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1. 发明专利

JP2012073258A Method for determining position of structure within image and position measuring device for carrying out the method 有权
标题翻译：用于确定图像中的结构位置的方法和实现方法的位置测量装置
公开(公告)号：JP2012073258A
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：JP2011213393
申请日：2011-09-08
申请人： Carl Zeiss Sms Gmbh , カールツァイスエスエムエスゲーエムベーハー
发明人： MARIO RENKLI
IPC分类号： G01B11/00 , G03F1/84 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/84 , G03F9/7007 , G03F9/7088 , G06T7/001 , G06T7/74 , G06T2207/30148
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for determining a position of a structure within an image relative to a reference point and to provide a position measuring device for carrying out the method.SOLUTION: A method for determining the position of a structure within an image relative to a reference point, in which the structure has a center of symmetry, comprises: providing an image which comprises the structure and which has a reference point; carrying out at least one symmetry operation of the image with respect to the reference point, by means of which at least one mirror image is obtained which has a mirrored structure congruent relative to the structure; determining at least one displacement vector between the structure and one mirrored structure or two mirrored structures; and calculating the position of the structure as a position of the center of symmetry of the structure relative to the reference point from the at least one displacement vector. Furthermore, the position measuring device is provided for determining the position of a structure within an image relative to a reference point.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于确定图像内的结构相对于参考点的位置的方法，并且提供用于执行该方法的位置测量装置。解决方案：一种用于确定图像内的结构相对于参考点的位置的方法，其中所述结构具有对称中心，包括：提供包括所述结构并具有参考点的图像; 执行相对于参考点的图像的至少一个对称操作，借助于该至少一个镜像获得具有相对于该结构一致的镜像结构; 确定结构与一个镜像结构或两个镜像结构之间的至少一个位移矢量; 以及从所述至少一个位移矢量计算所述结构的位置作为所述结构相对于所述参考点的对称中心的位置。此外，位置测量装置用于确定图像内的结构相对于参考点的位置。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2005094004A Photodetector of which quantum efficiency is enhanced 审中-公开
标题翻译：量子效率的光电增强器
公开(公告)号：JP2005094004A
公开(公告)日：2005-04-07
申请号：JP2004265683
申请日：2004-09-13
申请人： Carl Zeiss Sms Gmbh , カールツァイスエスエムエスゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
发明人： HARTUNG FRANK , PAUL JOCHEN , BAUER HARRY
IPC分类号： H01L31/10 , H01J40/14 , H01L31/00 , H01L31/0232 , H01L31/101 , H01L31/103
CPC分类号： H01L31/103 , H01L31/02161
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photodetector having a specially improved quantum efficiency without conventional technical defects.
SOLUTION: The photodetector based on a semiconductor, silicon in particular, comprises: a detector body (1.1) having a detector surface (1.2); and a cover layer (2) disposed on the detector surface (1.2), the cover having at least a first layer (2.1), wherein the cover layer (2) is configured to have transmissivity within at least one work wavelength region that is higher than that of a cover layer made of SiO
2 of the same thickness so as to enhance the quantum efficiency.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供没有常规技术缺陷的具有特别提高的量子效率的光电检测器。解决方案：特别地，基于半导体的光检测器，包括：具有检测器表面（1.2）的检测器主体（1.1）; 以及设置在所述检测器表面（1.2）上的覆盖层（2），所述盖具有至少第一层（2.1），其中所述覆盖层（2）被配置为在至少一个工作波长区域内具有更高的透射率比具有相同厚度的由SiO 2 制成的覆盖层的覆盖层提高量子效率。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

3. 发明专利

JP2014174552A Method and apparatus for protecting substrate during processing using particle beam 有权
标题翻译：在使用粒子束加工过程中保护基板的方法和装置
公开(公告)号：JP2014174552A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：JP2014044579
申请日：2014-03-07
申请人： Carl Zeiss Sms Gmbh , カールツァイスエスエムエスゲーエムベーハー
发明人： THORSTEN HOFMANN , TRISTAN BRET , PETRA SPIES , NICOLE AUTH , MICHAEL BUDACH , DAJANA CUJAS
IPC分类号： G03F1/74 , H01L21/302
CPC分类号： G03F1/72
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and apparatus for protecting a substrate during a processing using particle beam.SOLUTION: This invention relates to a method and apparatus for protecting a substrate during a processing using at least one particle beam. The method comprises steps of: (a) applying a locally restricted limited protection layer on the substrate; (b) etching the substrate and/or a layer arranged on the substrate by using at least one particle beam and at least one gas; and/or (c) depositing material onto the substrate by using at least one particle beam and at least one precursor gas; and (d) removing the locally limited protection layer from the substrate.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在使用粒子束的加工过程中保护基底的方法和装置。解决方案：本发明涉及一种在使用至少一个粒子束的加工过程中保护基底的方法和装置。该方法包括以下步骤：（a）将局部受限的有限保护层施加在基底上; （b）通过使用至少一个粒子束和至少一种气体蚀刻衬底和/或布置在衬底上的层; 和/或（c）通过使用至少一个粒子束和至少一种前体气体将材料沉积到所述基底上; 和（d）从衬底去除局部限制的保护层。

4. 发明专利

JP2011513775A Processing method of an object having a fine structure 有权
公开(公告)号：JP2011513775A
公开(公告)日：2011-04-28
申请号：JP2010548010
申请日：2009-02-24
申请人：カールツァイスエスエムエスゲーエムベーハーCarl Zeiss SMS GmbH
发明人：エディンガークラウス , ブレットトリスタン , ホフマントルステン , ブーダッハミヒャエル
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： G03F1/74 , C23C16/047 , H01J37/304 , H01J37/3056 , H01J2237/24495 , H01J2237/30466 , H01J2237/30483 , H01J2237/31732 , H01J2237/31744
摘要：微細化構造を有する物体を加工する本発明の方法は、物体の表面に反応ガスを供給するステップと、エネルギービームを、物体の表面の加工されるべき領域の加工部分へ向けることによって、物体上に材料を堆積させるため又は物体から材料を除去するために行われる、物体を加工するステップと、エネルギービームと物体との反応生成物を検出するステップと、検出された、エネルギービームと物体との反応生成物から得られる情報に基づいて、物体の加工を続行すべきなのか、それとも物体の加工を終了すべきなのかを判断するステップと、加工されるべき領域を複数の表面区分に分割して、物体の加工を続行すべきなのか、それと物体の加工を終了すべきなのかを判断するために、エネルギービームが同一の表面区分の部分に当たった際に検出された反応生成物について完全な信号を形成するために積分するステップとを含む。

5. 发明专利

JP2010032542A X-RAY MICROSCOPE OF REFLECTOR TYPE AND INSPECTION SYSTEM WHICH INSPECT OBJECT ON WAVELENGTH ≤100 nm 审中-公开
标题翻译：检测对象对波长的反射器类型和检测系统的X射线显微镜<= 100nm
公开(公告)号：JP2010032542A
公开(公告)日：2010-02-12
申请号：JP2009255986
申请日：2009-11-09
申请人： Carl Zeiss Sms Gmbh , Carl Zeiss Smt Ag , カールツァイスエスエムエスゲーエムベーハー , カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー
发明人： MANN HANS-JUERGEN , DINGER UDO , ULRICH WILHELM , REINECKE WOLFGANG , ENGEL THOMAS , ZIBOLD AXEL , HARNISCH WOLFGANG , WEDOWSKI MARCO , PAUSCHINGER DIETER
IPC分类号： G21K7/00 , G01N23/203 , G03F1/16 , G21K1/06 , H01L21/027
CPC分类号： G21K7/00 , B82Y10/00 , G21K1/062
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a microscope of a reflector type which makes it possible to inspect an object for microlithography and has a short entire length. SOLUTION: In an X-ray microscope of a reflector type to inspect an object in an object plane, the object is illuminated with a light ray on a wavelength COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种反射器类型的显微镜，其使得可以检查物体用于微光刻并且具有短的整体长度。解决方案：在用于检查物平面中的物体的反射体的X射线显微镜中，用波长<100nm，特别是<30nm的光线照射物体，并且图像扩大，在图像平面上形成。显微镜包括第一子系统，其包括第一和第二反射镜，并且位于从物平面到像平面的光路中。反射器类型的X射线显微镜的特征在于包括具有位于光路中的第一子系统的下游的具有第三反射镜的第二子系统。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP6054034B2 ガリウムで汚染された層の電子ビーム誘起エッチング方法有权
标题翻译：电子束诱导层蚀刻方法沾染镓
公开(公告)号：JP6054034B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2011522428
申请日：2009-08-11
申请人：カールツァイスエスエムエスゲーエムベーハー , Carl Zeiss SMS GmbH
发明人：ニコールオウス , ペトラシュピース , ライナーベッカー , トルステンホフマン , クラウスエーディンガー
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/3056 , H01L21/31116 , H01L21/32136

7. 发明专利

JP5693241B2 微細化構造を有する物体の加工方法有权
标题翻译：用于处理具有微细结构的对象的方法
公开(公告)号：JP5693241B2
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：JP2010548010
申请日：2009-02-24
申请人：カールツァイスエスエムエスゲーエムベーハー , Carl Zeiss SMS GmbH
发明人：ミヒャエルブーダッハ , トリスタンブレット , クラウスエディンガー , トルステンホフマン
IPC分类号： G03F1/86 , G03F1/74
CPC分类号： G03F1/74 , C23C16/047 , H01J37/304 , H01J37/3056 , H01J2237/24495 , H01J2237/30466 , H01J2237/30483 , H01J2237/31732 , H01J2237/31744

8. 发明专利

JP5419992B2 Methods of measuring the edge of the substrate of a photomask, or the repair shape of defects close to the edge 有权
公开(公告)号：JP5419992B2
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：JP2011542687
申请日：2009-09-24
申请人：カールツァイスエスエムエスゲーエムベーハーCarl Zeiss SMS GmbH
发明人：ブーダッハミヒャエル
IPC分类号： G03F1/84 , G03F1/00
CPC分类号： G03F1/74 , G01Q30/06 , G01Q80/00 , G03F1/84 , H01J2237/2817 , Y10T29/49718

9. 发明专利

JP2012513615A Methods of measuring the edge of the substrate of a photomask, or the repair shape of defects close to the edge 有权
公开(公告)号：JP2012513615A
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：JP2011542687
申请日：2009-09-24
申请人：カールツァイスエスエムエスゲーエムベーハーCarl Zeiss SMS GmbH
发明人：ブーダッハミヒャエル
IPC分类号： G03F1/84 , G03F1/00
CPC分类号： G03F1/74 , G01Q30/06 , G01Q80/00 , G03F1/84 , H01J2237/2817 , Y10T29/49718
摘要： Determining a repairing form of a defect at or close to an edge of a substrate. The defect may be scanned with a scanning probe microscope to determine a three-dimensional contour of the defect. The defect may be scanned with a scanning particle microscope to determine the shape of the at least one edge of the substrate. The repairing form of the defect may be determined from a combination of the three-dimensional contour and the shape of the at least one edge.

10. 发明专利

JP2011530821A Electron-beam-induced etching method of the layers contaminated with gallium 有权
公开(公告)号：JP2011530821A
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：JP2011522428
申请日：2009-08-11
申请人：カールツァイスエスエムエスゲーエムベーハーCarl Zeiss SMS GmbH
发明人：エーディンガークラウス , ホフマントルステン , オウスニコール , シュピースペトラ , ベッカーライナー
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/3056 , H01L21/31116 , H01L21/32136
摘要：本発明は、ガリウムで汚染された層（１２０），（２２０）の電子ビーム誘起エッチング方法に関する。本方法は、エッチングガスとして、少なくとも１種類の第１ハロゲン化合物を、電子ビームが層（１２０），（２２０）に衝突する位置に供給する方法ステップ、および、ガリウムを同位置において除去する前駆体ガスとして、少なくとも１種類の第２ハロゲン化合物を供給する方法ステップ、を含むものである。
【選択図】図１

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