专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2004064132A1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE COMPLEXE PAR ASSEMBLAGE DE STRUCTURES CONTRAINTES 审中-公开
标题翻译：通过组装应力结构生产复杂结构的方法
公开(公告)号：WO2004064132A1
公开(公告)日：2004-07-29
申请号：PCT/FR2003/003590
申请日：2003-12-04
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , MONTMAYEUL, Philippe
发明人： FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , MONTMAYEUL, Philippe
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/67092 , H01L21/76251 , H01L24/75 , H01L2221/68363 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/3511 , Y10S148/012 , Y10S148/135 , Y10S148/159 , H01L2924/00
摘要： Procédé de réalisation d’une structure microélectronique complexe selon lequel on assemble deux structures microélectroniques élémentaires (1,3) par deux faces respectives de liaison (3), caractérisé en ce que, avant assemblage, on crée une différence d’état de contraintes tangentielles entre les deux faces à assembler, cette différence étant choisie en sorte d’obtenir au sein de la structure assemblée un état de contraintes prédéterminé dans des conditions données par rapport aux conditions d’assemblage.
摘要翻译：
处理程序; 一种实现复杂微电子结构的方法，根据该微电子结构，两个电子微电子结构（1,3）由两个相应的连接面（3）组装，在组装之前，两个面之间的切向应力状态产生差异; 组装时，选择这种差异以便在组装结构内获得预定约束状态。在给定的条件下就装配条件而言。

2. 发明申请

WO2008148882A3 METHOD FOR PRODUCING HYBRID COMPONENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2008148882A3
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/EP2008/057110
申请日：2008-06-06
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , SIGNAMARCHEIX, Thomas , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert
发明人： SIGNAMARCHEIX, Thomas , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/12
摘要： The invention concerns a method for producing a hybrid substrate, comprising a support substrate (40), a continuous buried insulator layer (42) and, on this layer, a hybrid layer (26) comprising alternating zones of a first material (26) and at least one second material (32), wherein these two materials are different by their nature and/or their crystallographic characteristics, said method comprising: the formation of a hybrid layer (26), comprising alternating zones of first and second materials, on a homogeneous substrate (22), an intermediate step of assembly of the free surface of the hybrid layer, or of a dielectric fromed on this surface, with a buffer substrate, the assembly of this hybrid layer, the continuous insulator layer (42) and the support substrate (40), the elimination of a part at least of the homogeneous substrate (40), before or after the assembly step.

3. 发明申请

WO2005057639A1 SURFACE TREATMENT FOR MULTI-LAYER WAFERS FORMED FROM LAYERS OF MATERIALS CHOSEN FROM AMONG SEMICONDUCTING MATERIALS 审中-公开
标题翻译：从半导体材料的材料层中形成的多层膜的表面处理
公开(公告)号：WO2005057639A1
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：PCT/IB2004/004326
申请日：2004-12-10
申请人： S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , RAYSSAC, Olivier , BLONDEAU, Beryl , MORICEAU, Hubert , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , FOURNEL, Franck
发明人： RAYSSAC, Olivier , BLONDEAU, Beryl , MORICEAU, Hubert , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , FOURNEL, Franck
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/02032 , H01L21/76254 , Y10S438/974
摘要： This invention relates to a process for treatment of a multi-layer wafer with materials having differential thermal characteristics, the process comprising a high temperature heat treatment step that can generate secondary defects, characterised in that this process includes a wafer surface preparation step before the high temperature heat treatment step.
摘要翻译：本发明涉及一种用具有不同热特性的材料处理多层晶片的方法，该方法包括可产生二次缺陷的高温热处理步骤，其特征在于该方法包括在高温之前的晶片表面制备步骤温度热处理步骤。

4. 发明申请

WO2004064146A1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE CONTRAINTE DESTINEE A ETRE DISSOCIEE 审中-公开
标题翻译：制造受阻构造的方法
公开(公告)号：WO2004064146A1
公开(公告)日：2004-07-29
申请号：PCT/FR2003/003622
申请日：2003-12-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , LAGAHE, Christelle
发明人： FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , LAGAHE, Christelle
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L21/304 , H01L21/76254
摘要： Procédé de réalisation d'une structure microélectronique complexe par assemblage de deux substrats (5, 6 ; 11, 13) par deux faces respectives de liaison, cette structure étant destinée à être dissociée au niveau d'une zone de séparation, caractérisé en ce que, avant assemblage, on crée une différence d'état de contraintes tangentielles entre les deux faces à assembler, cette différence étant choisie en sorte d'obtenir au sein de la structure assemblée un état de contraintes prédéterminé au moment de la dissociation.
摘要翻译：本发明涉及通过将两个基板（5,6; 11,13）组装通过两个相应的连接表面来制造复杂的微电子结构的方法，所述结构设计成在分离区分离。本发明的特征在于，其在组装之前包括在要组装的两个表面之间产生切向应力状态的差异，所述差异被选择为在组装结构中获得预定的应力状态的解离。

5. 发明申请

WO2005064320A1 DISPOSITIF ET PROCEDE D’OBSERVATION D’UNE INTERFACE DE COLLAGE 审中-公开
标题翻译：用于观察接合界面的装置和方法
公开(公告)号：WO2005064320A1
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：PCT/FR2004/003361
申请日：2004-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , TRACIT TECHNOLOGIES Centr'alp , MORICEAU, Hubert , FOURNEL, Franck , FAURE, Bruce , LETERTRE, Fabrice , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle
发明人： MORICEAU, Hubert , FOURNEL, Franck , FAURE, Bruce , LETERTRE, Fabrice , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle
IPC分类号： G01N21/88
CPC分类号： G01N21/8806
摘要： L'invention concerne un procédé de caractérisation de l'interface entre un premier élément (2), tel qu'un substrat ou une couche mince, et un deuxième élément (4), tel qu'un substrat ou une couche mince, comportant : - éclairer le premier élément avec un rayonnement (10) pour lequel il est au moins partiellement transparent, - détecter le rayonnement réfléchi par l'interface.
摘要翻译：本发明涉及一种用于表征诸如衬底或薄层的第一元件（2）与诸如衬底或薄层的第二元件（4）之间的界面的方法。根据所述方法，第一元件由其至少部分透明的辐射（10）照射，然后检测由界面反射的辐射。

6. 发明申请

WO2004059711A1 PROCEDE DE REALISATION DE SUBSTRATS MIXTES ET STRUCTURE AINSI OBTENUE 审中-公开
标题翻译：生产混合基材的方法和获得的结构
公开(公告)号：WO2004059711A1
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：PCT/FR2003/003867
申请日：2003-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , ASPAR, Bernard , ZUSSY, Marc
发明人： FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , ASPAR, Bernard , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01L21/18
CPC分类号： H01L21/76264 , H01L21/187 , H01L21/76275
摘要： Pour fabriquer un substrat mixte, on prépare deux substrats (10, 12) présentant des faces respectives destinées à être liées l'une à l'autre et constitués essentiellement, au niveau de ces faces, de parties cristallines et pour au moins l'une de ces faces, de zones formées d'un matériau différent de ceux constitutifs des parties cristallines, on met ces faces en regard et on les relie au niveau d'un interface par collage moléculaire en sorte de former des zones massives dans lesquelles les faces en regard sont essentiellement cristallines et des zones empilées dans lesquelles l'une au moins des faces en regard est essentiellement constituée du matériau différent, et on effectue un traitement thermique de consolidation du collage moléculaire. Lors de la préparation des substrats (10, 12) ou lors de la liaison des faces, on crée audit interface des pièges (11A) à impuretés (il peut s'agir des zones isolantes) tels que toute portion de cet interface faisant partie d'une zone massive soit à au plus une distance donnée d'un tel piège, tandis que la mise en regard des faces se fait avec un écart en désalignement, entre les parties cristallines des deux substrats, inférieur à un seuil donné.
摘要翻译：本发明涉及混合基板的制造方法。本发明的方法在于制备具有要连接在一起的各个面的两个基底（10,12）。衬底基本上包括在上述面上的结晶部分，并且在至少一个所述面上，由与用于形成结晶部分的材料不同的材料制成的区域。根据本发明，这些面彼此相对设置并且通过分子粘合在界面处连接，以形成（i）其中相对面基本上是结晶的体积区域和（ii）堆叠区域，其中至少一个基本上由上述不同的材料制成。当正在准备衬底（10,12）时，或者当接合面时，在界面处产生杂质阱（11A）（例如隔离区），使得形成体区的一部分的所述界面的任何部分设置在大多数距离一个这样的陷阱。此外，这些面彼此相对设置，两个基板的晶体部分之间的偏移小于给定阈值。

7. 发明申请

WO2007074027A1 PROCEDE DE REALISATION SIMPLIFIEE D'UNE STRUCTURE EPITAXIEE 审中-公开
标题翻译：生产外观结构的简化方法
公开(公告)号：WO2007074027A1
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：PCT/EP2006/069263
申请日：2006-12-04
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert
发明人： FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/20 , C30B25/18 , C30B33/00
CPC分类号： H01L21/187 , C30B25/18 , C30B33/00 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02521 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L21/02664 , H01L21/30604
摘要： Procédé de réalisation d'une structure consistant à déposer un matériau par épitaxie colonnaire sur une face cristalline d'un substrat (2), à poursuivre afin que les colonnes (4) donnent une couche continue (5). On pourvoit la face d'un réseau périodique de saillies (3) à l'échelle nanométrique, chaque saillie (3) présentant une zone d'appui (35) et étant obtenue à partir d'un réseau de défauts cristallins et/ou de champs de contraintes créé au sein d'une zone cristalline (16) située au voisinage d'une interface (15) de collage entre deux éléments cristallins (11, 12) ayant des réseaux cristallins décalés en rotation et/ou en flexion et/ou présentant un désaccord de paramètres de maille à l'interface, aptes à conditionner la période (38) du réseau de saillies (3). La période (38) du réseau, la hauteur (36) des saillies et la taille de leur zone d'appui (35) étant ajustées de manière que la couche continue (40) ait une épaisseur critique supérieure à celle obtenue par épitaxie sans les saillies.
摘要翻译：一种制造结构体的方法，该结构体是通过在衬底（2）的结晶面上通过柱状外延沉积材料并连续地使柱（4）形成连续层（5）而构成的。该表面设置有纳米片（3）的周期性阵列，每个纳米块（3）具有轴承区（35），并且由晶体缺陷阵列和/或位于结晶区（16）内产生的应变场的阵列获得在具有晶格的两个结晶元件（11,12）之间的接合界面（15）附近旋转和/或弯曲偏移和/或具有在界面处的晶格失配，其能够确定阵列的周期（38）纳米片（3），阵列的周期（38），纳米片的高度（36）和其轴承区（35）的尺寸被调整，使得连续层（40）的临界厚度大于获得的通过外延，没有纳米片。

8. 发明申请

WO2006072871A2 PROCEDE D'ELABORATION DE STRUCTURES EMPILEES MIXTES, A ZONES ISOLANTES DIVERSES ET/OU ZONES DE CONDUCTION ELECTRIQUE VERTICALE LOCALISEES 审中-公开
标题翻译：生产混合堆叠结构的方法，不同的绝缘区域和/或本地化的垂直导电区域
公开(公告)号：WO2006072871A2
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：PCT/IB2005/054432
申请日：2005-10-06
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MORICEAU, Hubert , FOURNEL, Franck , MORALES, Christophe
发明人： MORICEAU, Hubert , FOURNEL, Franck , MORALES, Christophe
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/76224
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice, comportant : - la formation contrôlée, à travers un masque (31), dans un premier substrat (30) en un matériau semi-conducteur, d' au moins une première zone en un matériau isolant (36), jusqu'au niveau de la surface inférieure (35) du masque, avant ou pendant le retrait du masque.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造半导体结构的方法，该半导体结构通过在由半导体材料制成的第一衬底（30）中通过掩模（31）形成由绝缘材料（36）制成的至少一个第一区域，以受控的方式形成，在去除掩模之前和之后的掩模下表面（35）的水平。

9. 发明申请

WO2003005443A2 STRUCTURE COMPOSITE A ORIENTATION CRISTALLINE UNIFORME ET PROCEDE DE CONTROLE DE L'ORIENTATION CRISTALLINE D'UNE TELLE STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：均匀结晶取向复合结构和用于控制这种结构的晶体取向的方法
公开(公告)号：WO2003005443A2
公开(公告)日：2003-01-16
申请号：PCT/FR2002/002136
申请日：2002-06-20
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FOURNEL, Franck , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert
发明人： FOURNEL, Franck , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L23/373
CPC分类号： C30B33/06 , C30B33/00 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , Y10S117/902 , Y10T428/24421 , Y10T428/31645 , H01L2924/00
摘要： La présente invention concerne un procédé de contrôle de l'orientation de structures secondaires (A1, A2) présentant au moins une partie cristalline, lors d'un transfert des structures secondaires depuis une structure dite primaire (A) sur laquelle les structures secondaires présentent une orientation cristalline initiale identique, vers au moins une structure de support (B), comprenant : a) la formation, lorsque les structures secondaires sont solidaires de la structure primaire (A), d'au moins un repère d'orientation (Va, Va1, Va2), le repère présentant une orientation arbitraire par rapport à ladite orientation cristalline initiale mais identique pour chaque structure secondaire, et b) lors du report d'un ensemble de structures secondaires sur la structure de support (B), la disposition des structures secondaires de façon à orienter de façon uniforme leurs repères d'orientation.
摘要翻译：解码方法技术领域本发明涉及一种解码方法用于控制显示至少一个结晶部分的二级结构（A1，A2）的取向，在二级结构从其上存在二级结构的所谓一级结构（A）包括：a）当所述二级结构与所述一级结构（A）形成整体时，所述形成具有至少一个方位角（Va），所述方位角（Va），Va1，Va2），表示一个任意的方向; 所述初始晶体取向对于每个二级结构是相同的，并且b）在将一组二级结构转移到所述支撑结构（B）上的过程中，所述二级结构的布置; 定向他们的方向曲目。

10. 发明申请

WO2005043615A1 PROCEDE DE TRANSFERT AUTOENTRETENU D'UNE COUCHE FINE PAR IMPULSION APRES IMPLANTATION OU CO-IMPLANTATION 审中-公开
标题翻译：在植被或共同植被后通过脉冲自支撑转移细小层的方法
公开(公告)号：WO2005043615A1
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：PCT/FR2004/002779
申请日：2004-10-28
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , NGUYEN, Nguyet-Phuong , CAYREFOURCQ, Ian , LAGAHE-BLANCHARD, Christelle , BOURDELLE, Konstantin , TAUZIN, Aurélie , FOURNEL, Franck
发明人： NGUYEN, Nguyet-Phuong , CAYREFOURCQ, Ian , LAGAHE-BLANCHARD, Christelle , BOURDELLE, Konstantin , TAUZIN, Aurélie , FOURNEL, Franck
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： L'invention concerne un procédé de transfert auto-entretenu d'une couche fine selon lequel - on implante dans un substrat-source au moins une espèce d'ions avec une certaine dose, à une profondeur donnée par rapport à une face de ce substrat-source, - on applique un raidisseur en contact intime avec le substrat-source, - on applique un traitement thermique à ce substrat-source, à une température donnée pendant un temps donné, en sorte de créer, sensiblement à la profondeur donnée, une zone enterrée fragilisée, sans initier le détachement thermique de la couche fine, - on applique une impulsion contrôlée d'énergie à ce substrat-source, de manière localisée dans le temps, en sorte de provoquer le détachement auto-entretenu d'une couche fine délimitée entre la face et la couche enterrée fragilisée, vis-à-vis du reste du substrat-source.
摘要翻译：本发明涉及一种用于自支撑转移细层的方法，其中：根据一定剂量，至少一种离子以相对于源 - 衬底表面的给定深度注入到源衬底中 ; 施加与源底板紧密接触的加强件; 所述源衬底在给定的时间段内在给定温度下进行热处理，以便在基本上在所述给定深度处产生脆化的掩埋区域，而不会使细层变得热分离; 以时间上局部的方式将受控的能量脉冲施加到源极 - 衬底上，以便相对于源极 - 衬底的其余部分在表面和脆化的掩埋层之间限定的细层引起自支撑的分离。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式