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1. 发明专利

TWI401742B 等離子體蝕刻裝置有权
简体标题：等离子体蚀刻设备
公开(公告)号：TWI401742B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW099127239
申请日：2010-08-16
申请人： DMS有限公司 , DMS CO., LTD.
发明人：李東錫 , LEE, DONGSEOK , 蔡煥國 , CHAE, HWANKOOK , 文熙錫 , MOON, HEESEOK , 崔允珖 , CHOI, YUNKWANG
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32633 , H01J37/32834

2. 发明专利

TWI393210B 等離子反應器之靜電夾頭裝置失效
简体标题：等离子反应器之静电夹头设备
公开(公告)号：TWI393210B
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：TW098136264
申请日：2009-10-27
申请人： DMS有限公司 , DMS CO., LTD
发明人：李元默 , LEE, WEONMOOK , 蔡煥國 , CHAE, HWANKOOK , 朴根周 , PARK, KUNJOO , 高誠庸 , KO, SUNGYONG , 金珉植 , KIM, MINSHIK , 金起鉉 , KIM, KEEHYUN
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32623 , H01J37/32642

3. 发明专利

TWI441255B 等離子反應內室之側部氣體噴射器失效
简体标题：等离子反应内室之侧部气体喷射器
公开(公告)号：TWI441255B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：TW099132297
申请日：2010-09-24
申请人： DMS有限公司 , DMS CO., LTD.
发明人：金珉植 , KIM, MIN-SHIK , 高誠庸 , KO, SUNG-YONG , 蔡煥國 , CHAE, HWAN-KOOK , 朴根周 , PARK, KUN-JOO , 金起鉉 , KIM, KEE-HYUN , 李元默 , LEE, WEON-MOOK
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/3244

4. 发明专利

TWI386968B 一種等離子化學反應器有权
简体标题：一种等离子化学反应器
公开(公告)号：TWI386968B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW097144639
申请日：2008-11-19
申请人： DMS有限公司 , DMS CO., LTD
发明人：蔡煥國 , CHAE, HWANKOOK , 李東錫 , LEE, DONGSEOK , 文熙錫 , MOON, HEESEOK , 朴根周 , PARK, KUNJOO , 金起鉉 , KIM, KEEHYUN , 李元默 , LEE, WEONMOOK
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065 , C23F1/00
CPC分类号： C23C16/4583 , C23C16/505 , H01J37/32009 , H01J37/32082

5. 发明专利

TWI446441B 用於蝕刻輪廓控制的氣體注入系統有权
简体标题：用于蚀刻轮廓控制的气体注入系统
公开(公告)号：TWI446441B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW100105824
申请日：2011-02-22
申请人： DMS有限公司 , DMS CO., LTD.
发明人：徐聖述 , SEO, SEONGSUL , 高誠庸 , KO, SUNGYONG , 蔡允淑 , CHAE, YUNSOOK , 蔡煥國 , CHAE, HWANKOOK , 金起鉉 , KIM, KEEHYUN , 李元默 , LEE, WEONMOOK
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/3244 , H01J37/32449

6. 发明专利

TWI407505B 等離子化學反應器有权
简体标题：等离子化学反应器
公开(公告)号：TWI407505B
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW098114817
申请日：2009-05-05
申请人： DMS有限公司 , DMS CO., LTD
发明人：朴根周 , PARK, KUNJOO , 高誠庸 , KO, SUNGYONG , 蔡煥國 , CHAE, HWANKOOK , 金起鉉 , KIM, KEEHYUN , 李元默 , LEE, WEONMOOK
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32633 , H01J37/32623

7. 发明专利

TWI401743B 等離子反應器及使用其進行蝕刻的方法有权
简体标题：等离子反应器及使用其进行蚀刻的方法
公开(公告)号：TWI401743B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW099144683
申请日：2010-12-20
申请人： DMS有限公司 , DMS CO., LTD.
发明人：張赫真 , JANG, HYEOKJIN , 金珉植 , KIM, MINSHIK , 李洸旼 , LEE, KWANGMIN , 高誠庸 , KO, SUNGYONG , 蔡煥國 , CHAE, HWANKOOK , 朴根周 , PARK, KUNJOO , 金起鉉 , KIM, KEEHYUN , 李元默 , LEE, WEONMOOK
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/321 , H01J37/32266

8. 发明专利

TW201130041A 用於蝕刻輪廓控制的氣體注入系統 GAS INJECTION SYSTEM FOR ETCHING PROFILE CONTROL 审中-公开
简体标题：用于蚀刻轮廓控制的气体注入系统 GAS INJECTION SYSTEM FOR ETCHING PROFILE CONTROL
公开(公告)号：TW201130041A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW100105824
申请日：2011-02-22
申请人： DMS有限公司
发明人：徐聖述 , 高誠庸 , 蔡允淑 , 蔡煥國 , 金起鉉 , 李元默
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要：本發明涉及電漿蝕刻設備所具備的氣體注入系統，尤其是涉及一種用於蝕刻輪廓控制的氣體注入系統，包括從隔室上部供給反應氣體的上部氣體注入器和從隔室側面供給調節氣體的側部氣體注入器或從晶圓下側向上噴射調節氣體的背面氣體注入器，側部氣體注入器或背面氣體注入器以放射狀形成多個噴射口的同時，將噴射口鄰接於邊緣部而設置，使調節氣體能夠近距離噴射到晶圓的邊緣部，從而能容易地控制邊緣部的蝕刻率或CD(critical dimension)均勻度或輪廓，以提高晶圓整體的蝕刻均勻度，最小化不良率，還能顯著提高邊緣部的晶片良率。
简体摘要：本发明涉及等离子蚀刻设备所具备的气体注入系统，尤其是涉及一种用于蚀刻轮廓控制的气体注入系统，包括从隔室上部供给反应气体的上部气体注入器和从隔室侧面供给调节气体的侧部气体注入器或从晶圆下侧向上喷射调节气体的背面气体注入器，侧部气体注入器或背面气体注入器以放射状形成多个喷射口的同时，将喷射口邻接于边缘部而设置，使调节气体能够近距离喷射到晶圆的边缘部，从而能容易地控制边缘部的蚀刻率或CD(critical dimension)均匀度或轮廓，以提高晶圆整体的蚀刻均匀度，最小化不良率，还能显着提高边缘部的芯片良率。

9. 发明专利

TW200952070A 等離子化學反應器审中-公开
简体标题：等离子化学反应器
公开(公告)号：TW200952070A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW098114817
申请日：2009-05-05
申请人： DMS有限公司
发明人：朴根周 , 高誠庸 , 蔡煥國 , 金起鉉 , 李元默
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32633 , H01J37/32623
摘要：本發明提供了一種等離子化學反應器，該反應器包括一空腔、一陰極裝置及一擋板，該空腔提供了一等離子反應的空間，該陰極裝置包括一陰極支撐杆及一基托，該陰極支撐杆之一端與該空腔之一壁面連接，且該陰極支撐杆之另一端與一基托連接。該基托用於支撐基板，該擋板從外面插入該基托並與其連接，該擋板上間隔地設有複數穿過該擋板之穿孔用以排放反應氣體，該等穿孔是不均勻設置的，其中在該陰極支撐杆頂側處之一穿孔面積要大於遠離該陰極支撐杆一側處的另一穿孔面積。
简体摘要：本发明提供了一种等离子化学反应器，该反应器包括一空腔、一阴极设备及一挡板，该空腔提供了一等离子反应的空间，该阴极设备包括一阴极支撑杆及一基托，该阴极支撑杆之一端与该空腔之一壁面连接，且该阴极支撑杆之另一端与一基托连接。该基托用于支撑基板，该挡板从外面插入该基托并与其连接，该挡板上间隔地设有复数穿过该挡板之穿孔用以排放反应气体，该等穿孔是不均匀设置的，其中在该阴极支撑杆顶侧处之一穿孔面积要大于远离该阴极支撑杆一侧处的另一穿孔面积。

10. 发明专利

TW201128732A 設有雙層冷卻劑流管的靜電夾頭控溫裝置 APPARATUS FOR CONTROLLING TEMPERATURE OF ELECTROSTATIC CHUCK COMPRISING TWO-STAGE REFRIGERANT FLUID CHANNEL 审中-公开
简体标题：设有双层冷却剂流管的静电夹头控温设备 APPARATUS FOR CONTROLLING TEMPERATURE OF ELECTROSTATIC CHUCK COMPRISING TWO-STAGE REFRIGERANT FLUID CHANNEL
公开(公告)号：TW201128732A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099146530
申请日：2010-12-29
申请人： DMS有限公司
发明人：高誠庸 , 金珉植 , 李洸旼 , 蔡煥國 , 李東錫 , 金起鉉 , 李元默
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6831
摘要：本發明涉及一種靜電夾頭的溫控裝置。所述的裝置包括一個靜電夾頭，其包括一個第一流管和一個第二流管，這兩個流管是作為冷卻劑迴圈的一個流管部分，所述的第一流管是設置在靜電夾頭內部的外圓周區域中，而第二流管是設置在整個靜電夾頭的內部區域，和一個或多個將第一流管或第二流管中的冷卻劑控制為不同溫度的冷卻器。這兩個流管成上/下兩層地設置在靜電夾頭內，因此它可以分別控制晶片中心部分和邊緣部分的溫度。
简体摘要：本发明涉及一种静电夹头的温控设备。所述的设备包括一个静电夹头，其包括一个第一流管和一个第二流管，这两个流管是作为冷却剂循环的一个流管部分，所述的第一流管是设置在静电夹头内部的外圆周区域中，而第二流管是设置在整个静电夹头的内部区域，和一个或多个将第一流管或第二流管中的冷却剂控制为不同温度的冷却器。这两个流管成上/下两层地设置在静电夹头内，因此它可以分别控制芯片中心部分和边缘部分的温度。

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