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1. 发明申请

WO2020089548A1 DISPOSITIF DE FABRICATION ADDITIVE PRESENTANT UNE ZONE FONDUE STABILISÉE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020089548A1
公开(公告)日：2020-05-07
申请号：PCT/FR2019/052543
申请日：2019-10-24
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： GARANDET, Jean-Paul , PENOT, Jean-Daniel
IPC分类号： B22F3/105 , B33Y30/00 , B33Y50/02 , B23K26/342
摘要： Dispositif de fabrication additive d'au moins une pièce (P) comportant : -un plateau de fabrication comportant une zone de fabrication de la pièce (P), -des moyens de fourniture (104) du matériau pour fabriquer la pièce, -une source d'énergie (106) générant un faisceau d'énergie pour fondre le matériau et former une zone fondue (ZF) à un emplacement donné de la zone de fabrication du plateau de fabrication (102), -des moyens de génération d'un champ magnétique indépendant du temps (108) dans la zone fondue, dont l'intensité soit telle que le nombre de Hartmann basé sur la valeur maximale du champ magnétique à la surface de la zone fondue et la profondeur maximale de ladite zone fondue est supérieur à 5, lesdits moyens de génération d'un champ magnétique indépendant du temps étant disposés d'un seul côté par rapport à la pièce (P).

2. 发明申请

WO2014136082A1 PLAQUETTE DE SILICIUM MONOLITHIQUE PRESENTANT UNE ALTERNANCE DE ZONES DOPEES N ET DE ZONES DOPEES P 审中-公开
标题翻译：具有交替的N区和P区的单晶硅波
公开(公告)号：WO2014136082A1
公开(公告)日：2014-09-12
申请号：PCT/IB2014/059497
申请日：2014-03-06
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： GARANDET, Jean-Paul , DUBOIS, Sébastien , ENJALBERT, Nicolas , VEIRMAN, Jordi , VESCHETTI, Yannick
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L21/761 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L27/142 , H01L31/0687
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L21/761 , H01L31/03529 , H01L31/047 , H01L31/068 , H01L31/0687 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： La présente invention concerne une plaquette (10) de silicium monolithique, présentant, dans au moins un plan vertical de coupe, une alternance de zones (110) dopées n et de zones (120) dopées p, chacune des zones s'étendant sur toute l'épaisseur (e) de la plaquette, caractérisée en ce que : - lesdites zones dopées n (110) et dopées p (120) présentent chacune, dans le plan de coupe, une largeur (L 1 , L 2 ) d'au moins 1 mm; - les zones dopées n (110) présentent une concentration en donneurs thermiques à base d'oxygène distincte de celle des zones dopées p (120); et - lesdites zones dopées n (110) et lesdites zones dopées p (120) sont séparées entre elles par des zones d'isolation électrique (130). Elle concerne encore des procédés de fabrication d'une telle plaquette.
摘要翻译：本发明涉及在至少一个垂直切割平面中具有交替的n掺杂区域（110）和p掺杂区域（120）的单片硅晶片（10），每个区域在整个厚度（e）上延伸，的特征在于：所述n掺杂区域（110）和p掺杂区域（120）在切割平面中各自具有至少1mm的宽度（L1，L2）; - n掺杂区域（110）具有不同于p掺杂区域（120）的氧供体的浓度。并且 - 所述n掺杂区域（110）和所述p掺杂区域通过电绝缘区域（130）彼此分离。它还涉及生产这种晶片的方法。

3. 发明申请

WO2013175411A1 PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE DE SILICIUM EPITAXIEE 审中-公开
标题翻译：形成硅橡胶层的方法
公开(公告)号：WO2013175411A1
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：PCT/IB2013/054231
申请日：2013-05-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： GARANDET, Jean-Paul , PIHAN, Etienne
IPC分类号： C30B29/06 , C30B19/12 , C30B25/20 , C30B25/18
CPC分类号： H01L21/02636 , C30B19/12 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/06 , H01L21/02439 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/02634 , H01L21/02639 , H01L21/30604 , H01L21/3065
摘要： La présente invention concerne un procédé de formation d'une couche de silicium épitaxiée formée de cristallites de taille supérieure ou égale à 20 µm, comprenant au moins les étapes consistant à : (1) disposer d'une couche de silicium cristallisé dont la surface, inhomogène en termes de taille de cristallites, est formée de gros cristallites de taille supérieure ou égale à 20 µm, et de petits cristallites de taille inférieure; (2) constituer, à la surface de ladite couche de silicium inhomogène, une couche d'au moins un matériau non nucléant pour le silicium et dont l'épaisseur est ajustée pour recouvrir l'intégralité de la surface externe desdits petits cristallites tout en laissant accessible tout ou partie de la surface externe desdits gros cristallites; et (3) réaliser la croissance épitaxiale d'une couche de silicium à la surface de l'ensemble obtenu à l'issue de l'étape (2), dans des conditions propices à la formation de ladite couche épitaxiée attendue.
摘要翻译：本发明涉及一种制造尺寸不小于20μm的微晶构成的中空硅层的方法，至少包括以下步骤：（1）提供一层结晶硅，其表面为不均匀的在微晶尺寸方面，由尺寸不小于20μm的大晶粒和较小尺寸的小晶体构成; （2）在所述不均匀硅层的表面上形成用于硅的至少一种非成核材料的层，其厚度被调节以覆盖所述小晶体的整个外表面，同时留下所有的或所述大晶体的外表面的一部分可接近; 和（3）在适于形成所述预期的中空层的条件下，在步骤（2）结束时获得的组件的表面上进行硅层的外延生长。

4. 发明申请

WO2016102990A1 PASSIVATION OF METALLIC IMPURITIES IN A SINGLE CRYSTALLINE REGION BY HYDROGENATION 审中-公开
标题翻译：通过加氢处理单晶区域金属污染问题
公开(公告)号：WO2016102990A1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：PCT/IB2014/003118
申请日：2014-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： DUBOIS, Sébastien , ENJALBERT, Nicolas , GARANDET, Jean-Paul , MARTEL, Benoît , TURMAGAMBETOV, Tleuzhan , VEIRMAN, Jordi
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Substrate comprising at least a single-crystalline silicon region having a thickness between two opposite faces, characterized in that said region has, in a vertical cross-section plan, a hydrogen rich zone which extends from at least a surface of one of the two opposite faces, in the vertical direction over at least 50 % of the thickness of said single crystalline region, and in which the average dislocation density is greater than or equal to 10 3 cm -2 , and characterized in that a part of the surface of one of the two opposite faces of the said region facing to the hydrogen rich zone comprises strain high areas separated by a strain low area, the distance between two successive strain high areas being comprised between 5 μm and 50% of said thickness of said single crystalline silicon region.
摘要翻译：至少包括在两个相对面之间具有厚度的单晶硅区的衬底，其特征在于，所述区域在垂直截面图中具有富氢区，该富氢区从两个相对面之一的至少一个表面延伸在所述单晶区域的厚度的至少50％上在垂直方向上的平面位错密度大于或等于103cm -2，其特征在于，其中一个表面的一部分面对富氢区的所述区域的两个相对面包括通过应变低区域分开的应变高区域，两个连续应变高区域之间的距离在所述单晶硅区域的所述厚度的5％和50％之间。

5. 发明申请

WO2015036974A1 SUBSTRAT À REVÊTEMENT PEU PERMÉABLE POUR SOLIDIFICATION DE SILICIUM 审中-公开
标题翻译：具有低渗透性涂层的基体用于硅的固化
公开(公告)号：WO2015036974A1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：PCT/IB2014/064472
申请日：2014-09-12
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： GARANDET, Jean-Paul , CAMEL, Denis , DREVET, Béatrice , EUSTATHOPOULOS, Nicolas , HUGUET, Charles , TESTARD, Johann , VOYTOVYCH, Rayisa
IPC分类号： C04B41/87 , C04B41/89 , C30B11/00 , C30B15/10
CPC分类号： C30B11/002 , C01B33/021 , C04B41/009 , C04B41/5035 , C04B41/52 , C04B41/87 , C04B41/89 , C04B2111/00879 , C09D1/00 , C30B29/06 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/522 , C04B41/4519 , C04B41/4539 , C04B41/455 , C04B41/457 , C04B41/5059 , C04B41/5066 , C04B41/5096 , C04B41/522 , C04B41/4582
摘要： La présente invention concerne un substrat caractérisé en ce qu'il est revêtu au moins partiellement en surface, d'un revêtement contenant au moins une couche dite « barrière » comprenant de la silice et un ou plusieurs matériau(x) X choisi(s) parmi SiC, Si, Si 3 N 4 , couche dans laquelle la quantité massique de X varie de 25% à 50% par rapport à la masse totale de la couche barrière, ladite couche barrière étant formée de grains d'un ou plusieurs matériaux X recouverts au moins partiellement par une enveloppe de silice, la couche barrière étant disposée en contact direct avec le substrat.
摘要翻译：本发明涉及一种基材，其特征在于，其至少部分地被表面涂覆有包含至少一个所谓的“阻挡”层的涂层，其包含二氧化硅和一种或多种选自SiC，Si，Si 3 N 4 ，其中X的量相对于阻挡层的总重量在25重量％和50.重量％之间变化，所述阻挡层由至少部分覆盖的一种或多种材料X的颗粒形成在二氧化硅壳中，并且所述阻挡层与基底直接接触。

6. 发明申请

WO2014045252A1 PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE DE SILICIUM EPITAXIEE 审中-公开
标题翻译：形成外延硅层的方法
公开(公告)号：WO2014045252A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/IB2013/058770
申请日：2013-09-23
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： BENMANSOUR, Malek , GARANDET, Jean-Paul , MORVAN, Daniel
IPC分类号： C30B23/02 , C30B23/06 , C30B25/10 , C30B25/18 , C30B25/20 , C30B28/14 , C30B29/06 , C23C16/24 , C23C16/513 , H01L21/205 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC分类号： C30B25/105 , C23C16/24 , C23C16/513 , C30B25/16 , C30B25/18 , C30B25/20 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L31/1804 , H05H1/30 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： La présente invention concerne un procédé pour former, par croissance épitaxiale en phase vapeur, en surface d'au moins un substrat de silicium (1), une couche (2) de silicium cristallisé présentant une taille de cristallites supérieure ou égale à 100 µm, comprenant au moins les étapes consistant en: (i) disposer d'un substrat de silicium (1) présentant une taille de grains supérieure ou égale à 100 µm et comprenant une teneur en impuretés métalliques allant de 0 ppb à 1 ppm en poids; et (ii) former ladite couche (2) de silicium en surface dudit substrat porté à une température comprise entre 1000 et 1300 °C, par décomposition d'au moins un précurseur de silicium à l'aide d'une torche à plasma inductif (4), la surface (11) dudit substrat destinée à supporter la couche (2) de silicium étant positionnée en étape (ii) à proximité de la sortie de la torche à plasma.
摘要翻译：本发明涉及通过在气相中外延生长在至少一个硅衬底（1）的表面上形成微晶尺寸高于或等于100μm的结晶硅层（2）的方法，至少包括以下步骤：（i）提供具有高于或等于100μm的粒度并包含0ppb至1ppm重量的金属杂质含量的硅衬底（1）; 所述表面（11）通过感应等离子体焰炬（4）分解至少一个硅前体，并且（ii）通过利用感应等离子体焰炬（4）分解至少一个硅前体，在所述衬底的表面上形成加热到1000至1300℃之间的所述硅层，用于支撑硅层（2）在步骤（ii）中靠近等离子体焰炬的出口定位。

7. 发明申请

WO2013178761A1 PROCÉDÉ ET SYSTÈME D'OBTENTION D'UNE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE 审中-公开
标题翻译：用于获得半导体波形的方法和系统
公开(公告)号：WO2013178761A1
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：PCT/EP2013/061202
申请日：2013-05-30
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： MORICEAU, Hubert , GARANDET, Jean-Paul , PENOT, Jean-Daniel
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： La présente invention a notamment pour objet un procédé d'obtention d'une tranche semi-conductrice autoporteuse (500) à partir d'un substrat donneur (100) fait d'un premier matériau semi-conducteur et comprenant dans son épaisseur une zone de fragilisation (210), le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend : - le dépôt d'une couche intermédiaire (300) d'un deuxième matériau semi-conducteur sur une face (101 ) du substrat donneur (100); - l'apport d'un troisième matériau semi-conducteur (400) en fusion sur la couche intermédiaire (300) pour former une couche additionnelle; - la séparation (51 0) du substrat donneur (100) au niveau de la zone de fragilisation (210) pour former une tranche autoporteuse (500) comprenant une portion (110) du substrat donneur (100), la couche intermédiaire (300) et la couche additionnelle.
摘要翻译：本发明特别涉及一种从第一半导体材料制成的供体基板（100）获得自支撑半导体晶片（500）的方法，其特征在于，其厚度相同的断开带（210）），其特征在于它包括： - 在施主衬底（100）的表面（101）上沉积第二半导体材料的中间层（300）; - 通过熔化在所述中间层（300）上施加第三半导体材料（400）以形成附加层; 在所述断开区（210）处分离（510）所述施主衬底（100）以形成包括所述施主衬底（100）的一部分（110）的自支撑晶片（500），所述中间层（300）和附加层。

8. 发明申请

WO2013105060A1 PROCÉDÉ DE PURIFICATION DU SILICIUM 审中-公开
标题翻译：纯化硅的方法
公开(公告)号：WO2013105060A1
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：PCT/IB2013/050275
申请日：2013-01-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： GARANDET, Jean-Paul , ALBARIC, Mickaël , AUDOIN, Claire , CHAVRIER, Denis , PIHAN, Etienne
IPC分类号： C01B33/037 , C30B11/00
CPC分类号： C01B33/037 , C30B11/007 , C30B29/06
摘要： La présente invention concerne un procédé de purification du silicium comportant au moins les étapes consistant à: c)disposer d'un récipient (1) comportant du silicium (10) à l'état fondu, le récipient (1) présentant un axe (X) longitudinal et le silicium (10) à l'état fondu définissant du côté opposé au fond (4) du récipient (1) une surface libre (11), d)imposer au silicium (10) à l'état fondu des conditions propices à sa solidification, la vitesse moyenne temporelle sur la durée de l'étape b)de propagation du front (13) de solidification du silicium, mesurée le long de l'axe (X) longitudinal du récipient (1), étant supérieure ou égale à 5 µm/s, de préférence à 10 µm/s, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'au moins un système de brassage (30) impose,durant tout ou partie de l'étape b), un écoulement de silicium (10) à l'état fondu de nombre de Reynolds compris entre 3 10 4 et 3 10 6 , de préférence entre 10 5 et 10 6 .
摘要翻译：本发明涉及一种纯化硅的方法，至少包括以下步骤：c）提供一种容器（1），该容器（1）包括熔融状态的硅（10），容器（1）具有纵轴（X）和在熔融状态的硅（10）在与容器（1）的底部（4）相对的一侧限定自由表面（11）; d）在有利于其凝固的熔融状态条件下施加在硅（10）上，沿着纵向轴线测量传播硅的凝固前沿（13）的步骤b）的持续时间内的平均时间速度容器（1）的X）不低于5μm/ s，优选为10μm/ s; 所述方法的特征在于，至少一个搅拌系统（30）在步骤b）的全部或部分期间施加处于熔融状态的硅（10）流，雷诺数为3×10 4至3×10 6，优选为105 和106。

9. 发明申请

WO2013050927A1 PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE DE SILICIUM CRISTALLISEE EN SURFACE DE PLUSIEURS SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译：在多个基板的表面上形成结晶硅层的方法
公开(公告)号：WO2013050927A1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：PCT/IB2012/055272
申请日：2012-10-02
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： BRIZE, Virginie , GARANDET, Jean-Paul , GIRAUD, Stephen , PIHAN, Etienne
IPC分类号： C30B19/06 , C23C18/02 , H01L21/02
CPC分类号： C30B19/02 , C30B19/062 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02625 , H01L21/02628
摘要： La présente invention concerne un procédé pour former, par croissance épitaxiale en phase liquide, en surface de plusieurs substrats, une couche de silicium cristallisé présentant une taille de grains supérieure ou égale à 200 µm, comprenant au moins les étapes consistant à: (i) disposer d'un bain liquide formé d'une phase solvant métallique liquide dans laquelle est dispersé de manière homogène du silicium liquide; (ii) immerger dans le bain de l'étape (i), lesdits substrats (1), de manière à ce que chacune des surfaces des substrats (1) devant être revêtues soit au contact du bain liquide, lesdites surfaces étant disposées parallèlement les unes aux autres,et perpendiculairement à l'interface (3) du bain liquide (2) et de l'atmosphère gazeuse (4) contigüe audit bain liquide ou selon un angle d'inclinaison d'au moins 45° par rapport à ladite interface (3); (iii) imposer à l'ensemble de l'étape (ii) des conditions propices à la vaporisation de ladite phase solvant liquide et à l'établissement d'un mouvement de convection naturelle du bain liquide au voisinage des surfaces à revêtir des substrats maintenus en position fixe; et (iv) récupérer les substrats revêtus de la couche de silicium cristallisé formée à l'issue de l'étape (iii).
摘要翻译：本发明涉及通过液相外延生长在多个基板的表面上形成具有大于或等于200μm的晶粒尺寸的结晶硅层的方法，至少包括以下步骤：（ i）布置由液态硅均匀分散的液态金属溶剂相形成的液浴; （ii）将所述基板（1）浸入步骤（i）的槽中，使得需要涂布的基板（1）的每个表面与液槽接触，所述表面彼此平行并且垂直于液槽（2）的界面（3）和与所述液槽相邻的气体气氛（4），或者相对于所述界面的至少45°的倾斜角度（3）; （iii）在整个步骤（ii）中施加有助于所述液体溶剂相的蒸发的条件以及在待涂布的表面附近建立液槽的自然对流运动，固定位置; 和（iv）回收涂有步骤（iii）末端形成的结晶硅层的基材。

10. 发明申请

WO2023275461A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PIECE EN ALLIAGE D'ALUMINIUM 6061 PAR FABRICATION ADDITIVE 审中-公开
公开(公告)号：WO2023275461A1
公开(公告)日：2023-01-05
申请号：PCT/FR2022/051236
申请日：2022-06-23
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： OPPRECHT, Mathieu , GARANDET, Jean-Paul , ROUX, Guilhem
IPC分类号： B22F10/28 , B22F10/64 , B33Y10/00 , B33Y40/20 , C22C1/04 , C22C21/08 , C22F1/047 , B22F1/16 , B22F1/17 , B22F9/08 , B22F2998/10 , B22F9/082 , C22C1/0416 , C22C1/047 , C22C32/0036
摘要： Procédé de fabrication d'une pièce en alliage d'aluminium 6061 modifié chimiquement par ajout de zirconium comprenant les étapes suivantes : i) imprimer une pièce en alliage d'aluminium 6061 par fabrication additive, notamment par fusion laser sur lit de poudre, à partir d'une poudre comprenant des particules en alliage d'aluminium 6061 et du zirconium, le zirconium représentant au moins 0,7% massique par rapport à la masse totale de l'alliage d'aluminium, ii) réaliser un traitement thermique sur la pièce en alliage d'aluminium imprimée, le traitement thermique étant réalisé à une température d'au moins 350°C.

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