专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2007045434A2 KOLLEKTOR FÜR BELEUCHTUNGSSYSTEME MIT EINER WELLENLÄNGE ≤ 193 NM 审中-公开
标题翻译：收集器，用于具有波长= 193nm的照明系统
公开(公告)号：WO2007045434A2
公开(公告)日：2007-04-26
申请号：PCT/EP2006/010004
申请日：2006-10-17
申请人： CARL ZEISS SMT AG , HAINZ, Joachim , ENDRES, Martin , SINGER, Wolfgang , KLEEMANN, Bernd , BADER, Dieter
发明人： HAINZ, Joachim , ENDRES, Martin , SINGER, Wolfgang , KLEEMANN, Bernd , BADER, Dieter
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70233 , B82Y10/00 , G03F7/70166 , G03F7/70175 , G03F7/702
摘要： Die Erfindung betrifft einen Kollektor für Beleuchtungssysteme mit einer Wellenlänge ≤ 193 nm, bevorzugt ≤ 126 nm, besonders bevorzugt EUV-Strahlung umfassend: eine erste Spiegelschale (1212.1 ) und eine zweite Spiegelschale (1212.2), wobei die erste Spiegelschale (1212.1) innerhalb der zweiten Spiegelschale (1212.2) angeordnet ist, und die erste Spiegelschale (1212.1) und/oder die zweite Spiegelschale (1212.2) einen rotationssymmetrischen und einen nicht rotationssymmetrischen Anteil aufweisen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于与波长= 193纳米的照明系统，优选= 126纳米，特别优选为EUV辐射包括一个集电极：第一反射镜壳（1212.1）和第二反射镜壳（1212.2），其中，所述第一反射镜壳（1212.1）所述第二内镜壳（1212.2）布置，并且第一反射镜壳（1212.1）和/或第二反射镜壳（1212.2）具有旋转对称的和一个非旋转对称部。

2. 发明申请

WO2009100856A1 FACET MIRROR FOR USE IN A PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：用于微型计算机投影曝光装置的FACET MIRROR
公开(公告)号：WO2009100856A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：PCT/EP2009/000825
申请日：2009-02-06
申请人： CARL ZEISS SMT AG , DINGER, Udo , ENDRES, Martin , WERBER, Armin , MÜHLBERGER, Norbert , BACH, Florian
发明人： DINGER, Udo , ENDRES, Martin , WERBER, Armin , MÜHLBERGER, Norbert , BACH, Florian
IPC分类号： G02B5/09 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/702 , G02B5/09 , G02B26/06 , G02B26/0816 , G02B26/0833 , G02B27/0927 , G03F7/70075 , G03F7/70116
摘要： A facet mirror is to be used as a bundle-guiding optical component in a projection exposure apparatus for microlithography. The facet mirror has a plurality of separate mirrors (21). For individual deflection of incident illumination light, these separate mirrors (21) are in each case connected to an actuator in such a way that they are separately tiltable about at least one tilt axis (x, y). A control device, which is connected to the actuators, is configured in such a way that a given grouping of the separate mirrors (21) can be grouped into separate mirror groups (19) comprising in each case at least two separate mirrors (21). The result is a facet mirror which, when installed in the projection exposure apparatus, increases the variability for setting various illumination geometries of an object field to be illuminated by the projection exposure apparatus. Various embodiments of separate mirrors for forming the facet mirrors are described.
摘要翻译：在用于微光刻的投影曝光装置中，将使用小平面镜作为束引导光学部件。小平面镜具有多个独立的反射镜（21）。对于入射照明光的单独偏转，这些分离的反射镜（21）在每种情况下都连接到致动器，使得它们可以围绕至少一个倾斜轴（x，y）分开倾斜。连接到致动器的控制装置被配置成使得分立的反射镜（21）的给定分组可以分组成分离的反射镜组（19），每个反射镜组（19）在每种情况下包括至少两个分离的反射镜（21）。其结果是，当安装在投影曝光装置中时，增加了用于设置由投影曝光装置照亮的对象场的各种照明几何形状的可变性的刻面镜。描述了用于形成小平面反射镜的分立反射镜的各种实施例。

3. 发明申请

WO2010099807A1 BELEUCHTUNGSOPTIK SOWIE OPTISCHE SYSTEME FÜR DIE MIKROLITHOGRAPHIE 审中-公开
标题翻译：照明的光学元件和微光刻光学系统
公开(公告)号：WO2010099807A1
公开(公告)日：2010-09-10
申请号：PCT/EP2009/001622
申请日：2009-03-06
申请人： CARL ZEISS SMT AG , ENDRES, Martin
发明人： ENDRES, Martin
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/702 , G03F7/70066 , G03F7/70075 , G03F7/70108 , G03F7/70191
摘要： Eine Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie dient zur Ausleuchtung eines Objektfeldes (12). Die Beleuchtungsoptik hat eine erste Übertragungsoptik zur Führung von Beleuchtungslicht (3), ausgehend von einer Lichtquelle. Der ersten Übertragungsoptik nachgeordnet ist ein Beleuchtungsvorgabe-Facettenspiegel (7) mit einer Vielzahl von Beleuchtungsvorgabe-Facetten (25). Der Beleuchtungsvorgabe-Facettenspiegel (7) erzeugt eine vorgegebene Ausleuchtung des Objektfeldes (12) über eine ausleuchtbare Berandungsform des Beleuchtungsvorgabe-Facettenspiegels (7) und individuelle Kippwinkel der Beleuchtungsvorgabe-Facetten (25). Eine Anordnung der ersten Übertragungsoptik und des Beleuchtungsvorgabe-Facettenspiegels (7) ist derart, dass eine telezentrische Beleuchtung des Objektfeldes (12) resultiert. Ein optisches System gemäß einem weiteren Aspekt hat zwischen dem Beleuchtungsvorgabe-Facettenspiegel und dem Objektfeld eine Eintrittspupillenebene einer Projektionsoptik, die zusammen mit der Beleuchtungsoptik zu einem optischen System für die Mikrolithographie gehört. Eine Anordnung der ersten Übertragungsoptik und des Beleuchtungsvorgabe-Facettenspiegels ist bei diesem weiteren Aspekt derart, dass eine an die Eintrittspupille der Projektionsoptik angepasste Beleuchtung des Objektfeldes resultiert. Bei weiteren Aspekten innerhalb eines optischen Systems mit einer Projektionsoptik und einer Beleuchtungsoptik liegen im Verhältnis zu einer Baulänge der Projektionsoptik ein großer Objekt-Bild-Versatz bzw. ein großer Zwischenfokus-Bild-Versatz vor. Es resultieren Beleuchtungsoptiken und optische Systeme, die besonderen Effizienzanforderungen hinsichtlich der Nutzung des Beleuchtungslichts genügen.
摘要翻译：用于微光刻的照明光学系统，用于照明物场（12）。该照明光学部件具有用于引导照明光（3），从光源出发的第一传输光学系统。第一传输光纤的下游是具有多个照明预置刻面（25）的照明默认分面镜（7）。照明默认分面镜（7）通过所述照明目标面镜（7）和所述照明默认面的各个倾斜角度（25）的光激励边界形状产生的物场（12）的预定的照明。和照明默认分面镜（7）所述第一中继光学器件的布置是这样的物视场的远心照明（12）的结果。根据另一个方面的光学系统具有照明默认分面镜和所述物场的投影光学系统，它与照明光学系统的用于微光刻的光学系统一起所属的入射光瞳平面之间。所述第一中继光学器件和照明默认分面镜的布置在这个另外的方面，其适合于物场结果的投影光学装置照明的入射光瞳是这样。在具有投影光学系统和照明光学系统的光学系统内的进一步的方面是一大对象图像偏移或相对于一个大的中间焦点像位移到投射光学部件的整体长度。这导致照明光学器件以及满足关于使用的照明光的特定性能要求的光学系统。

4. 发明申请

WO2009115180A1 PROJECTION OBJECTIVE FOR MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：投影目标的微观算法
公开(公告)号：WO2009115180A1
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/EP2009/001448
申请日：2009-02-28
申请人： CARL ZEISS SMT AG , ZELLNER, Johannes , MANN, Hans-Jürgen , ENDRES, Martin
发明人： ZELLNER, Johannes , MANN, Hans-Jürgen , ENDRES, Martin
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70316 , G02B17/0663 , G03F7/702 , G03F7/70233
摘要： A projection objective (7) for microlithography is used for imaging an object field (4) in an object plane (5) into an image field (8) in an image plane (9). The projection objective (7) comprises at least six mirrors (M1 to M6) of which at least one mirror has a freeform reflecting surface. According to one aspect of the invention, the ratio between an overall length (T) of the projection objective (7) and an object image shift (d OIS ) is smaller than 12. According to another aspect of the invention, the image plane (9) is the first field plane of the projection objective (7) downstream of the object plane (5). According to another aspect of the invention, the projection objective has a plurality of mirrors (M1 to M6), wherein the ratio between an overall length (T) and an object image shift (d OIS ) is smaller than 2.
摘要翻译：用于微光刻的投影物镜（7）用于将物平面（5）中的物场（4）成像为图像平面（9）中的图像场（8）。投影物镜（7）包括至少六个反射镜（M1至M6），其中至少一个反射镜具有自由形反射表面。根据本发明的一个方面，投影物镜（7）的总长（T）与物体像偏移（dOIS）之间的比率小于12.根据本发明的另一方面，图像平面（9 ）是物平面（5）下游的投影物镜（7）的第一场平面。根据本发明的另一方面，投影物镜具有多个反射镜（M1至M6），其中总长度（T）和物体图像偏移（dOIS）之间的比率小于2。

5. 发明申请

WO2008149178A1 CATOPTRIC ILLUMINATION SYSTEM FOR MICROLITHOGRAPHY TOOL 审中-公开
标题翻译：用于微型工具的电子照明系统
公开(公告)号：WO2008149178A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/IB2007/003547
申请日：2007-06-07
申请人： CARL ZEISS SMT AG , OSSMANN, Jens , ENDRES, Martin , STUETZLE, Ralf
发明人： OSSMANN, Jens , ENDRES, Martin , STUETZLE, Ralf
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/702 , G03F7/70075 , G03F7/70083
摘要： In general, in one aspect, the invention features a system that includes an illumination system of a microlithography tool, the illumination system including a first component (400) having a plurality of elements (401). During operation of the system, the elements direct radiation from a source along an optical path to an arc-shaped object field at an object plane of a projection objective, and at least one of the elements (410) has a curved shape that is different from the arc-shape of the object field.
摘要翻译：通常，一方面，本发明的特征在于包括微光刻工具的照明系统的系统，所述照明系统包括具有多个元件（401）的第一部件（400）。在系统的操作期间，元件将来自源的光源沿着光路引导到投影物镜的物平面处的弧形物场，并且至少一个元件（410）具有不同的弯曲形状从对象字段的弧形。

6. 发明申请

WO2010037437A1 ILLUMINATION SYSTEM FOR EUV MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译： EUV微观照明系统
公开(公告)号：WO2010037437A1
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：PCT/EP2009/004973
申请日：2009-07-09
申请人： CARL ZEISS SMT AG , LAYH, Michael , STÜTZLE, Ralf , FIOLKA, Damian , ENDRES, Martin , WEIGAND, Holger
发明人： LAYH, Michael , STÜTZLE, Ralf , FIOLKA, Damian , ENDRES, Martin , WEIGAND, Holger
IPC分类号： G03F7/20 , G02B5/09
CPC分类号： G03F7/70083 , G02B17/0605 , G02B17/0647 , G02B27/0043 , G03F7/70033 , G03F7/70075
摘要： An illumination system for EUV microlithography comprises an EUV light source (3) which generates EUV illumination light (10) with an etendue that is higher than 0.01 mm 2 . The EUV light source (3) generates in particular a sequence of EUV light pulses, particularly with a pulse sequence frequency. An illumination optics of the illumination system is used to guide the illumination light (10) from the light source (3) to an object field. At least one optical modulation component (25) of the illumination system is preferably modulatable synchronously with the pulse sequence frequency. The result is an illumination system where a homogeneity of an object field illumination is improved.
摘要翻译：用于EUV微光刻的照明系统包括EUV光源（3），其产生光通量高于0.01mm 2的EUV照明光（10）。 EUV光源（3）特别产生EUV光脉冲序列，特别是以脉冲序列频率产生。照明系统的照明光学器件用于将照明光（10）从光源（3）引导到物场。照明系统的至少一个光学调制组件（25）优选地可以与脉冲序列频率同步地调制。其结果是改善了物场照明的均匀性的照明系统。

7. 发明申请

WO2009135576A1 COMPONENT FOR SETTING A SCAN-INTEGRATED ILLUMINATION ENERGY IN AN OBJECT PLANE OF A MICROLITHOGRAPHY PROJECTION EXPOSURE APPARATUS 审中-公开
标题翻译：用于在微观投影曝光装置的对象平面中设置扫描一体化照明能量的组件
公开(公告)号：WO2009135576A1
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：PCT/EP2009/002465
申请日：2009-04-03
申请人： CARL ZEISS SMT AG , STUETZLE, Ralf , ENDRES, Martin , OSSMANN, Jens , LAYH, Michael
发明人： STUETZLE, Ralf , ENDRES, Martin , OSSMANN, Jens , LAYH, Michael
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F7/70066 , G03F7/70083 , G03F7/70558
摘要： The present invention relates to a component for setting a scanintegrated illumination energy in an object plane of a microlithography projection exposure apparatus. In this case, the component comprises a plurality of diaphragms which are arranged alongside one another with respect to a direction perpendicular to the scan movement and differ in their form and the position of which can be altered approximately in the scan direction, such that a portion of the illumination energy can be vignetted by at least one diaphragm. In this case, the form of the individual diaphragm is specifically adapted to the form of the illumination in a diaphragm plane in which the component is arranged. This has the effect that at least parts of the delimiting edges of two diaphragms always differ in the case of an arbitrary displacement of the diaphragms.
摘要翻译：本发明涉及一种用于设置微光刻投影曝光装置的物平面中的扫描积分照明能量的部件。在这种情况下，该部件包括多个隔膜，它们相对于垂直于扫描移动的方向彼此并排布置，并且其形状不同，并且其位置可以在扫描方向上大致改变，的照明能量可以被至少一个隔膜遮挡。在这种情况下，单个隔膜的形式特别适用于其中布置有该部件的隔膜平面中的照明形式。这具有以下效果：在隔膜的任意位移的情况下，两个隔膜的至少一部分限界边缘总是不同。

8. 发明申请

WO2007128407A1 ILLUMINATION SYSTEM FOR EUV LITHOGRAPHY AS WELL AS A FIRST AND SECOND OPTICAL ELEMENT FOR USE IN AN ILLUMINATION SYSTEM OF THIS TYPE 审中-公开
标题翻译：用于EUV光刻的照明系统，作为在该类型的照明系统中使用的第一和第二光学元件
公开(公告)号：WO2007128407A1
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：PCT/EP2007/003609
申请日：2007-04-25
申请人： CARL ZEISS SMT AG , ENDRES, Martin , OSSMANN, Jens
发明人： ENDRES, Martin , OSSMANN, Jens
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G02B26/0833 , G02B5/09 , G02B17/06 , G03F7/70075 , G03F7/70116
摘要： An illumination system for EUV lithography is used for illuminating a predetermined illumination field (2) of an object surface with EUV radiation (4). The illumination system has a source for the EUV radiation (4). A first optical element (7) is used to generate secondary light sources in the illumination system. A surface, impacted by EUV radiation (4), of the first optical element (7) is divided into a plurality of first facet elements (8 to 11). The latter are each associated with partial beams (12 to 15) of the EUV radiation (4). A second optical element (20) at the location of the secondary light sources is impacted by EUV radiation (4) over an impactable area via the first optical element (7), which impactable surface is divided into a plurality of second facet elements (21 to 24). The latter are each associated with at least one of the first facet elements (8 to 11) impacting the respective second facet element (21 to 24) to generate the secondary light sources. The second optical element (20) is at least part of an optical arrangement which images the first optical element (8 to 11) in a plane predetermined by the object surface. At least selections of the first facet elements (8 to 11) are configured and oriented in such a way that they are imaged in one of at least two partial fields (31, 32) of the illumination field (2) by the optical arrangement. The partial fields (31, 32) make up the entire illumination field (2), and intersection between the partial fields, if it exists at all, is always smaller than each of the partial fields contributing to the intersection. An illumination system is produced in which changing between various illumination settings is possible even when a second optical element is used which has fewer facet elements compared to the prior art.
摘要翻译：用于EUV光刻的照明系统用于用EUV辐射（4）照射物体表面的预定照明场（2）。照明系统具有EUV辐射源（4）。第一光学元件（7）用于在照明系统中产生二次光源。受第一光学元件（7）的EUV辐射（4）影响的表面被分成多个第一小面元件（8至11）。后者各自与EUV辐射（4）的部分光束（12至15）相关联。在次级光源的位置处的第二光学元件（20）经由第一光学元件（7）在可冲击区域上被EUV辐射（4）撞击，该可冲击表面被分成多个第二小面元件（21 到24）。后者各自与影响相应的第二小面元件（21至24）的第一面元件（8至11）中的至少一个相关联，以产生次级光源。第二光学元件（20）是在由物体表面预定的平面中对第一光学元件（8至11）进行成像的光学装置的至少一部分。第一小面元件（8至11）的至少选择被配置和定向成使得它们通过光学装置成像为照明场（2）的至少两个部分场（31,32）之一。部分场（31,32）构成整个照明场（2），部分场的交点如果存在，总是小于有助于交点的每个局部场。制造照明系统，其中即使使用与现有技术相比具有较少的小面元件的第二光学元件，也可以在各种照明设置之间进行变化。

9. 发明申请

WO2010037453A1 FIELD FACET MIRROR FOR USE IN AN ILLUMINATION OPTICS OF A PROJECTION EXPOSURE APPRATUS FOR EUV MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：用于EUV微观计算的投影曝光装置的照明光学中的场面反射镜
公开(公告)号：WO2010037453A1
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：PCT/EP2009/006290
申请日：2009-08-31
申请人： CARL ZEISS SMT AG , STAICU, Adrian , ENDRES, Martin
发明人： STAICU, Adrian , ENDRES, Martin
IPC分类号： G03F7/20 , G02B5/08
CPC分类号： G03F7/702 , G02B5/0875 , G02B5/0891 , G02B5/09 , G02B19/0023 , G02B19/0047 , G02B19/0095 , G03F7/70075 , G03F7/70083 , G03F7/70108 , Y10T29/49826
摘要： A field facet mirror serves for use in an illumination optics of a projection exposure apparatus for EUV microlithography for transmitting a structure of an object arranged in an object field into an image field. The field facet mirror (6) has a plurality of field facets (18 X ) with reflection surfaces (22). The arrangement of the field facets (18 X ) next to one another spans a base plane (xy). Projections of the reflection surfaces (22) of at least two of the field facets (18 X ) onto the base plane (x, y) differ with respect to at least one of the following parameters: size, shape, orientation. A field facet mirror results, in which the ensuring of a uniform object field illumination with a simultaneously high EUV throughput meets high requirements.
摘要翻译：场面反射镜用于用于EUV微光刻的投影曝光装置的照明光学装置，用于将布置在物场中的物体的结构传输到图像场中。场面反射镜（6）具有多个具有反射面（22）的场面（18X）。彼此相邻的场面（18X）的布置跨越基面（xy）。至少两个场面（18X）到基面（x，y）上的反射面（22）的投影相对于以下参数中的至少一个不同：尺寸，形状，取向。一种场面反射镜结果，其中确保具有同时高的EUV吞吐量的均匀物体场照明满足高要求。

10. 发明申请

WO2009149802A1 METHOD FOR PRODUCING A MULTILAYER COATING, OPTICAL ELEMENT AND OPTICAL ARRANGEMENT 审中-公开
标题翻译：生产多层涂层，光学元件和光学布置的方法
公开(公告)号：WO2009149802A1
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：PCT/EP2009/003421
申请日：2009-05-14
申请人： CARL ZEISS SMT AG , ENKISCH, Hartmut , MUELLENDER, Stephan , ENDRES, Martin
发明人： ENKISCH, Hartmut , MUELLENDER, Stephan , ENDRES, Martin
IPC分类号： G03F7/20 , G02B5/08 , G21K1/06
CPC分类号： G21K1/062 , B82Y10/00 , G02B5/0891 , G03F7/70958
摘要： The invention relates to a method for producing a multilayer coating (17) for reflecting radiation in the soft X-ray or EUV wavelength range on an optical element (8, 9) which is operated at an operating temperature (T op ) of 30° or more, preferably of 100°C or more, particularly preferably of 15O°C or more, in particular of 250°C or more, comprising the following steps : determining an optical design for the multilayer coating (17) which defines an optical desired layer thickness (n op d op ) of the layers (17.1, 17.2) of the multilayer coating (17) at the operating temperature (T op ), and applying the layers (17.1, 17.2) of the multilayer coating (17) with an optical actual layer thickness (n B d B ) chosen in such a way that a layer thickness change (n op d op - n B d B ) caused by thermal expansion of the layers (17.1, 17.2) between the coating temperature (T B ) and the operating temperature (T op ) is compensated for. The invention also relates to an optical element (8, 9), produced in particular according to the method described above, and a projection exposure apparatus comprising at least one optical element (8, 9) of this type.
摘要翻译：本发明涉及一种制造用于在软X射线或EUV波长范围内反射在30度工作温度（Top）为30度的光学元件（8,9）上反射辐射的多层涂层（17）的方法，或更优选为100℃以上，特别优选为150℃以上，特别优选为250℃以上，包括以下步骤：确定限定光学期望层的多层涂层（17）的光学设计在工作温度（Top）下，多层涂层（17）的层（17.1,17.2）的厚度（nop dop）和多层涂层（17）的层（17.1,17.2）的光学实际层厚度（nB dB），使得由涂层温度（TB）和工作温度（Top）之间的层（17.1,17.2）的热膨胀引起的层厚度变化（nop dop-nB dB）被补偿为。本发明还涉及特别根据上述方法制造的光学元件（8,9）和包括这种类型的至少一个光学元件（8,9）的投影曝光设备。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式