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1. 发明申请

WO2009077538A2 PROCESS OF ASSEMBLY WITH BURIED MARKS 审中-公开
标题翻译：装配标记的程序
公开(公告)号：WO2009077538A2
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/EP2008/067652
申请日：2008-12-16
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/50 , H01L21/762
CPC分类号： H01L23/544 , B81C3/002 , B81C2203/051 , H01L21/187 , H01L2223/54453 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a process of forming an assembly of at least two substrates with at least one alignment mark, comprising the following steps: a) a step of forming of at least one alignment mark (10) on or in a first substrate (4) or a layer formed on this substrate, b) a first step of assembly of this first substrate, or of a layer formed on this first substrate, with a second substrate (2) or a layer formed on this second substrate, c) a step of thinning of at least a peripheral portion of at least one of the two substrates, in order to have at least one of said alignment marks appear.
摘要翻译：本发明涉及一种用至少一个对准标记形成至少两个基板的组件的方法，包括以下步骤：a）在第一基板（4）上或第一基板（4）上形成至少一个对准标记）或形成在该衬底上的层，b）将第一衬底或形成在该第一衬底上的层与第二衬底（2）或形成在该第二衬底上的层组装的第一步骤，c）使两个基板中的至少一个的至少一个周边部分变薄的步骤，以便具有至少一个所述对准标记出现。

2. 发明申请

WO2009090236A1 PROCESS OF TREATING DEFECTS DURING THE BONDING OF WAFERS 审中-公开
标题翻译：在水泥粘结过程中处理缺陷的过程
公开(公告)号：WO2009090236A1
公开(公告)日：2009-07-23
申请号：PCT/EP2009/050480
申请日：2009-01-16
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , LAGAHE, Chrystelle , ASPAR, Bernard
发明人： LAGAHE, Chrystelle , ASPAR, Bernard
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/2007
摘要： The invention concerns a process of preparing a thin layer to be transferred onto a substrate (8) having a surface topology, and therefore variations in altitude or level, in a direction perpendicular to a plane defined by the thin layer, this process comprising the formation, on the thin layer, of a layer (4) of adhesive material, the thickness of which enables to carry out a plurality of polishing steps of its surface in order to eliminate any defect or void (24, 26), or almost any defect or void, in preparation for an assembly via a molecular kind of bonding with the substrate (8).
摘要翻译：本发明涉及一种制备要转移到具有表面拓扑结构的衬底（8）的薄层的方法，因此在垂直于由薄层限定的平面的方向上的高度或水平的变化，该方法包括地层在薄层上的粘合剂材料层（4），其厚度能够执行其表面的多个抛光步骤，以消除任何缺陷或空隙（24,26）或几乎任何缺陷或空隙，以通过与衬底（8）的分子类型的结合来制备组件。

3. 发明申请

WO2003032384A1 PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES CONTENANT DES MICROCOMPOSANTS 审中-公开
标题翻译：用于制造含有微米级薄层的方法
公开(公告)号：WO2003032384A1
公开(公告)日：2003-04-17
申请号：PCT/FR2002/003422
申请日：2002-10-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle , GHYSELEN, Bruno
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L2221/68322
摘要： La présente invention concerne un procédé de fabrication, au moyen d'un substrat (1), de couches minces (5) contenant des microcomposants (6). Ce procédé comprend notamment, pour chaque couche (5), les étapes suivantes; l'implantation localisée d'au moins une espèce gazeuse dans ledit substrat (1) au droit d'une pluralité de zones d'implantation définies à la surface du substrat (1), en évitant, par un choix adéquat de la profondeur d'implantation et de la géométrie desdites zones d'implantation, une dégradation de cette surface du substrat (1) lors de l'étape b); la réalisation de microcomposants (6) dans la couche superficielle (5) du substrat (1) délimitée par la profondeur d'implantation, et; la séparation en deux parties du substrat (1), une partie contenant ladite couche superficielle (5) contenant lesdits microcomposants (6), et l'autre le reste du substrat (1). Application à la réalisation de microcomposants devant être intégrés sur des supports différents de ceux permettant leur fabrication.
摘要翻译：本发明涉及一种制造（1）使用基底的含微量元件（6）的薄层（5）的方法。所述方法特别地包括对于每个层（5），以下步骤：a）垂直于限定在衬底（1）的表面上的多个注入区域，在所述衬底（1）中局部植入至少一种气态物质，通过充分选择所述注入区的深度和形状，避免在步骤b）期间所述衬底（1）的所述表面的劣化; b）在由植入深度限定的衬底（1）的表面层（5）中产生微组件（6）; 以及c）将所述基板（1）分成两部分，一部分包含包括所述微组件（6）的表面层（5），并且所述基板（1）的其余部分。本发明可用于生产微型组件，以集成在不同于用于制造的支架上的支架上。

4. 发明申请

WO2009135800A2 A METHOD OF ASSEMBLING WAFERS BY MOLECULAR BONDING 审中-公开
标题翻译：通过分子结合组装波形的方法
公开(公告)号：WO2009135800A2
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：PCT/EP2009/055251
申请日：2009-04-30
申请人： S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , BROEKAART, Marcel , ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle , BARGE, Thierry
发明人： BROEKAART, Marcel , ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle , BARGE, Thierry
IPC分类号： H01L21/18 , H01L27/146 , H01L25/065 , H01L21/98
CPC分类号： H01L21/76256 , C03C27/00 , H01L21/187 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/146 , H01L27/1464 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention concerns a method of bonding two wafers (20, 30) by molecular bonding in which a first propagation of a bonding wave initiated from a point of pressure (43) applied to at least one (30) of the two wafers is followed by a second propagation of the bonding wave over a zone covering the point of pressure (43). The second bonding wave propagation may be obtained by interposing a separating element (41) between the two wafers and by withdrawing the element at least after the start of the first bonding wave propagation.
摘要翻译：本发明涉及通过分子键合将两个晶片（20,30）接合的方法，其中从施加到两个晶片中的至少一个（30）的压力点（43）引发的键合波的第一次传播之后是粘结波在覆盖压力点（43）的区域上的第二次传播。可以通过在两个晶片之间插入分离元件（41）并且至少在第一结合波传播开始之后抽出元件来获得第二结合波传播。

5. 发明申请

WO2004032183A2 REALISATION D'UN SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR DEMONTABLE ET OBTENTION D'UN ELEMENT SEMICONDUCTEUR. 审中-公开
标题翻译：制造可分离的半导体基板和获得半导体元件的方法
公开(公告)号：WO2004032183A2
公开(公告)日：2004-04-15
申请号：PCT/FR2003/050077
申请日：2003-10-03
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , LAGAHE, Chrystelle , ASPAR, Bernard , BEAUMONT, Aurélie
发明人： LAGAHE, Chrystelle , ASPAR, Bernard , BEAUMONT, Aurélie
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： L'invention concerne un Procédé de réalisation d'un substrat semiconducteur démontable, comprenant les étapes suivantes : - introduction d'espèces gazeuses dans le substrat (1) selon des conditions permettant la constitution d'une couche fragilisée par la présence dans cette couche de micro-cavités et/ou de micro bulles, une couche mince de matériau semiconducteur étant ainsi délimitée entre la couche fragilisée et une face (2) du substrat, - traitement thermique du substrat pour augmenter le niveau de fragilisation de la couche fragilisée, ce traitement thermique étant mené jusqu'à l'apparition de déformations locales de ladite face (2) du substrat (1) sous forme de cloques mais sans générer d'exfoliations de la couche mince lors de cette étape et au cours de la suite du procédé, - épitaxie de matériau semiconducteur (6) sur ladite face du substrat pour fournir au moins une couche épitaxiée sur ladite couche mince.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造可分离半导体衬底的方法，包括以下步骤：在能够形成弱化层的条件下将气体物质引入衬底（1）中，通过在所述层中提供微腔和/或微泡，半导体材料的薄膜因此被限定在弱化层与基板的一个表面（2）之间; 在基板上进行热处理以增加弱化层的脆化，所述热处理被进行，直到基板（1）的表面（2）局部变形为起泡状，而不产生剥离薄片并且随后：在衬底的所述表面上外延生长半导体材料（6），以在所述薄膜上产生至少一个外延层。

6. 发明授权

EP1114446B1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE MEMBRANE MINCE 有权
标题翻译：制作薄膜
公开(公告)号：EP1114446B1
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：EP00948075.7
申请日：2000-06-29
申请人： S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A.
发明人： ASPAR, Bernard , BRUEL, Michel , JAUSSAUD, Claude , LAGAHE, Chrystelle
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/2007

7. 发明授权

EP1435111B1 PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES CONTENANT DES MICROCOMPOSANTS 有权
标题翻译：用于生产薄层，微组件包含
公开(公告)号：EP1435111B1
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：EP02785528.7
申请日：2002-10-08
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L2221/68322
摘要： The invention concerns a method for making (1) thin layers (5) containing microcomponents (6) using a substrate. Said method comprises in particular, for each layer (5), the following steps: a) local implantation of at least a gaseous species in said substrate (1) perpendicular to a plurality of implantation zones defined on the surface of the substrate (1), avoiding, by adequate selection of the depth and the shape of said implantation zones, degradation of said surface of the substrate (1) during the step b); b) producing microcomponents (6) in the surface layer (5) of the substrate (1) delimited by the implanting depth; and c) separating the substrate (1) in two parts, one part containing the surface layer (5) including said microcomponents (6), and the other the rest of the substrate (1). The invention is useful for producing microcomponents to be integrated on supports different from those used for their manufacture.

8. 发明公开

EP2232534A1 PROCESS OF TREATING DEFECTS DURING THE BONDING OF WAFERS 审中-公开
标题翻译：方法缺陷的晶圆键合的治疗
公开(公告)号：EP2232534A1
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：EP09702323.8
申请日：2009-01-16
申请人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
发明人： LAGAHE, Chrystelle , ASPAR, Bernard
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/2007
摘要： The invention concerns a process of preparing a thin layer to be transferred onto a substrate (8) having a surface topology, and therefore variations in altitude or level, in a direction perpendicular to a plane defined by the thin layer, this process comprising the formation, on the thin layer, of a layer (4) of adhesive material, the thickness of which enables to carry out a plurality of polishing steps of its surface in order to eliminate any defect or void (24, 26), or almost any defect or void, in preparation for an assembly via a molecular kind of bonding with the substrate (8).

9. 发明公开

EP2272084A2 A METHOD OF ASSEMBLING WAFERS BY MOLECULAR BONDING 审中-公开
标题翻译：法在施工WAFERS用分子绑定机制
公开(公告)号：EP2272084A2
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：EP09742018.6
申请日：2009-04-30
申请人： S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
发明人： BROEKAART, Marcel , ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle , BARGE, Thierry
IPC分类号： H01L21/18 , H01L27/146 , H01L25/065 , H01L21/98
CPC分类号： H01L21/76256 , C03C27/00 , H01L21/187 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/146 , H01L27/1464 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention concerns a method of bonding two wafers (20, 30) by molecular bonding in which a first propagation of a bonding wave initiated from a point of pressure (43) applied to at least one (30) of the two wafers is followed by a second propagation of the bonding wave over a zone covering the point of pressure (43). The second bonding wave propagation may be obtained by interposing a separating element (41) between the two wafers and by withdrawing the element at least after the start of the first bonding wave propagation or by partially unbonding the surfaces of the assembled wafers over a zone located in the vicinity of the point of pressure (63).

10. 发明公开

EP1435111A1 PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES CONTENANT DES MICROCOMPOSANTS 有权
标题翻译：用于生产薄层，微组件包含
公开(公告)号：EP1435111A1
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：EP02785528.7
申请日：2002-10-08
申请人： Commissariat A L'Energie Atomique , S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
发明人： ASPAR, Bernard , LAGAHE, Chrystelle , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L2221/68322
摘要： The invention concerns a method for making (1) thin layers (5) containing microcomponents (6) using a substrate. Said method comprises in particular, for each layer (5), the following steps: a) local implantation of at least a gaseous species in said substrate (1) perpendicular to a plurality of implantation zones defined on the surface of the substrate (1), avoiding, by adequate selection of the depth and the shape of said implantation zones, degradation of said surface of the substrate (1) during the step b); b) producing microcomponents (6) in the surface layer (5) of the substrate (1) delimited by the implanting depth; and c) separating the substrate (1) in two parts, one part containing the surface layer (5) including said microcomponents (6), and the other the rest of the substrate (1). The invention is useful for producing microcomponents to be integrated on supports different from those used for their manufacture.

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