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1. 发明申请

WO2014177776A1 PROCÉDÉ DE LITHOGRAPHIE À OPTIMISATION COMBINÉE DE L'ÉNERGIE RAYONNÉE ET DE LA GÉOMÉTRIE APPLICABLE SUR DES FORMES COMPLEXES 审中-公开
标题翻译：具有组合优化的能量辐射方法和适用于复杂形状的几何测量方法
公开(公告)号：WO2014177776A1
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/FR2014/000086
申请日：2014-04-17
申请人： ASELTA NANOGRAPHICS
发明人： TIPHINE, Charles , BAYLE, Sébastien
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3053 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31769
摘要： Un procédé de génération de données relatives à l'écriture d'un motif par rayonnement électronique comporte initialement la fourniture (S1) d'un motif à réaliser qui forme un motif de travail avec une seule enveloppe externe. Le motif de travail est fracturé (S3) en un jeu de dessins élémentaires comportant chacun une seule enveloppe externe. Un jeu de conditions d'insolation est défini (S4) pour modéliser chaque dessin élémentaire. Un motif irradié de simulation (S5) est calculé à partir des jeux de conditions d'insolation associés aux jeux de dessins élémentaires. Le motif de simulation est comparé (S6) au motif à réaliser. Si le motif de simulation n'est pas représentatif du motif à réaliser (1), des vecteurs de décalage sont calculés. Les vecteurs de décalage sont représentatifs des différents écarts existant entre les deux motifs. L'enveloppe externe du motif à réaliser est modifiée à partir de vecteurs de déplacement déterminés à partir des vecteurs de décalage. Une nouvelle itération est réalisée.
摘要翻译：产生与通过电子辐射写入图案有关的数据的方法包括首先提供（S1）要生成的图案，其形成具有单个外部封套的工作图案。工作模式被分割（S3）成为一组基本图，每一个包括一个外部信封。定义一组照射条件（S4），用于对每个基本设计进行建模。基于与基本图集相关联的照射条件的集合来计算照射的模拟图案（S5）。将仿真模式与要生产的模式进行比较（S6）。如果模拟模式不代表要产生的模式（1），则计算移位矢量。移位向量表示两种模式之间存在的各种不匹配。基于基于移位矢量确定的位移矢量来修改要产生的图案的外包络线。进行新的迭代。

2. 发明申请

WO2014127850A1 FREE FORM FRACTURING METHOD FOR ELECTRONIC OR OPTICAL LITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：电子或光学光刻的免费形式破碎方法
公开(公告)号：WO2014127850A1
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：PCT/EP2013/053883
申请日：2013-02-27
申请人： ASELTA NANOGRAPHICS
发明人： TIPHINE, Charles , QUAGLIO, Thomas , MARTIN, Luc
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/317
CPC分类号： G06F17/5081 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G06F17/50 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31776
摘要： The invention discloses a computer implemented method of fracturing a surface into elementary features (720a) wherein the desired pattern has a rectilinear or curvilinear form. Depending upon the desired pattern, a first fracturing will be performed of a non-overlapping or an overlapping type. If the desired pattern is resolution critical, it will be advantageous to perform a second fracturing step using eRIFs (730a). These eRIFs will be positioned either on the edges or on the medial axis (710a) or skeleton of the desired pattern. The invention further discloses method steps to define the position and shape of the elementary features used for the first and second fracturing steps.
摘要翻译：本发明公开了一种将表面压裂成基本特征（720a）的计算机实现方法，其中期望的图案具有直线或曲线形式。根据期望的图案，将执行非重叠或重叠类型的第一压裂。如果期望的模式是分辨率关键的，则使用eRIF（730a）执行第二压裂步骤将是有利的。这些eRIF将被定位在所需图案的边缘或中间轴（710a）或骨架上。本发明还公开了用于限定用于第一和第二压裂步骤的基本特征的位置和形状的方法步骤。

3. 发明申请

WO2016102607A1 METHOD OF APPLYING VERTEX BASED CORRECTIONS TO A SEMICONDUCTOR DESIGN 审中-公开
标题翻译：将基于VERTEX的校正应用于半导体设计的方法
公开(公告)号：WO2016102607A1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：PCT/EP2015/081059
申请日：2015-12-22
申请人： ASELTA NANOGRAPHICS
发明人： QUAGLIO, Thomas , MILLEQUANT, Mathieu , TIPHINE, Charles
IPC分类号： G03F1/20 , G03F1/36 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/20 , G03F1/36 , G03F1/78 , G03F7/705 , G03F7/70508 , G03F7/70616
摘要： The invention discloses an improved method of geometry corrections to be applied to properly transfer semiconductor designs on a wafer or a mask in nanometer scale processes. In contrast with some prior art techniques, geometry corrections and possibly dose corrections are applied before fracturing. Unlike edge based corrections, where the edges are displaced in parallel, the displacements applied to generated geometry corrections according to the invention do not preserve parallelism of the edges, which is specifically well suited for free form designs. A seed design is generated from the target design. Vertices connecting segments are placed along the seed design contour. Correction sites are placed on the segments. Displacement vectors are applied to the vertices. A simulated contour is generated and compared to the contour of the target design. The process is iterated until a match criteria between simulated and target design (or another stop criteria) is reached.
摘要翻译：本发明公开了一种改进的几何校正方法，其应用于在纳米级工艺中在晶片或掩模上适当地转移半导体设计。与一些现有技术相反，在压裂之前应用几何校正和可能的剂量校正。不同于基于边缘的校正，其中边缘平行移位，应用于根据本发明的生成的几何校正的位移不保留边缘的平行度，其特别适合于自由形式设计。从目标设计生成种子设计。连接片段的顶点沿种子设计轮廓放置。校正站点放置在段上。位移向量应用于顶点。生成模拟轮廓并与目标设计的轮廓进行比较。迭代该过程，直到达到模拟和目标设计（或另一个停止标准）之间的匹配标准。

4. 发明公开

EP2959496A1 FREE FORM FRACTURING METHOD FOR ELECTRONIC OR OPTICAL LITHOGRAPHY 有权转让
标题翻译： VERFAHREN ZUR FRAKTURIERUNG FREIER FORMENFÜRELEKTRONISCHE ODER OPTISCHE LITHOGRAFIE
公开(公告)号：EP2959496A1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：EP13706532.2
申请日：2013-02-27
申请人： Aselta Nanographics
发明人： TIPHINE, Charles , QUAGLIO, Thomas , MARTIN, Luc
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/317
CPC分类号： G06F17/5081 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G06F17/50 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31776
摘要： The invention discloses a computer implemented method of fracturing a surface into elementary features wherein the desired pattern has a rectilinear or curvilinear form. Depending upon the desired pattern, a first fracturing will be performed of a non-overlapping or an overlapping type. If the desired pattern is resolution critical, it will be advantageous to perform a second fracturing step using eRIFs. These eRIFs will be positioned either on the edges or on the medial axis or skeleton of the desired pattern. The invention further discloses method steps to define the position and shape of the elementary features used for the first and second fracturing steps.
摘要翻译：本发明公开了一种将表面压裂成基本特征的计算机实现方法，其中期望的图案具有直线或曲线形式。根据期望的图案，将执行不重叠或重叠类型的第一压裂。如果期望的模式是分辨率关键的，则使用eRIF执行第二压裂步骤将是有利的。这些eRIF将位于所需图案的边缘或中轴或骨架上。本发明还公开了用于限定用于第一和第二压裂步骤的基本特征的位置和形状的方法步骤。

5. 发明公开

EP2992545A1 PROCÉDÉ DE LITHOGRAPHIE À OPTIMISATION COMBINÉE DE L'ÉNERGIE RAYONNÉE ET DE LA GÉOMÉTRIE APPLICABLE SUR DES FORMES COMPLEXES 有权转让
标题翻译：对于具有复杂形状的组合优化光刻法的辐射能量和复杂的形式适用几何
公开(公告)号：EP2992545A1
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：EP14725211.8
申请日：2014-04-17
申请人： Aselta Nanographics
发明人： TIPHINE, Charles , BAYLE, Sébastien
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3053 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31769
摘要： A method of generating data relating to the writing of a pattern by electronic radiation comprises initially the provision (S1) of a pattern to be produced which forms a working pattern with a single external envelope. The working pattern is split (S3) into a set of elementary drawings each comprising a single external envelope. A set of irradiation conditions is defined (S4) for modelling each elementary design. An irradiated simulation pattern (S5) is calculated on the basis of the sets of irradiation conditions associated with the sets of elementary drawings. The simulation pattern is compared (S6) with the pattern to be produced. If the simulation pattern is not representative of the pattern to be produced (1), shift vectors are calculated. The shift vectors are representative of the various mismatches existing between the two patterns. The external envelope of the pattern to be produced is modified on the basis of the displacement vectors determined on the basis of the shift vectors. A new iteration is carried out.

6. 发明授权

EP2992545B1 PROCÉDÉ DE LITHOGRAPHIE À OPTIMISATION COMBINÉE DE L'ÉNERGIE RAYONNÉE ET DE LA GÉOMÉTRIE APPLICABLE SUR DES FORMES COMPLEXES 有权转让
公开(公告)号：EP2992545B1
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：EP14725211.8
申请日：2014-04-17
申请人： Aselta Nanographics
发明人： TIPHINE, Charles , BAYLE, Sébastien
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/317

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