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1. 发明专利

TWI401743B 等離子反應器及使用其進行蝕刻的方法有权
简体标题：等离子反应器及使用其进行蚀刻的方法
公开(公告)号：TWI401743B
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：TW099144683
申请日：2010-12-20
申请人： DMS有限公司 , DMS CO., LTD.
发明人：張赫真 , JANG, HYEOKJIN , 金珉植 , KIM, MINSHIK , 李洸旼 , LEE, KWANGMIN , 高誠庸 , KO, SUNGYONG , 蔡煥國 , CHAE, HWANKOOK , 朴根周 , PARK, KUNJOO , 金起鉉 , KIM, KEEHYUN , 李元默 , LEE, WEONMOOK
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/321 , H01J37/32266

2. 发明专利

TW201128732A 設有雙層冷卻劑流管的靜電夾頭控溫裝置 APPARATUS FOR CONTROLLING TEMPERATURE OF ELECTROSTATIC CHUCK COMPRISING TWO-STAGE REFRIGERANT FLUID CHANNEL 审中-公开
简体标题：设有双层冷却剂流管的静电夹头控温设备 APPARATUS FOR CONTROLLING TEMPERATURE OF ELECTROSTATIC CHUCK COMPRISING TWO-STAGE REFRIGERANT FLUID CHANNEL
公开(公告)号：TW201128732A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099146530
申请日：2010-12-29
申请人： DMS有限公司
发明人：高誠庸 , 金珉植 , 李洸旼 , 蔡煥國 , 李東錫 , 金起鉉 , 李元默
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6831
摘要：本發明涉及一種靜電夾頭的溫控裝置。所述的裝置包括一個靜電夾頭，其包括一個第一流管和一個第二流管，這兩個流管是作為冷卻劑迴圈的一個流管部分，所述的第一流管是設置在靜電夾頭內部的外圓周區域中，而第二流管是設置在整個靜電夾頭的內部區域，和一個或多個將第一流管或第二流管中的冷卻劑控制為不同溫度的冷卻器。這兩個流管成上/下兩層地設置在靜電夾頭內，因此它可以分別控制晶片中心部分和邊緣部分的溫度。
简体摘要：本发明涉及一种静电夹头的温控设备。所述的设备包括一个静电夹头，其包括一个第一流管和一个第二流管，这两个流管是作为冷却剂循环的一个流管部分，所述的第一流管是设置在静电夹头内部的外圆周区域中，而第二流管是设置在整个静电夹头的内部区域，和一个或多个将第一流管或第二流管中的冷却剂控制为不同温度的冷却器。这两个流管成上/下两层地设置在静电夹头内，因此它可以分别控制芯片中心部分和边缘部分的温度。

3. 发明专利

TW201108327A 蝕刻氣體的控制系統审中-公开
简体标题：蚀刻气体的控制系统
公开(公告)号：TW201108327A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099128219
申请日：2010-08-24
申请人： DMS有限公司
发明人：高誠庸 , 金珉植 , 李炳日 , 文熙錫 , 李洸旼 , 金起鉉 , 李元默
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G05D7/0641 , H01J37/32449
摘要：本發明涉及一種蝕刻氣體的控制系統,所述的控制系統包括一個品質流動控制單元,一個流率控制單元和一個調節氣體控制單元;所述的品質流動控制單元控制輸入到內室中的蝕刻氣體的品質流動;所述的流率控制單元將蝕刻氣體輸配給與品質流動控制單元相連、並安裝在內室中的一個頂部氣體注射器和一個側部氣體注射器;所述的調節氣體控制單元向品質流動控制單元和流率控制單元輸配並補充一種外加氣體和調節氣體,這些氣體能調節內室中等離子體的離子密度和分佈。
简体摘要：本发明涉及一种蚀刻气体的控制系统,所述的控制系统包括一个品质流动控制单元,一个流率控制单元和一个调节气体控制单元;所述的品质流动控制单元控制输入到内室中的蚀刻气体的品质流动;所述的流率控制单元将蚀刻气体输配给与品质流动控制单元相连、并安装在内室中的一个顶部气体注射器和一个侧部气体注射器;所述的调节气体控制单元向品质流动控制单元和流率控制单元输配并补充一种外加气体和调节气体,这些气体能调节内室中等离子体的离子密度和分布。

4. 发明专利

TW201133610A 等離子反應器及使用其進行蝕刻的方法 PLASMA REACTOR AND ETCHING METHOD USING THE SAME 审中-公开
简体标题：等离子反应器及使用其进行蚀刻的方法 PLASMA REACTOR AND ETCHING METHOD USING THE SAME
公开(公告)号：TW201133610A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099144683
申请日：2010-12-20
申请人： DMS有限公司
发明人：張赫真 , 金珉植 , 李洸旼 , 高誠庸 , 蔡煥國 , 朴根周 , 金起鉉 , 李元默
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/321 , H01J37/32266
摘要：本發明提供一種等離子反應器和利用其進行蝕刻的方法。該方法包括第一改變步驟來改變連接到RF電源供應裝置的多組電感線圈的數量和結構設置，一個應用RF電源和產生高密度等離子的應用步驟，第一蝕刻步驟蝕刻工件第一蝕刻目標層，第一停止步驟來停止RF電源的提供，第二改變步驟來改變多組電感線圈的數量或結構設置，一個向相應的電感線圈提供RF電源和產生低密度等離子的應用步驟，第二蝕刻步驟蝕刻工件第二蝕刻目標層，和第二停止步驟來停止RF電源的提供。
简体摘要：本发明提供一种等离子反应器和利用其进行蚀刻的方法。该方法包括第一改变步骤来改变连接到RF电源供应设备的多组电感线圈的数量和结构设置，一个应用RF电源和产生高密度等离子的应用步骤，第一蚀刻步骤蚀刻工件第一蚀刻目标层，第一停止步骤来停止RF电源的提供，第二改变步骤来改变多组电感线圈的数量或结构设置，一个向相应的电感线圈提供RF电源和产生低密度等离子的应用步骤，第二蚀刻步骤蚀刻工件第二蚀刻目标层，和第二停止步骤来停止RF电源的提供。

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