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1. 发明专利

JP2015007807A 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、及び、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス有权
标题翻译：用于形成化学放大电阻膜的有机处理溶液和用于形成化学放大膜的有机处理溶液的壳体和形成方法，用于制造电子器件的方法和使用处理溶液和容器的电子器件
公开(公告)号：JP2015007807A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2014187686
申请日：2014-09-16
申请人：富士フイルム株式会社 , Fujifilm Corp
发明人： YAMANAKA TSUKASA , KAWAMOTO TAKASHI
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/30 , H01L21/027
摘要：【課題】特に、有機系現像液を用いて、微細化(例えば、30nmノード以下)パターンを形成するネガ型パターン形成方法において、パーティクルの発生を低減可能な化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、及び、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供できる。【解決手段】化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液であって、炭素数22以下のアルキルオレフィン含有量が1ppm以下、かつ、Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及び、Znの金属元素濃度がいずれも5ppm以下である、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、並びに、これらを使用したパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于图案化化学放大抗蚀剂膜的有机处理溶液，其可以减少颗粒的产生，特别是在用于形成精细图案（例如，30nm节点或更少）的负图案形成方法中，使用有机显影液和用于图案化化学放大抗蚀剂膜的有机处理溶液的容纳容器，以及提供图案形成方法，电子装置的制造方法和使用上述溶液和容器的电子装置。：用于图案化化学放大抗蚀剂膜的有机处理溶液含有碳原子数为22以下的碳原子数为1ppm以下的烷基烯烃，并且对于Na，K，Ca，Fe，Cu中的每一种，金属元素浓度为5ppm以下，Mg，Mn，Li，Al，Cr，Ni和Zn。该解决方案用于图案形成方法，电子装置的制造方法和电子装置。

2. 发明专利

JP2014211490A パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス审中-公开
标题翻译：图案形成方法，制造电子装置的方法和电子装置
公开(公告)号：JP2014211490A
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：JP2013086755
申请日：2013-04-17
申请人：富士フイルム株式会社 , Fujifilm Corp
发明人： NAKAMURA TAKAYUKI , YAMANAKA TSUKASA
IPC分类号： G03F7/38 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/38 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要：【課題】有機溶剤系現像液を用いたパターン形成方法において、液浸露光を適用する場合に、液浸露光後にレジスト膜上に残存した液浸液に起因する微細な水残り欠陥のないパターンを形成することが可能なパターン形成方法、そのパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供すること。【解決手段】酸の作用により1種類以上の有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布して感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、液浸液を介して感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程、感活性光線性又は感放射線性膜を加熱する工程、及び、感活性光線性又は感放射線性膜を、有機溶剤を含む現像液で現像する工程をこの順序で含み、更に、感活性光線性又は感放射線性膜を洗浄する工程を、前記膜形成工程後且つ前記露光工程前、および/または、前記露光工程後且つ前記加熱工程前に含むパターン形成方法。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：为了提供使用有机溶剂型显影液的图案形成方法，当浸渍曝光时，可以形成不具有微小缺水缺陷的图案，由残留在抗蚀剂上的浸渍液引起的缺陷并且提供一种制造包括上述图案形成方法的电子设备的方法和电子设备。解决方案：图案形成方法包括以下顺序的步骤：形成光化学敏感或辐射敏感膜，其通过在基材上施加光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物，所述树脂组合物包含通过酸的作用显示出与含有至少一种有机溶剂的显影溶液的溶解度降低的树脂，通过用光化射线或辐射照射的酸和溶剂; 通过浸没液体曝光光化射线敏感或辐射敏感膜; 加热光化射线敏感或辐射敏感膜; 并用含有机溶剂的显影溶液显影光化射线敏感或辐射敏感膜。该方法还包括在成膜步骤之后和曝光步骤之前和/或在曝光步骤之后和加热步骤之前清洁光化射线敏感或辐射敏感膜的步骤。

3. 发明专利

JP2007240976A Photosensitive resin composition and method for manufacturing semiconductor device using the same 审中-公开
标题翻译：光敏性树脂组合物及使用其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2007240976A
公开(公告)日：2007-09-20
申请号：JP2006064606
申请日：2006-03-09
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： YAMANAKA TSUKASA , SATO KENICHIRO
IPC分类号： G03F7/037 , G03F7/004 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive resin composition capable of producing a heat resistant relief structure, having high sensitivity, ensuring small reduction in film thickness, and excellent in film thickness uniformity in a wafer after development and in film thickness uniformity after curing, and a method for manufacturing a semiconductor device using the composition.
SOLUTION: The photosensitive resin composition is characterized by containing a polybenzoxazole precursor having a naphthoquinonediazido group, a naphthoquinonediazide photosensitizer, and a specific compound containing phenolic hydroxyl groups. The method for manufacturing a semiconductor device using the composition is also provided.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：解决问题的方案为了提供一种能够制造耐热浮雕结构的感光性树脂组合物，其具有高灵敏度，确保薄膜厚度的降低和显影后的晶片的膜厚均匀性以及膜厚均匀性固化后，以及使用该组合物的半导体装置的制造方法。光敏树脂组合物的特征在于含有具有萘醌二叠氮基的聚苯并恶唑前体，萘醌二叠氮化物光敏剂和含有酚羟基的特定化合物。还提供了使用该组合物制造半导体器件的方法。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2014070154A Self-organizing composition for pattern formation, pattern forming method by self-organization of block copolymer using the same and pattern 有权
标题翻译：用于形成图形的自组织组合物，使用其自组织的嵌段共聚物的图案形成方法
公开(公告)号：JP2014070154A
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：JP2012217567
申请日：2012-09-28
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： MIZUTANI KAZUYOSHI , YAMANAKA TSUKASA
IPC分类号： C08L53/00 , C08F293/00 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： C09D153/00 , B05D1/005 , B05D3/0254 , B05D3/107 , B82Y40/00 , C08F293/00 , C08L53/00 , G03F7/0002 , Y10T428/24479
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a self-organizing composition for pattern formation significantly shortening the annealing time required for microphase separation and improving throughput of pattern formation in a self-organizing lithography using a block copolymer, and to provide a pattern forming method by self-organization of the block copolymer using the same, and a pattern.SOLUTION: There are provided a block copolymer containing a block having a repeating unit represented by the general formula (1) and a self-organizing composition for pattern formation containing an organic solvent. (1), where X represents an alkyl group or a cycloalkyl group, n represents an integer of 1 to 5, and X may be same or different when n is 2 or more.
摘要翻译：要解决的问题：提供用于图案形成的自组织组合物，其显着缩短了使用嵌段共聚物的自组织光刻中微相分离所需的退火时间和提高图案形成的生产率，并且通过自身提供图案形成方法使用其组合嵌段共聚物和图案。溶液：提供含有具有由通式（1）表示的重复单元的嵌段的嵌段共聚物和含有有机溶剂的图案形成用自组织组合物。（1）中，X表示烷基或环烷基，n表示1〜5的整数，X可以相同或不同，n为2以上时。

5. 发明专利

JP2012083727A Pattern forming method 有权
标题翻译：图案形成方法
公开(公告)号：JP2012083727A
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：JP2011196046
申请日：2011-09-08
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： KAMIMURA SATOSHI , YAMANAKA TSUKASA , ENOMOTO YUICHIRO , KATO KEITA
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/32 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/405 , Y10T428/24802
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method capable of attaining both CDU (Critical Dimension Uniformity) performance and defect performance at high levels.SOLUTION: In the pattern forming method which includes (a) forming a film using a chemically amplified resist composition, (b) exposing the film, and (c) developing the exposed film using a developer containing an organic solvent, the developer contains an ester and ketone having a carbon number of 7 or more.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够以高水平实现CDU（临界尺寸均匀性）性能和缺陷性能的图案形成方法。解决方案：在图案形成方法中，包括（a）使用化学放大型抗蚀剂组合物形成膜，（b）使膜曝光，和（c）使用含有有机溶剂的显影剂显影曝光膜，显影剂含有碳数为7以上的酯和酮。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2008224970A Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern using the same, and semiconductor device 审中-公开
标题翻译：感光性树脂组合物，使用其固化的缓冲图案的方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2008224970A
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：JP2007062115
申请日：2007-03-12
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： SATO KENICHIRO , YAMANAKA TSUKASA , SUGIMOTO NAOYA
IPC分类号： G03F7/039 , C08G73/22 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/075 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive resin composition having excellent lithography performance and stability and capable of forming a cured relief pattern excellent in mechanical characteristics, heat resistance and adhesion to a substrate by low-temperature cure, a method for producing a cured relief pattern using the photosensitive resin composition, and a semiconductor device including a cured relief pattern obtained by using the method. SOLUTION: The photosensitive resin composition comprises a polybenzoxazole precursor, a photosensitizing agent and a compound having an oxetane group. There are also provided the method for producing a cured relief pattern using the photosensitive resin composition, and a semiconductor device including a cured relief pattern obtained by using the method. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：解决方案：提供一种光刻性能和稳定性优异的感光性树脂组合物，其能够通过低温固化形成机械特性，耐热性和对基材的粘合性优异的固化浮雕图案，其制造方法使用该感光性树脂组合物的固化浮雕图案，以及包含使用该方法得到的固化浮雕图案的半导体装置。光敏树脂组合物包含聚苯并恶唑前体，光敏剂和具有氧杂环丁烷基团的化合物。还提供了使用该感光性树脂组合物制造固化浮雕图案的方法，以及包括通过使用该方法获得的固化浮雕图案的半导体器件。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2007178849A Photosensitive resin composition and method for producing semiconductor device using the same 有权
标题翻译：光敏性树脂组合物及使用其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2007178849A
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：JP2005379029
申请日：2005-12-28
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： SATO KENICHIRO , YAMANAKA TSUKASA , TSUCHIMURA TOMOTAKA
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/40
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive resin composition excellent in sensitivity and pattern profile and capable of producing a relief structure having heat resistance, and a method for producing a semiconductor device using the composition.
SOLUTION: The positive photosensitive resin composition comprises a polybenzoxazole precursor of which the alkali solubility increases by the action of an acid, a triarylsulfonium salt and a sensitizer. The method for producing a semiconductor device using the composition is also provided.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供灵敏度和图案轮廓优异并且能够制造具有耐热性的浮雕结构的感光性树脂组合物，以及使用该组合物制造半导体器件的方法。解决方案：正型感光性树脂组合物包含通过酸，三芳基锍盐和敏化剂的作用使碱溶解度增加的聚苯并恶唑前体。还提供了使用该组合物制造半导体器件的方法。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2015004961A パターン剥離方法、電子デバイス及びその製造方法有权
标题翻译：图案剥离方法，电子装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2015004961A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：JP2014091452
申请日：2014-04-25
申请人：富士フイルム株式会社 , Fujifilm Corp
发明人： YAMANAKA TSUKASA , FUJIMORI TORU
IPC分类号： G03F7/42 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/426 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/423 , G03F7/425
摘要：【課題】剥離性に優れ、かつ、基板へのダメージの少ないパターン剥離方法を提供する。【解決手段】基板上に、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布して、レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、上記レジスト膜を露光する露光工程と、上記露光されたレジスト膜を、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像して、ネガ型パターンを形成する現像工程と、上記ネガ型パターンを、下記(A)または(B)の液を用いて剥離する剥離工程とを備える、パターン剥離方法。(A)スルホキシド化合物および/またはアミド化合物を含有する液、(B)硫酸と過酸化水素とを含有する液。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供剥离性优异并且对基材的损害较小的图案剥离方法。解决方案：图案剥离方法包括：抗蚀剂膜形成步骤，将活性光敏性或辐射敏感性树脂组合物在基板上形成抗蚀膜; 曝光步骤，使抗蚀膜曝光; 使用含有有机溶剂的显影剂形成曝光的抗蚀剂膜以形成负图案的显影步骤; 以及使用含有亚砜化合物和/或酰胺化合物的液体（A）或含有硫酸和过氧化氢的液体（B）剥离阴图案的剥离步骤。

9. 发明专利

JP2014202807A 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の製造方法、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス有权
标题翻译：用于形成化学放大膜的有机处理液的生产方法，用于形成化学放大膜的有机处理液，图案形成方法，制造电子器件的方法和电子器件
公开(公告)号：JP2014202807A
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：JP2013076735
申请日：2013-04-02
申请人：富士フイルム株式会社 , Fujifilm Corp
发明人： YAMANAKA TSUKASA , KAWAMOTO TAKASHI , IGUCHI NAOYA
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/32 , C07C29/76 , C07C45/786 , C07C67/48 , C07C67/56 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/325 , C07C69/24 , C07C31/125 , C07C49/04
摘要：【課題】特に、有機系現像液を用いて微細化(例えば、30nmノード以下)パターンを形成するネガ型パターン形成技術において、パーティクルの発生を低減可能な、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の製造方法、並びに、これを用いた化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。【解決手段】液入口部と、液出口部と、前記液入口部と前記液出口部とを接続する流路内に設けられた濾過フィルター膜とを有する濾過装置に、有機溶剤を含有する液を通過させる工程を有する、化学増幅型レジスト膜のパターンニング用有機系処理液の製造方法であって、前記液入口部における前記液の温度(TI)と、前記液出口部における前記液の温度(To)との差の絶対値(|TI−To|)が、3℃以下であり、前記濾過装置における前記液の濾過速度が0.5L/分/m2以上であり、前記濾過装置における前記液による濾過圧力が0.1MPa以下である、化学増幅型レジスト膜のパターンニング用有機系処理液の製造方法、並びに、これを用いた化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于图案化化学放大抗蚀剂膜的有机处理液的制备方法，特别是在形成用于形成精细图案的负图案的技术中，能够减少颗粒的产生的液体（例如，通过使用有机显影剂具有30nm节点或更小的图案的图案），并且使用上述方法提供用于图案化化学放大抗蚀剂膜的有机处理液，图案形成方法，电子器件的制造方法和电子器件。解决方案：用于图案化化学放大抗蚀剂膜的有机处理液的制备方法包括使包含有机溶剂的液体通过具有液体入口，液体出口和过滤膜的过滤装置的步骤设置在连接液体入口和液体出口的流动通道中。液体入口处的液体的温度（T）与液体出口处的液体的温度（T）之差的绝对值（| T-T |）为3℃以下; 过滤装置中的液体的过滤速度为0.5L / min / 并且过滤装置中的液体的过滤压力为0.1MPa以下。还提供：用于图案化通过上述方法制备的化学放大抗蚀剂膜的有机处理液; 图案形成方法; 电子设备的制造方法; 和电子设备。

10. 发明专利

JP2014048397A Pattern forming method, method of manufacturing electronic device using the same, and electronic device 有权
标题翻译：图案形成方法，使用其制造电子器件的方法和电子器件
公开(公告)号：JP2014048397A
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：JP2012190184
申请日：2012-08-30
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： YAMANAKA TSUKASA , IGUCHI NAOYA , UEHA RYOSUKE , YAMAMOTO KEI
IPC分类号： G03F7/40 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2022 , G03F7/0035 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/70466
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method in which an ultra fine line-and-space pattern (line-and-space pattern whose line width and space width are 40 nm or less, for example) can be easily formed, a method of manufacturing an electronic device, and an electronic device.SOLUTION: There is provided a pattern forming method which includes steps of, in this order: (a) forming a first film on a substrate by using active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition (I) containing resin whose polarity increases due to an action of acid and solubility to developer containing organic solvent decreases; (b) exposing the first film; (c) developing the exposed first film by using developer containing organic solvent and forming a first negative pattern; (e) forming a second film on the substrate by using active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition (II) containing resin whose polarity increases due to an action of acid and solubility to developer containing organic solvent decreases; (f) exposing the second film; and (g) developing the exposed second film by using developer containing organic solvent and forming a second negative pattern. There are also provided a method of manufacturing an electronic device, and an electronic device.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种图案形成方法，其中可以容易地形成超细线间距图案（线间距图案，其线宽和空间宽度为40nm以下）电子设备的制造方法和电子设备。解决方案：提供一种图案形成方法，其包括以下步骤：（a）通过使用主动射线敏感或辐射敏感的方式在衬底上形成第一膜含有树脂的树脂组合物（I）由于酸的作用而极性增加，对含有机溶剂的显影剂的溶解度降低; （b）曝光第一片; （c）通过使用含有机溶剂的显影剂并形成第一阴性图案来显影所述暴露的第一膜; （e）通过使用含有树脂的活性射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物（II）在基材上形成第二膜，所述树脂由于酸的作用而极性增加，并且对含有机溶剂的显影剂的溶解度降低; （f）使第二膜曝光; 和（g）通过使用含有有机溶剂的显影剂并形成第二阴性图案来显影所暴露的第二膜。还提供了一种制造电子设备的方法和电子设备。

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