专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2004059711A1 PROCEDE DE REALISATION DE SUBSTRATS MIXTES ET STRUCTURE AINSI OBTENUE 审中-公开
标题翻译：生产混合基材的方法和获得的结构
公开(公告)号：WO2004059711A1
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：PCT/FR2003/003867
申请日：2003-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , ASPAR, Bernard , ZUSSY, Marc
发明人： FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , ASPAR, Bernard , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01L21/18
CPC分类号： H01L21/76264 , H01L21/187 , H01L21/76275
摘要： Pour fabriquer un substrat mixte, on prépare deux substrats (10, 12) présentant des faces respectives destinées à être liées l'une à l'autre et constitués essentiellement, au niveau de ces faces, de parties cristallines et pour au moins l'une de ces faces, de zones formées d'un matériau différent de ceux constitutifs des parties cristallines, on met ces faces en regard et on les relie au niveau d'un interface par collage moléculaire en sorte de former des zones massives dans lesquelles les faces en regard sont essentiellement cristallines et des zones empilées dans lesquelles l'une au moins des faces en regard est essentiellement constituée du matériau différent, et on effectue un traitement thermique de consolidation du collage moléculaire. Lors de la préparation des substrats (10, 12) ou lors de la liaison des faces, on crée audit interface des pièges (11A) à impuretés (il peut s'agir des zones isolantes) tels que toute portion de cet interface faisant partie d'une zone massive soit à au plus une distance donnée d'un tel piège, tandis que la mise en regard des faces se fait avec un écart en désalignement, entre les parties cristallines des deux substrats, inférieur à un seuil donné.
摘要翻译：本发明涉及混合基板的制造方法。本发明的方法在于制备具有要连接在一起的各个面的两个基底（10,12）。衬底基本上包括在上述面上的结晶部分，并且在至少一个所述面上，由与用于形成结晶部分的材料不同的材料制成的区域。根据本发明，这些面彼此相对设置并且通过分子粘合在界面处连接，以形成（i）其中相对面基本上是结晶的体积区域和（ii）堆叠区域，其中至少一个基本上由上述不同的材料制成。当正在准备衬底（10,12）时，或者当接合面时，在界面处产生杂质阱（11A）（例如隔离区），使得形成体区的一部分的所述界面的任何部分设置在大多数距离一个这样的陷阱。此外，这些面彼此相对设置，两个基板的晶体部分之间的偏移小于给定阈值。

2. 发明申请

WO2002084721A3 SUBSTRAT OU STRUCTURE DEMONTABLE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2002084721A3
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001266
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , ZUSSY, Marc , RAYSSAC, Olivier
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , ZUSSY, Marc , RAYSSAC, Olivier
IPC分类号： H01L21/18
摘要： Le procédé de préparation d'une couche mince comportant une étape de réalisation d'une interface entre une couche destinée à faire partie de cette couche mince et un substrat est caractérisé en ce que cet interface est réalisé en sorte d'avoir au moins une première zone (Z1) ayant un premier niveau de tenue mécanique, et une seconde zone (Z2) ayant un second niveau de tenue mécanique sensiblement inférieur au premier niveau de tenue mécanique. Cette interface peut notamment être constituée par le collage de surfaces préparées de façons différenciées, par une couche enterrée fragilisée de façon différenciée dans ces zones, ou par une couche intermédiaire poreuse.

3. 发明申请

WO2002084721A2 SUBSTRAT OU STRUCTURE DEMONTABLE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
标题翻译：可分离的基板或可拆卸的结构及其生产方法
公开(公告)号：WO2002084721A2
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001266
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , ZUSSY, Marc , RAYSSAC, Olivier
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , ZUSSY, Marc , RAYSSAC, Olivier
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/7813 , H01L21/6835 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L2221/68318 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2924/19041 , Y10T156/11
摘要： Le procédé de préparation d'une couche mince comportant une étape de réalisation d'un interface entre une couche destinée à faire de cette couche mince et un substrat est caractérisé en ce que cet interface est réalisé en sorte d'avoir au moins une première zone (Z1) ayant un premier niveau de teneue mécanique sensiblement inférieur au premier niveau de tenue mécanique. Cette interface peut notamment être constituée par le collage de surfaces préparées de façons différenciées, par une couche enterrée fragilisée de façon différenciée dans ces zones, ou rpar une couche intermédiaire poreuse.
摘要翻译：本发明涉及薄层的制备，其包括在用于产生所述薄层的层与基底之间形成界面的步骤，其特征在于所述界面以至少提供至少具有第一级机械强度的第一区域（Z1）和具有基本上低于第一区域的机械强度水平的第二区域（Z2）。所述界面可以通过以不同的方式制备的表面，通过在所述区域中以不同的方式被掩埋和脆化的层或通过中间多孔层来胶合表面而形成。

4. 发明申请

WO2006070160A1 PROCEDE DE DETOURAGE D'UNE STRUCTURE OBTENUE PAR ASSEMBLAGE DE DEUX PLAQUES 审中-公开
标题翻译：用于调整由两板组装获得的结构的方法
公开(公告)号：WO2006070160A1
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：PCT/FR2005/051128
申请日：2005-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , TRACIT TECHNOLOGIES , ZUSSY, Marc , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , MORICEAU, Hubert
发明人： ZUSSY, Marc , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02008 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , Y10T156/10
摘要： L'invention concerne un procédé de détourage d'une structure obtenue par fixation d'une première plaque sur une deuxième plaque selon des faces de contact et amincissement de la première plaque, au moins l'une d'entre la première plaque et la deuxième plaque étant chanfreinée et exposant ainsi le bord de la face de contact de la première plaque, le détourage concernant la première plaque. Le procédé comprend les étapes suivantes : a) sélection de la deuxième plaque parmi des plaques présentant une résistance à l'attaque chimique prévue à l'étape b) suffisante par rapport à la première plaque pour permettre la réalisation de l'étape b) ; b) après fixation de la première plaque sur la deuxième plaque, attaque chimique du bord de la première plaque de façon à former dans la première plaque un piédestal reposant entièrement sur la face de contact de la deuxième plaque et supportant le reste de la première plaque ; c) amincissement de la première plaque jusqu'à atteindre et entamer le piédestal pour fournir une partie amincie de la première plaque.
摘要翻译：本发明涉及一种用于修整通过将第一板固定在接触面上的第二板上并使第一板变薄而获得的结构的方法，所述第一板和第二板中的至少一个被倒角并因此使接触边缘暴露面对第一块板块，表示修剪关于第一块板。该方法包括以下步骤：a）从具有对步骤b）中计划的化学侵蚀的抗性的那些板中选择第二板，其足以与第一板相关以允许步骤b）进行，b）之后将第一板固定到第二板上，执行第一板的边缘的化学侵蚀，以便在第一板上形成基座，其完全搁置在第二板的接触面上并且支撑第一板的其余部分， c）第一板的变薄以便刚刚到达和分解成基座，以提供第一板的变薄的部分。

5. 发明申请

WO2006037933A2 PROCEDE D'ELABORATION DE STRUCTURES EMPILEES MIXTES, A ZONES ISOLANTES DIVERSES ET/OU ZONES DE CONDUCTION ELECTRIQUE VERTICALE LOCALISEES 审中-公开
标题翻译：生产混合堆叠结构的工艺，具有各种绝缘区和/或局部垂直导电区
公开(公告)号：WO2006037933A2
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：PCT/FR2005/050825
申请日：2005-10-06
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MORICEAU, Hubert , MORALES, Christophe , ZUSSY, Marc , DECHAMP, Jérôme
发明人： MORICEAU, Hubert , MORALES, Christophe , ZUSSY, Marc , DECHAMP, Jérôme
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/7624 , H01L21/76254 , H01L21/76259
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice, sur un substrat semi-conducteur dont une surface présente une topologie, ce procédé comportant : a) - une étape de formation d'une première couche (24) en un premier matériau isolant sur ladite surface, b) - une étape de formation d'une deuxième couche en un deuxième matériau isolant (28), moins dense que le premier matériau isolant, d'épaisseur comprise entre 2,5 p et 3,5 p, c) - une étape de planarisation de l'ensemble.
摘要翻译：
本发明涉及一种方法在具有呈现拓扑结构的表面的半导体衬底上形成半导体结构的方法，该方法在图1中公开。包括：a） - 在所述表面上的第一绝缘材料中形成第一层（24）的步骤，b） - 将第二层形成为层厚度小于第一绝缘材料的第二绝缘材料（28），其厚度在2.5p和3.5p之间，c） - 所述第二绝缘材料在一起。

6. 发明申请

WO2003083930A1 PROCEDE DE MANIPULATION DE COUCHES SEMICONDUCTRICES POUR LEUR AMINCISSEMENT 审中-公开
标题翻译：用于处理半导体层的方法，以同样的方式
公开(公告)号：WO2003083930A1
公开(公告)日：2003-10-09
申请号：PCT/FR2003/000954
申请日：2003-03-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , ZUSSY, Marc , CLERC, Jean-Frédéric
发明人： ASPAR, Bernard , ZUSSY, Marc , CLERC, Jean-Frédéric
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： H01L21/2007 , B81C1/0038 , B81C2201/0191 , B81C2203/036 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L2221/68359 , Y10S438/977
摘要： L'invention concerne un procédé d'obtention d'une couche mince à partir d'une plaque comprenant une face avant présentant un relief donné et une face arrière, comprenant les étapes consistant à :a) se procurer une poignée support possédant une face servant de face de collage ;b) préparer la face avant de la plaque, cette préparation comprenant une planarisation incomplète de la face avant de la plaque, pour obtenir une énergie de collage E0 comprise entre une première valeur, correspondant à l'énergie de collage minimum compatible avec l'étape postérieure d'amincissement, et une deuxième valeur, correspondant à l'énergie de collage maximale compatible avec l'opération postérieure de désolidarisation, l'énergie de collage E0 étant telle que E0 equals; E, E étant l'énergie de collage qui serait obtenue si la face avant de la plaque était complètement planarisée, étant le rapport entre la surface planarisée incomplètement de la face avant de la plaque et la surface de la face avant de la plaque si elle était planarisée complètement ;c) solidariser, par adhésion moléculaire, la face avant de la plaque sur la face de collage de la poignée support ;d) amincir la plaque à partir de sa face arrière jusqu'à obtenir la couche mince ;e) reporter la couche mince sur un support d'utilisation, impliquant la désolidarisation d'avec la poignée support.
摘要翻译：本发明涉及一种从具有给定浮雕和后侧的具有前侧的板获得薄层的方法，所述方法包括以下步骤：a）获得包括用作粘合侧的一侧的支撑手柄 ; b）制备板的正面，使得其部分平面化，以获得位于与随后的变薄阶段相容的最小结合能相对应的第一值之间的结合能E0和对应于最大结合的第二值能量与随后的剥离操作相容，结合能E0使得E0 =αE，E是如果板的前侧完全平面化将获得的结合能，而α是部分平面化表面的板的前侧，如果它是完全平面的，板的正面的表面; c）通过分子结合将板的前侧结合到支撑柄的接合表面; d）将板从其后侧开始变薄，直到获得薄层; 和e）薄层从支撑手柄剥离并转移到支撑体上。

7. 发明申请

WO2002076881A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE A MEMBRANE MICRO-USINEE 审中-公开
标题翻译：用MICROMACHINED膜制造结构的方法
公开(公告)号：WO2002076881A1
公开(公告)日：2002-10-03
申请号：PCT/FR2002/001040
申请日：2002-03-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , GRANGE, Hubert , ASPAR, Bernard , BOREL, Michel , ZUSSY, Marc
发明人： GRANGE, Hubert , ASPAR, Bernard , BOREL, Michel , ZUSSY, Marc
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81B2203/0315 , B81C2201/019 , B81C2201/0191 , G01L9/0045 , G01L9/0047
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure à membrane micro-usinée, la membrane résultant de la formation d'un évidement réalisé à partir de l'une des faces principales d'un premier substrat, comprenant les étapes successives suivantes: la fixation de l'une des faces principales du premier substrat sur un deuxième substrat; - la réalisation de l'évidement à partir de l'autre face principale du premier substrat; - la fixation de la face évidée du premier substrat sur une face d'un troisième substrat pour obtenir une cavité comprenant ledit évidement. Application à la fabrication de capteurs de pression.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造具有微机械加工膜的结构的方法，该膜通过形成从第一基板的一个主表面产生的凹陷而获得，包括以下连续步骤：将第一基板的一个主表面固定在第二基板; 从所述第一基板的另一个主表面产生所述凹部; 将第一基板的凹陷表面固定在第三基板的表面上，以获得包括所述凹部的空腔。本发明可用于生产压力传感器。

8. 发明申请

WO2003032383A2 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE MINCE COMPRENANT TOUT OU PARTIE DE COMPOSANT(S) ET/OU DE CIRCUIT(S) 审中-公开
标题翻译：制造包含组件（S）和/或电路（S）的全部或部分的薄层的方法
公开(公告)号：WO2003032383A2
公开(公告)日：2003-04-17
申请号：PCT/FR2002/003408
申请日：2002-10-07
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , ZUSSY, Marc , CLERC, Jean-Frédéric
发明人： ASPAR, Bernard , ZUSSY, Marc , CLERC, Jean-Frédéric
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L27/1266 , G02F1/1333 , H01L21/31053 , H01L21/31612 , H01L21/3185 , H01L21/76256 , H01L27/1214 , H01L2221/68368
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche mince comprenant des composants ou des circuits, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes; la formation sur un substrat en verre d'une couche d'arrêt; la réalisation, sur la couche d'arrêt, d'une couche mince comprenant tout ou partie d'au moins un composant et/ou circuit; l'élimination ou l'amincissement du substrat en verre.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造包含组件或电路的薄层的方法，其特征在于，其包括以下步骤：a）在玻璃基板上形成边界层; b）在边界层上产生包括至少部件和/或电路的全部或部分的薄层; c）消除或变薄玻璃基板。

9. 发明申请

WO2007006914A1 PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE SUBSTRATS PAR DEPOT D'UNE COUCHE MINCE DE COLLAGE D'OXYDE OU DE NITRURE 审中-公开
标题翻译：通过沉积氧化物或氮化物结合层组装衬底的方法
公开(公告)号：WO2007006914A1
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：PCT/FR2006/001596
申请日：2006-07-05
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , DI CIOCCIO, Léa , KOSTRZEWA, Marek , ZUSSY, Marc
发明人： DI CIOCCIO, Léa , KOSTRZEWA, Marek , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/78 , H01L21/58 , H01L21/98
CPC分类号： H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/2919 , H01L2224/8385 , H01L2224/83894 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01055 , H01L2924/01057 , H01L2924/01061 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01031
摘要： L'invention concerne un procédé d'assemblage par collage moléculaire de deux substrats dont au moins un est réalisé dans un matériau semiconducteur, caractérisé en ce que l'un des substrats, appelé premier substrat, comporte une surface (A) dont au moins une partie est plane et dotée d'une rugosité initiale de surface compatible avec le collage moléculaire, le procédé comportant les étapes suivantes : - dépôt, sur au moins une portion (14a, 14b) de la partie plane de la surface (A) du premier substrat, d'une couche mince (16a, 16b) de collage d'oxyde ou de nitrure d'épaisseur comprise entre 10 et 20 nm pour permettre un collage moléculaire sans étape préalable de polissage, - saturation en groupements hydroxyles de la couche mince de collage, - mise en contact de la couche mince (16a, 16b) de collage saturée en groupements hydroxyles avec une surface (B) du deuxième substrat (10), au moins localement plane en regard de la portion de la partie plane de la surface (A) et saturée en groupements hydroxyles, - collage moléculaire de type hydrophile entre les deux substrats.
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过分子键合两个基板组装的方法，其中至少一个由半导体材料制成，其特征在于，称为第一基板的基板之一包括表面（A），其表面至少有一部分是并具有与分子键合相容的初始表面粗糙度。本发明的方法在于在第一衬底的表面平坦部分（A）的至少一个部分（14a，14b）上沉积厚度范围为10至20nm的薄氧化物或氮化物结合层（16a，16b）为了在没有预先抛光的情况下进行分子键合，在使具有羟基的薄接合层饱和的情况下，使由羟基饱和的薄接合层（16a，16b）与第二基板（10）表面（B）接触，相对于表面（A）的平坦部分至少局部平坦并且被羟基饱和并且在所述两个基底之间进行亲水性分子结合。

10. 发明申请

WO2006024721A3 MICROBATTERIE COMPORTANT DES CONNEXIONS TRAVERSANTES ET PROCEDE DE REALISATION D'UNE TELLE MICROBATTERIE 审中-公开
公开(公告)号：WO2006024721A3
公开(公告)日：2006-03-09
申请号：PCT/FR2005/001771
申请日：2005-07-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , LAURENT, Jean-Yves , SALOT, Raphaël , MARSACQ, Didier , ZUSSY, Marc
发明人： LAURENT, Jean-Yves , SALOT, Raphaël , MARSACQ, Didier , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01M10/04
摘要： La microbatterie comporte un support (1) ayant une face avant (2) et une face arrière (3) et des premier (4) et second (5) collecteurs de courant disposés sur la face avant (2) du support (1). Sur les collecteurs de courant (4 et 5) est disposé un empilement comportant une cathode (8) et une anode (6) séparées par un électrolyte (7). L'anode (6) et la cathode (8) sont en contact respectivement avec les premier (4) et second (5) collecteurs de courant. Une couche de protection (9) recouvre ledit empilement. La microbatterie comporte, en contact avec les premier (4) et second (5) collecteurs de courant, des connexions (10) traversant le support (1) de sa face avant (2) à sa face arrière (3). L'empilement recouvre, de préférence, sensiblement la totalité de la face avant (2) du support (1). Un procédé de réalisation de la microbatterie comporte la gravure, dans la face avant (2) du support (1 ), de cavités ayant une profondeur inférieure à l'épaisseur du support (1 ), le comblement des cavités avec un matériau conducteur et le retrait d'une épaisseur de la face arrière (3) du support (1), de manière à découvrir le matériau conducteur contenu dans les cavités.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式