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1. 发明专利

DE202006018960U1 未知
公开(公告)号：DE202006018960U1
公开(公告)日：2008-01-31
申请号：DE202006018960
申请日：2006-12-15
申请人： GLASA STEFAN , GALLEY HOLGER , KOTHE THORSTEN , SCHULTZ OLIVER
IPC分类号： F21V25/00 , F21V15/01
摘要： The magazine like illumination device has a light emitting diode as light source (2), a power supply and a control element, which are tightly inserted or screwed in secure manner in a floating body (1) of a floating distress. A gas and water-tight housing of the illumination device is provided, which is hermetically sealed. The housing has a suitable outer profile for inserting or for sewing in the floating body.

2. 发明申请

WO2008095526A3 METHOD FOR APPLYING A STRUCTURE TO A SEMICONDUCTOR ELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于将结构施加到半导体部件的方法
公开(公告)号：WO2008095526A3
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：PCT/EP2007011251
申请日：2007-12-20
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , SCHULTZ OLIVER , GRANEK FILIP , GROHE ANDREAS
发明人： SCHULTZ OLIVER , GRANEK FILIP , GROHE ANDREAS
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L21/0272 , H01L21/7688 , Y02E10/50
摘要： The invention relates to a method for applying a predetermined structure of a structural material to a semiconductor element. Said method comprises the following steps: A) partially covering a surface of the semiconductor element with a masking layer, B) applying a film of a structural material to the masking layer and to the surface of the semiconductor element in the zones that are devoid of the masking layer and C) removing the masking layer together with the structural material present on the masking layer. The method according to the invention is characterized in that between process steps B and C the film of structural material is partially removed in a process step B2.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在半导体器件上施加的结构材料的预定图案的方法，包括步骤：a）部分地覆盖所述半导体器件的表面与掩模层，B）中的掩蔽层上，并在由所述掩蔽层的凹应用结构材料制成的膜半导体器件表面上的区域;以及C）用位于掩模层上的结构材料分离掩模层。在工艺步骤B2中的工艺步骤B和C之间，结构材料的膜部分地被去除是重要的。

3. 发明申请

WO2008034638A2 VERFAHREN ZUR METALLISIERUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN UND VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：方法金属化半导体元件和使用
公开(公告)号：WO2008034638A2
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：PCT/EP2007/008279
申请日：2007-09-24
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , GROHE, Andreas , NEKARDA, Jan-Frederik , SCHULTZ, Oliver
发明人： GROHE, Andreas , NEKARDA, Jan-Frederik , SCHULTZ, Oliver
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要： Vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Metallisierung von Halbleiterbauelementen, bei denen Aluminium eingesetzt wird. Besonders bei Produkten, bei denen die Prozesskosten eine große Rolle spielen, wie z.B. Solarzellen auf Siliziumbasis, kann mit der Erfindung ein Kostenvorteil erreicht werden. Weiterhin betrifft vorliegende Erfindung die Verwendung des Verfahrens, beispielsweise bei der Herstellung von Solarzellen.
摘要翻译：本发明涉及用于半导体元件的金属化，其中使用铝的方法。特别是在产品，该工艺成本发挥了重要作用，如基于硅的太阳能电池，具有成本优势可与本发明来实现。此外，本发明涉及使用该方法的，例如，在太阳能电池的制造。

4. 发明申请

WO2008034638A3 METHOD FOR METALLISING SEMICONDUCTOR ELEMENTS AND USE THEREOF 审中-公开
标题翻译：半导体元件的金属化方法及其应用
公开(公告)号：WO2008034638A3
公开(公告)日：2008-05-15
申请号：PCT/EP2007008279
申请日：2007-09-24
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , GROHE ANDREAS , NEKARDA JAN-FREDERIK , SCHULTZ OLIVER
发明人： GROHE ANDREAS , NEKARDA JAN-FREDERIK , SCHULTZ OLIVER
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要： The invention relates to a method for metallising semiconductor elements in which aluminium is used. A cost advantage can be achieved, in particularly, for products in which process costs play an important part, for example, solar cells made from silicon. The invention further relates to the use of said method, for example, for producing solar cells.
摘要翻译：本发明涉及一种使用铝来对半导体器件进行金属化的方法。特别是对于过程成本非常重要的产品，例如基于硅的太阳能电池，可以用本发明实现，具有成本优势。此外，本发明涉及该方法在例如太阳能电池生产中的用途。

5. 发明申请

WO2009092424A2 HALBLEITERSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：半导体结构及其制造方法的半导体结构
公开(公告)号：WO2009092424A2
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：PCT/EP2008/010639
申请日：2008-12-15
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITÄT FREIBURG , SCHULTZ, Oliver , BENICK, Jan , HERMLE, Martin
发明人： SCHULTZ, Oliver , BENICK, Jan , HERMLE, Martin
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L31/022425 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft eine Halbleiterstruktur, umfassend eine n-Metallisierung und eine p-Metallisierung (7) sowie ein Halbleitersubstrat mit einem n-dotierten Basisbereich und einem zumindest teilweise daran angrenzenden p-dotierten Emitterbereich (2), zur Ausbildung eines Emitter/Basis-pn-Übergangs, wobei der Emitterbereich (2) sich zumindest teilweise in etwa parallel zu einer Emitter- Oberfläche (2b) des Halbleitersubstrates erstreckt und die n-Metallisierung mit dem Basisbereich und die p-Metallisierung (7) mit dem Emitterbereich (2) elektrisch leitend verbunden ist. Wesentlich ist, dass die Halbleiterstruktur zusätzlich einen n-dotierten Passivierungsbereich (5) umfasst, welcher zumindest teilweise zwischen der Emitter-Oberfläche (2b) und dem Emitterbereich 2 angeordnet ist, wobei der Passivierungsbereich (5) weder mit der n-Metallisierung noch mit der p- Metallisierung (7) elektrisch leitend verbunden ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung solch einer Halbleiterstruktur.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体结构，包括一个n金属化和p金属化（7），并用n掺杂基极区的半导体衬底和至少部分邻接的p型掺杂的发射极区（2），用于形成发射极/基极的pn -Übergangs，所述发射极区域（2）至少部分大致平行地延伸的发射器表面（2b）中的半导体基板和n金属与基区和p金属化（7），其具有发射极区域（2）导电性连接。至关重要的是，该半导体结构进一步包括（5），其发射极表面（2b）和所述发射区2之间至少部分地被布置在n型掺杂的钝化区域，其中所述钝化区（5）任一所述n金属化或与对 - 金属化（7）被导电地连接。本发明还涉及一种制造这样的半导体结构的方法。

6. 发明申请

WO2008095526A2 VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN EINER STRUKTUR AUF EIN HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法应用结构的半导体元件
公开(公告)号：WO2008095526A2
公开(公告)日：2008-08-14
申请号：PCT/EP2007/011251
申请日：2007-12-20
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , SCHULTZ, Oliver , GRANEK, Filip , GROHE, Andreas
发明人： SCHULTZ, Oliver , GRANEK, Filip , GROHE, Andreas
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L21/0272 , H01L21/7688 , Y02E10/50
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen einer vorgegebenen Struktur aus einem Strukturmaterial auf ein Halbleiterbauelement, umfassend folgende Schritte: A) Teilweises Bedecken einer Oberfläche des Halbleiterbauelementes mit einer Maskierungsschicht, B) Aufbringen eines Films aus Strukturmaterial auf die Maskierungsschicht und in den von der Maskierungsschicht ausgesparten Bereichen auf die Oberfläche des Halbleiterbauelementes und C) Ablösen der Maskierungsschicht mit dem sich auf der Maskierungsschicht befindenden Strukturmaterial. Wesentlich dabei ist, dass zwischen den Verfahrensschritten B und C in einem Verfahrensschritt B2 der Film aus Strukturmaterial teilweise entfernt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在半导体器件上施加的结构材料的预定图案的方法，包括步骤：a）部分地覆盖所述半导体器件的表面与掩模层，B）中的掩蔽层上，并在由所述掩蔽层的凹应用结构材料制成的膜半导体器件的表面上，和C）与该掩蔽层以上的结构材料的掩蔽层的剥离上的区域。必要的是，该结构材料的膜的步骤B和C之间在处理步骤B2部分地去除。

7. 发明申请

WO2008052767A8 SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE WITH IMPROVED REAR-SIDE ELECTRODES, AND PRODUCTION METHOD 审中-公开
标题翻译：具有改进的更换电极的太阳能电池和太阳能电池组件以及生产方法
公开(公告)号：WO2008052767A8
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/EP2007009461
申请日：2007-10-31
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , SCHULTZ OLIVER , GLUNZ STEFAN , HERMLE MARTIN
发明人： SCHULTZ OLIVER , GLUNZ STEFAN , HERMLE MARTIN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/05
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/0516 , Y02E10/50
摘要： The present invention relates to rear-side contact solar cells and solar cell modules produced therefrom which have a special electrode structure, and to a method for producing them. In this case, the electrodes via which the current of the rear-side contact cell is tapped off are isolated by an insulating layer from the finger contacts connected to the n-type and p-type semiconductor element of the solar cell. The method enables a significant simplification with respect to production methods described from the prior art, by spatially decoupling the structuring of the electrodes from the solar cell.
摘要翻译：本发明涉及背面接触太阳能电池和由其制成的太阳能电池组件，其具有特殊的电极结构及其制造方法。在这里，通过该背接触电池的电流被分接在电极上，从手指接触，这与太阳能电池的n型或p半导体元件在连接进行通信，通过绝缘层由绝缘层分隔开。该方法允许通过太阳能电池的电极的结构化的空间解耦来显着简化现有技术所描述的制造方法。

8. 发明申请

WO2008052767A2 SOLARZELLE UND SOLARZELLENMODUL MIT VERBESSERTEN RÜCKSEITEN-ELEKTRODEN SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：太阳能电池和具有产生改进的背面电极和方法太阳能电池组件
公开(公告)号：WO2008052767A2
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：PCT/EP2007/009461
申请日：2007-10-31
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , SCHULTZ, Oliver
发明人： SCHULTZ, Oliver
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/05
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/0516 , Y02E10/50
摘要： Vorliegende Erfindung betrifft Rückseitenkontaktsolarzellen sowie daraus gefertigte Solarzellenmodule, die eine spezielle Elektrodenstruktur aufweisen sowie ein Verfahren zu deren Herstellung. Dabei sind die Elektroden, über die der Strom der Rückseitenkontaktzelle abgegriffen wird, durch eine isolierende Schicht von den Fingerkontakten, die mit dem n- bzw. p-Halbleiterelement der Solarzelle in Verbindung stehen, durch eine isolierende Schicht getrennt. Das Verfahren ermöglicht eine wesentliche Vereinfachung zur aus dem Stand der Technik beschriebenen Herstellungsmethoden durch räumliche Abkoppelung der Strukturierung der Elektroden von der Solarzelle.
摘要翻译：本发明涉及背接触太阳能电池和制造它们的太阳能电池模块，其具有特殊的电极结构和用于它们的制备方法。在这里，通过该背接触电池的电流被分接在电极上，从手指接触，这与太阳能电池的n型或p半导体元件在连接进行通信，通过绝缘层由绝缘层分隔开。该方法使得能够通过在太阳能电池的电极的结构的空间去耦所述现有技术的制造方法大大简化。

9. 发明申请

WO2009092424A3 SURFACE PASSIVATION OF A SEMI-CONDUCTOR STRUCTURE AND CORRESPPONDING PRODUCTION METHOD 审中-公开
标题翻译：表面钝化半导体结构及相应方法
公开(公告)号：WO2009092424A3
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/EP2008010639
申请日：2008-12-15
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , UNIV ALBERT LUDWIGS FREIBURG , SCHULTZ OLIVER , BENICK JAN , HERMLE MARTIN
发明人： SCHULTZ OLIVER , BENICK JAN , HERMLE MARTIN
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L31/022425 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a semi-conductor structure, comprising an n metallization and a p metallization (7), and a semi-conductor substrate having an n-doped base region (1) and a p-doped emitter region (2) adjoining the same at least partially for configuring an emitter/base p-n junction, wherein the emitter region (2) extends at least partially approximately parallel to an emitter surface (2b) of the semi-conductor substrate, and the n metallization is connected to the base region (1), and the p metallization (7) is connected to the emitter region (2) in an electrically conductive manner. It is essential to the invention that the semi-conductor structure further comprises an n-doped passivation region (5), which is disposed at least partially between the emitter surface (2b) and the emitter region (2), wherein the passivation region (5) is neither connected to the n metallization nor to the p metallization (7) in an electrically conductive manner. The invention further relates to a method for the production of such a semi-conductor structure.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体结构，包括一个n金属化和p金属化（7），并用n掺杂基极区（1）一个半导体衬底和一个至少部分地邻接的p型掺杂的发射极区（2），用于形成发射器/ 基pn结，所述发射极区域（2）至少部分大致平行地延伸的发射器表面（2b）中的半导体基板和n金属化到基座部分（1）和p Metallisiefung（7）与所述发射极区域（2）被导电地连接。至关重要的是，该半导体结构进一步包括（5），其发射极表面（2b）和所述发射区2之间至少部分地被布置在n型掺杂的钝化区域，其中所述钝化区（5）任一所述n金属化或与对 - 金属化（7）被导电地连接。本发明还涉及一种制造这样的半导体结构的方法。

10. 发明申请

WO2008052767A3 SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE WITH IMPROVED REAR-SIDE ELECTRODES, AND PRODUCTION METHOD 审中-公开
公开(公告)号：WO2008052767A3
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/EP2007009461
申请日：2007-10-31
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , SCHULTZ OLIVER , GLUNZ STEFAN , HERMLE MARTIN
发明人： SCHULTZ OLIVER , GLUNZ STEFAN , HERMLE MARTIN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/05
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/0516 , Y02E10/50
摘要： The present invention relates to rear-side contact solar cells and solar cell modules produced therefrom which have a special electrode structure, and to a method for producing them. In this case, the electrodes via which the current of the rear-side contact cell is tapped off are isolated by an insulating layer from the finger contacts connected to the n-type and p-type semiconductor element of the solar cell. The method enables a significant simplification with respect to production methods described from the prior art, by spatially decoupling the structuring of the electrodes from the solar cell.

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