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    • 3. 发明公开
      EP3163601A3 METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE BY BONDING SILVER OR SILVER OXIDE ON A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH SILVER OXIDE ON A SURFACE OF A BASE 有权 转让
    • METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE BY BONDING SILVER OR SILVER OXIDE ON A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH SILVER OXIDE ON A SURFACE OF A BASE
    • 在银基表面上用银氧化物在半导体元件的表面上键合银或氧化银来制造半导体器件的方法
    • EP3163601A3
    • 2017-08-09
    • EP16002296.8
    • 2010-01-20
    • Nichia Corporation
    • Kuramoto, Masafumi , Ogawa, Satoru , Niwa, Miki
    • H01L21/58 , H01L21/60 , H01L33/40 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01S5/022
    • An object of the invention is to provide a method for producing a conductive member having low electrical resistance, and the conductive member is obtained using a low-cost stable conductive material composition that does not contain an adhesive. Disclosed is a method for producing a semiconductor device in which silver oxide (520, 620, 720) provided on a surface of a base (500, 600, 700) and silver or silver oxide (140, 240, 340) provided on a surface of a semiconductor element (100, 200, 300) are bonded, the method including the steps of arranging a semiconductor element (100, 200, 300) on a base (500, 600, 700) such that silver or silver oxide (140, 240, 340) provided on a surface of the semiconductor element (100, 200, 300) is in contact with silver oxide (520, 620, 720) provided on a surface of the base (500, 600, 700), temporarily bonding the semiconductor element (100, 200, 300) and the base (500, 600, 700) by applying a pressure or an ultrasonic vibration to the semiconductor element (100, 200, 300) or the base (500, 600, 700), and permanently bonding the semiconductor element (100, 200, 300) and the base (500, 600, 700) by applying heat having a temperature of 150 to 900°C to the semiconductor element (100, 200, 300) and the base (500, 600, 700). The step of temporarily bonding and the step of permanently bonding may be performed simultaneously. The step of permanently bonding may be performed in air or in an oxygen environment, or in a nitrogen environment. The semiconductor element (100, 200, 300) and the base (500, 600, 700) may be heated in advance at 150 to 900°C before the step of temporarily bonding. A pressure of 5 to 50 MPa may be applied in the step of temporarily bonding. The semiconductor element (100, 200, 300) may be a light emitting semiconductor element.
    • 本发明的目的是提供一种制造具有低电阻的导电构件的方法，并且使用不含粘合剂的低成本稳定导电材料组合物获得导电构件。 公开了一种用于制造半导体器件的方法，其中提供在基底（500,600,700）的表面上的氧化银（520,620,720）和设置在基底（500,600,700）上的银或氧化银（140,240,340） 的半导体元件（100,200,300）接合，所述方法包括以下步骤：在基底（500,600,700）上布置半导体元件（100,200,300），使得银或氧化银（140,130） 设置在所述半导体元件（100,200,300）的表面上的所述第一电极（240,240,340）与设置在所述基底（500,600,700）的表面上的氧化银（520,620,720）接触， 通过对所述半导体元件（100,200,300）或所述基座（500,600,700）施加压力或超声波振动来对所述半导体元件（100,200,300）和所述基座（500,600,700）进行加热，以及 通过向半导体元件（100,200,300）施加温度为150至900℃的热量来永久地结合半导体元件（100,200,300）和基座（500,600,700） 和底座（500,600,700）。 暂时键合的步骤和永久键合的步骤可以同时进行。 永久结合的步骤可以在空气中或氧气环境中或在氮气环境中进行。 在临时键合步骤之前，半导体元件（100,200,300）和基座（500,600,700）可预先在150至900℃加热。 在临时粘合的步骤中可以施加5至50MPa的压力。 半导体元件（100,200,300）可以是发光半导体元件。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 6. 发明公开
      EP3151268A2 METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE BY BONDING SILVER OXIDE ON A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH SILVER OR SILVER OXIDE ON A SURFACE OF A BASE 有权 转让
    • METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE BY BONDING SILVER OXIDE ON A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH SILVER OR SILVER OXIDE ON A SURFACE OF A BASE
    • METHOD FOR生产半导体器件通过将银与银或银半导体组件的表面上的基体的表面
    • EP3151268A2
    • 2017-04-05
    • EP16002295.0
    • 2010-01-20
    • Nichia Corporation
    • Kuramoto, Masafumi , Ogawa, Satoru , Niwa, Miki
    • H01L21/58 , H01L21/60 , H01L33/40 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01S5/022
    • An object of the invention is to provide a method for producing a conductive member having low electrical resistance, and the conductive member is obtained using a low-cost stable conductive material composition that does not contain an adhesive. Disclosed is a method for producing a semiconductor device in which silver or silver oxide (520, 620, 720) provided on a surface of a base (500, 600, 700) and silver oxide (140, 240, 340) provided on a surface of a semiconductor element (100, 200, 300) are bonded, the method including the steps of arranging a semiconductor element (100, 200, 300) on a base (500, 600, 700) such that silver oxide (140, 240, 340) provided on a surface of the semiconductor element (100, 200, 300) is in contact with silver or silver oxide (520, 620, 720) provided on a surface of the base (500, 600, 700), temporarily bonding the semiconductor element (100, 200, 300) and the base (500, 600, 700) by applying a pressure or an ultrasonic vibration to the semiconductor element (100, 200, 300) or the base (500, 600, 700), and permanently bonding the semiconductor element (100, 200, 300) and the base (500, 600, 700) by applying heat having a temperature of 150 to 900°C to the semiconductor element (100, 200, 300) and the base (500, 600, 700). The step of temporarily bonding and the step of permanently bonding may be performed simultaneously. The step of permanently bonding may be performed in air or in an oxygen environment, or in a nitrogen environment. The semiconductor element (100, 200, 300) and the base (500, 600, 700) may be heated in advance at 150 to 900°C before the step of temporarily bonding. A pressure of 5 to 50 MPa may be applied before the step of temporarily bonding. The semiconductor element (100, 200, 300) may be a light emitting semiconductor element.
    • 本发明的一个目的是提供一种用于生产具有低电阻的导电性构件的方法，所述导电构件是用一种低成本的稳定的导电材料组合物并不含有获得，在粘接剂。 是（340 140，240）的表面上设置用于在其中银或氧化银（520，620，720）的半导体器件提供了一种基站（500，600，700）和氧化银的表面上的方法公开 的半导体元件（100，200，300）键合的，该方法包括在基体上布置的半导体元件（100，200，300）的步骤（500，600，700）检测没有氧化银（140，240， 340）设置在半导体元件（100，200,300）的表面上与设置在基座（500，600，700的表面上的银或氧化银（520，620，720）接触），暂时接合 半导体元件（100，200，300）和基部（500，600，700）通过施加到所述半导体元件（100，200，300）或所述基部（500，600,700）的压力或超声波振动，和 半导体元件（100，200，300）和基部（500，600，700）通过施加具有150至900℃的温度下对半导体元件的热永久地结合（100，200，300） 和所述基部（500，600，700）。 的暂时接合步骤和永久地结合的步骤可以同时进行。 永久接合的步骤可以在空气中或在氧气中进行，以环境，或在氮气环境中。 半导体元件（100，200，300）和基部（500，600，700）可以预先在150的临时粘结步骤之前被加热到900℃。 5至50MPa的压力可能暂时结合步骤之前施加。 半导体元件（100，200，300）可以是半导体发光元件。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 7. 发明公开
      EP2933848A1 SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    • SEMICONDUCTOR DEVICE
    • 半导体器件
    • EP2933848A1
    • 2015-10-21
    • EP15163161.1
    • 2015-04-10
    • Nichia Corporation
    • Kuramoto, Masafumi , Imura, Toshifumi , Tanisada, Tomoki
    • H01L33/54 , H01L33/56
    • The present invention provides a semiconductor device in which wet-spreading of an adhesive member for bonding the semiconductor element on a base body is suppressed. The semiconductor device (100) of the present invention is a semiconductor device including a base body (10), and a semiconductor element (20) bonded on the base body via an adhesive member (30), wherein the adhesive member (30) contains surface-treated particles (40), or particles (40) that coexist with a dispersing agent, and at least a part of the marginal portion (301) of the adhesive member is a region where the particles (40) are unevenly distributed.
    • 本发明提供一种半导体装置，其中抑制了用于将半导体元件接合在基体上的粘合元件的湿扩散。 本发明的半导体器件（100）是一种半导体器件，其包括基体（10）和经由粘合构件（30）粘合在基体上的半导体元件（20），其中粘合构件（30）包含 表面处理颗粒（40）或与分散剂共存的颗粒（40），并且粘合构件的边缘部分（301）的至少一部分是颗粒（40）不均匀分布的区域。
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