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1. 发明申请

WO2006034677A1 OPTISCHES SENSORMODUL 审中-公开
标题翻译：光学传感器模块
公开(公告)号：WO2006034677A1
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：PCT/DE2005/001667
申请日：2005-09-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , PHILIPPENS, Marc , STEEGMÜLLER, Ulrich
发明人： ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , PHILIPPENS, Marc , STEEGMÜLLER, Ulrich
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/183 , G01S15/58
CPC分类号： G01S7/4916 , G01P3/36 , G01P3/366 , G01S7/4812 , G01S17/50 , G06F3/0304 , H01S5/026 , H01S5/0264 , H01S5/0425 , H01S5/0683 , H01S5/1032 , H01S5/18311 , H01S5/2022
摘要： Die Erfindung betrifft ein optisches Sensormodul (1) in einem Halbleiterkörper, der eine Halbleiterlaservorrichtung (1a) zur Emission von kohärenter Strahlung (3), ein Detektorelement (1b) mit einer strahlungsdetektierenden Zone (12b) und einen Wellenleiter (12c) aufweist, wobei das Detektorelement (1b) über den Wellenleiter (12c) mit der Halbleiterlaservorrichtung (1a) verbunden ist. Es zeichnet sich dadurch aus, dass der Wellenleiter (12c) in einer Richtung quer zur Hauptstrahlungsrichtung der von der Halbleiterlaservorrichtung (1a) emittierten kohärenten Strahlung (3) angeordnet ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Messung der Relativbewegung eines Objekts (2) gegenüber einem solchen optischen Sensormodul (1).
摘要翻译：本发明涉及一种具有用于相干辐射的发射的半导体激光器件（1a）中的光学传感器模块（1）在半导体本体（3），检测器元件（1B）与检测辐射的区域（12B）和波导（12C），其中，所述检测器元件（1B）连接到所述波导（12C）至所述半导体激光器件（1a）中。它布置，其特征在于所述波导（12C）的方向上朝向所述半导体激光装置的主辐射方向（1a）的相干辐射发射横向（3）。本发明还涉及一种方法，用于测量物体（2）的相对的相对运动，以这样的光学传感器模块（1）。

2. 发明申请

WO2004086576A1 HALBLEITERLASER MIT REDUZIERTER RÜCKWIRKUNGSEMPFINDLICHKEIT 审中-公开
标题翻译：具有减少溯及既往灵敏度半导体激光器
公开(公告)号：WO2004086576A1
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：PCT/DE2004/000333
申请日：2004-02-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , PHILIPPENS, Marc , PLAINE, Glenn-Yves
发明人： ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , PHILIPPENS, Marc , PLAINE, Glenn-Yves
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18377 , H01S5/2022 , H01S2301/02 , H01S2301/163
摘要： Ein Erfindungsgemässer Halbleiterlaser, insbesondere ein Einmoden-Laser, enthält in seinem Laserresonator mindestens eine absorbierende Schicht (8), welche die Transmission T Res der Laserstrahlung (10) im Laserresonator zur Verringerung der Rückwirkungsempfindlichkeit des Halbleiterlasers für in den Laserresonator rückgekoppelte Strahlung (9) reduziert. Dadurch werden Schwankungen der Ausgangsleistung durch rückgekoppelte Strahlung (9) reduziert.
摘要翻译：本发明的半导体激光器，尤其是单模激光器，包含在其激光谐振器的至少一个吸收层（8），这减少了在激光腔中的激光辐射（10）的传输TRES降低半导体激光用于反馈的反应速度进入激光腔的辐射（9）。通过反馈发射（9）的输出功率的波动特征可以减小。

3. 发明申请

WO2005055379A1 LICHTEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER SCHUTZDIODE 审中-公开
标题翻译：有保护二极管的半导体发光元件
公开(公告)号：WO2005055379A1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：PCT/DE2004/002384
申请日：2004-10-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , PHILIPPENS, Marc , PLAINE, Glenn-Yves
发明人： ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , PHILIPPENS, Marc , PLAINE, Glenn-Yves
IPC分类号： H01S5/026
CPC分类号： H01S5/0261 , H01L23/62 , H01L27/15 , H01L2924/0002 , H01S5/042 , H01S5/06825 , H01S5/18311 , H01S5/40 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement, das eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem Bereich p-dotierter Halbleiterschichten (4) und n-dotierter Halbleiterschichten (3) enthält, zwischen denen ein erster pn-Übergang (5a,5b) ausgebildet ist. Der pn-Übergang (5a,5b) ist in lateraler Richtung von einem isolierenden Abschnitt (6) in einen lichtemittierenden Abschnitt (7) und eine Schutzdiodenabschnitt (8) unterteilt. Im Bereich des Schutzdiodenabschnitts (8) ist auf dem p-dotierten Bereich (4) eine n-dotierte Schicht (9) aufgebracht, die mit dem p-dotierten Bereich (4) einen als Schutzdiode fungierenden zweiten pn-Übergang (10) ausbildet, wobei der erste pn-Übergang (5b) im Schutzdiodenabschnitt (8) eine größere Fläche als der erste pn-Übergang (5a) im lichtemittierenden Abschnitt (7) aufweist. Der Schutzdiodenabschnitt (8) schützt das lichtemittierende Halbleiterbauelement vor Spannungspulsen durch elektrostatische Entladungen (ESD).
摘要翻译：本发明涉及一种其中具有（4）含有一半导体层序列（2）和n型掺杂的半导体层（3）之间（5A，5B）形成，一第一pn结的p掺杂半导体层上的区域中的半导体发光器件。 pn结的（图5a图5b）是在横向方向上由绝缘部分（6）的发光部（7）和保护二极管部分（8）。在保护二极管部的区域（8）与p型掺杂区上的p掺杂区（4）沉积在n掺杂层（9）（4）具有用作保护二极管第二pn结（10）的形式，其中，所述第一PN结（图5b）中的保护二极管部（8）具有比在发光部（7）的第一pn结（5a）的更大的面积。保护二极管部（8）相对于电压脉冲发光半导体装置保护由于静电放电（ESD）。

4. 发明申请

WO2006032252A1 SEITLICH OPTISCH GEPUMPTER OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER AUF EINER WÄRMESENKE 审中-公开
标题翻译：侧光学泵浦表面发射半导体激光器在散热器
公开(公告)号：WO2006032252A1
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：PCT/DE2005/001655
申请日：2005-09-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , LUTGEN, Stephan , REILL, Wolfgang , SCHWARZ, Thomas , STEEGMÜLLER, Ulrich
发明人： ALBRECHT, Tony , LUTGEN, Stephan , REILL, Wolfgang , SCHWARZ, Thomas , STEEGMÜLLER, Ulrich
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/183 , H01S5/04 , H01S5/02
CPC分类号： H01S5/02248 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/19107 , H01S3/0815 , H01S3/109 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/183 , H01S5/2027 , H01S5/4056 , H01L2924/00014
摘要： Es wird eine oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung mit wenigstens einem oberflächenemittierende Halbleiterlaser (21) mit einem Vertikalemitter (1) und wenigstens einer Pumpstrahlquelle (2), die nebeneinander monolithisch auf ein gemeinsames Substrat (13) integriert sind angegeben. Die Halbleiterlaservorrichtung weist zudem ein Wärmeleitelement (18) auf, das sich in thermischem Kontakt mit dem Halbleiterlaser (21) befindet und eine Montagefläche aufweist, die zur Montage auf einem Träger (27) vorgesehen ist. Es werden ferner Verfahren zur Herstellung einer solchen oberflächenemittierenden Halbleiterlaservorrichtung angegeben.
摘要翻译：它是一种表面发射半导体激光器元件与具有垂直发射器的至少一个表面发射半导体激光器（21）（1）和至少一个泵辐射源（2），其彼此相邻单片一个公共衬底上（13）集成表示。的半导体激光装置也有一个导热元件（18），其是在与半导体激光器（21）和具有被用于安装在一个支撑件（27）的安装表面的热接触。这里还提供了用于制造这样的表面发射半导体激光装置的方法。

5. 发明申请

WO2005048424A1 MONOLITHISCHER OPTISCH GEPUMPTER VCSEL MIT SEITLICH ANGEBRACHTEM KANTENEMITTER 审中-公开
标题翻译：带侧连接棱边发射单片光泵VCSEL
公开(公告)号：WO2005048424A1
公开(公告)日：2005-05-26
申请号：PCT/DE2004/002477
申请日：2004-11-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan
发明人： ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/041 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/14 , H01S5/183 , H01S5/209 , H01S5/4031 , H01S5/4056
摘要： Die Erfindung betrifft eine Halbleiterlaservorrichtung mit einem optisch gepumpten, oberflächenemittierenden Vertikalemitterbereich (2), der eine aktive strahlungserzeugende Vertikalemitterschicht (3) aufweist und mindestens eine monolithisch integrierte Pumpstrahlungsquelle (5) zum optischen Pumpen des Vertikalemitterbereichs (2), die eine aktive strahlungserzeugende Pumpschicht (6) aufweist. Erfindungsgemäß ist die Pumpschicht (6) der Vertikalemitterschicht (3) in vertikaler Richtung nachgeordnet und es ist eine leitende Schicht (13) zwischen der Vertikalemitterschicht (3) und der Pumpschicht (6) vorgesehen. Weiterhin ist auf der Seite der Halbleiterlaservorrichtung, die sich näher an der Pumpschicht (6) als an der leitenden Schicht (13) befindet, ein Kontakt (9) aufgebracht. Zwischen diesem Kontakt (9) und der leitenden Schicht (13) ist ein elektrisches Feld zur Erzeugung von Pumpstrahlung (7) durch Ladungsträgerinjektion anlegbar.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体激光装置与光泵浦表面发射（2）具有活性产生辐射的垂直发射层（3）垂直射极区和至少一个单片集成泵浦辐射源（5），用于光学泵浦所述垂直发射极区域（2），活性放射线产生泵层（6 ）了。根据本发明的垂直发射层（3）的泵层（6）在垂直方向的下游侧布置并且在垂直发射层（3）和泵层（6）之间的导电层（13）。此外，（9）接触是在半导体激光装置，其位于比所施加的导电层（13）更靠近所述泵层（6）的一侧。该接触（9）和导电层（13）之间的是用于通过载流子注入来产生泵浦辐射（7）可以被施加电场。

6. 发明申请

WO2005117070A2 OBERFLÄCHENEMITTIERENDES HALBLEITERLASERBAUELEMENT MIT EINER VERTIKALEN EMISSIONSRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：具有垂直发射方向表面发光半导体激光元件
公开(公告)号：WO2005117070A2
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：PCT/DE2005/000791
申请日：2005-04-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STEIN, Wilhelm , ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter
发明人： STEIN, Wilhelm , ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01S5/18394 , H01S3/109 , H01S5/0215 , H01S5/0217 , H01S5/0425 , H01S5/141 , H01S5/18355 , H01S5/18386 , H01S2301/18
摘要： Es wird ein oberflächenemittierendes Halbleiterlaser-Bauelement, insbesondere elektrisch gepumptes Halbleiterlaser-Bauelement, mit einer vertikalen Emissionsrichtung angegeben, das zur Erzeugung von Laserstrahlung mittels eines externen optischen Resonators (4,5) vorgesehen ist, umfassend einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine laterale Haupterstreckungsrichtung und eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Zone (3) aufweist, wobei innerhalb des Resonators eine strahlungsdurchlässige Kontaktschicht (6) angeordnet und mit dem Halbleiterkörper elektrisch leitend verbunden ist.
摘要翻译：它是一种表面发射半导体激光器元件，特别是电泵浦半导体激光装置，具有垂直发射方向，这是由一个外部光谐振器（4,5）的装置，提供了一种用于激光辐射的产生，包括：具有半导体层序列的半导体主体（2）所示具有延伸的横向主方向和提供用于产生辐射活性区（3）被布置在所述腔内的透射辐射的接触层（6）和电连接到所述半导体基体。

7. 发明申请

WO2005048423A1 OPTISCH GEPUMPTE HALBLEITERLASERVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：光泵半导体激光器件
公开(公告)号：WO2005048423A1
公开(公告)日：2005-05-26
申请号：PCT/DE2004/002476
申请日：2004-11-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHMID, Wolfgang , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan , ALBRECHT, Tony , EBERHARD, Franz
发明人： SCHMID, Wolfgang , BRICK, Peter , LUTGEN, Stephan , ALBRECHT, Tony , EBERHARD, Franz
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/183 , H01H13/705 , H01H13/86 , H01H2209/07 , H01H2223/008 , H01H2223/034 , H01H2239/032 , H01H2239/034 , H01H2239/038 , H01S3/094084 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/101 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/4031 , H01S5/4056
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine optisch gepumpte Halbleiterlaservorrichtung mit einem oberflächenemittierenden Vertikalemissionsbereich (1) und mindestens einer monolithisch integrierten Pumpstrahlungsquelle (2) zum optischen Pumpen des Vertikalemissionsbereichs (1). Die Halbleiterlaservorrichtung ist dadurch ausgezeichnet, dass die Pumpstrahlung in Form von Teilstrahlungsbündeln mit unterschiedlichen Strahlungsrichtungen in den Vertikalemissionsbereich (1) eintritt, so dass die Pumpstrahlung einen Überlapp mit der Grundmode des Vertikalemissionsbereichs (1) aufweist, der zur Anregung dieser Grundmode geeignet ist. Der Erfindung liegt zugrunde, dass bevorzugt die Grundmode des Vertikalemissionsbereichs (1) angeregt wird, wenn die räumliche Intensitätsverteilung der Pumpstrahlung dem Profil der Grundmode angepasst ist.
摘要翻译：本发明涉及一种具有表面发射垂直发射区域（1）和至少一个单片集成泵浦辐射源（2），用于光学泵浦所述垂直发射区域的光泵浦半导体激光装置（1）。的半导体激光装置通过以下事实区分，泵辐射在具有（1）中发生的垂直发射区域不同的辐射方向的部分辐射束的形式，使得泵辐射与垂直发射区域的基模的重叠（1），其是适用于该基本模式的激励。本发明是基于，优选地垂直发射区域的基模（1）被激励时，泵辐射的空间强度分布被适应于基本模式的轮廓。

8. 发明申请

WO2007118440A2 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2007118440A2
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/DE2007/000473
申请日：2007-03-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LUTGEN, Stephan , BRICK, Peter , ALBRECHT, Tony
发明人： LUTGEN, Stephan , BRICK, Peter , ALBRECHT, Tony
CPC分类号： H01S5/18388 , H01S3/108 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/227 , H01S5/4025 , H01S5/4031
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement, umfassend einen Halbleiterkörper (1) mit: einem oberflächenemittierenden Vertikalemitterbereich (2) umfassend eine Vertikalemitterschicht (3), zumindest einer Pumpquelle (4), die zum optischen Pumpen der Vertikalemitterschicht (3) vorgesehen ist, und einer Strahlungsdurchtrittsfläche (26) durch die in der Vertikalemitterschicht erzeugte elektromagnetische Strahlung (31) den Halbleiterkörper (1) verlässt, angegeben, wobei die Pumpquelle (4) und die Vertikalemitterschicht (3) in vertikaler Richtung voneinander beabstandet sind.
摘要翻译：它是一种光电子半导体器件，包括：半导体主体（1），包括：表面发射被设置用于光学泵浦所述垂直发射层（3）垂直发射极区域（2）包括：（a垂直发射层（3），至少一个泵源（4），和一个辐射通道面积 26）通过）（半导体本体1）在垂直发射层的电磁辐射（31所产生的热量叶指示，其中，所述泵浦源（4）和在垂直方向上的垂直发射层（3）间隔开。

9. 发明申请

WO2011101280A1 HALBLEITERDIODE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERDIODE 审中-公开
标题翻译：半导体二极管及其制造方法半导体二极管
公开(公告)号：WO2011101280A1
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：PCT/EP2011/051925
申请日：2011-02-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , MAUTE, Markus , REUFER, Martin , ZULL, Heribert
发明人： ALBRECHT, Tony , MAUTE, Markus , REUFER, Martin , ZULL, Heribert
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/025 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： Eine Halbleiterdiode weist eine ersten Halbleiterschicht (102) eines ersten Leitungstyps und eine zweite Halbleiterschicht eines zweiten Leitungstyps mit einer Dotierung auf. Die zweite Halbleiterschicht weist einen mit der ersten Halbleiterschicht verbundenen vertikalen Durchkontaktierungsbereich (106) auf, in der die Dotierung derart verändert ist, dass der Durchkontaktierungsbereich (106) den ersten Leitungstyp aufweist. Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Halbleiterdiode beschrieben.
摘要翻译：的半导体二极管包括第一导电类型并且具有掺杂的第二导电类型的第二半导体层的第一半导体层（102）。所述第二半导体层具有连接到所述第一半导体层通过连接区域（106）垂直，其中所述掺杂发生改变，使得通过具有所述第一导电类型的连接区域（106）的输出。提供了一种制造这种半导体二极管中描述的方法。

10. 发明申请

WO2009135457A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片
公开(公告)号：WO2009135457A1
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：PCT/DE2009/000546
申请日：2009-04-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl , ALBRECHT, Tony
发明人： RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl , ALBRECHT, Tony
IPC分类号： H01L25/16
CPC分类号： H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5), einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge, einen ersten Kontakt (35) und einen zweiten Kontakt (36) aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Der Träger (5) weist eine dem Halbleiterkörper (2) zugewandte Hauptfläche (51) auf. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der der Hauptfläche (51) des Trägers (5) zugewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet und mittels des ersten Kontakts (35) elektrisch kontaktierbar. Die zweite Halbleiterschicht (22) ist mittels des zweiten Kontakts (36) elektrisch kontaktierbar. Eine Schutzdiode (4) ist in einem Strompfad ausgebildet, der zwischen dem ersten Kontakt (35) und dem zweiten Kontakt (36) durch den Träger (5) verläuft.
摘要翻译：它是一种发射辐射的半导体芯片被指定（1），支撑件（5），其具有半导体层序列的半导体主体（2），第一接触（35）和第二接触（36）。半导体层序列包括打算用于第一半导体层（21）和被布置在第二半导体层（22）之间产生辐射激活区（20）。该载体（5）具有在面对主表面（51）的半导体主体（2）。在第一半导体层（21）由所述第一接触（35）的装置面对所述有源区（20）的侧上的载体（5）的与主表面（51）电接触。所述第二半导体层（22）被电由第二接触（36）的装置接触。形成在（35）的第一接触之间的电流路径的保护二极管（4）和所述通过所述载体（5）的第二接触（36）。

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