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热词
    • 1. 发明授权
    • Vertical heat treatment apparatus
    • 立式热处理设备
    • US5951282A
    • 1999-09-14
    • US91420
    • 1998-06-24
    • Kazunari SakataTamotsu TanifujiAkihiko Tsukada
    • Kazunari SakataTamotsu TanifujiAkihiko Tsukada
    • H01L21/00F27D3/12
    • H01L21/67109
    • The vertical heat treatment apparatus for semiconductor wafers (W) includes a heat treatment furnace (19). In the heat treatment furnace (19), the wafers (W) are subjected to a batch treatment in a state mounted on a boat (16). To the lower side of the heat treatment furnace (19), a preparatory vacuum chamber (102) is airtightly connected through a manifold (33). The manifold (33) has first and second parts (33a and 33b) separably coupled to each other, which are connected to the heat treatment furnace (19) and the preparatory vacuum chamber (102), respectively. The second part (33b) defines a valve seat on which a lid (22) is seated to cut off the communication between the heat treatment furnace (19) and the preparatory vacuum chamber (102). In a state where the lid (22) is seated on the valve seat to maintain the preparatory vacuum chamber (102) airtight, the heat treatment furnace (19) can be separated together with the first part (33a) of the manifold from the preparatory vacuum chamber (102) and the second part (33b) of the manifold.
    • PCT No.PCT / JP97 / 03791 Sec。 371日期:1998年6月24日 102(e)1998年6月24日PCT 1997年10月21日PCT PCT。 第WO98 / 19335号公报 日期1998年5月7日半导体晶片用立式热处理装置(W)包括热处理炉(19)。 在热处理炉(19)中,在安装在船(16)上的状态下对晶片(W)进行批处理。 在热处理炉(19)的下侧,准备真空室(102)通过歧管(33)气密连接。 歧管(33)具有分别彼此分离地连接到热处理炉(19)和预备真空室(102)的第一和第二部分(33a和33b)。 第二部分(33b)限定了一个阀座,在其上安置有盖(22)以截断热处理炉(19)和预备真空室(102)之间的连通。 在将盖(22)安置在阀座上以保持预备真空室(102)气密的状态下,热处理炉(19)可与歧管的第一部分(33a)一起从预备 真空室(102)和歧管的第二部分(33b)。