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1. 发明公开

KR1020060062425A 마이크로스트립 패치 안테나 제조방법 失效
标题翻译：微波贴片天线的制造方法
公开(公告)号：KR1020060062425A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040101258
申请日：2004-12-03
申请人： 한국전자통신연구원 , 한국과학기술원
发明人： 표철식 , 하만륜 , 권영세 , 조용희
IPC分类号： H01Q11/16
摘要： 본 발명은 무선통신 기술에 관한 것으로, 특히 초소형 안테나 제작 기술에 관한 것이며, 더 자세히는 표면 미소 구조체 가공기술(Surface Micromachining)을 이용한 마이크로스트립 패치 안테나 제작 기술에 관한 것이다. 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 다중화, 광대역화 특성을 가진 마이크로스트립 패치 안테나 제조방법과, 상기의 마이크로스트립 패치 안테나와 초고주파 신호처리 집적회로를 효율적으로 집적할 수 있는 다중칩 집적 모듈 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명에서는 마이크로스트립 패치 안테나의 광대역화(밀리미터파 대역(30GHz 이상)) 방안으로 기판의 유효유전율을 최소화하는 방식을 채택하였다. 즉, MEMS 기술 중의 하나인 표면 미소 구조체 가공기술(Surface Micromachining)을 이용하여 금속기둥 상단에 패치를 형성하여 공기(εr,
air =1) 중에 부양시켰다. 또한, 본 발명에서는 리액티브 로딩(Reactive loading) 방식 - 쇼트키 콘택 가변 캐패시터와 금속기둥 내의 인덕턴스를 이용 - 을 적용하여 다중/광대역화를 유도하고 있으며, 이렇게 해서 형성된 마이크로스트립 전자기 접속 피딩 방식의 패치 안테나를 동일한 고저항 실리콘 기판(εr,
HRS =11.8) 위에 초고주파 신호처리 집적회로 모듈들과 동시에 집적함으로써 다중칩 집적 모듈의 집적도를 높일 수 있다.
마이크로스트립 패치 안테나, 표면 미소 구조체 가공기술, 쇼트키 콘택 가변 캐패시터, 고저항 실리콘 기판, 광대역

2. 发明授权

KR100603594B1 마이크로스트립 패치 안테나 제조방법 失效
标题翻译：微带贴片天线的制造方法
公开(公告)号：KR100603594B1
公开(公告)日：2006-07-24
申请号：KR1020040101258
申请日：2004-12-03
申请人： 한국전자통신연구원 , 한국과학기술원
发明人： 표철식 , 하만륜 , 권영세 , 조용희
IPC分类号： H01Q11/16
摘要： 본 발명은 무선통신 기술에 관한 것으로, 특히 초소형 안테나 제작 기술에 관한 것이며, 더 자세히는 표면 미소 구조체 가공기술(Surface Micromachining)을 이용한 마이크로스트립 패치 안테나 제작 기술에 관한 것이다. 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 다중화, 광대역화 특성을 가진 마이크로스트립 패치 안테나 제조방법과, 상기의 마이크로스트립 패치 안테나와 초고주파 신호처리 집적회로를 효율적으로 집적할 수 있는 다중칩 집적 모듈 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명에서는 마이크로스트립 패치 안테나의 광대역화(밀리미터파 대역(30GHz 이상)) 방안으로 기판의 유효유전율을 최소화하는 방식을 채택하였다. 즉, MEMS 기술 중의 하나인 표면 미소 구조체 가공기술(Surface Micromachining)을 이용하여 금속기둥 상단에 패치를 형성하여 공기(εr,
air =1) 중에 부양시켰다. 또한, 본 발명에서는 리액티브 로딩(Reactive loading) 방식 - 쇼트키 콘택 가변 캐패시터와 금속기둥 내의 인덕턴스를 이용 - 을 적용하여 다중/광대역화를 유도하고 있으며, 이렇게 해서 형성된 마이크로스트립 전자기 접속 피딩 방식의 패치 안테나를 동일한 고저항 실리콘 기판(εr,
HRS =11.8) 위에 초고주파 신호처리 집적회로 모듈들과 동시에 집적함으로써 다중칩 집적 모듈의 집적도를 높일 수 있다.
마이크로스트립 패치 안테나, 표면 미소 구조체 가공기술, 쇼트키 콘택 가변 캐패시터, 고저항 실리콘 기판, 광대역
摘要翻译：本发明涉及，并且无线通信技术的更特别紧凑的天线的制造技术，更详细地说，由表面技术微加工技术（表面微机械加工）制造的微带贴片天线。本发明被有效地集成在微带贴片天线的制造方法，其包括：微带贴片天线，并用通过多路复用高频信号处理集成电路，宽带表征提出以解决现有技术中的问题本发明提供了一种用于制造多芯片集成模块的方法。在本发明中它通过宽带方案应用于所述基板的所述有效介电常数（毫米波带（超过30GHz的））的微带贴片天线的方案最小化。也就是说，使用作为MEMS技术之一的表面微机械加工在金属柱的上表面上形成贴片，

3. 发明授权

KR100894247B1 양극산화막을 이용한 반도체 패키지 모듈 및 그 제조방법 有权
标题翻译：使用阳极化氧化物层的半导体封装模块及其制造方法
公开(公告)号：KR100894247B1
公开(公告)日：2009-04-21
申请号：KR1020070094584
申请日：2007-09-18
申请人： (주)웨이브닉스이에스피 , 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 김경민
IPC分类号： H01L23/12
CPC分类号： H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/01078 , H01L2924/15153
摘要： 수광 또는 발광소자를 사용하는 경우에도 효과적으로 기능이 발휘되고 다른 반도체 소자 및 부품과의 연결이 용이하도록, 양극산화막을 형성할 수 있는 재질로 형성되는 기판과, 기판 상에 형성되고 적어도 하나의 개구부를 갖는 산화물층과, 산화물층의 개구부 내에 실장되는 반도체 소자와, 산화물층 및 반도체 소자를 덮도록 형성되고 반도체 소자의 상면이 노출되도록 일부가 제거되는 유기물층과, 유기물층 또는 산화물층 상에 형성되고 반도체 소자와 연결되는 리드선을 포함하는 양극산화막을 이용한 반도체 패키지 모듈을 제공한다.
양극산화막, 알루미늄, 패키지, 모듈, 수동소자, 수광소자, 발광소자, 전극, 산화물층

4. 发明授权

KR100698829B1 광 수신기 제조 방법 失效
标题翻译：光接收机的制造方法
公开(公告)号：KR100698829B1
公开(公告)日：2007-03-23
申请号：KR1020050020513
申请日：2005-03-11
申请人： 한국과학기술원
发明人： 차정호 , 권영세
IPC分类号： G02B6/12 , H01S5/026
CPC分类号： G02B6/12004 , G02B6/4214 , H01L27/144 , H01L29/7787 , H01L31/03046 , H01L31/1085 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은, 제 1 기판 위에 버퍼층, 채널층, 장벽층, 및 캡층을 차례로 적층하는 단계와, HEMT(High Electron Mobility Transistor)와 도파로 형 MSM(Metal-Semiconductor-Metal) 광검출기의 영역을 제외한 상기 버퍼층, 채널층, 장벽층, 및 캡층을 제거해서 상기 HEMT와 상기 도파로 형 MSM 광검출기에 각기 대응하는 각 메사(Mesa)를 형성하는 단계와, 상기 HEMT의 소스 전극과 상기 HEMT의 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 HEMT의 게이트 전극이 형성될 영역과 상기 도파로 형 MSM 광검출기의 쇼트키 전극이 형성될 영역의 상기 캡층을 제거하는 단계와, 상기 캡층이 제거된 영역에 상기 HEMT의 게이트 전극과 상기 도파로 형 MSM 광검출기의 쇼트키 전극을 선택적으로 형성하는 단계와, 광도파로 영역의 상기 캡층, 장벽층, 및 채널층을 제거하여 광도파로가 드러나도록 하는 단계와, 상기 각 소자를 보호하기 위한 패시베이션(Passivation)을 하는 단계로 이루어진다.

5. 发明公开

KR1020050037039A 3차원 다층 멀티 칩 모듈 패키지 제조 방법 失效
标题翻译： 3 - 多层多层多芯片包装方法
公开(公告)号：KR1020050037039A
公开(公告)日：2005-04-21
申请号：KR1020030072439
申请日：2003-10-17
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 신성호
IPC分类号： H01L23/12
摘要： 본 발명은 IC 회로 공정이 되어 있는 반도체 기판 위에 적층된 다층의 절연층 내부에 다수의 베어 칩 및 고주파 특성이 우수한 수동 소자를 집적할 수 있는 3차원 다층 멀티 칩 모듈 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 반도체 기판; 다층의 절연층; 상기 반도체 기판 및 상기 절연층 속에 형성되는 공기 공동(Air - Cavity); 및 실장된 멀티 칩; 을 포함하는 다층 멀티칩 모듈 패키지 제조 방법에 있어서, 상기 반도체 기판의 특정 영역에 IC 공정을 수행하는 제 1 단계; 상기 IC 공정이 수행된 영역을 선택적으로 식각하여 그루브(Groove)를 형성하는 제 2 단계; 전기적 차폐를 위하여 상기 그루브의 표면을 접지면으로 도포하는 제 3 단계; 및 상기 그루브를 공기 공동으로 이용하기 위하여 상기 반도체 기판 위에 제 1 절연층을 형성시키는 제 4 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 멀티 칩 모듈 패키지 제조 방법이 제공된다.

6. 发明公开

KR1020040074401A 비등방성 식각 특성을 이용한 서브마이크론 에미터 제조방법 失效
标题翻译：方法制备使用异相蚀刻特性的亚微米发射体
公开(公告)号：KR1020040074401A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：KR1020030010017
申请日：2003-02-18
申请人： 한국과학기술원
发明人： 김문정 , 전수근 , 권영세
IPC分类号： H01L21/328
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a sub-micron emitter using an anisotropic etch characteristic is provided to form stably a heterojunction bipolar transistor by etching easily an InGaAs layer around an emitter electrode. CONSTITUTION: A dummy emitter including an InGaAs layer(32) is laminated on a structure of a heterojunction bipolar transistor of a semiconductor substrate(31). The first line width is defined on the dummy emitter by using a photoresist. The second line width is formed on a boundary between the emitter region and the bottom of the InGaAs layer by performing an anisotropic etch process for the InGaAs layer. An emitter electrode(111) is formed by depositing a contact metal material on an anisotropic etch groove and etching the dummy emitter around the contact metal. The third line width is formed on a boundary between the base region and the bottom of the emitter region by performing the anisotropic etch process for the emitter region.
摘要翻译：目的：提供使用各向异性蚀刻特性制造亚微米发射体的方法，通过容易地蚀刻发射极周围的InGaAs层来稳定地形成异质结双极晶体管。构成：在半导体衬底（31）的异质结双极晶体管的结构上层叠包括InGaAs层（32）的虚拟发射极。通过使用光致抗蚀剂，在虚拟发射器上限定第一线宽。通过对InGaAs层进行各向异性蚀刻工艺，在InGaAs层的发射极区域和底部之间的边界上形成第二线宽。通过在各向异性蚀刻槽上沉积接触金属材料并在接触金属周围蚀刻虚拟发射极来形成发射极（111）。通过对发射极区域进行各向异性蚀刻工艺，在基极区域和发射极区域的边界上形成第三线宽度。

7. 发明授权

KR100395306B1 발광 다이오드 및 제조방법 失效
标题翻译：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100395306B1
公开(公告)日：2003-08-25
申请号：KR1020000022370
申请日：2000-04-27
申请人： 한국과학기술원
发明人： 박은현 , 권영세
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/60
摘要： 본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 45도 반사기, 깊게 에칭된 사이드 월(side wall) 및 모노리딕 마이크로 렌즈(monolithic microlens)로 구성된 발광 다이오드를 제공하므로써, 광의 퍼짐을 막고 방향성을 강화하여 광을 집중시키고 강한 출력을 낼 수 있는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 발광 박막이 성장된 웨이퍼가 형성된 발광 다이오드와, 상기 발광 다이오드의 활성층에서 발생된 광을 전반사시키는반사기와, 상기 반사기 하부에 접촉되고 InP기판 안으로 퍼져나가는 빛을 반사시키는 깊게 에칭된 사이드 월과, 상기 반사기 및 깊게 에칭된 사이드 월에서 반사된 광을 집속시켜 광을 방출하는 모노리딕 마이크로 렌즈를 포함하여 구성됨으로써, 광출력 포화현상으로 기인한 효율 저하를 개선하고 광을 집중하여 출력하므로 고휘도를 낼 수 있는 효과가 있다.

8. 发明公开

KR1020010097115A 미세 패턴 및 메탈 라인 형성 방법 失效
标题翻译：微型图和金属线的形成方法
公开(公告)号：KR1020010097115A
公开(公告)日：2001-11-08
申请号：KR1020000020911
申请日：2000-04-20
申请人： 한국과학기술원
发明人： 박은현 , 양경훈 , 권영세
IPC分类号： G03F1/68 , G03F1/80
CPC分类号： H01L21/0337 , G03F1/08 , G03F1/76 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要： 본 발명은 미세 패턴 및 미세 메탈(metal) 라인을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 특히 수천 옹스트롬 이하의 미세 패턴 및 미세 메탈 라인을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 반도체 기판위에 제 1물질을 일정 두께로 증착하고, 상기 제 1물질 상부면 일부에 마스킹 물질로 이루어진 마스크를 형성한다. 그리고 에칭방법을 사용하여 마스크가 형성되지 않은 상기 제 1물질을 제거하고, 상기 마스크 하부면의 제 1물질 일단도 에칭하여 마스크 밑으로 일정 깊이의 홈을 형성하며, 상기 제 1물질을 상기 마스크면 상부와 기판 상부면에 재증착하여 상기 홈을 구멍으로 변환시킨다. 이후 상기 마스크와 그 상부면에 재증착된 제1물질을 제거하여 미세 패턴을 형성하고, 형성된 미세 패턴위에 기존의 일반적인 반도체 리소그라피 방법 및 메탈 증착방법을 이용하여 미세 메탈라인을 형성함을 특징으로 한다.

9. 发明公开

KR1020000003003A 게이트바이어스회로를이용한공진기의품질계수조절회로와이를이용한주파수가변대역통과필터 失效
标题翻译：使用门偏置电路和频率可变带通滤波器的谐振器的质量因子控制电路
公开(公告)号：KR1020000003003A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980024063
申请日：1998-06-25
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 이종수
IPC分类号： H03H9/00
CPC分类号： H03H7/0115 , H03H7/0153 , H03H7/12 , H03H7/46
摘要： PURPOSE: A quality factor control circuit of a resonator is provided to have the vast frequency variable range and to minimize the insertion loss. CONSTITUTION: The frequency converting band pass filter comprises: a resonator(61) for controlling the quality factor by controlling a gate bias resistance(63) according to the frequency; a voltage(64) for the drain bias of an active element(20); a voltage(65) for a gate bias of the active element(20); a tunable capacitance(62) for the frequency conversion; a turning resistance(63) for controlling the quality factor; and a control voltage(66) thereof.
摘要翻译：目的：提供谐振器的质量因子控制电路以具有巨大的频率可变范围并且最小化插入损耗。构成：频率转换带通滤波器包括：谐振器（61），用于通过根据频率控制栅极偏置电阻（63）来控制品质因数; 用于有源元件（20）的漏极偏置的电压（64）; 用于所述有源元件（20）的栅极偏置的电压（65）; 用于频率转换的可调电容（62）; 用于控制品质因数的转向阻力（63）及其控制电压（66）。

10. 发明授权

KR100149775B1 광전집적회로용 레이저 다이오드 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：光电集成电路激光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100149775B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950008647
申请日：1995-04-13
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권영세 , 지정근
IPC分类号： H01S5/10
摘要： 본 발명은 광전집적회로용 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 좀더 구체적으로, 본 발명은 낮은 구동전류에서도 동작이 가능하도록 지붕형 반사기가 형성된 광전집적회로용 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 레이저 다이오드는 기판(31); 전기한 기판(31)의 상면에 형성되며 N-클래딩층(32) 및 수동도파층(33)으로 구성된 도파로; 전기한 도파로의 상면에 분리층(34), 활성층(35), P-클래딩층(36) 및 p-저항층(37)이 차례로 적층되어 구성되며 지붕형 반사기를 지닌 능동도파로; 전기 능동도파로의 상면에 구성되며 선형전극창(41)이 형성된 SiO
2 막(38); 전기 SiO
2 막(38)의 상면에 형성된 금속재의 상부전극층(39); 및 전기 기판(31)의 하단면에 형성된 금속재의 하부전극층(40)을 포함한다. 본 발명의 광전집적회로용 레이저 다이오드는 레이저 다이오드로부터 발생된 빛의 이용효율이 우수하고 낮은 문턱전류를 지녀 작은 구동전류에 의해서도 원활한 동작이 가능하며, 광전집적회로 상에 집적이 용이하고 간편하게 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 제조방법에 의해 전기한 레이저 다이오드를 간단한 공정에 의해 경제적으로 제조할 수 있다.

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