专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2012103933A1 METHOD AND APPARATUS FOR CORRECTING ERRORS IN AN EUV LITHOGRAPHY SYSTEM 审中-公开
标题翻译：用于校正非线性光刻系统中的误差的方法和装置
公开(公告)号：WO2012103933A1
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：PCT/EP2011/051374
申请日：2011-02-01
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , PIXER TECHNOLOGY LTD. , MENGEL, Markus , STICKEL, Franz-Josef , WEGMANN, Ulrich , DÖRBAND, Bernd , OSHEMKOV, Sergey
发明人： MENGEL, Markus , STICKEL, Franz-Josef , WEGMANN, Ulrich , DÖRBAND, Bernd , OSHEMKOV, Sergey
IPC分类号： B23K26/00 , G03F7/20 , G03F1/00
CPC分类号： G03F7/70591 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/52 , G03F1/60 , G03F1/72 , G03F7/70316
摘要： The invention relates to a method for correcting a local surface defect (430, 440, 530, 540) of a reflective optical element (170, 171, 172, 173, 74, 175, 200, 300, 400, 500, 700, 800) of an extreme ultraviolet lithography system (100) comprises the steps of analyzing the local surface defect (430, 440, 530, 540), correcting the local surface defect (430, 440, 530, 540) by focusing femto- or picosecond light pulses of a laser system (600) onto positions of the local surface defect (430, 440, 530, 540), and verifying that a wave front sensor (190) associated with the extreme ultraviolet lithography system (100) can no longer detect the local surface defect (430, 440, 530, 540).
摘要翻译：本发明涉及一种校正反射光学元件（170,171,172,173,74,175,200,300,400,500,700,800）的局部表面缺陷（430,440,530,540）的方法，）包括以下步骤：通过聚焦毫微微秒或皮秒光来分析局部表面缺陷（430,440,530,540），校正局部表面缺陷（430,440,530,540）激光系统（600）的脉冲到局部表面缺陷（430,440,530,540）的位置，并且验证与极紫外光刻系统（100）相关联的波前传感器（190）不能再检测到局部表面缺陷（430,440,530,540）。

2. 发明申请

WO2012009108A2 CONTROLLABLE TRANSMISSION AND PHASE COMPENSATION OF TRANSPARENT MATERIAL 审中-公开
标题翻译：透明材料的可控传输和相位补偿
公开(公告)号：WO2012009108A2
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/US2011/041155
申请日：2011-06-21
申请人： CARL ZEISS SMS LTD. , CARL ZEISS SMT GMBH , CARL ZEISS SMS GMBH , OSHEMKOV, Sergey , KLAESGES, Ralph , MENGEL, Markus , KRUGLYAKOV, Vladimir , BEN-ZVI, Guy , DMITRIEV, Vladimir , ZAIT, Eitan , LABOVITZ, Steven
发明人： OSHEMKOV, Sergey , KLAESGES, Ralph , MENGEL, Markus , KRUGLYAKOV, Vladimir , BEN-ZVI, Guy , DMITRIEV, Vladimir , ZAIT, Eitan , LABOVITZ, Steven
IPC分类号： C03C23/00
CPC分类号： G03F7/2002 , C03C23/0025
摘要： A system for processing a substrate includes a light source to provide light pulses, a stage to support a substrate, optics to focus the light pulses onto the substrate, a scanner to scan the light pulses across the substrate, a computer to control properties of the light pulses and the scanning of the light pulses such that color centers are generated in various regions of the substrate, and at least one of (i) an ultraviolet light source to irradiate the substrate with ultraviolet light or (ii) a heater to heat the substrate after formation of the color centers to stabilize a transmittance spectrum of the substrate.
摘要翻译：用于处理衬底的系统包括提供光脉冲的光源，支撑衬底的台，用于将光脉冲聚焦到衬底上的光学器件，扫描穿过衬底的光脉冲的扫描器计算机，用于控制光脉冲的性质和光脉冲的扫描，使得在衬底的各个区域中产生色心，以及（i）用紫外光照射衬底的紫外光源或（ii）加热器，用于在形成色心之后加热基片以稳定基片的透射光谱。

3. 发明申请

WO2011091891A2 ARRANGEMENT FOR AND METHOD OF CHARACTERISING THE POLARISATION PROPERTIES OF AN OPTICAL SYSTEM 审中-公开
标题翻译：表征光学系统偏振特性的方法和方法
公开(公告)号：WO2011091891A2
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/EP2010/068713
申请日：2010-12-02
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , HEMPELMANN, Uwe , MENGEL, Markus , HUBER, Peter
发明人： HEMPELMANN, Uwe , MENGEL, Markus , HUBER, Peter
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/7085 , G03F7/70566
摘要： The invention concerns an arrangement for and a method of characterising the polarisation properties of an optical system, in particular an optical system of a microlithographic projection exposure apparatus, comprising at least one polarisation state generator (130, 230, 330) which sets a defined polarisation state of radiation incident on the optical system, and a polarisation state detector (140, 240, 340) adapted to measure the exit polarisation state of radiation issuing from the optical system, wherein the optical system is designed for a working wavelength of less than 15 nm, and wherein the polarisation state generator and/or the polarisation state detector are so designed that their polarisation-optical action on an incident light beam is substantially constant over an angle spectrum of said light beam of at least 10°.
摘要翻译：本发明涉及一种用于表征光学系统的偏振特性的装置和方法，特别是微光刻投影曝光装置的光学系统，其包括至少一个偏振状态发生器（130,230,330），其设定限定的偏振入射在光学系统上的辐射状态和适于测量从光学系统发出的辐射的出射极化状态的偏振状态检测器（140,240,340），其中该光学系统被设计用于小于15的工作波长 nm，并且其中所述偏振状态发生器和/或所述偏振状态检测器被设计成使得其对入射光束的偏振光学作用在至少10°的所述光束的角度光谱上基本上是恒定的。

4. 发明申请

WO2013123973A1 METHOD AND APPARATUS FOR COMPENSATING AT LEAST ONE DEFECT OF AN OPTICAL SYSTEM 审中-公开
标题翻译：用于补偿光学系统的至少一个缺陷的方法和装置
公开(公告)号：WO2013123973A1
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：PCT/EP2012/052909
申请日：2012-02-21
申请人： CARL ZEISS SMS LTD. , CARL ZEISS SMT GMBH , DMITRIEV, Vladimir , SÄNGER, Ingo , SCHLESENER, Frank , MENGEL, Markus , RUOFF, Johannes
发明人： DMITRIEV, Vladimir , SÄNGER, Ingo , SCHLESENER, Frank , MENGEL, Markus , RUOFF, Johannes
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70591 , G01M11/0242 , G02B5/3091 , G02B27/0043 , G03F7/70191 , G03F7/70308 , G03F7/70566
摘要： The invention relates to a method for compensating at least one defect of an optical system which comprises introducing an arrangement of local persistent modifications in at least one optical element of the optical system, so that the at least one defect is at least partially compensated. Ultra-short laser pulses are used to create strain induced birefringence for compensating local polarization variations or to create local scattering distribution for compensating intensity variations.
摘要翻译：本发明涉及一种用于补偿光学系统的至少一个缺陷的方法，其包括在所述光学系统的至少一个光学元件中引入本地持续修改的布置，使得所述至少一个缺陷至少部分被补偿。使用超短激光脉冲来产生应变诱导双折射以补偿局部偏振变化或产生用于补偿强度变化的局部散射分布。

5. 发明申请

WO2005003862A1 VORRICHTUNG ZUR POLARISATIONSSPEZIFISCHEN UNTERSUCHUNG EINES OPTISCHEN SYSTEMS 审中-公开
标题翻译：设备中，用于光偏振具体检查系统
公开(公告)号：WO2005003862A1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/EP2003/007203
申请日：2003-07-05
申请人： CARL ZEISS SMT AG , WEGMANN, Ulrich , MENGEL, Markus
发明人： WEGMANN, Ulrich , MENGEL, Markus
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G02B5/3058 , G01J4/04 , G02B5/1809 , G02B5/3091 , G02B27/4222 , G02B27/4255 , G02B27/4261 , G02B27/4277 , G03F7/70566 , G03F7/70591
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur polarisationsspezifischen Untersuchung eines optischen Systems mit einem Detektorteil, der Polarisationsdetektormittel zur Erfassung des Austritts-Polarisationszustands von aus dem optischen System austretender Strahlung (6) aufweist. Erfindungsgemäß beinhalten die Polarisationsdetektormittel eine polarisierende Gitterstruktur (4). Verwendung z.B. zur Bestimmung der Beeinflussung des Polarisationszustands von UV-Strahlung durch ein Mikrolithographie-Projektionsobjektiv.
摘要翻译：本发明涉及一种用于与检测器部分的光学系统的特定偏振检查的设备，该偏振检测器装置，用于从所述光学系统出射的辐射（6）检测偏振的出射状态。根据本发明的偏振检测器装置包括一个偏振光栅结构（4）。例如使用以确定紫外辐射的偏振态的通过微光刻投射透镜的影响。

6. 发明申请

WO2006002859A2 BELEUCHTUNGSQUELLE, WELLENFRONTVERMESSUNGSVORRICHTUNG UND MIKROLITHOGRAFIE-PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE 审中-公开
标题翻译：照明源，波前测量装置和显微投影曝光装置
公开(公告)号：WO2006002859A2
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：PCT/EP2005/006918
申请日：2005-06-28
申请人： CARL ZEISS SMT AG , DAHL, Manfred , GOEPPERT, Markus , HAIDNER, Helmut , MENGEL, Markus , KAUFMANN, Paul , SCHUHMACHER, Dagmar , WEGMANN, Ulrich
发明人： DAHL, Manfred , GOEPPERT, Markus , HAIDNER, Helmut , MENGEL, Markus , KAUFMANN, Paul , SCHUHMACHER, Dagmar , WEGMANN, Ulrich
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70008 , G03F7/70375 , G03F7/706
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine Beleuchtungsquelle zur Bereitstellung einer räumlich strukturierten Beleuchtungsstrahlung, insbesondere im EUV-Wellenlängenbereich, und auf eine damit ausgerüstete Wellenfrontvermessungsvorrichtung und auf eine entsprechende Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage.Die Erfindung schlägt eine Beleuchtungsquelle mit einer Teilchenstrahlquelle (11), einer Beleuchtungsmaske (4c), die mit einem strukturierten oder unstrukturierten Targetmaterial (8c) belegt ist, das bei Beschuss durch einen von der Teilchenstrahlquelle emittierten Teilchenstrahl (13) die Beleuchtungsstrahlung (a) emittiert. Verwendung z.B. zur Wellenfrontvermessung optischer Abbildungssysteme von Mikrolithografiesystemen, die im EUV-Wellenlängenbereich arbeiten, bei deren Betriebswellenlänge.
摘要翻译：
本发明涉及的照明源，用于提供A R AUML;空间结构化照明辐射，特别是在EUV波长BEAR长度范围内，并且一个这样对准导航使用恒定波前测量装置和相应的微光刻Projektionsbelichtungsanlage.Die发明 SCHL BEAR GT与具有结构化或非结构化的靶材料的粒子射线源（11），照明掩模（图4c）的照明源（图8C）为满时，当通过从粒子束粒子束发射的光轰击（13）射出的照明辐射的（a），使用例如适用于在EUV波长范围工作的微光刻系统的光学成像系统的波前测量，在其工作波长处

7. 发明申请

WO2005119368A2 SYSTEM FOR MEASURING THE IMAGE QUALITY OF AN OPTICAL IMAGING SYSTEM 审中-公开
标题翻译：用于测量光学成像系统的图像质量的系统
公开(公告)号：WO2005119368A2
公开(公告)日：2005-12-15
申请号：PCT/EP2005/005918
申请日：2005-06-02
申请人： CARL ZEISS SMT AG , MENGEL, Markus , WEGMANN, Ulrich , EHRMANN, Albrecht , EMER, Wolfgang , CLEMENT, Reiner , MATHIJSSEN, Ludo
发明人： MENGEL, Markus , WEGMANN, Ulrich , EHRMANN, Albrecht , EMER, Wolfgang , CLEMENT, Reiner , MATHIJSSEN, Ludo
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G01M11/0257 , G01M11/0214 , G01M11/0271 , G03F7/70341 , G03F7/70591 , G03F7/70716 , G03F7/70958 , Y10T428/31
摘要： A measuring system for the optical measurement of an optical imaging system, which is provided to image a pattern arranged in an object surface of the imaging system in an image surface of the imaging system, comprises an object-side structure carrier having an object-side measuring structure, to be arranged on the object side of the imaging system; an image-side structure carrier having an image-side measuring structure, to be arranged on the image side of the imaging system; the object-side measuring structure and the image-side measuring structure being matched to each other in such a way that, when the object-side measuring structure is imaged onto the image-side measuring structure with the aid of the imaging system, a superposition pattern is produced; and a detector for the locally resolving acquisition of the superposition pattern. The imaging system is designed as an immersion system for imaging with the aid of an immersion liquid. A structure carrier to be arranged in the region of the immersion liquid is assigned a protective system in order to increase the resistance of the measuring structure to degradation caused by the immersion liquid. A measurement of immersion systems under immersion conditions is thereby possible without detrimental influence of the immersion liquid on the measuring accuracy.
摘要翻译：一种用于光学成像系统的光学测量的测量系统，其被设置为对成像系统的图像表面中布置在成像系统的物体表面中的图案进行成像，包括：物体侧结构载体，其具有物体侧测量结构，被布置在成像系统的物体侧; 具有图像侧测量结构的图像侧结构载体，被布置在成像系统的图像侧; 物体侧测量结构和图像侧测量结构彼此匹配，使得当物体侧测量结构借助于成像系统成像到图像侧测量结构上时，叠加图案生产; 以及用于局部求解叠加图案的检测器。成像系统被设计为用于借助于浸没液体进行成像的浸没系统。布置在浸没液体区域中的结构载体被分配保护系统，以便增加测量结构对浸入液体引起的降解的阻力。因此，在浸没条件下的浸渍系统的测量可以在浸没液体对测量精度的不利影响的情况下进行。

8. 发明授权

EP1774405B1 SYSTEM FOR MEASURING THE IMAGE QUALITY OF AN OPTICAL IMAGING SYSTEM 有权
标题翻译：测量系统的光学成像系统的图像质量
公开(公告)号：EP1774405B1
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：EP05754724.2
申请日：2005-06-02
申请人： Carl Zeiss SMT GmbH
发明人： MENGEL, Markus , WEGMANN, Ulrich , EHRMANN, Albrecht , EMER, Wolfgang , CLEMENT, Reiner , MATHIJSSEN, Ludo
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G01M11/0257 , G01M11/0214 , G01M11/0271 , G03F7/70341 , G03F7/70591 , G03F7/70716 , G03F7/70958 , Y10T428/31

9. 发明申请

WO2009100862A1 OPTCAL SYSTEM FOR A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS AND MICROLITHOGRAPHIC EXPOSURE METHOD 审中-公开
标题翻译：用于微晶投影曝光装置和微观曝光方法的OPTCAL系统
公开(公告)号：WO2009100862A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：PCT/EP2009/000854
申请日：2009-02-06
申请人： CARL ZEISS SMT AG , MENGEL, Markus
发明人： MENGEL, Markus
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70116 , G03F7/70566
摘要： The invention relates to an optical system for a microlithographic projection exposure apparatus, and to a microlithographic exposure method. An optical system for a microlithographic projection exposure apparatus comprises an illumination device (10), which has a mirror arrangement (200) having a plurality of mirror elements (200a, 200b, 200c,...) which are adjustable independently of one another for altering an angular distribution of the light reflected by the mirror arrangement (200), and at least one polarization state altering device like e.g. a photoelastic modulator (100).
摘要翻译：本发明涉及一种用于微光刻投影曝光装置的光学系统和一种微光刻曝光方法。一种用于微光刻投影曝光装置的光学系统，包括一个照明装置（10），该照明装置具有一个具有多个可独立调节的多个反射镜元件（200a，200b，200c，...）的反射镜装置，改变由反射镜装置（200）反射的光的角度分布，以及至少一个偏振状态改变装置，例如，光弹性调制器（100）。

10. 发明申请

WO2008019936A3 MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS AND MICROLITHOGRAPHIC EXPOSURE METHOD 审中-公开
公开(公告)号：WO2008019936A3
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：PCT/EP2007/057776
申请日：2007-07-27
申请人： CARL ZEISS SMT AG , MENGEL, Markus
发明人： MENGEL, Markus
IPC分类号： G03F7/20
摘要： The invention relates to a microlithographic projection exposure apparatus and to a microlithographic exposure method. A microlithographic projection exposure apparatus according to the invention comprises a pulsed light source (110, 210) for generating pulsed light, an illumination device (130, 230) and a projection objective, the illumination device (130, 230) illuminating an object plane of the projection objective and the object plane being imaged into an image plane of the projection objective by means of the projection objective, and at least one photoelastic modulator (120, 220) being arranged between the pulsed light source (110, 210) and the illumination device (130, 230).

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式