专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2009092424A3 SURFACE PASSIVATION OF A SEMI-CONDUCTOR STRUCTURE AND CORRESPPONDING PRODUCTION METHOD 审中-公开
标题翻译：表面钝化半导体结构及相应方法
公开(公告)号：WO2009092424A3
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/EP2008010639
申请日：2008-12-15
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , UNIV ALBERT LUDWIGS FREIBURG , SCHULTZ OLIVER , BENICK JAN , HERMLE MARTIN
发明人： SCHULTZ OLIVER , BENICK JAN , HERMLE MARTIN
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L31/022425 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a semi-conductor structure, comprising an n metallization and a p metallization (7), and a semi-conductor substrate having an n-doped base region (1) and a p-doped emitter region (2) adjoining the same at least partially for configuring an emitter/base p-n junction, wherein the emitter region (2) extends at least partially approximately parallel to an emitter surface (2b) of the semi-conductor substrate, and the n metallization is connected to the base region (1), and the p metallization (7) is connected to the emitter region (2) in an electrically conductive manner. It is essential to the invention that the semi-conductor structure further comprises an n-doped passivation region (5), which is disposed at least partially between the emitter surface (2b) and the emitter region (2), wherein the passivation region (5) is neither connected to the n metallization nor to the p metallization (7) in an electrically conductive manner. The invention further relates to a method for the production of such a semi-conductor structure.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体结构，包括一个n金属化和p金属化（7），并用n掺杂基极区（1）一个半导体衬底和一个至少部分地邻接的p型掺杂的发射极区（2），用于形成发射器/ 基pn结，所述发射极区域（2）至少部分大致平行地延伸的发射器表面（2b）中的半导体基板和n金属化到基座部分（1）和p Metallisiefung（7）与所述发射极区域（2）被导电地连接。至关重要的是，该半导体结构进一步包括（5），其发射极表面（2b）和所述发射区2之间至少部分地被布置在n型掺杂的钝化区域，其中所述钝化区（5）任一所述n金属化或与对 - 金属化（7）被导电地连接。本发明还涉及一种制造这样的半导体结构的方法。

2. 发明申请

WO2009092426A3 SOLAR CELL AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SOLAR CELL 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制备方法的太阳能电池
公开(公告)号：WO2009092426A3
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/EP2008010713
申请日：2008-12-16
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , UNIV ALBERT LUDWIGS FREIBURG , SCHULTZ-WITTMANN OLIVER , GRANEK FILIP , HERMLE MARTIN , BENICK JAN
发明人： SCHULTZ-WITTMANN OLIVER , GRANEK FILIP , HERMLE MARTIN , BENICK JAN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0682 , H01L31/022441 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a solar cell having a front side for coupling electromagnetic radiation, and a rear side, comprising at least one base metallization (3) and at least one emitter metallization (6), and a semi-conductor structure, which has at least one base region (1) of a first doping type, and at least one emitter region (2) of a second doping type opposite the first doping type, for forming a p-n junction between the base and the emitter, wherein the base metallization (3) is connected to the base region (1) and the emitter metallization (6) is connected to the emitter region (2) in an electrically conductive manner. The base metallization (3) and the emitter metallization (6) are both disposed on a metallization side of the solar cell, which is either the front side or the rear side of the solar cell, and the emitter region (2) extends at least partially along the metallization side of the solar cell. It is essential to the invention that the emitter region (2) extends at least partially into the region of the metallization side covered by the base metallization (3), and that the semi-conductor structure further has an insulating region (4) of the first doping type, which extends along the metallization side of the solar cell at least partially between the base metallization (3) and the emitter region (2). The invention further relates to a method for the production of a solar cell.
摘要翻译：本发明涉及一种具有用于耦合的电磁辐射和后侧的前侧上的太阳能电池，包括至少一种碱金属化（3）和至少一个发射极金属（6）和包括半导体结构的至少一个第一掺杂类型的基部（1）和至少一个发射区（2 ）第二，相反于该第一掺杂类型的掺杂类型的，它包括基部和发射极之间的pn结的形成，所述基础金属化（3）（与该基极区域1）和发射极金属化（6）到发射极区域（2）导电地连接基础金属化（3）和发射极金属化（6）都位于所述太阳能电池的金属化，这是前部或太阳能电池的背面和发射极区（2）沿着所述太阳能电池的金属化侧上的至少部分地延伸。至关重要的是，在发射极区域（2）至少部分地延伸覆盖在基础金属化（3）的金属化的区域中，并且，除了所述半导体结构的隔离区（4）具有沿着所述太阳能电池的金属化侧上的至少部分地之间延伸的第一掺杂类型基础金属化（3）和发射极区（2）。本发明还涉及一种用于制造太阳能电池的方法。

3. 发明申请

WO2011032672A2 SOLAR CELL 审中-公开
标题翻译：太阳能电池
公开(公告)号：WO2011032672A2
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：PCT/EP2010005596
申请日：2010-09-13
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , UNIV ALBERT LUDWIGS FREIBURG , HERMLE MARTIN , HAUSER HUBERT , BERGER PAULINE , BLAESI BENEDIKT , PETERS MARIUS , GOLDSCHMIDT JAN CHRISTOPH
发明人： HERMLE MARTIN , HAUSER HUBERT , BERGER PAULINE , BLAESI BENEDIKT , PETERS MARIUS , GOLDSCHMIDT JAN CHRISTOPH
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/075
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0547 , H01L31/056 , H01L31/075 , Y02E10/52 , Y02E10/548
摘要： The invention relates to a solar cell, comprising a silicon layer which has a dopant of a first dopant type, a front designed for the coupling in of light, and a rear, the silicon layer being a doped base layer, at least one textured layer and a metal layer being arranged on the rear of the silicon layer, optionally on additional intermediate layers, and the textured layer comprising a rear texture in at least a section thereof which rear texture is designed as an optical diffraction structure. It is essential that at least one textured intermediate structure (3, 23, 33) is arranged between the textured layer (2, 22, 32) and the metal layer (4, 24, 34), the metal layer (4, 24, 34) being connected to the textured layer (2, 22, 32) and/or to the base layer (1, 21, 31) in an electrically conducting manner. The textured intermediate structure (3, 23, 33) is substantially transparent at least in the wavelength range of 800 nm to 1100 nm and has a refractive index n smaller than the refractive index of the textured layer in at least this wavelength range. The refractive index of all layers arranged between the base layer (1, 21, 31) and the textured intermediate layer (3, 23, 33) deviates by not more than 30% relative to the refractive index of silicon and the layer which is arranged directly on the rear of the base layer (1, 21, 31) is a passivation layer which passivates the surface with respect to the recombination of minority charge carriers.
摘要翻译：本发明涉及一种包括具有第一掺杂类型的掺杂，硅层的太阳能电池的训练用于将光耦合前部和后部，其中，所述硅层是分别是掺杂的基极层，至少一个纹理层和设置在所述硅层的背面侧的金属层，任选对另外的中间层和至少在背面网纹，其被形成为光学衍射结构的局部区域中的纹理层。至关重要的是，纹理层（2,22，32）和金属层（4,24，34），至少一个纹理中间结构（3，23，33）之间设置，其特征在于，所述金属层（4,24，34）（带有纹理层2 ，22，32）和/或与基础层（1，21，31）被导电地连接，至少所述中间结构（3，23，33）的在所述波长范围内的纹理800纳米至1100纳米，这是基本上透明的并且至少具有折射率n小于纹理层的折射率的波长区域中，所有的基极层（1，21，31）和纹理中间结构（3，23，33）之间的折射率比硅的折射率和布置层由30％的最大偏离这直接在基材层的背面（1，21，31）被布置成该层，相对于表面少数载流子的再结合的钝化钝化ist.ep105750

4. 发明申请

WO2008052767A8 SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE WITH IMPROVED REAR-SIDE ELECTRODES, AND PRODUCTION METHOD 审中-公开
标题翻译：具有改进的更换电极的太阳能电池和太阳能电池组件以及生产方法
公开(公告)号：WO2008052767A8
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/EP2007009461
申请日：2007-10-31
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , SCHULTZ OLIVER , GLUNZ STEFAN , HERMLE MARTIN
发明人： SCHULTZ OLIVER , GLUNZ STEFAN , HERMLE MARTIN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/05
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/0516 , Y02E10/50
摘要： The present invention relates to rear-side contact solar cells and solar cell modules produced therefrom which have a special electrode structure, and to a method for producing them. In this case, the electrodes via which the current of the rear-side contact cell is tapped off are isolated by an insulating layer from the finger contacts connected to the n-type and p-type semiconductor element of the solar cell. The method enables a significant simplification with respect to production methods described from the prior art, by spatially decoupling the structuring of the electrodes from the solar cell.
摘要翻译：本发明涉及背面接触太阳能电池和由其制成的太阳能电池组件，其具有特殊的电极结构及其制造方法。在这里，通过该背接触电池的电流被分接在电极上，从手指接触，这与太阳能电池的n型或p半导体元件在连接进行通信，通过绝缘层由绝缘层分隔开。该方法允许通过太阳能电池的电极的结构化的空间解耦来显着简化现有技术所描述的制造方法。

5. 发明申请

WO2008052767A3 SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE WITH IMPROVED REAR-SIDE ELECTRODES, AND PRODUCTION METHOD 审中-公开
公开(公告)号：WO2008052767A3
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/EP2007009461
申请日：2007-10-31
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , SCHULTZ OLIVER , GLUNZ STEFAN , HERMLE MARTIN
发明人： SCHULTZ OLIVER , GLUNZ STEFAN , HERMLE MARTIN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/05
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/0516 , Y02E10/50
摘要： The present invention relates to rear-side contact solar cells and solar cell modules produced therefrom which have a special electrode structure, and to a method for producing them. In this case, the electrodes via which the current of the rear-side contact cell is tapped off are isolated by an insulating layer from the finger contacts connected to the n-type and p-type semiconductor element of the solar cell. The method enables a significant simplification with respect to production methods described from the prior art, by spatially decoupling the structuring of the electrodes from the solar cell.

6. 发明专利

DE102009019940A1 Lumineszenzkollektor mit mindestens einer photonischen Struktur mit mindestens einem lumineszenten Material sowie diesen enthaltendes Solarzellenmodul 未知
公开(公告)号：DE102009019940A1
公开(公告)日：2010-11-11
申请号：DE102009019940
申请日：2009-05-05
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , UNIV ALBERT LUDWIGS FREIBURG
发明人： GOLDSCHMIDT JAN CHRISTOPH , PETERS MARIUS , HERMLE MARTIN , LOEPER PHILIPP , BLAESI BENEDIKT
IPC分类号： G02B6/00 , F21V8/00 , H01L31/055
摘要： Die Erfindung betrifft einen Lumineszenzkollektor mit mindestens einer photonischen Struktur und mindestens einem lumineszenten Material, der eine ein- oder zweidimensionale Führung der Lumineszenzstrahlung erlaubt. Ebenso betrifft die Erfindung ein Solarzellenmodul, das einen derartigen Lumineszenzkonzentrator sowie mindestens eine mit diesem gekoppelte Solarzelle aufweist.

7. 发明专利

DE102008044884A1 未知
公开(公告)号：DE102008044884A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：DE102008044884
申请日：2008-08-29
申请人： UNIV ALBERT LUDWIGS FREIBURG , FRAUNHOFER GES FORSCHUNG
发明人： KASEMANN MARTIN , HERMLE MARTIN , GRANEK FILIP
IPC分类号： G01N21/63

8. 发明专利

DE102008005396A1 未知
公开(公告)号：DE102008005396A1
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：DE102008005396
申请日：2008-01-21
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , UNIV ALBERT LUDWIGS FREIBURG
发明人： SCHULTZ-WITTMANN OLIVER , GRANEK FILIP , HERMLE MARTIN , BENICK JAN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18

9. 发明专利

DE102009042018A1 Solarzelle 未知
公开(公告)号：DE102009042018A1
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：DE102009042018
申请日：2009-09-21
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , UNIV ALBERT LUDWIGS FREIBURG
发明人： HERMLE MARTIN , HAUSER HUBERT , VOISIN PAULINE , BLAESI BENEDIKT , PETERS MARIUS , GOLSCHMIDT JAN CHRISTOPH
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/075
摘要： Die Erfindung betrifft eine Solarzelle, umfassend eine Siliziumschicht, welche eine Dotierung eines ersten Dotierungstyps aufweist, eine zur Lichteinkopplung ausgebildete Vorderseite und eine Rückseite, wobei die Siliziumschicht eine dotierte Basisschicht ist, an der Rückseite der Siliziumschicht zumindest eine Texturschicht und eine Metallschicht angeordnet sind, jeweils gegebenenfalls auf weiteren Zwischenschichten und die Texturschicht zumindest in einem Teilbereich eine Rückseitentextur aufweist, welche als optische Beugungsstruktur ausgebildet ist. Wesentlich ist, dass zwischen Texturschicht (2, 22, 32) und Metallschicht (4, 24, 34) zumindest eine Texturzwischenstruktur (3, 23, 33) angeordnet ist, wobei die Metallschicht (4, 24, 34) mit der Texturschicht (2, 22, 32) und/oder mit der Basisschicht (1, 21, 31) elektrisch leitend verbunden ist, dass die Texturzwischenstruktur (3, 23, 33) zumindest in dem Wellenlängenbereich 800 nm bis 1100 nm im Wesentlichen transparent ist und zumindest in diesem Wellenlängenbereich einen Brechungsindex n kleiner als der Brechungsindex der Texturschicht aufweist, dass der Brechungsindex aller zwischen der Basisschicht (1, 21, 31) und der Texturzwischenstruktur (3, 23, 33) angeordneten Schichten maximal um 30% gegenüber dem Brechungsindex von Silizium abweicht und dass diejenige Schicht, welche unmittelbar an der Rückseite der Basisschicht (1, 21, 31) angeordnet ist, eine die Oberfläche bezüglich der Rekombination von ...

10. 发明专利

DE102009029944A1 Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102009029944A1
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：DE102009029944
申请日：2009-06-19
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , UNIV ALBERT LUDWIGS FREIBURG
发明人： BLAESI BENEDIKT , PETERS MARIUS , GOLDSCHMIDT JAN CHRISTOPH , HERMLE MARTIN , HAUSER HUBERT , VOISIN PAULINE
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/18
摘要： Die Erfindung betrifft eine Solarzelle, umfassend ein Siliziumsubstrat (1), eine zur Lichteinkopplung ausgebildete Vorderseite (2) und eine Rückseite (3). Wesentlich ist, dass die Vorderseite zumindest in einem Teilbereich eine Vorderseitentextur aufweist, welche entlang einer Raumrichtung A periodisch ist mit einer Periodenlänge größer 1 µm und die Rückseite zumindest in einem Teilbereich eine Rückseitentextur aufweist, welche entlang einer Raumrichtung B periodisch ist mit einer Periodenlänge kleine 1 µm, wobei die Raumrichtung A in einem Winkel zwischen 80° und 100° zu der Raumrichtung B steht.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式