层被布置。

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