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1. 发明申请

WO2014177776A1 PROCÉDÉ DE LITHOGRAPHIE À OPTIMISATION COMBINÉE DE L'ÉNERGIE RAYONNÉE ET DE LA GÉOMÉTRIE APPLICABLE SUR DES FORMES COMPLEXES 审中-公开
标题翻译：具有组合优化的能量辐射方法和适用于复杂形状的几何测量方法
公开(公告)号：WO2014177776A1
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/FR2014/000086
申请日：2014-04-17
申请人： ASELTA NANOGRAPHICS
发明人： TIPHINE, Charles , BAYLE, Sébastien
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3053 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31769
摘要： Un procédé de génération de données relatives à l'écriture d'un motif par rayonnement électronique comporte initialement la fourniture (S1) d'un motif à réaliser qui forme un motif de travail avec une seule enveloppe externe. Le motif de travail est fracturé (S3) en un jeu de dessins élémentaires comportant chacun une seule enveloppe externe. Un jeu de conditions d'insolation est défini (S4) pour modéliser chaque dessin élémentaire. Un motif irradié de simulation (S5) est calculé à partir des jeux de conditions d'insolation associés aux jeux de dessins élémentaires. Le motif de simulation est comparé (S6) au motif à réaliser. Si le motif de simulation n'est pas représentatif du motif à réaliser (1), des vecteurs de décalage sont calculés. Les vecteurs de décalage sont représentatifs des différents écarts existant entre les deux motifs. L'enveloppe externe du motif à réaliser est modifiée à partir de vecteurs de déplacement déterminés à partir des vecteurs de décalage. Une nouvelle itération est réalisée.
摘要翻译：产生与通过电子辐射写入图案有关的数据的方法包括首先提供（S1）要生成的图案，其形成具有单个外部封套的工作图案。工作模式被分割（S3）成为一组基本图，每一个包括一个外部信封。定义一组照射条件（S4），用于对每个基本设计进行建模。基于与基本图集相关联的照射条件的集合来计算照射的模拟图案（S5）。将仿真模式与要生产的模式进行比较（S6）。如果模拟模式不代表要产生的模式（1），则计算移位矢量。移位向量表示两种模式之间存在的各种不匹配。基于基于移位矢量确定的位移矢量来修改要产生的图案的外包络线。进行新的迭代。

2. 发明申请

WO2017060273A1 METHOD FOR DETERMINING THE DOSE CORRECTIONS TO BE APPLIED TO AN IC MANUFACTURING PROCESS BY A MATCHING PROCEDURE 审中-公开
标题翻译：用于通过匹配程序确定应用于IC制造过程的剂量校正的方法
公开(公告)号：WO2017060273A1
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：PCT/EP2016/073744
申请日：2016-10-05
申请人： ASELTA NANOGRAPHICS
发明人： SAIB, Mohamed , SCHIAVONE, Patrick , FIGUEIRO, Thiago , BAYLE, Sébastien
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/705 , G03F7/70458 , G03F7/70516
摘要： The invention discloses a method to easily determine the parameters of a second process for manufacturing from the parameters of a first process. Metrics representative of the differences between the two processes are computed from a number of values of the parameters, which can be measured for the two processes on a calibration layout, or which can be determined from pre-existing values for layouts or reference data for the two processes by an interpolation/extrapolation procedure. The number of metrics is selected so that their combination gives a precise representation of the differences between the two processes in all areas of a design. Advantageously, the metrics are calculated as a product of convolution of the target design and a compound of a kernel function and a deformation function. A reference physical model of the reference process is determined. A sizing correction to be applied to the edges of the design produced by the reference process is calculated. It is then converted, totally or partially, into a dose correction.
摘要翻译：本发明公开了一种从第一过程的参数容易地确定第二制造工艺的参数的方法。代表两个过程之间的差异的度量是根据参数的数值计算的，这些参数值可以在校准布局上测量两个过程，或者可以根据布局的预先存在的值或者为通过插值/外推程序进行两个处理。选择度量的数量，使得它们的组合给出了在设计的所有区域中的两个过程之间的差异的精确表示。有利地，度量被计算为目标设计的卷积与核函数和变形函数的化合物的乘积。确定参考过程的参考物理模型。计算应用于由参考过程产生的设计边缘的尺寸校正。然后将其全部或部分转化为剂量校正。

3. 发明公开

EP2992545A1 PROCÉDÉ DE LITHOGRAPHIE À OPTIMISATION COMBINÉE DE L'ÉNERGIE RAYONNÉE ET DE LA GÉOMÉTRIE APPLICABLE SUR DES FORMES COMPLEXES 有权转让
标题翻译：对于具有复杂形状的组合优化光刻法的辐射能量和复杂的形式适用几何
公开(公告)号：EP2992545A1
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：EP14725211.8
申请日：2014-04-17
申请人： Aselta Nanographics
发明人： TIPHINE, Charles , BAYLE, Sébastien
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3053 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31769
摘要： A method of generating data relating to the writing of a pattern by electronic radiation comprises initially the provision (S1) of a pattern to be produced which forms a working pattern with a single external envelope. The working pattern is split (S3) into a set of elementary drawings each comprising a single external envelope. A set of irradiation conditions is defined (S4) for modelling each elementary design. An irradiated simulation pattern (S5) is calculated on the basis of the sets of irradiation conditions associated with the sets of elementary drawings. The simulation pattern is compared (S6) with the pattern to be produced. If the simulation pattern is not representative of the pattern to be produced (1), shift vectors are calculated. The shift vectors are representative of the various mismatches existing between the two patterns. The external envelope of the pattern to be produced is modified on the basis of the displacement vectors determined on the basis of the shift vectors. A new iteration is carried out.

4. 发明授权

EP2992545B1 PROCÉDÉ DE LITHOGRAPHIE À OPTIMISATION COMBINÉE DE L'ÉNERGIE RAYONNÉE ET DE LA GÉOMÉTRIE APPLICABLE SUR DES FORMES COMPLEXES 有权转让
公开(公告)号：EP2992545B1
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：EP14725211.8
申请日：2014-04-17
申请人： Aselta Nanographics
发明人： TIPHINE, Charles , BAYLE, Sébastien
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/317

5. 发明公开

EP3153924A1 METHOD FOR DETERMINING THE DOSE CORRECTIONS TO BE APPLIED TO AN IC MANUFACTURING PROCESS BY A MATCHING PROCEDURE 有权转让
标题翻译：方法用于确定剂量修正IC制造过程中，通过一个平衡程序
公开(公告)号：EP3153924A1
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：EP15306580.0
申请日：2015-10-07
申请人： Aselta Nanographics
发明人： SAIB, Mohamed , SCHIAVONE, Patrick , FIGUEIRO, Thiago , BAYLE, Sébastien
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/705 , G03F7/70458 , G03F7/70516
摘要： The invention discloses a method to easily determine the parameters of a second process for manufacturing from the parameters of a first process. Metrics representative of the differences between the two processes are computed from a number of values of the parameters, which can be measured for the two processes on a calibration layout, or which can be determined from pre-existing values for layouts or reference data for the two processes by an interpolation/extrapolation procedure. The number of metrics is selected so that their combination gives a precise representation of the differences between the two processes in all areas of a design. Advantageously, the metrics are calculated as a product of convolution of the target design and a compound of a kernel function and a deformation function. A reference physical model of the reference process is determined. A sizing correction to be applied to the edges of the design produced by the reference process is calculated. It is then converted, totally or partially, into a dose correction.
摘要翻译：本发明盘松的方法容易地确定矿的第二工艺参数，用于从第一工艺的参数制造。度量代表的两个过程之间的差异从多个参数的值的，可以测量这两个过程在校准布局计算，或可以是确定性从预先存在的值开采布局或基准数据的两个过程通过内插/外插步骤。度量的数量被选择以便做他们的组合给出了在一个设计的所有区域的两个过程之间的差异精确表示。有利的是，所述度量计算为目标设计的卷积的产物和核函数的化合物和变形函数。参考过程的参考物理模型是确定性的开采。的施胶校正将被施加到由参考处理计算所产生的设计的边缘。然后，它被转化，全部或部分，变成了剂量校正。

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