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1. 发明申请

WO2015025032A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM DETEKTIEREN EINER PLASMAZÜNDUNG 审中-公开
标题翻译：方法和装置等离子点火检测
公开(公告)号：WO2015025032A1
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：PCT/EP2014/067897
申请日：2014-08-22
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , HQ-DIELECTRICS GMBH
发明人： KEGEL, Wilhelm , LERCH, Wilfried , NIESS, Jürgen , SACHER, Nicole
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32917 , G01L23/08 , H01J37/3222 , H01J37/32935
摘要： Es ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Detektieren eines Plasmas in einer Prozesskammer zur Behandlung von Substraten offenbart. Bei dem Verfahren wird der Drucks innerhalb der Prozesskammer mit einem Drucksensor über einen Zeitraum gemessen, eine sprunghafte Druckänderung detektiert und eine Zündung oder ein Erlöschens eines Plasmas anhand wenigstens der Druckänderung bestimmt. Die Vorrichtung weist eine Prozesskammer zur Aufnahme wenigstens eines Substrats mit wenigstens einem Plasmaerzeuger, wenigstens einen Drucksensor, der so angeordnet ist, dass er den Druck innerhalb der Prozesskammer detektieren und ein dem Druck entsprechendes Ausgangssignal ausgeben kann, und wenigstens eine Auswerteeinheit auf. Die Auswerteeinheit ist in der Lage ein Ausgangssignal des Drucksensors über einen Zeitraum hinweg zu verfolgen und anhand wenigstens einer sprunghaften Veränderung des Ausgangssignals des Drucksensors eine Zündung oder ein Erlöschens eines Plasmas zu bestimmen.
摘要翻译：它公开了一种方法和用于处理基板的处理室中检测等离子体的装置。在该方法中，处理室中的压力与用于周期的压力传感器测得的，检测压力的急剧变化，并且至少压力变化来确定基于等离子体的点火或灭绝。该装置包括处理室，用于至少接收与至少一个等离子体发生器，其被设置为检测所述处理腔室中的压力，并且可以输出相应的压力输出信号，并且至少一个评估单元的至少一个压力传感器的基板。评估单元可以遵循在一个位置上，在一段时间和压力传感器的输出信号中的至少一个突变的基础上，所述压力传感器的输出信号以确定等离子体的点火或灭绝。

2. 发明公开

EP3036754A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM DETEKTIEREN EINER PLASMAZÜNDUNG 审中-公开
标题翻译：方法和装置等离子点火检测
公开(公告)号：EP3036754A1
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：EP14755652.6
申请日：2014-08-22
申请人： Centrotherm Photovoltaics AG , HQ-Dielectrics GmbH
发明人： KEGEL, Wilhelm , LERCH, Wilfried , NIESS, Jürgen , SACHER, Nicole
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32917 , G01L23/08 , H01J37/3222 , H01J37/32935
摘要： The invention relates to a method and a device for detecting a plasma in a process chamber for treating substrates. In the method, the pressure within the process chamber is measured by means of a pressure sensor over a time period, a sudden pressure change is detected, and an ignition or an extinguishing of a plasma is identified on the basis of at least the pressure change. The device comprises: a process chamber for accommodating at least one substrate, which process chamber has at least one plasma generator; at least one pressure sensor, which is arranged in such a way that the at least one pressure sensor can detect the pressure within the process chamber and can output an output signal corresponding to the pressure, and at least one evaluating unit. The evaluating unit is capable of tracking an output signal of the pressure sensor over a time period and identifying an ignition or an extinguishing of a plasma on the basis of at least one sudden change in the output signal of the pressure sensor.

3. 发明授权

EP2732065B1 VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINER SCHICHT AUF EINEM SUBSTRAT BEI TIEFEN TEMPERATUREN 有权转让
公开(公告)号：EP2732065B1
公开(公告)日：2019-02-13
申请号：EP12737208.4
申请日：2012-07-12
申请人： HQ-Dielectrics GmbH , centrotherm photovoltaics AG
发明人： NIESS, Jürgen , LERCH, Wilfried , KEGEL, Wilhelm , GSCHWANDTNER, Alexander
IPC分类号： C23C8/10 , C23C8/36 , C23C8/38

4. 发明申请

WO2012146396A1 VERFAHREN ZUR FESTPHASEN-KRISTALLISATION EINER AMORPHEN ODER POLYKRISTALLINEN SCHICHT 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR固相结晶的非晶或多晶层
公开(公告)号：WO2012146396A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/EP2012/001860
申请日：2012-04-30
申请人： HQ-DIELECTRICS GMBH , CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG , NIESS, Jürgen , GSCHWANDTNER, Alexander , LERCH, Wilfried , KEGEL, Wilhelm
发明人： NIESS, Jürgen , GSCHWANDTNER, Alexander , LERCH, Wilfried , KEGEL, Wilhelm
IPC分类号： C30B1/02 , C30B1/04 , C30B29/06 , H01L21/02 , C30B29/46 , C30B29/48 , C30B35/00
CPC分类号： C30B1/023 , C30B29/06 , C30B29/46 , C30B29/48 , C30B35/005 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02562 , H01L21/02568 , H01L21/02689
摘要： Es ist ein Verfahren zur Festphasen-Kristallisation einer amorphen oder polykristallinen Schicht, insbesondere einer Silizium-Schicht auf einem Substrat beschrieben. Bei dem Verfahren wird die Schicht auf eine vorbestimmte Kristallisationstemperatur erwärmt und ein mikrowelleninduzierten Plasmas benachbart zur Schicht erzeugt, um an der Oberfläche der Schicht ein elektrisches Feld zu erzeugen, und um durch dieses elektrische Feld eine Kristallisation der Schicht zu stimulieren.
摘要翻译：它是用于非晶或多晶层的固相结晶，特别是硅层描述在基板上的过程。在该方法中，该层被加热到预定的结晶温度，并在相邻的层中产生的，以产生在所述层的电场的表面，并通过该电场，该层的结晶化，以刺激微波诱导等离子体。

5. 发明申请

WO2013007389A3 VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINER SCHICHT AUF EINEM SUBSTRAT BEI TIEFEN TEMPERATUREN 审中-公开
公开(公告)号：WO2013007389A3
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/EP2012/002947
申请日：2012-07-12
申请人： HQ-DIELECTRICS GMBH , CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG , NIESS, Jürgen , LERCH, Wilfried , KEGEL, Wilhelm , GSCHWANDTNER, Alexander
发明人： NIESS, Jürgen , LERCH, Wilfried , KEGEL, Wilhelm , GSCHWANDTNER, Alexander
IPC分类号： C23C8/10 , C23C8/36 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/511 , H01J37/32 , C23C8/38
摘要： Es ist ein Verfahren zum Ausbilden einer Oxidschicht auf einem Substrat beschrieben, bei dem ein Plasma benachbart zu wenigstens einer Oberfläche des Substrats erzeugt wird. Das Plasma wird mittels Mikrowellen aus einem Sauerstoff enthaltenden Gas erzeugt, wobei die Mikrowellen von wenigstens einem Magnetron über wenigstens ein dem Substrat gegenüberliegenden Mikrowellenstab, der einen Außenleiter und einen Innenleiter aufweist, in das Gas eingekoppelt werden. Während der Ausbildung der Oxidschicht werden eine mittlere Mikrowellen-Leistungsdichte auf P = 0,8 - 10 W/cm 2 , eine Plasmadauer auf t = 0.1 bis 600 s, ein Druck auf p = 2,67 - 266,64 Pa (20 bis 2000 mTorr) und ein Abstand zwischen Substratoberfläche und Mikrowellenstab auf d = 5 - 120mm eingestellt. Die oben genanten und gegebenenfalls weitere Prozessbedingungen werden derart aufeinander abgestimmt, dass das Substrat auf einer Temperatur unter 200°C gehalten wird und ein Oxidwachstum auf der zum Plasma weisenden Oberfläche des Substrats induziert wird.

6. 发明申请

WO2012146397A1 VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINER SCHICHT AUF EINEM SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：一种用于形成层上的衬底
公开(公告)号：WO2012146397A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/EP2012/001861
申请日：2012-04-30
申请人： HQ-DIELECTRICS GMBH , CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG , NIESS, Jürgen , GSCHWANDTNER, Alexander , KEGEL, Wilhelm , LERCH, Wilfried
发明人： NIESS, Jürgen , GSCHWANDTNER, Alexander , KEGEL, Wilhelm , LERCH, Wilfried
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/02 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/02238 , H01J37/32192 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01L21/02252 , H01L21/31654
摘要： Es ist ein Verfahren zum Ausbilden einer Schicht auf einem Halbleitersubstrat, beschrieben, bei dem das Halbleitersubstrat auf eine vorgegebene Prozesstemperatur oberhalb von 500°C erwärmt wird, ein Prozessgas auf eine Oberfläche des Halbleitersubstrats geleitet wird und ein Plasma benachbart zu wenigstens einer Oberfläche des Halbleitersubstrats erzeugt wird.
摘要翻译：它是，描述了用于形成在半导体衬底上的层的方法，其中所述半导体衬底被加热到预定的处理温度高于500℃，工艺气体被引导到半导体衬底的表面和邻近于等离子体至少生成所述半导体衬底的表面是。

7. 发明申请

WO2017097680A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM THERMISCHEN BEHANDELN VON SUBSTRATEN SOWIE AUFNAHMEEINHEIT FÜR SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：基片热处理方法和装置以及基片记录单元
公开(公告)号：WO2017097680A1
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：PCT/EP2016/079628
申请日：2016-12-02
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人： MÜLLER, Steffen , ASCHNER, Helmut , KELLER, Thomas , KEGEL, Wilhelm , LERCH, Wilfried
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324 , F27B17/00 , H01L33/00 , H01L21/687 , F27D5/00
CPC分类号： H01L21/67115 , F27B17/0025 , F27D5/0037 , H01L21/68742 , H01L21/6875 , H01L21/68785
摘要： Es ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten, eine insbesondere Halbleiterwafern, sowie eine Aufnahmeeinheit für Substrate beschrieben. Bei dem Verfahren werden in einer Prozesseinheit mit einer Prozesskammer und einer Vielzahl von Strahlungsquellen, ein oder mehrere Substrate in einer Box mit einem Unterteil und einem Deckel aufgenommen, wobei das Unterteil und der Deckel dazwischen einen Aufnahmeraum für das Substrat bilden. Ferner werden bei dem Verfahren die folgenden Schritte durchgeführt: Beladen der Box und des Substrats in die Prozesskammer und Schließen derselben; Spülen des Aufnahmeraums der Box mit einem Spülgas und/oder einem Prozessgas vor einem Aufheizen der Box und des darin befindlichen Substrats auf eine gewünschte Prozesstemperatur, um im inneren der Box eine gewünschte Atmosphäre einzustellen; und Aufheizen der Box und des darin befindlichen Substrats auf die gewünschte Prozesstemperatur mittels von den Strahlungsquellen emittierter Wärmestrahlung. Die Aufnahmeeinheit für Substrate, ist zum Tragen der Substrate in einer Prozesseinheit mit einer Prozesskammer und einer Vielzahl von Strahlungsquellen ausgebildet. Die Aufnahmeeinheit besitzt ein Unterteil und einen Deckel, die im geschlossenen Zustand eine Box mit einen Aufnahmeraum für das Substrat dazwischen bilden, wobei wenigstens einer der Teile eine Vielzahl von Spülöffnungen aufweist, die einen Umfang der Box mit dem Aufnahmeraum verbinden, um das Spülen des Aufnahmeraums im geschlossenen Zustand der Box zu ermöglichen, wobei die Spülöffnungen derart ausgebildet sind, dass sie den Durchtritt von Wärmestrahlung der Strahlungsquellen im Wesentlichen verhindern.
摘要翻译：描述了用于热处理衬底，特别是半导体晶片和用于衬底的接收单元的方法和设备。在该方法中，在与处理室中的处理单元和多个辐射源，加入一个或多个基板在一个盒子具有底部部分和一个盖，其中，所述下部件和所述盖之间限定用于导航使用形式的容纳空间R的基板。此外，在该方法中，执行以下步骤：将箱子和基板装载到处理室及其封盖中; 在将箱体和其中的基板加热到期望的处理温度之前用烟道气和/或处理气体堆积箱体接收空间以在箱体的内部设定期望的气氛; 并通过由辐射源发射的热辐射将箱体和其中的基板加热到期望的处理温度。衬底接收单元适于在具有处理室和多个辐射源的处理单元中支撑衬底。接收单元具有一个底部和一个盖，其在关闭状态下与导航使用形式的容纳空间的盒ř其间的基底，其中至少一个所述部件的多个连接与接收空间中的盒的周边具有sp导航用途开口; L＆OUML 以允许盒子中的空间在盒子的关闭状态下被关闭，口腔开口基本上防止来自辐射源的辐射热的通过。

8. 发明公开

EP2732065A2 VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINER SCHICHT AUF EINEM SUBSTRAT BEI TIEFEN TEMPERATUREN 有权转让
标题翻译：一种用于形成层上的衬底低温区
公开(公告)号：EP2732065A2
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：EP12737208.4
申请日：2012-07-12
申请人： HQ-Dielectrics GmbH , Centrotherm Thermal Solutions GmbH + CO. KG
发明人： NIESS, Jürgen , LERCH, Wilfried , KEGEL, Wilhelm , GSCHWANDTNER, Alexander
IPC分类号： C23C8/10 , C23C8/36 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/511 , H01J37/32 , C23C8/38
CPC分类号： H01L21/02238 , C23C8/10 , C23C8/36 , C23C8/38 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/02164 , H01L21/02252 , H01L21/67115 , H01L31/02167 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要： The invention relates to a method for forming an oxide layer on a substrate, in which a plasma is produced adjacently to at least one surface of the substrate. The plasma is generated by means of microwaves from an oxygen-containing gas, wherein the microwaves from at least one magnetron are coupled into the gas by means of at least one microwave rod facing the substrate, which comprises an outer conductor and an inner conductor. During the formation of the oxide layer, a mean microwave power density P = 0.8-10 W/cm
2 , a plasma duration t = 0.1 to 600 s, a pressure p = 2.67-266.64 Pa (20 to 2000 mTorr), and a distance between the substrate surface and the microwave rod d = 5-120 mm are set. The above mentioned process conditions and optionally additional process conditions are adapted to each other in such a manner that the substrate is kept at a temperature of less than 200°C and oxide growth is induced on the surface of the substrate facing the plasma.

9. 发明公开

EP2917933A1 SUBSTRATHALTER SOWIE EINE VORRICHTUNG UND EIN VERFAHREN ZUM BEHANDELN VON SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：基材容器和处理基材的设备和方法
公开(公告)号：EP2917933A1
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：EP13811801.3
申请日：2013-11-11
申请人： centrotherm photovoltaics AG
发明人： REICHART, Johann Georg , KEGEL, Wilhelm , KUMMER, Günther , OBST, Reinhold , LERCH, Wilfried
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6838 , C23C16/45544 , C23C16/458 , C23C16/48 , C23C16/50 , H01L21/02271 , H01L21/0262 , H01L21/67115 , H01L21/68742 , H01L21/6875
摘要： A substrate holder comprising a plate element for receiving a substrate is described. The plate element has at least one depression in a first side of the plate element, and a multiplicity of spacers in the at least one depression, at least one opening which is flow-connected to the depression and is connectable to an external gas supply/extraction unit, at least one groove which radially surrounds the depression, at least one opening which is flow-connected to the groove and is connectable to an external gas supply/extraction unit, a circumferential web which radially surrounds the depression and lies between depression and groove, and circumferential bearing surfaces for the substrate, wherein a first circumferential bearing surface is formed at the top side of the web and radially surrounds the depression, such that a substrate bearing on the first bearing surface forms with the depression a closed chamber, and a second circumferential bearing surface, which radially surrounds the groove. Furthermore, a device and a method for treating substrates, more particularly semiconductor substrates, are described. The device comprises at least one substrate holder of the type described above which is arranged or can be received in a process chamber, and at least one radiation source arranged for emitting radiation into the process chamber. In the method, a substrate is taken up by suction on a first side of the substrate in a suction region, which radially surrounds a first process region at the first side of the substrate, in such a way that suction region and process region are separated, and a first gas atmosphere is applied to a second side of the substrate and a second gas atmosphere is applied to the first side of the substrate in the first process region, wherein the first and second gas atmospheres differ from one another.
摘要翻译：具有板元件，用于接收基片A的基板保持器。板元件包括在所述板元件的第一侧上的至少一个凹部，以及间隔件的在所述至少一个凹部复数，至少一个开口，所有这一切都流体地连接到凹部，并且可以在外部被连接到气体输送/排出单元，至少一个凹口或通道，它径向地围绕所述凹部，至少一个开口，所有这一切都流体地连接到所述凹口或通道，并且可以连接到在外部气体输送/排出单元，周向网，径向包围所述凹部，并位于所述凹部和所述凹口或通道，和用于基片的周向接触面之间，worin第一圆周接触表面形成在卷筒纸的上侧和径向地围绕所述凹部，求做了基板抵靠与凹部封闭的腔室的所述第一接触面的形式，和第二接触表面的周向，径向包围凹口或通道。

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