专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2009092426A3 SOLAR CELL AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SOLAR CELL 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制备方法的太阳能电池
公开(公告)号：WO2009092426A3
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/EP2008010713
申请日：2008-12-16
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , UNIV ALBERT LUDWIGS FREIBURG , SCHULTZ-WITTMANN OLIVER , GRANEK FILIP , HERMLE MARTIN , BENICK JAN
发明人： SCHULTZ-WITTMANN OLIVER , GRANEK FILIP , HERMLE MARTIN , BENICK JAN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0682 , H01L31/022441 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a solar cell having a front side for coupling electromagnetic radiation, and a rear side, comprising at least one base metallization (3) and at least one emitter metallization (6), and a semi-conductor structure, which has at least one base region (1) of a first doping type, and at least one emitter region (2) of a second doping type opposite the first doping type, for forming a p-n junction between the base and the emitter, wherein the base metallization (3) is connected to the base region (1) and the emitter metallization (6) is connected to the emitter region (2) in an electrically conductive manner. The base metallization (3) and the emitter metallization (6) are both disposed on a metallization side of the solar cell, which is either the front side or the rear side of the solar cell, and the emitter region (2) extends at least partially along the metallization side of the solar cell. It is essential to the invention that the emitter region (2) extends at least partially into the region of the metallization side covered by the base metallization (3), and that the semi-conductor structure further has an insulating region (4) of the first doping type, which extends along the metallization side of the solar cell at least partially between the base metallization (3) and the emitter region (2). The invention further relates to a method for the production of a solar cell.
摘要翻译：本发明涉及一种具有用于耦合的电磁辐射和后侧的前侧上的太阳能电池，包括至少一种碱金属化（3）和至少一个发射极金属（6）和包括半导体结构的至少一个第一掺杂类型的基部（1）和至少一个发射区（2 ）第二，相反于该第一掺杂类型的掺杂类型的，它包括基部和发射极之间的pn结的形成，所述基础金属化（3）（与该基极区域1）和发射极金属化（6）到发射极区域（2）导电地连接基础金属化（3）和发射极金属化（6）都位于所述太阳能电池的金属化，这是前部或太阳能电池的背面和发射极区（2）沿着所述太阳能电池的金属化侧上的至少部分地延伸。至关重要的是，在发射极区域（2）至少部分地延伸覆盖在基础金属化（3）的金属化的区域中，并且，除了所述半导体结构的隔离区（4）具有沿着所述太阳能电池的金属化侧上的至少部分地之间延伸的第一掺杂类型基础金属化（3）和发射极区（2）。本发明还涉及一种用于制造太阳能电池的方法。

2. 发明申请

WO2010081505A3 SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL FROM A SILICON SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其方法从硅衬底制造太阳能电池
公开(公告)号：WO2010081505A3
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：PCT/EP2009008605
申请日：2009-12-03
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , BIRO DANIEL , SCHULTZ-WITTMANN OLIVER , LEMKE ANKE , RENTSCH JOCHEN , CLEMENT FLORIAN , HOFMANN MARC , WOLF ANDREAS , GAUTERO LUCA , MACK SEBASTIAN , PREU RALF
发明人： BIRO DANIEL , SCHULTZ-WITTMANN OLIVER , LEMKE ANKE , RENTSCH JOCHEN , CLEMENT FLORIAN , HOFMANN MARC , WOLF ANDREAS , GAUTERO LUCA , MACK SEBASTIAN , PREU RALF
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L31/02245 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for producing a solar cell from a silicon wafer, comprising the following process steps: A) texturizing one side of the silicon substrate (1) for improving the absorption or removing saw damage on one side of the silicon substrate (1); B) generating an emitter area (2) on one side of the silicon substrate (1) by diffusing in a doping material for forming a pn transition; C) removing a glass layer which comprises the doping material; D) applying a masking layer (3) which is a dielectric layer; E) removing one part of the material of the silicon substrate (1); F) applying metal structures (5, 6) for electrically contacting the solar cell. It is significant that thermal oxidation is performed between the process steps E and F for forming an oxide layer (4) and that the masking layer (3) and the oxide layer (4) remain on the silicon substrate (1) in the subsequent process steps.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于从硅晶片制造太阳能电池，其步骤包括：在硅衬底的纹理一侧（1），以改善切割损伤的吸收或去除，以在硅衬底（1）的一侧，B形成发射极区域（2）上通过扩散掺杂剂来形成pn结的硅衬底（1）的一侧，C除去玻璃层，其中，所述玻璃层中含有的掺杂剂，D施加掩模层（3），其中，所述掩蔽层（3）是介电层，例如烧蚀硅衬底（1）的材料的一部分，F施加的金属化（5,6），用于所述太阳能电池的电接触。至关重要的是，E和F是在工艺步骤之间用于形成氧化物层（4），并且进行热氧化，在掩模层（3）和在所述硅衬底上的后续工艺步骤的氧化物层（4）（1）保持。

3. 发明申请

WO2009149841A2 SOLAR CELL AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：太阳能电池和方法及其
公开(公告)号：WO2009149841A2
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：PCT/EP2009003859
申请日：2009-05-29
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , BIRO DANIEL , CLEMENT FLORIAN , SCHULTZ-WITTMANN OLIVER
发明人： BIRO DANIEL , CLEMENT FLORIAN , SCHULTZ-WITTMANN OLIVER
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/0682 , H01L31/02245 , H01L31/0504 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a solar cell comprising a semiconductor substrate with a front face and a rear face running substantially parallel thereto, a front face metallisation, a rear face metallisation and at least three doped regions having at least two different conductivity types: a first doped region with a first conductivity type is located on the front face of the semiconductor substrate and extends substantially over the entire front face; a second doped region with the opposite conductivity type to that of the first conductivity type is located on the rear face and extends partially over said face; and a third doped region with the first conductivity type is located on the rear face and extends partially over said face. The front face metallisation is connected to the first doped region and the rear face metallisation is connected to the second doped region in an electrically conductive manner and the solar cell has an electrically conductive connection which connects the third doped region to the front face metallisation and/or the first doped region.
摘要翻译：本发明涉及包括具有前的半导体衬底的太阳能电池和基本上平行在向后，前侧和背面和至少三个杂质区域具有至少两个不同的导电类型，在所述半导体基板的前侧是第一的，基本上布置整个前延伸的第一导电类型的掺杂区，在所述半导体基板的背面上的第二，跨越掺杂的第二区域的背面部分地延伸，相对的布置在后侧的第一导电类型的导电类型是第三，跨越掺杂的背面部分地延伸设置在第一导电类型的，所述前侧与所述第一掺杂区域和所述背面侧与所述第二杂质区导电被连接和该太阳能电池包括第三掺杂区与所述前侧和/或第一杂质区导电性地连接的导电连接。

4. 发明专利

DE102008005398A1 未知
公开(公告)号：DE102008005398A1
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：DE102008005398
申请日：2008-01-21
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , UNIV ALBERT LUDWIGS FREIBURG
发明人： SCHULTZ-WITTMANN OLIVER , BENICK JAN , HERMLE MARTIN
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18

5. 发明专利

DE102008005396A1 未知
公开(公告)号：DE102008005396A1
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：DE102008005396
申请日：2008-01-21
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , UNIV ALBERT LUDWIGS FREIBURG
发明人： SCHULTZ-WITTMANN OLIVER , GRANEK FILIP , HERMLE MARTIN , BENICK JAN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18

6. 发明专利

HRP20190371T1 SOLARNA ĆELIJA I POSTUPAK NJEZINE PROIZVODNJE 未知
公开(公告)号：HRP20190371T1
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：HRP20190371
申请日：2019-02-26
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG
发明人： BIRO DANIEL , CLEMENT FLORIAN , SCHULTZ-WITTMANN OLIVER
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068

7. 发明专利

DE102009005168A1 Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aus einem Siliziumsubstrat 未知
公开(公告)号：DE102009005168A1
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：DE102009005168
申请日：2009-01-14
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG
发明人： BIRO DANIEL , SCHULTZ-WITTMANN OLIVER , LEMKE ANKE , RENTSCH JOCHEN , CLEMENT FLORIAN , HOFMANN MARC , WOLF ANDREAS , GAUTERO LUCA , MACK SEBASTIAN , PREU RALF
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit einer Vorder- und einer Rückseite aus einem Siliziumsubstrat (1), insbesondere einem Siliziumwafer, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Texturierung mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1) zur Verbesserung der Absorption bei Beaufschlagung der Solarzelle mit elektromagnetischer Strahlung und/oder Entfernen des Sägeschadens an mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1), B Erzeugen zumindest eines Emitterbereiches (2) zumindest an Teilbereichen zumindest einer Seite des Siliziumsubstrates (1) durch Eindiffundieren mindestens eines Dotierstoffes, zur Ausbildung mindestens eines pn-Überganges, C Entfernen einer Glasschicht auf mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1), wobei die Glasschicht den Dotierstoff enthält, D Aufbringen einer Maskierungsschicht (3) zumindest auf einem Teilbereich zumindest einer Seite des Siliziumsubstrates (1), wobei die Maskierungsschicht (3) eine dielektrische Schicht ist, E Abtragen zumindest eines Teils des Materials des Siliziumsubstrates (1) an mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1) und/oder Konditionieren mindestens einer Seite des Siliziumsubstrates (1), F Aufbringen von Metallisierungsstrukturen (5, 6) auf Vorderseite (1a) und/oder Rückseite (1b) des Siliziumsubstrates (1), zur elektrischen Kontaktierung der Solarzelle. Wesentlich ist, dass zwischen den Verfahrensschritten E und F in einem Verfahrensschritt E2 ...

8. 发明专利

DE102008027780A1 未知
公开(公告)号：DE102008027780A1
公开(公告)日：2009-12-24
申请号：DE102008027780
申请日：2008-06-11
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG
发明人： BIRO DANIEL , CLEMENT FLORIAN , SCHULTZ-WITTMANN OLIVER
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/068 , H01L31/18

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式