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1. 发明申请

WO2015075214A1 REFLEKTIVES OPTISCHES ELEMENT, SOWIE OPTISCHES SYSTEM EINER MIKROLITHOGRAPHISCHEN PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE 审中-公开
标题翻译：反射光学元件，以及微光刻投射曝光设备的光学系统
公开(公告)号：WO2015075214A1
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：PCT/EP2014/075356
申请日：2014-11-24
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , ENKISCH, Hartmut , PAUL, Hans-Jochen , SCHICKETANZ, Thomas , DIER, Oliver , WEBER, Jörn , GRASSE, Christian , WINTER, Ralf , STROBEL, Sebastian
发明人： ENKISCH, Hartmut , PAUL, Hans-Jochen , SCHICKETANZ, Thomas , DIER, Oliver , WEBER, Jörn , GRASSE, Christian , WINTER, Ralf , STROBEL, Sebastian
IPC分类号： G03F7/20 , G21K1/06
CPC分类号： G03F7/7015 , G02B5/0875 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G21K1/062
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein reflektives optisches Element sowie ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage. Ein reflektives optisches Element weist ein Substrat (52) und ein auf diesem Substrat angeordnetes Viellagensystem (51) auf, wobei das Viellagensystem (51) eine Mehrzahl von Teilstapeln aus jeweils einer ersten Lage (54) eines ersten Materials und wenigstens einer zweiten Lage (55) eines zweiten Materials aufweist, wobei sich das erste Material und das zweite Material im Wert des Realteils des Brechungsindex bei einer Arbeitswellenlänge des reflektiven optischen Elements (50) voneinander unterscheiden, wobei jeder dieser Teilstapel (53) eine Teilstapeldicke (D i ) und ein Lagendickenverhältnis (Γ i ) aufweist, wobei das Lagendickenverhältnis (Γ i ) als Quotient der Dicke der jeweiligen ersten Lage (54) und der Teilstapeldicke (D i ) definiert ist, wobei in einem ersten Abschnitt des Viellagensystems (51) für wenigstens eine der beiden Größen Teilstapeldicke (D i ) und Lagendickenverhältnis (Γ i ) die mittlere quadratische Abweichung vom jeweiligen Mittelwert um wenigstens 10% kleiner ist als in einem zweiten Abschnitt des Viellagensystems (51); und wobei das reflektive optische Element (50) eine Reflektivität (R) aufweist, deren Wellenlängenabhängigkeit in einem Wellenlängenintervall von Δλ = 0.5nm einen PV-Wert kleiner als 0.25 besitzt, wobei der PV-Wert definiert ist als PV = (R max_rel - R min_rel )/R max_abs , wobei R max_rel den maximalen Reflektivitätswert in diesem Wellenlängenintervall Δλ, R min_rel den minimalen Reflektivitätswert in diesem Wellenlängenintervall Δλ und R max_abs den absolut maximalen Reflektivitätswert bezeichnen.
摘要翻译：本发明涉及一种反射光学元件和微光刻投射曝光设备的光学系统。一种反射光学元件包括基底（52）和设置在阀所述衬底的多层系统（51），所述多层系统（51）包括多个亚电池堆的每个包括第一材料的第一层（54）和至少一个第二层（55 ）第二材料，其中所述第一材料和在所述反射光学元件的工作波长的折射率的实数部分的值的第二材料（50）彼此不同，每个所述子叠层（53）（一个局部堆叠厚度（DI）和一个层厚度比 γI），其中所述片材厚度之比（γI）被定义为相应的第一层（54）和部件层叠厚度（DI），的厚度的比率，其中在所述多层系统（51），用于所述两个尺寸部分堆叠厚度中的至少一个的第一部分（DI）和位置厚度比（γI），根均从各自的均方差的至少10％是小比在多层系统（51）的第二部分; 并且其中，所述反射光学元件（50）具有一个反射率（R），其波长依赖性在波长间隔Δλ= 0.5nm的PV值具有小于0.25，其中，所述PV值被定义为PV =（Rmax_rel - Rmin_rel） / Rmax_abs其中Rmax_rel在该波长间隔Δλ，Rmin_rel最大反射率表示在该波长间隔Δλ最小反射率和Rmax_abs绝对最大反射率。

2. 发明申请

WO2020151882A1 METHOD FOR MONITORING THE STATE OF AN OPTICAL MIRROR OF AN EUV PROJECTION EXPOSURE APPARATUS 审中-公开
公开(公告)号：WO2020151882A1
公开(公告)日：2020-07-30
申请号：PCT/EP2019/085573
申请日：2019-12-17
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： SCHMELZEISEN, Marcus , MERKEL, Wolfgang , KIEREY, Holger , WINTER, Ralf
IPC分类号： G03F7/20
摘要： The invention relates to a method for monitoring the state of a collector mirror (34) of an EUV projection exposure apparatus (1), the method comprising the detection of anomalies of the topography (33) of the collector mirror (34) by means of a laser scanner (40) with a light source (41) and a detector (43).

3. 发明申请

WO2018104109A1 VERFAHREN ZUM REPARIEREN VON REFLEKTIVEN OPTISCHEN ELEMENTEN FÜR DIE EUV-LITHOGRAPHIE 审中-公开
公开(公告)号：WO2018104109A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：PCT/EP2017/080645
申请日：2017-11-28
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： MEIER, Robert , KIEREY, Holger , JALICS, Christof , EVA, Eric , WINTER, Ralf , SCHMITTNER, Arno , KUZNETSOV, Alexey , SHKLOVER, Vitaliy , NOTTBOHM, Christoph , MERKEL, Wolfgang
IPC分类号： G21K1/06 , G03F7/20
摘要： Es wird ein kostengünstiges Verfahren zum Reparieren von reflektiven optischen Elementen für die EUV-Lithographie vorgeschlagen, die ein Subtrat (61) und eine Beschichtung (62) aufweisen, die bei einer Arbeitswellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 20 nm reflektiert und durch Wasserstoffblasenbildung beschädigt ist. Das Verfahren weist die Schritte Lokalisieren einer Schadstelle (63, 64, 65, 66) in der Beschichtung (62) und Abdecken der Schadstelle (63, 64, 65, 66) mit einem oder mehreren Materialien mit geringer Wasserstoffdurchlässigkeit auf, indem auf die Schadstelle ein Abdeckelement aufgebracht wird, wobei das Abdeckelement mit einer Oberflächenstruktur, einer konvexen oder konkaven Oberfläche oder einer Beschichtung entsprechend der Beschichtung des reflektiven optischen Elements oder einer Kombination davon ausgebildet wird. Das Verfahren ist besonders geeignet für Kollektorspiegel (70) für die EUV-Lithographie. Nach der Reparatur weisen sie Abdeckelemente (71, 72, 73) auf.

4. 发明申请

WO2021228756A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTISCHEN ELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2021228756A1
公开(公告)日：2021-11-18
申请号：PCT/EP2021/062304
申请日：2021-05-10
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： WINTER, Ralf , SHKLOVER, Vitaly
IPC分类号： G02B5/08 , G02B5/10 , G02B5/18 , G03F7/20
摘要： Ein optisches Element (11) hat eine optische Fläche (20) mit einer Beugungsstruktur (21). Die optische Fläche (20) ist derart gekrümmt, dass ein Abstands-Durchmesser-Verhältnis zwischen einem Abstand A zwischen einem tiefsten Punkt (T) und einem höchsten Punkt (H), und einem größten Durchmesser D größer ist als 1/10. Beim Herstellen des optischen Elements (11) wird zunächst ein optisches Rohelement bereitgestellt, das eine mit der Beugungsstruktur (21) zu versehende optische Roh-Fläche aufweist. Die optische Roh-Fläche wird dann mit einem Photoresist mithilfe eines isotropen Abscheideverfahren beschichtet und das Photoresist wird belichtet und dann entwickelt. Es resultiert ein Herstellungsverfahren für ein optisches Element mit einer eine Beugungsstruktur aufweisenden optischen Fläche, welches hohen Anforderungen an eine Strukturgenauigkeit bei der Erzeugung der Beugungsstruktur gerecht wird.

5. 发明申请

WO2018019645A1 REFLEKTIVES OPTISCHES ELEMENT FÜR DIE EUV-LITHOGRAPHIE 审中-公开
标题翻译：用于EUV光刻的反射光学元件
公开(公告)号：WO2018019645A1
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：PCT/EP2017/068061
申请日：2017-07-17
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： EHM, Dirk Heinrich , SHKLOVER, Vitaliy , AMENT, Irene , SCHMIDT, Stefan-Wolfgang , BECKER, Moritz , WIESNER, Stefan , URICH, Diana , MEIER, Robert , WINTER, Ralf , JALICS, Christof , KIEREY, Holger , EVA, Eric
IPC分类号： G03F7/20 , G21K1/06
摘要： Um ein Delaminieren einer reflektiven Beschichtung vom Substrat unter dem Einfluss von reaktivem Wasserstoff zu verhindern wird ein reflektives optisches Element (50) für die EUV-Lithographie, aufweisend ein Substrat (51) und eine reflektiven Beschichtung (54) zur Reflexion von Strahlung im Wellenlängenbereich von 5 nm bis 20 nm vorgeschlagen, bei dem zwischen der reflektiven Beschichtung (54) und dem Substrat (51) eine funktionale Schicht (60) angeordnet ist, durch die die Konzentration von Wasserstoff in Atom-% an der der reflektiven Beschichtung zugewandten Seite des Substrats um mindestens einen Faktor (2) reduziert wird.
摘要翻译：为了防止反应性涂层在活性氢的影响下从基板剥离，用于EUV光刻的反射光学元件（50）包括基板（51）和反射涂层（54），用于反射在5nm至20nm的波长范围内的辐射，其中在反射涂层（54）和衬底（51）之间布置功能层（60），通过该功能层至少有一个因素（2）降低了面向反射涂层的基板侧的原子％。

6. 发明申请

WO2015107116A1 EUV-SPIEGEL UND OPTISCHES SYSTEM MIT EUV-SPIEGEL 审中-公开
标题翻译： EUV镜子和带镜子的EUV光学系统
公开(公告)号：WO2015107116A1
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：PCT/EP2015/050687
申请日：2015-01-15
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： SCHICKETANZ, Thomas , DIER, Oliver , STROBEL, Sebastian , WINTER, Ralf
IPC分类号： G02B5/08 , G21K1/06
CPC分类号： G02B5/0891 , G02B5/0816 , G02B5/0875 , G21K1/062
摘要： Ein EUV-Spiegel umfasst ein Substrat (SUB) und eine auf dem Substrat aufgebrachte Mehrlagen-Schichtanordnung (ML), die für Strahlung einer Wellenlänge λ aus dem extremen Ultraviolettbereich (EUV) reflektierend wirkt und eine Vielzahl von Schichtpaaren mit abwechselnden Schichten aus einem hoch brechenden Schichtmaterial und einem niedrig brechenden Schichtmaterial umfasst, wobei das hoch brechende Schichtmaterial bei der Wellenlänge einen größeren Realteil des Brechungsindex aufweist als das niedrig brechende Schichtmaterial. Die Mehrlagen-Schichtanordnung weist eine für die Strahlung reflektierend wirkende erste Schichtgruppe (LG1) mit zehn oder mehr von ersten Schichtpaaren auf, wobei jedes erste Schichtpaar eine erste Schicht (H) aus einem hoch brechenden ersten Schichtmaterial mit einer ersten Schichtdicke, eine zweite Schicht (L) aus einemniedrig brechenden zweiten Schichtmaterial mit einer zweiten Schichtdicke sowie eine Periodendicke (P) aufweist, die der Summe der Schicht- dicken aller Schichten eines ersten Schichtpaares entspricht. Die Schichtdicken eines der Schichtmaterialien sind in Abhängigkeit von der Periodennummer durch eine einfach monotone erste Schichtdickenverlaufsfunktion definierbar, z.B. durch eine lineare, quadratische oder ex-ponentielle Schichtdickenverlaufsfunktion. Die Schichtdicken des anderen der Schichtmaterialien variieren in Abhängigkeit von der Periodennummer gemäß einer zweiten Schichtdickenverlaufsfunktion.
摘要翻译： EUV反射镜包括基底（SUB），并施加到用于从所述极紫外范围（EUV）的波长λ的辐射作用反射基板多层涂层组件（ML）的涂层，并用高折射率的交替层的多对层中的层材料和低折射率层包含材料，其特征在于，具有比所述低折射率层的材料的折射率的较大实部的波长的高折射率层的材料。该多层薄膜组件具有用于辐射第一层组（LG1）具有十个或更多个第一层对，构成的反射作用，其中每个第一对层中，第一层（H）的高折射第一层材料的具有第一厚度，第二层（具有第二层厚度，以及一个周期厚度（P）的第一层对对应的所有层的层厚度之和低折射第二层材料的L）。该层的材料的层厚度可以通过简单的单调第一层厚度分布函数在时间段数，例如依赖被定义由线性的，二次的，或者前ponentielle层厚度分布的功能。其他层的材料的层厚度取决于周期数按照第二层厚度分布的功能。

7. 发明申请

WO2022148742A1 VERFAHREN ZUM REINIGEN EINER OBERFLÄCHE EINES BAUTEILS FÜR EIN EUV-LITHOGRAPHIESYSTEM 审中-公开
公开(公告)号：WO2022148742A1
公开(公告)日：2022-07-14
申请号：PCT/EP2022/050063
申请日：2022-01-04
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： ASSFALG, Christian , BRAUN, Katharina , WINTER, Ralf , GRIEBEL, Jonathan , HEINE, Christian , BOEHME, Rene , DACHWALD, Oliver
IPC分类号： G03F7/20 , C23G5/036 , C23G1/24 , C23G1/00 , B08B7/00 , G01N21/94
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Reinigen einer Oberfläche (26) eines Bauteils (25) für ein EUV-Lithographiesystem, umfassend: Reinigen der Oberfläche (26) des Bauteils (25) zum Entfernen von Kontaminationen (27) von der Oberfläche (26) vor dem Integrieren des Bauteils (25) in das EUV-Lithographiesystem. Das Reinigen der Oberfläche (26) des Bauteils (25) umfasst: Analysieren der Oberfläche (26) des Bauteils (25) zum Erkennen von wasserstoffflüchtigen Kontaminationen (27) an der Oberfläche (26) des Bauteils (25), sowie Entfernen der wasserstoffflüchtigen Kontaminationen (27) von der Oberfläche (26) des Bauteils (25) in mindestens einem Reinigungsschritt.

8. 发明申请

WO2017186439A1 OPTISCHES ELEMENT UND OPTISCHE ANORDNUNG DAMIT 审中-公开
标题翻译：光学元件及其光学安装
公开(公告)号：WO2017186439A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/EP2017/057277
申请日：2017-03-28
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： GRASSE, Christian , DIER, Oliver , WEBER, Jörn , WINTER, Ralf
IPC分类号： G02B1/16 , G21K1/06 , G02B5/08 , G03F7/20
摘要： Die Erfindung betrifft ein optisches Element (14), insbesondere für die EUV-Lithographie, umfassend: ein Substrat (15), eine auf das Substrat (15) aufgebrachte reflektierende Beschichtung (16), sowie eine sich zwischen dem Substrat (15) und der reflektierenden Beschichtung (16) erstreckende elektrisch leitende Beschichtung (19), die mindestens eine erste, unter Zugspannung stehende Schicht (22a) und mindestens eine zweite, unter Druckspannung stehende Schicht (22b) aufweist. Die elektrisch leitende Beschichtung (19) weist mindestens einen Abschnitt (20) auf, der sich an dem Substrat (15) seitlich über die reflektierende Beschichtung (16) hinaus erstreckt. Die Erfindung betrifft auch eine optische Anordnung, insbesondere ein EUV-Lithographiesystem, mit mindestens einem solchen optischen Element (14).
摘要翻译：本发明涉及一种尤其用于EUV光刻的光学元件（14），包括：衬底（15），施加到衬底（15）的反射涂层（16），以及在基底（15）和反射涂层（16）之间延伸的导电涂层（19），其包括至少第一张紧层（22a）和至少第二压缩应力层（22b）。导电涂层（19）具有至少一个横向延伸超过衬底（15）上的反射涂层（16）的部分（20）。本发明还涉及一种光学装置，特别是EUV光刻系统，其具有至少一个这样的光学元件（14）

9. 发明申请

WO2016086983A1 OPTISCHE ANORDNUNG MIT EINEM WÄRMELEITENDEN BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：与热传导部件光学装置
公开(公告)号：WO2016086983A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/EP2014/076366
申请日：2014-12-03
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： KALLER, Julian , SORG, Franz , WINTER, Ralf , WEISSENRIEDER, Karl-Stefan
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70958 , G02B7/028 , G02B7/181 , G02B7/1815 , G03F7/70341 , G03F7/70891
摘要： Die Erfindung betrifft eine optische Anordnung, insbesondere Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, umfassend: ein für Strahlung bei einer Nutzwellenlänge transmissives oder reflektives optisches Element (1) mit einem optisch genutzten Bereich (4), sowie ein wärmeleitendes Bauelement (6), welches außerhalb des optisch genutzten Bereichs (4) des optischen Elements (1) angeordnet ist, wobei das wärmeleitende Bauelement (6) ein Material mit einer Wärmeleitfähigkeit von mehr als 500 W m -1 K -1 aufweist und/oder wobei für das Produkt aus der Dicke (D) des wärmeleitenden Bauelements (6) in Millimetern und der Wärmeleitfähigkeit (λ) des Materials des wärmeleitenden Bauelements (6) gilt: D λ > 1 W mm m -1 K -1 , bevorzugt D λ > 10 W mm m -1 K -1 , insbesondere D λ > 50 W mm m -1 K -1 . Die Erfindung betrifft auch eine optische Anordnung mit einer Einrichtung zur Positionierung eines lichtempfindlichen Substrats, wobei das wärmeleitende Bauelement (6) an der Einrichtung, insbesondere an einer Oberseite der Einrichtung, angebracht ist.
摘要翻译：本发明涉及一种光学装置，特别是投射曝光系统用于微光刻的，包括：用于辐射透射或反射在使用波长的光学元件（1）具有光学使用区域（4），和热传导部件（6），其光学地外的使用区域（4）的光学元件（1）布置，其中，所述导热部件（6）包括具有导热性的材料的大于500瓦M-1 K-1和/或其中，所述厚度的乘积（D ）的热传导装置的材料的导热部件（6）（在毫米且热导率λ）的（6）适用：Dλ> 1宽mm M-1 K-1和优选D-λ> 10宽mm米-1·K 如图1所示，特别是D-λ> 50瓦间1毫米K-1。本发明还涉及一种包括用于定位感光性基板装置的光学布置，所述导热部件（6）被附连到该装置，特别是在装置的上表面上。

10. 发明公开

EP3449291A1 OPTISCHES ELEMENT UND OPTISCHE ANORDNUNG DAMIT 有权
公开(公告)号：EP3449291A1
公开(公告)日：2019-03-06
申请号：EP17714188.4
申请日：2017-03-28
申请人： Carl Zeiss SMT GmbH
发明人： GRASSE, Christian , DIER, Oliver , WEBER, Jörn , WINTER, Ralf
IPC分类号： G02B1/16 , G21K1/06 , G02B5/08 , G03F7/20

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