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    • 2. 发明专利
    • Pattern forming method and a resist composition
    • 图案形成方法和阻力组成
    • JP2014167628A
    • 2014-09-11
    • JP2014060928
    • 2014-03-24
    • Fujifilm Corp富士フイルム株式会社
    • KAMIMURA SATOSHITARUYA SHINJIIWATO KAORUKATAOKA SHOHEIMIZUTANI KAZUYOSHIDOBASHI TORUENOMOTO YUICHIROFUJII KANAKATO KEITA
    • G03F7/038C08F20/26G03F7/004G03F7/039G03F7/075H01L21/027
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method and a resist composition from which a pattern having fewer development defects can be formed.SOLUTION: The resist composition is used for a specified pattern forming method and comprises the following resin, a hydrophobic resin having a fluorine atom or a silicon atom, and a solvent comprising a specified component. The resin contains a repeating unit (P) having a group that is decomposed by an action of an acid to generate an alcoholic hydroxyl group, contains neither a fluorine atom nor a silicon atom, and shows decrease in the solubility with a developing solution containing an organic solvent by an action of an acid; and in the resin, the repeating unit (P) contains no lactone structure, and the group that is decomposed by an action of an acid to generate an alcoholic hydroxyl group is a group expressed by at least one of specified general formulae. The compounding rate of the resin showing decrease in the solubility with a developing solution containing an organic solvent by an action of an acid is 60 to 95 mass% in the total solid content.
    • 要解决的问题:提供一种能够形成具有较少显影缺陷的图案的图案形成方法和抗蚀剂组合物。解决方案:抗蚀剂组合物用于指定的图案形成方法,并且包括以下树脂,疏水性树脂具有 氟原子或硅原子,以及包含特定成分的溶剂。 树脂含有具有通过酸作用而分解以产生醇羟基的基团的重复单元(P),既不含氟原子也不含硅原子,并且显示出与含有 有机溶剂通过酸的作用; 并且在树脂中,重复单元(P)不含有内酯结构,通过酸的作用而分解以产生醇羟基的基团是由至少一个指定的通式表示的基团。 与通过酸作用而含有有机溶剂的显影溶液的溶解性显示出降低的树脂的配合比率,在总固体成分中为60〜95质量%。
    • 9. 发明专利
    • Pattern forming method, chemically amplified resist composition and resist film
    • 图案形成方法,化学放大电阻组合物和电阻膜
    • JP2011141495A
    • 2011-07-21
    • JP2010003387
    • 2010-01-08
    • Fujifilm Corp富士フイルム株式会社
    • ENOMOTO YUICHIROTARUYA SHINJIKAMIMURA SATOSHIIWATO KAORUKATO KEITASHIBUYA AKINORI
    • G03F7/004G03F7/038G03F7/075G03F7/32G03F7/38H01L21/027
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method and a chemically amplified negative resist composition exhibiting a large depth of focus (DOF) and small line width roughness (LWR) and being capable of forming a pattern having a superior pattern shape and reduced bridge defects.
      SOLUTION: The pattern forming method includes (α) a step of forming a film from a chemically amplified resist composition; (β) a step of exposing the film; and (γ) a step of developing with a developer containing an organic solvent, wherein the resist composition comprises (A) a resin, (B) a compound which generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, (C) a crosslinking agent, (D) a solvent, and (G) a compound which has basicity or exhibits increased basicity due to the action of an acid, the compound having at least one of a fluorine atom or an oxygen atom.
      COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:为了提供显示出大的聚焦深度(DOF)和小的线宽粗糙度(LWR)的图案形成方法和化学放大的负型抗蚀剂组合物,并且能够形成具有优异图案形状的图案 并减少桥梁缺陷。 解决方案:图案形成方法包括(α)从化学放大抗蚀剂组合物形成膜的步骤; (β)暴露薄膜的步骤; 和(γ)用包含有机溶剂的显影剂显影的步骤,其中抗蚀剂组合物包含(A)树脂,(B)在用光化射线或辐射照射时产生酸的化合物,(C)交联剂 ,(D)溶剂,和(G)由于酸的作用而具有碱性或显示增加的碱性的化合物,具有至少一个氟原子或氧原子的化合物。 版权所有(C)2011,JPO&INPIT
    • 10. 发明专利
    • パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、処理剤
    • 图案形成方法,制造电子装置的方法和处理剂
    • JP2015055844A
    • 2015-03-23
    • JP2013190735
    • 2013-09-13
    • 富士フイルム株式会社Fujifilm Corp
    • ENOMOTO YUICHIROUEHA RYOSUKESHIRAKAWA MICHIHIROFURUYA SOGOTO AKIYOSHIKOJIMA MASASHI
    • G03F7/32G03F7/038G03F7/039H01L21/027
    • G03F7/405G03F7/20G03F7/322G03F7/325G03F7/40H01L21/0273
    • 【課題】パターンに処理剤を作用させる(いわゆる、シュリンク工程を実施する)ことによりパターンの微細化を図るパターン形成方法において、上記パターンの微細化に優れることにより、超微細のスペース幅(例えば60nm以下)を有するラインアンドスペースパターンを確実に形成でき、かつ、該ラインアンドスペースパターンを、シュリンク工程が適用された後におけるラフネス性能が優れた状態で形成可能なパターン形成方法及びそれに用いられる処理剤、並びに、電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 (1)酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、膜を形成する工程、(2)前記膜を、活性光線又は放射線により露光する工程、(3)前記膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像して被処理パターンを形成する工程、及び、(4)前記被処理パターンに対し、1級アミノ基及び2級アミノ基の少なくともいずれかを有する化合物(x)を含む処理剤を作用させて、処理済パターンを得る工程を含む、パターン形成方法、及びそれに用いられる処理剤、並びに、電子デバイスの製造方法。【選択図】なし
    • 要解决的问题:为了提供用于该方法的图案形成方法和处理剂,通过该图案形成方法和处理剂,可以在图案对处理剂的作用进行图案化处理(可以进行所谓的“ 所谓收缩处理),从而可以获得更细的图案,从而可以可靠地形成具有超微细空间宽度(例如60nm以下)的线间距图案,并且经受 可以形成具有优异的粗糙度性能的收缩工艺,并提供一种电子器件的制造方法。解决方案:图案形成方法包括以下步骤:(1)通过使用光化学敏感或辐射敏感的膜形成膜 树脂组合物,其包含通过酸的作用显示极性增加的树脂和与含有机溶剂的显影液的溶解度降低的树脂组合物; (2)将膜暴露于光化射线或辐射; (3)通过使用含有有机溶剂的显影液形成通过显影膜来处理的图案; 和(4)使含有具有伯氨基和仲氨基中的至少一种的化合物(x)的处理剂作用于待处理的图案上,以获得处理图案。 处理剂以上述图案形成方法使用; 并且电子设备的制造方法包括上述图案形成方法。