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1. 发明专利

DE102006041436A1 Electron beam dosage computing method for e.g. electron beam lithographic device, involves utilizing parameter values to create illustration of basic dosages of beams and to prepare illustration of proximity effect correction coefficients 未知
公开(公告)号：DE102006041436A1
公开(公告)日：2007-04-26
申请号：DE102006041436
申请日：2006-09-04
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： EMI KEIKO , SUZUKI JUNICHI , ABE TAKAYUKI , IIJIMA TOMOHIRO , YASHIMA JUN
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/305 , H01L21/027
摘要： The method involves determining corrected parameter values for corrections of pattern line width deviations in a region. The values are utilized to create an illustration of basic dosages of particle beams of an electron beam (58) and to prepare an illustration of proximity effect correction coefficients in two regions. The illustrations are utilized to determine two corrected dosages of the beams to correct the proximity effects in a third region. The two dosages are utilized to determine an actual electron beam dosage in respective positions on a surface of a work piece (38). Independent claims are also included for the following: (1) a recording method for recording a pattern using loaded particle beams (2) a recording medium in which a treatment procedure is stored in a computer readable and executable form (3) a recording device for recording a pattern by using loaded particle beams.

2. 发明专利

DE102007056242A1 Pattern e.g. mask, writing device for use on target workpiece, has deflection plate to deflect electron beam with charged particles based on electron beam irradiation time, and aperture to block deflection of electron beam by plate 未知
公开(公告)号：DE102007056242A1
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：DE102007056242
申请日：2007-11-22
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： ABE TAKAYUKI , SUZUKI JUNICHI , IIJIMA TOMOHIRO , TSURUMAKI HIDEYUKI
IPC分类号： H01J37/302 , G03F7/20 , H01J37/09 , H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/308
摘要： The device has a electron beam dosage estimating part for estimating an electron beam dosage at any time using a basic dosage and an atomizing effect correction coefficient. An electron beam irradiation time estimating part for estimating irradiation time of the electron beam with charged particles when the electron beam is in a position in a writing region based on the estimated electron beam dosage. A deflection plate deflects the electron beam with charged particles in accordance with the electron beam irradiation time. An aperture blocks the deflection of the beam by the deflection plate. Independent claims are also included for the following: (1) a writing method for writing with a electron beam having charged particles using lithographic technique (2) a method for renewed measurement of dimension variation measures (3) a computer-readable storage medium with a program for determining a computer operation.

3. 发明专利

DE102006041436B4 Strahldosierungsberechnungsverfahren und Schreibverfahren und Aufzeichnungsträger und Schreibgerät 未知
公开(公告)号：DE102006041436B4
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：DE102006041436
申请日：2006-09-04
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： EMI KEIKO , SUZUKI JUNICHI , ABE TAKAYUKI , IIJIMA TOMOHIRO , YASHIMA JUN
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/305 , H01L21/027
摘要： Strahldosierungsberechnungsverfahren, umfassend: Spezifizieren von Matrizen aus Reihen und Spalten von Regionen wie von einem Oberflächenbereich eines Zielobjektes aufgeteilt, um erste, zweite und dritte Regionen einzuschließen, wobei die dritten Regionen eine geringere Größe haben als die ersten und zweiten Regionen; die ersten und zweiten Regionen gleiche oder unterschiedliche Größe haben, die ersten Regionen Einheitsregionen zur Korrektur von Schleierbildungseffekten sind, die zweiten Regionen Einheitsregionen zur Korrektur von Musterlinienbreitenabweichungen, die durch Loading-Effekte bedingt auftreten, sind, und die dritten Regionen Einheitsregionen zur Korrektur eines Proximity-Effekts sind; Bestimmen (74) erster korrigierter Dosierungen (Dk) eines geladenen Partikelstrahls zum Korrigieren von Schleierbildungseffekten in den ersten Regionen; Bestimmen (78) korrigierter Größenwerte (CD) für das Korrigieren von durch Loading-Effekte bedingt auftretenden Musterlinienbreitenabweichungen in den zweiten Regionen; Verwenden (80) der korrigierten Größenwerte (CD) in den zweiten Regionen zum Erstellen einer Karte (BD MAP) von Basisdosierungen des Strahls in jeweiligen der zweiten Regionen; Verwenden (82) der korrigierten Größenwerte (CD) zum Vorbereiten einer Karte (η MAP) der Proximity-Effekt-Korrekturkoeffizienten in jeweiligen der zweiten Regionen; Verwenden (84) der Karten (BD MAP, η MAP) zum Bestimmen zweiter korrigierter Dosierungen des Strahls zur Korrektur der Proximity-Effekte in den dritten Regionen; und Verwenden (86) der ersten und zweiten korrigierten Dosierungen zum Bestimmen einer tatsächlichen Strahldosierung (D) an jeder Position auf der Oberfläche des Objektes.

4. 发明专利

DE102007007080A1 未知
公开(公告)号：DE102007007080A1
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：DE102007007080
申请日：2007-02-13
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： EMI KEIKO , SUZUKI JUNICHI , ABE TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
摘要： A pattern generation method includes changing a dimension of a pattern included in each mesh-like region of a plurality of mesh-like regions by using an area of the pattern and a total sum of lengths of circumferential sides of the pattern included in each mesh-like region to correct a dimension error of the pattern, wherein the dimension error being caused by loading effects and the plurality of mesh-like regions being virtually divided from a pattern forming region of a target object, and generating a pattern of the dimension changed on the target object.

5. 发明专利

DE102007007080B4 Mustererzeugungsverfahren und Einrichtung zum Schreiben mit geladenen Teilchen 未知
公开(公告)号：DE102007007080B4
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：DE102007007080
申请日：2007-02-13
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： EMI KEIKO , SUZUKI JUNICHI , ABE TAKAYUKI
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/72 , G03F1/84 , H01L21/027
摘要： Mustererzeugungsverfahren zur Erzeugung eines Musters auf einem Zielobjekt mit folgenden Schritten: Änderung einer Abmessung eines Entwurfsmusters, das in jedem maschenartigen Bereich mehrerer maschenartiger Bereiche enthalten ist, durch Verwendung einer Fläche des Entwurfsmusters und einer Gesamtsumme von Längen von Umfangsseiten des Entwurfsmusters, die in jedem maschenartigen Bereich enthalten sind, um einen Abmessungsfehler des auf dem Zielobjekt ausgebildeten Musters zu korrigieren, wobei der Abmessungsfehler durch Verschmierungseffekte hervorgerufen wird, und die mehreren maschenartigen Bereiche virtuell einen Mustererzeugungsbereich des Zielobjekts unterteilen, wobei die Verschmierungseffekte Abmessungsänderungen sind, die durch eine weitere Bearbeitung des Zielobjekts nach der Mustererzeugung verursacht werden, und die Fläche und die Gesamtsumme der Längen verwendet werden, um einen Korrekturterm zum Korrigieren des Abmessungsfehlers des auf dem Zielobjekt ausgebildeten Musters zu definieren; und Erzeugung eines Schreibmusters mit der geänderten Abmessung auf dem Zielobjekt mittels einer Schreibeinrichtung.

6. 发明专利

JP2008085120A Position correction coefficient calculating method of charged particle beam drawing apparatus, and position correction coefficient updating method of charged particle beam drawing apparatus 审中-公开
标题翻译：充电粒子束绘图装置的位置校正系数计算方法和充电粒子束绘图装置的位置校正系数更新方法
公开(公告)号：JP2008085120A
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：JP2006264190
申请日：2006-09-28
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人： HORIUCHI TOMOYUKI , NAKAYAMADA KENSHO , SUZUKI JUNICHI , KUROHORI KENJI
IPC分类号： H01L21/027 , G01B15/00 , H01J37/305
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3045 , H01J2237/20292 , H01J2237/3045
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for reducing a time to be taken for calculating a correction efficient, and to provide a method for updating the correction coefficient.
SOLUTION: The position correction coefficient calculating method of an electron beam drawing apparatus, which is one mode of calculating a coefficient of an approximate expression for correcting a misregistration due to a structure of the electron beam drawing apparatus, comprises the scan step of scanning a plurality of marks arranged regularly in an overall region equivalent to a drawing region of a sample to be drawn on a stage by use of charged particle beams (S102); and the coefficient calculating step of fitting a misregistration amount of each mark scanned in a coordinate system of the drawing apparatus to calculate the coefficient of the approximate expression fitted (S104).
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种减少用于计算校正效率的时间的方法，并提供一种更新校正系数的方法。解决方案：电子束描绘装置的位置校正系数计算方法是计算用于校正由于电子束描绘装置的结构引起的重合失调的近似表达式的系数的一种模式，包括扫描步骤通过使用带电粒子束扫描在与待绘制的样本的绘制区域相当的总体区域中规则地排列的多个标记（S102）; 以及所述系数计算步骤，将在所述绘制装置的坐标系中扫描的每个标记的不对准量拟合，以计算所拟合的近似表达式的系数（S104）。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2007294324A Electron gun, and electron beam lithography system using the same 审中-公开
标题翻译：电子枪和电子束光刻系统
公开(公告)号：JP2007294324A
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：JP2006122799
申请日：2006-04-27
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人： EMI KEIKO , SUZUKI JUNICHI , ABE TAKAYUKI , UMETSU HARUAKI
IPC分类号： H01J37/06 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new electron gun without causing discharge or the like in the vicinity of, in particular, an opening of a Wehnelt even when it is used over a long time, whereas a conventional electron gun has a problem where it causes discharge in the vicinity of, in particular, an opening of a Wehnelt when it is used over a long time.
SOLUTION: This electron gun is composed of a cathode 12, a Wehnelt 13 and an anode 14. The electron gun is structured such that the Wehnelt 13 is formed of conductive metal nitride such as aluminum nitride (AlN), and discharge or the like is prevented from occurring in the vicinity of the opening 13a of the Wehnelt 13.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种新的电子枪，即使长时间使用也不会在Wehnelt附近，特别是其开口附近引起放电等，而传统的电子枪具有特别是在长时间使用时，Wehnelt的开口附近引起放电的问题。解决方案：该电子枪由阴极12，Wehnelt 13和阳极14组成。电子枪的结构使得Wehnelt 13由诸如氮化铝（AlN）的导电金属氮化物形成，并且放电或防止在Wehnelt 13的开口13a附近发生类似现象。（C）2008，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2007258659A Method and device of charged particle beam lithography 有权
标题翻译：充电粒子束光刻的方法和装置
公开(公告)号：JP2007258659A
公开(公告)日：2007-10-04
申请号：JP2006191148
申请日：2006-07-12
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人： SUZUKI JUNICHI , EMI KEIKO , ABE TAKAYUKI , IIJIMA TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H01J37/305
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J2237/31769 , H01J2237/31793
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a drawing method and a device for drawing with the amount of beam irradiation for executing highly accurate compensation for variation of dimension. SOLUTION: This method of charged particle beam lithography comprises a calculation process for the amount of irradiation for proximity effect correcting (S504), a calculation process for the amount of irradiation for residual correcting for proximity effect correcting (S102), and an irradiation process (S516) for irradiating a sample with a charged particle beam with the amount of irradiation provided by correcting the corrected amount of irradiation such as the amount of irradiation for proximity effect correcting, by using the amount of irradiation for residual correcting for proximity effect correcting. By this invention, the correcting residual can be reduced. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种绘制方法和一种用于对尺寸变化执行高精度补偿的光束照射量进行绘图的装置。解决方案：这种带电粒子束光刻方法包括用于邻近效应校正的照射量的计算处理（S504），用于邻近效应校正的残差校正的照射量的计算处理（S102），以及照射处理（S516），其中通过使用用于邻近效应的残差校正的照射量，通过校正校正后的照射量例如照射量进行邻近效应校正来照射具有带电粒子束的样本的照射量修正。通过本发明，可以减少校正残差。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2006323023A METHOD FOR FORMING MASK PATTERN 审中-公开
公开(公告)号：JP2006323023A
公开(公告)日：2006-11-30
申请号：JP2005144650
申请日：2005-05-17
申请人： TOSHIBA MICRO ELECTRONICS , TOSHIBA CORP , NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： HONDA NORIYUKI , TSUNAKAWA KIYOSHI , WATANABE SUSUMU , YASHIMA JUN , ABE TAKAYUKI , SUZUKI JUNICHI
IPC分类号： G03F1/36 , G03F1/68 , G03F7/20 , G06F17/50 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a mask pattern, with which increase in a time period for drawing is suppressed and improvement of accuracy in drawing is possible. SOLUTION: A layout data of the mask pattern is acquired, and a first correction map, in which first dimensional correction amounts are respectively set to a plurality of first small regions formed by partitioning the mask pattern arrangement surface in a grid, is formed based on the arrangement of the mask pattern. A second correction map, in which second dimensional correction amounts are respectively set to a plurality of second small regions partitioned in the same grid shape as that of the plurality of first small regions and displaced relative to the first small regions, is formed based on the arrangement of the mask pattern. Then the mask pattern is corrected based on the first and the second correction maps. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

10. 发明专利

JP2012182506A Pattern generation method and charged particle beam-drawing apparatus 有权
标题翻译：图案生成方法和充电颗粒光束装置
公开(公告)号：JP2012182506A
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：JP2012145539
申请日：2012-06-28
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人： EMI KEIKO , SUZUKI JUNICHI , ABE TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H01J37/305
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern generation method and an apparatus for reducing a correction residual in loading effect correction.SOLUTION: A pattern generation method, in one aspect of the present invention, for forming a pattern on a sample 10, comprises: changing a dimension of a design pattern 12 by using an area S of the pattern included in each mesh-like region and a total sum of length of outer circumferential sides of the pattern in a pattern forming region of the sample 10 which is virtually divided into a plurality of the mesh-like regions; and correcting a dimension error of the pattern caused by loading effects. By the present invention, a correction residual in the loading effect correction can be reduced.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于减小加载效应校正中的校正残差的图案生成方法和装置。解决方案：在本发明的一个方面，用于在样品10上形成图案的图案生成方法包括：通过使用包含在每个网格图案中的图案的面积S来改变设计图案12的尺寸，在样品10的图案形成区域中，图案的外周侧的长度的总和实质上分为多个网状区域; 并校正由加载效应引起的图案的尺寸误差。通过本发明，可以减少装载效果校正中的校正残差。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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