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1. 发明申请

WO2012146396A1 VERFAHREN ZUR FESTPHASEN-KRISTALLISATION EINER AMORPHEN ODER POLYKRISTALLINEN SCHICHT 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR固相结晶的非晶或多晶层
公开(公告)号：WO2012146396A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/EP2012/001860
申请日：2012-04-30
申请人： HQ-DIELECTRICS GMBH , CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG , NIESS, Jürgen , GSCHWANDTNER, Alexander , LERCH, Wilfried , KEGEL, Wilhelm
发明人： NIESS, Jürgen , GSCHWANDTNER, Alexander , LERCH, Wilfried , KEGEL, Wilhelm
IPC分类号： C30B1/02 , C30B1/04 , C30B29/06 , H01L21/02 , C30B29/46 , C30B29/48 , C30B35/00
CPC分类号： C30B1/023 , C30B29/06 , C30B29/46 , C30B29/48 , C30B35/005 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02562 , H01L21/02568 , H01L21/02689
摘要： Es ist ein Verfahren zur Festphasen-Kristallisation einer amorphen oder polykristallinen Schicht, insbesondere einer Silizium-Schicht auf einem Substrat beschrieben. Bei dem Verfahren wird die Schicht auf eine vorbestimmte Kristallisationstemperatur erwärmt und ein mikrowelleninduzierten Plasmas benachbart zur Schicht erzeugt, um an der Oberfläche der Schicht ein elektrisches Feld zu erzeugen, und um durch dieses elektrische Feld eine Kristallisation der Schicht zu stimulieren.
摘要翻译：它是用于非晶或多晶层的固相结晶，特别是硅层描述在基板上的过程。在该方法中，该层被加热到预定的结晶温度，并在相邻的层中产生的，以产生在所述层的电场的表面，并通过该电场，该层的结晶化，以刺激微波诱导等离子体。

2. 发明申请

WO2012146397A1 VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINER SCHICHT AUF EINEM SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：一种用于形成层上的衬底
公开(公告)号：WO2012146397A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/EP2012/001861
申请日：2012-04-30
申请人： HQ-DIELECTRICS GMBH , CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG , NIESS, Jürgen , GSCHWANDTNER, Alexander , KEGEL, Wilhelm , LERCH, Wilfried
发明人： NIESS, Jürgen , GSCHWANDTNER, Alexander , KEGEL, Wilhelm , LERCH, Wilfried
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/02 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/02238 , H01J37/32192 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01L21/02252 , H01L21/31654
摘要： Es ist ein Verfahren zum Ausbilden einer Schicht auf einem Halbleitersubstrat, beschrieben, bei dem das Halbleitersubstrat auf eine vorgegebene Prozesstemperatur oberhalb von 500°C erwärmt wird, ein Prozessgas auf eine Oberfläche des Halbleitersubstrats geleitet wird und ein Plasma benachbart zu wenigstens einer Oberfläche des Halbleitersubstrats erzeugt wird.
摘要翻译：它是，描述了用于形成在半导体衬底上的层的方法，其中所述半导体衬底被加热到预定的处理温度高于500℃，工艺气体被引导到半导体衬底的表面和邻近于等离子体至少生成所述半导体衬底的表面是。

3. 发明申请

WO2013007389A3 VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINER SCHICHT AUF EINEM SUBSTRAT BEI TIEFEN TEMPERATUREN 审中-公开
公开(公告)号：WO2013007389A3
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/EP2012/002947
申请日：2012-07-12
申请人： HQ-DIELECTRICS GMBH , CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG , NIESS, Jürgen , LERCH, Wilfried , KEGEL, Wilhelm , GSCHWANDTNER, Alexander
发明人： NIESS, Jürgen , LERCH, Wilfried , KEGEL, Wilhelm , GSCHWANDTNER, Alexander
IPC分类号： C23C8/10 , C23C8/36 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/511 , H01J37/32 , C23C8/38
摘要： Es ist ein Verfahren zum Ausbilden einer Oxidschicht auf einem Substrat beschrieben, bei dem ein Plasma benachbart zu wenigstens einer Oberfläche des Substrats erzeugt wird. Das Plasma wird mittels Mikrowellen aus einem Sauerstoff enthaltenden Gas erzeugt, wobei die Mikrowellen von wenigstens einem Magnetron über wenigstens ein dem Substrat gegenüberliegenden Mikrowellenstab, der einen Außenleiter und einen Innenleiter aufweist, in das Gas eingekoppelt werden. Während der Ausbildung der Oxidschicht werden eine mittlere Mikrowellen-Leistungsdichte auf P = 0,8 - 10 W/cm 2 , eine Plasmadauer auf t = 0.1 bis 600 s, ein Druck auf p = 2,67 - 266,64 Pa (20 bis 2000 mTorr) und ein Abstand zwischen Substratoberfläche und Mikrowellenstab auf d = 5 - 120mm eingestellt. Die oben genanten und gegebenenfalls weitere Prozessbedingungen werden derart aufeinander abgestimmt, dass das Substrat auf einer Temperatur unter 200°C gehalten wird und ein Oxidwachstum auf der zum Plasma weisenden Oberfläche des Substrats induziert wird.

4. 发明申请

WO2012059203A1 VORRICHTUNG ZUM BEHANDELN VON SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：设备处理基材
公开(公告)号：WO2012059203A1
公开(公告)日：2012-05-10
申请号：PCT/EP2011/005461
申请日：2011-10-28
申请人： HQ-DIELECTRICS GMBH , GSCHWANDTNER, Alexander , NIESS, Jürgen , BECKMANN, Wilhelm
发明人： GSCHWANDTNER, Alexander , NIESS, Jürgen , BECKMANN, Wilhelm
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/44
CPC分类号： F16J15/40 , C23C16/4409 , H01J37/3244 , H01J37/32477
摘要： Es ist eine Vorrichtung zum Behandeln von Substraten beschrieben, die ein Gehäuse, das im Inneren eine Prozesskammer bildet aufweist. Die Vorrichtung weist wenigstens einer Durchgangsöffnung im Gehäuse, wenigstens eine Dichtungsanordnung im Bereich der Durchgangsöffnung, um die Prozesskammer zur Umgebung hin abzudichten und wenigstens einen Gaseinlass benachbart zur wenigstens einen Dichtungsanordnung auf. Der Gaseinlass ist so angeordnet, dass hieraus austretendes Gas zwischen der Dichtung und einem Gas in der Prozesskammer, insbesondere reaktiven Gasspezies, eine Gasbarriereschicht bildet. Ferner ist eine Vorrichtung zum Behandeln von Substraten mit einem Gehäuse vorgesehen, das im Inneren eine Prozesskammer bildet, wobei das Gehäuse aus wenigstens zwei, vorzugsweise drei, die Prozesskammer radial umgebenden Seitenwandteilen aufgebaut ist. Wenigstens eine radial umlaufende Dichtungsanordnung ist zwischen Stirnseiten der Seitenwandteile vorgesehen und zwischen der wenigstens einen umlaufenden Dichtungsanordnung und der Prozesskammer ist wenigstens eine Gasführung vorgesehen, welche geeignet ist eine Gasbarriereschicht zwischen Dichtungsanordnung und Prozesskammer zu bilden.
摘要翻译：它是用于治疗所描述的基材，其包括在外壳内限定的处理室的装置。该装置具有在所述壳体的至少一个通道开口，在所述通孔，以密封来自环境的和相邻的至少一个气体入口的处理室用于至少一个密封组件的区域的至少一个密封装置。气体入口被设置成使得气体由其出射的密封件和在所述处理室中的气体之间的形式，特别是反应性气体种类，气体阻隔层。此外，一种用于处理基板的设备被提供有被设置，其形成在所述内部的处理室，其中所述壳体包括至少两个，优选地，所述处理腔室径向包围侧壁部由三个的壳体。至少一个径向外周密封装置被设置在侧壁部的端面之间，并且所述至少一个周向密封结构和处理室，一个气体通道至少设置，其适于形成所述密封组件和处理腔室之间的气体阻隔层之间。

5. 发明申请

WO2013135394A1 VORRICHTUNG ZUM BESTIMMEN DER TEMPERATUR EINES SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译： DEVICE FOR确定衬底的温度
公开(公告)号：WO2013135394A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：PCT/EP2013/000807
申请日：2013-03-15
申请人： CENTROTHERM THERMAL SOLUTIONS GMBH & CO. KG , HQ-DIELECTRICS GMBH
发明人： RICK, Hartmut , LERCH, Wilfried , NIESS, Jürgen
IPC分类号： G01J5/00 , G01J5/02 , G01J5/08
CPC分类号： H01L22/10 , G01J5/0003 , G01J5/0007 , G01J5/0275 , G01J5/0862 , G01J5/089 , G01J5/10 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/67248
摘要： Es ist eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Bestimmen der Temperatur eines Substrats, insbesondere eines Halbleiterwafers während einer Erwärmung durch wenigstens eine erste Strahlungsquelle beschrieben. Eine Bestimmung der Temperatur des Substrats basiert auf der Detektierung von ersten und zweiten Strahlungen, die jeweils eine Temperaturstrahlung des Substrats und unterschiedliche Anteile an am Substrat reflektierter Strahlung der ersten Strahlungsquelle aufweisen, sowie einer Ansteuerleistung der wenigstens einen ersten Strahlungsquelle und/oder einer Strahlungsintensität derselben.
摘要翻译：它是用于确定基板上，由至少一个第一射线源描述的加热过程中特别是半导体晶片的温度的装置和方法。衬底的温度的基础上，检测在第一和第二辐射的确定，每一个都具有在基板和反射至第一辐射源的基底的辐射的不同部分的辐射温度，并且所述至少一个第一射线源和/或它们的辐射强度的驱动力。

6. 发明公开

EP2732065A2 VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINER SCHICHT AUF EINEM SUBSTRAT BEI TIEFEN TEMPERATUREN 有权转让
标题翻译：一种用于形成层上的衬底低温区
公开(公告)号：EP2732065A2
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：EP12737208.4
申请日：2012-07-12
申请人： HQ-Dielectrics GmbH , Centrotherm Thermal Solutions GmbH + CO. KG
发明人： NIESS, Jürgen , LERCH, Wilfried , KEGEL, Wilhelm , GSCHWANDTNER, Alexander
IPC分类号： C23C8/10 , C23C8/36 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/511 , H01J37/32 , C23C8/38
CPC分类号： H01L21/02238 , C23C8/10 , C23C8/36 , C23C8/38 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/02164 , H01L21/02252 , H01L21/67115 , H01L31/02167 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要： The invention relates to a method for forming an oxide layer on a substrate, in which a plasma is produced adjacently to at least one surface of the substrate. The plasma is generated by means of microwaves from an oxygen-containing gas, wherein the microwaves from at least one magnetron are coupled into the gas by means of at least one microwave rod facing the substrate, which comprises an outer conductor and an inner conductor. During the formation of the oxide layer, a mean microwave power density P = 0.8-10 W/cm
2 , a plasma duration t = 0.1 to 600 s, a pressure p = 2.67-266.64 Pa (20 to 2000 mTorr), and a distance between the substrate surface and the microwave rod d = 5-120 mm are set. The above mentioned process conditions and optionally additional process conditions are adapted to each other in such a manner that the substrate is kept at a temperature of less than 200°C and oxide growth is induced on the surface of the substrate facing the plasma.

7. 发明公开

EP2825859A1 VORRICHTUNG ZUM BESTIMMEN DER TEMPERATUR EINES SUBSTRATS 有权转让
标题翻译： DEVICE FOR确定衬底的温度
公开(公告)号：EP2825859A1
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：EP13716726.8
申请日：2013-03-15
申请人： Centrotherm Thermal Solutions GmbH + CO. KG , HQ-Dielectrics GmbH
发明人： RICK, Hartmut , LERCH, Wilfried , NIESS, Jürgen
IPC分类号： G01J5/00 , G01J5/02 , G01J5/08
CPC分类号： H01L22/10 , G01J5/0003 , G01J5/0007 , G01J5/0275 , G01J5/0862 , G01J5/089 , G01J5/10 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/67248
摘要： The invention relates to a device and to a method for determining the temperature of a substrate, in particular of a semiconductor wafer, during heating by means of at least one first radiation source. A determination of the temperature of the substrate is based on detecting first and second radiations, each composed of a temperature radiation of the substrate and different proportions of the radiation reflecting on the substrate from the first radiation source, and on a drive power of the at least one first radiation source and/or a radiation intensity thereof.

8. 发明申请

WO2011116991A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BEHANDELN VON SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：装置和方法处理基材
公开(公告)号：WO2011116991A1
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：PCT/EP2011/001553
申请日：2011-03-28
申请人： HQ-DIELECTRICS GMBH , NIESS, Jürgen , BECKMANN, Wilhelm
发明人： NIESS, Jürgen , BECKMANN, Wilhelm
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/32862
摘要： Es ist eine Vorrichtung zum Behandeln von Substraten beschrieben, die ein eine Prozesskammer umgebendes Gehäuse, sowie wenigstens eine Substrataufnahme in dem Gehäuse aufweist. Ferner ist eine rohrförmige Mikrowellenelektrode zum Erzeugen eines Plasmas vorgesehen, wobei die Rohrachse auf die Substrataufnahme gerichtet ist, sowie eine Bewegungseinheit, welche die Mikrowellenelektrode oder die Substrataufnahme trägt und geeignet ist die Mikrowellenelektrode oder die Substrataufnahme so zu bewegen, dass die Rohrachse die Substrataufnahme während einer Behandlung überstreicht. Darüber hinaus weist die Vorrichtung eine erste Gasführung mit einem ersten Auslass auf, der sich in die rohrförmige Mikrowellenelektrode öffnet und der auf die Substrataufnahme gerichtet ist und eine zweite Gasführung, die die erste Gasführung wenigstens teilweise umgibt und einen zweiten Auslass aufweist, der koaxial zum ersten Auslass ausgerichtet ist, wobei die erste und zweite Gasführung mit der Bewegungseinheit verbunden sind, um gemeinsam mit der Mikrowellenelektrode bewegt zu werden, und wobei die erste und zweite Gasführung mit unterschiedlichen Gasquellen beaufschlagbar sind. Es ist auch ein Verfahren zum Behandeln von Substraten, mit folgenden Schritten beschrieben, Leiten eines Strahls eines Wasserstoff-und/oder Deuterium enthaltenden Gases durch ein erstes Mikrowellenplasma, das vom zu behandelnden Substrat beabstandet ist, um einen Strahl aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen zu bilden, wobei der Strahl aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen auf das zu behandelnde Substrat gerichtet ist, Leiten eines Strahls aus Prekursorgasen durch das Mikrowellenplasma derart, dass der Strahl aus Prekursorgasen von dem Strahl aus Wasserstoff- und/oder Deuteriumradikalen umgeben ist, und sie einen gemeinsamen Prozessstrahl bilden, der auf das zu behandelnde Substrat gerichtet ist, und Überstreichen des Prozessstrahls über das zu behandelnde Substrat zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf dem Substrat, wobei das Überstreichen durch eine entsprechende Bewegung einer ersten Mikrowellenelektrode und von Gaseinleitungsdüsen für das Wasserstoff- und/oder Deuterium enthaltende Gas und die Prekursorgase bewirkt wird
摘要翻译：它是用于治疗所述的基板，其包括围绕工艺腔室和在所述壳体中的至少一个基片支撑的壳体的装置。此外，管状微波电极提供用于产生等离子，其中所述管轴线被引导到衬底的接收，和支撑微波电极或基板接收和合适的微波电极或基板支撑件的移动单元将被移动，使得在一个基板支撑件的管轴治疗扫描。此外，该装置包括第一气体导管，其中通入所述管状微波电极与被引导到衬底接收和其中至少围绕第一气体引导部的第二气体引导件和具有与所述第一的第二出口同轴的第一出口与出口，其中，所述第一和第二气体导被连接到移动单元将与微波电极一起移动，并且其中，与不同的气源，第一和第二气体导的作用时对准。还有用于治疗被描述，包括以下步骤的衬底，将氢的光束的方法和/或通过第一微波等离子体，其从衬底隔开气体含氘待治疗，氢和/或氘自由基的光束形式，其中氢和/或氘自由基的光束被引导到衬底的待处理，传递Prekursorgasen的光束，由微波等离子体，使得由氢和/或氘自由基的光束从Prekursorgasen光束被包围，并且它们形成被引导到衬底的待处理的公共处理光束，以及用于在衬底上沉积外延层，待处理的衬底上的过程束的重新涂复，其中通过一个第一微波电极的相应运动的吹扫管和一个气体入口喷嘴的氢和 /或气体含氘和Prekursorgase被实现

9. 发明申请

WO2012025249A1 VERFAHREN UND STEUERVORRICHTUNG ZUR REINIGUNG EINER PLASMABEHANDLUNGSVORRICHTUNG UND/ODER EINES IN EINER PLASMABEHANDLUNGSVORRICHTUNG AUFGENOMMENEN SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译：方法及控制装置清洁和/或等离子体处理装置，等离子体处理设备记录衬底
公开(公告)号：WO2012025249A1
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：PCT/EP2011/004311
申请日：2011-08-26
申请人： HQ-DIELECTRICS GMBH , NIESS, Jürgen , BECKMANN, Wilhelm
发明人： NIESS, Jürgen , BECKMANN, Wilhelm
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46 , C23C16/44
CPC分类号： H01J37/32009 , C23C16/4405 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32862
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reinigung einer Plasmabehandlungsvorrichtung und/oder eines in einer Plasmabehandlungsvorrichtung aufgenommenen Substrats, wobei die Plasmabehandlungsvorrichtung wenigstens zwei Plasmaeinheiten umfasst, wobei wenigstens zwei der Plasmaeinheiten zur Erzeugung einer durch die Plasmabehandlungsvorrichtung fortschreitenden Plasmawelle sequentiell gezündet werden. Alternativ wird mit wenigstens einer Plasmaeinheit eine pulsierende Plasmadruckwelle erzeugt.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于纯化的等离子体处理装置和/或记录在等离子体处理装置用基板，其中，所述等离子体处理装置包括等离子体的至少两个单元，至少两个所述等离子体单元被依次焙烧由等离子体处理装置的等离子体波以产生渐进。或者，与至少一个等离子体单元产生的脉动等离子体压力波。

10. 发明申请

WO2012025248A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM BEHANDELN EINES SUBSTRATS MITTELS EINES PLASMAS 审中-公开
标题翻译：方法和设备处理基材采用等离子体
公开(公告)号：WO2012025248A1
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：PCT/EP2011/004310
申请日：2011-08-26
申请人： HQ-DIELECTRICS GMBH , NIESS, Jürgen , BECKMANN, Wilhelm
发明人： NIESS, Jürgen , BECKMANN, Wilhelm
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32009 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32862
摘要： Es wird ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Behandeln eines Substrats mittels eines Plasmas beschrieben. Bei dem Verfahren wird ein Plasma über eine Vielzahl von Plasmaeinheiten erzeugt, wobei zunächst in wenigstens eine erste Plasmaeinheit, eine Zündleistung eingespeist wird, um benachbart hierzu in einem ersten Plasmabereich ein Plasma zu erzeugen. Anschließend oder auch gleichzeitig hierzu wird in wenigstens eine zweite Plasmaeinheit eine Leistung eingespeist, die wesentlich kleiner ist als die Zündleistung der zweiten Plasmaeinheit, die aber ausreicht, um ein einmal gezündetes Plasma benachbart zur zweiten Plasmaeinheit aufrecht zu erhalten, wobei die zweite Plasmaeinheit derart benachbart zur ersten Plasmaeinheit liegt, das der erste Plasmabereich einen Abstrahlbereich der zweiten Plasmaeinheit überlappt. Mittels des schon gezündeten Plasmas im ersten Plasmabereich und der in die zweite Plasmaeinheit eingespeisten Leistung wird nun ein Plasma im Plasmabereich der zweiten Plasmaeinheit gezündet. Die Vorrichtung weist eine Vielzahl von benachbarten Plasmaeinheiten zum jeweiligen Erzeugen eines Plasmas in einem Plasmabereich der Plasmaeinheiten auf, wobei die Plasmaeinheiten so angeordnet sind, dass der Plasmabereich wenigstens einer ersten Plasmaeinheit einen Abstrahlbereich wenigstens einer benachbarten zweiten Plasmaeinheit überlappt. Eine Steueranordnung ist vorgesehen, die geeignet ist wenigstens die ersten und zweiten Plasmaeinheiten unabhängig voneinander anzusteuern.
摘要翻译：它是由一个等离子体，用于处理衬底的方法和装置来描述。在该方法中，产生在等离子体多个等离子体单元，其中首先将第一等离子体单元，点火至少以产生与其相邻的在第一等离子体区域中的等离子体进料。此后或同时在其上的至少一个第二等离子体单元被供给的功率比所述第二等离子体单元的点火性能显着更小，但足以使相邻的，以获得一旦点燃等离子体到第二等离子体单元直立，所述第二等离子体单元在邻近这样一种方式第一等离子体单元位于，重叠所述第一等离子体区中的第二等离子体单元的辐射区。通过在第一等离子体区域中的已点燃等离子体的装置和送入第二等离子体单元中，等离子体功率然后在第二等离子体单元的等离子体区域点燃。该装置包括多个分别用于在等离子体单元的等离子体区域中产生等离子体相邻的等离子体单元，所述等离子体单元被布置成使得所述等离子体区域中的至少一个第一等离子体单元重叠的至少一个相邻的第二等离子体单元的发光区域。本发明提供一种控制装置，其适合于独立地驱动至少所述第一和第二等离子体单元。

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