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1. 发明申请

WO2011161122A1 PROCEDE DE TRANSFERT D'UNE COUCHE MINCE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN 审中-公开
标题翻译：用于传输单晶硅薄膜的方法
公开(公告)号：WO2011161122A1
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：PCT/EP2011/060380
申请日：2011-06-21
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , ARGOUD, Maxime , MORICEAU, Hubert , FRETIGNY, Christian
发明人： ARGOUD, Maxime , MORICEAU, Hubert , FRETIGNY, Christian
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： B32B38/0008 , C23C14/0005 , C23C14/48 , H01L21/76254 , Y02P20/582
摘要： Procédé de transfert d'une couche mince (3) de silicium monocristallin à partir d'un substrat donneur (1) qui est en silicium monocristallin, dans lequel : - des conditions d'implantation sont telles que l'épaisseur de la couche mince (3) est inférieure à 10 micromètres, et - l'épaisseur d'une couche de polymère (5) pour le collage de la couche mince sur un substrat récepteur est inférieure à un seuil critique défini en fonction de l'énergie et de la dose d'implantation, ce seuil critique étant inférieur ou égal à la plus petite des deux grandeurs suivantes : •500 nm, et •à l'épaisseur de la future couche mince.
摘要翻译：本发明涉及从由单晶硅制成的供体衬底（1）转移单晶硅薄膜（3）的方法，其中：注入条件使得薄膜（3）的厚度小于10μm; 并且用于将薄膜粘合到接收衬底的聚合物层（5）的厚度小于根据植入的能量和量定义的临界阈值，所述临界阈值小于或等于以下两种量：500nm; 和未来薄膜的厚度。

2. 发明申请

WO2020183090A1 PROCEDE D'ENROBAGE DE PUCES 审中-公开
公开(公告)号：WO2020183090A1
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：PCT/FR2020/050410
申请日：2020-03-02
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： SUHM, Aurélien , ARGOUD, Maxime
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/31 , H01L25/065 , H01L25/18
摘要： L'invention concerne un procédé d'enrobage de puces (110)reposant, par une face arrière opposée à une face avant, sur une face principale d'un substrat support (100), et séparées les unes des autres par un espace inter puce, le procédé comprend les étapes suivantes: a) une étape de formation d'un film d'enrobage photosensible en recouvrement des faces avant et des espaces inter puce, b) une première séquence photo lithographique qui comprend une sous- étape b1) d'insolation, et une sous-étape b2) de dissolution, ladite séquence conduisant à un retrait partiel du film d'enrobage photosensiblede manière à conserver ledit film exclusivement au niveau des espaces inter puceet, avantageusement en retrait par rapport aux faces avant.

3. 发明申请

WO2018073550A1 PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN GUIDE D'ASSEMBLAGE FONCTIONNALISÉ 审中-公开
标题翻译：形成功能化组装指南的方法
公开(公告)号：WO2018073550A1
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：PCT/FR2017/052890
申请日：2017-10-20
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： CLAVEAU, Guillaume , ARGOUD, Maxime , POSSEME, Nicolas , TIRON, Raluca
IPC分类号： G03F7/00
摘要： L'invention concerne un procédé de formation d'un guide d'assemblage fonctionnalisé (300) destiné à l'auto-assemblage d'un copolymère à blocs par grapho-épitaxie, comprenant les étapes suivantes : - former à la surface d'un substrat (200) une couche de neutralisation (210) en un premier matériau présentant une première affinité chimique neutre vis-à-vis du copolymère à blocs; - former sur la couche de neutralisation (210) un premier masque comprenant au moins un évidement; - déposer sur la couche de neutralisation (210) un deuxième matériau présentant une deuxième affinité chimique préférentielle pour l'un des blocs du copolymère, de façon à remplir ledit au moins un évidement du premier masque; et - graver le premier masque sélectivement par rapport aux premier et deuxième matériaux, d'où il résulte au moins un motif de guidage (320a-320b) formé du deuxième matériau disposé sur la couche de neutralisation (210).
摘要翻译：
本发明涉及一种方法形成一个功能化的组装指导＆oacute; （300）destiny＆oacute; ＆Agrave; 自组装一个copolym＆egrave;再＆agrave; 通过图形外延来阻挡，包括以下步骤： - 火车和汽车; 衬底（200）的表面具有第一材料的中和层（210），所述第一材料具有第一亲和力; 中性化学相对于共聚物＆ra; 块; 在中和层（210）上形成包括至少一个抽空的第一掩模; - 在中和层（210）上沉积具有第二亲和亲和力的第二材料。用于共聚物中的一个嵌段的预先化学化合物，因此很容易填充所述第一掩模的所述至少一个清空; 以及 - 相对于第一和第二材料从o到uve雕刻第一个掩模它导致形成至少一个引导图案（320a-320b）第二种材料是可用的。在中和层（210）上。

4. 发明申请

WO2013050683A1 PROCÉDÉ DE DOUBLE REPORT DE COUCHE 审中-公开
标题翻译：双层传输方法
公开(公告)号：WO2013050683A1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：PCT/FR2012/052100
申请日：2012-09-20
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： FOURNEL, Frank , ARGOUD, Maxime , DA FONSECA, Jérémy , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76259 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L29/0603 , H01L31/1892 , Y02E10/50
摘要： Procédé de transfert d'une couche (1) comprenant: a) fourniture d'une couche (1) solidaire d'un substrat initial avec une énergie de liaison EO; b) collage d'une face avant (8) de la couche (1) sur un substrat intermédiaire (5) selon une énergie de collage intermédiaire Ei; c) détachement du substrat initial de la couche (1) e) collage d'une face arrière sur un substrat final (11) selon une énergie de collage final Ef; et f) décollement du substrat intermédiaire (5) de la couche (1) pour transférer la couche (1) sur le substrat final (11); l'étape b) comprenant une étape de formation de liaisons siloxanes Si-O-Si, l'étape c) étant réalisée sous une première atmosphère anhydre et l'étape f) étant réalisée sous une deuxième atmosphère humide de sorte que l'énergie de collage intermédiaire Ei prend une première valeur Ei1 à l'étape c) et une deuxième valeur Ei2 à l'étape f), avec Ei1 > E0 et Ei2
摘要翻译：传送层（1）的方法，包括：a）提供与初始衬底成一体的层（1），其具有结合能量EO; b）根据中间结合能Ei将层（1）的前表面（8）粘合到中间基底（5）; c）从所述层（1）分离所述初始衬底; e）根据最终结合能Ef将背面粘合到最终衬底（11）; 以及f）从所述层（1）分离所述中间基板（5）以将所述层（1）转移到所述最终基板（11）; 步骤b）包括形成Si-O-Si硅氧烷键的步骤，步骤c）在第一无水气氛中进行，步骤f）在第二湿度气氛中进行，使得中间结合能E i取步骤c）中的第一值Ei1和步骤f）中的第二值Ei2，其中Ei1> E0和Ei2

5. 发明公开

EP3038160A1 TRANSISTOR COMPRENANT UN CANAL MIS SOUS CONTRAINTE EN CISAILLEMENT ET PROCEDE DE FABRICATION 有权
标题翻译：晶体管具有一通道包括那个拉伸剪切暂停，及其制造方法
公开(公告)号：EP3038160A1
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：EP15199594.1
申请日：2015-12-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： AUGENDRE, Emmanuel , ARGOUD, Maxime , MAITREJEAN, Sylvain , MORIN, Pierre , TIRON, Raluca
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/786
摘要： L'invention a pour objet un transistor à effet de champ comportant une zone active présentant un source, un canal, un drain, et une grille de commande positionnée au niveau dudit canal permettant la circulation d'un courant dans ledit canal entre la source et le drain selon un axe x, ledit canal comprenant :
- un premier bord de séparation avec ladite source ;
- un second bord de séparation avec ledit drain ;
- ledit canal étant contraint en tension ou en compression,
caractérisé en ce que ledit canal comporte une perforation ou un ensemble de perforations localisée(s) le long au moins dudit premier et/ou dudit second bord dudit canal de manière à créer également au moins une contrainte de cisaillement au niveau dudit canal.
L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication dudit transistor.
摘要翻译：一种场效应晶体管，包括在有源区包括源极，沟道，漏极和控制栅极，在所有的位于水平与通道，从而允许电流流过源极和漏极之间的沟道沿着x轴流动，信道包括：与所述源分离的第一边缘; 和与漏极分离的第二边缘; 所述通道被压缩或拉伸应变，worin所述通道包括局部穿孔或至少沿所述通道的所述第一和/或第二边缘，以由此创建在通道的至少一个剪切应变的一组局部穿孔。提供了一种用于制造该晶体管的过程。

6. 发明申请

WO2012028518A1 PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN FILM, PAR EXEMPLE MONOCRISTALLIN, SUR UN SUPPORT EN POLYMÈRE 审中-公开
标题翻译：用于生产膜的方法，例如聚合物基材上的单晶膜
公开(公告)号：WO2012028518A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011/064587
申请日：2011-08-24
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , MORICEAU, Hubert , ARGOUD, Maxime , MORALES, Christophe , ZUSSY, Marc
发明人： MORICEAU, Hubert , ARGOUD, Maxime , MORALES, Christophe , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/2007 , H01L21/68 , H01L21/6835 , H01L21/762 , H01L21/76224
摘要： Pour obtenir un film en un premier matériau sur un support en polymère : on colle une première plaque sur une seconde plaque (2), l'une au moins de ces plaques comportant au moins une couche du premier matériau située à proximité de l'interface, on creuse dans la première plaque au moins une cavité (4) dont le fond (5), parallèle à l'interface entre les première et seconde plaques, définit dans la première plaque une zone de fond, on forme une couche de polymère (8) dans cette cavité sur une épaisseur contrôlée à partir de son fond, on élimine la seconde plaque sur au moins la majeure partie de son épaisseur, en sorte de libérer, sous la couche de polymère, un film comportant ladite couche du premier matériau.
摘要翻译：为了获得在聚合物基板上由第一材料制成的薄膜：第一薄片粘合到第二薄片（2）上，这些薄片中的至少一个具有至少一层第一材料位于界面附近; 在第一片材中切割出至少一个空腔（4），所述腔体的底部（5）平行于第一和第二片材之间的界面限定了第一片材中的底部区域; 在该空腔中从其底部开始以受控的厚度形成聚合物层（8）在其至少大部分厚度上除去第二片，以便在聚合物层下方释放包含第一材料层的膜。

7. 发明公开

EP2586055A1 PROCEDE DE TRANSFERT D'UNE COUCHE MINCE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR A的传输硅薄
公开(公告)号：EP2586055A1
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：EP11727692.3
申请日：2011-06-21
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , Centre National de la Recherche Scientifique
发明人： ARGOUD, Maxime , MORICEAU, Hubert , FRETIGNY, Christian
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： B32B38/0008 , C23C14/0005 , C23C14/48 , H01L21/76254 , Y02P20/582
摘要： The invention relates to a method for transferring a single-crystal silicon thin film (3) from a donor substrate (1) made of single-crystal silicon, in which: the implantation conditions are such that the thickness of the thin film (3) is less than 10 μm; and the thickness of a polymer layer (5) for gluing the thin film to a receiving substrate is less than a critical threshold defined in accordance with the energy and amount of the implantation, said critical threshold being less than or equal to the smallest of the following two quantities: 500 nm; and the thickness of the future thin film.

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