专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101914573B1 고경도 PTFE코팅막 및 상기 PTFE코팅막 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101914573B1
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：KR1020160143014
申请日：2016-10-31
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 송영식 , 임성철
IPC分类号： C09D5/16 , C23C14/06 , C09D127/18
摘要： 본발명은 PTFE코팅막및 코팅방법에대한것으로, 보다구체적으로는고경도, 발수성, 고투과도및 고밀착력특성을갖는 PTFE코팅막및 상기 PTFE코팅막제조방법에관한것이다.

2. 发明公开

KR1020150031750A ＲＦ 플라즈마 처리를 이용한 루테늄-크롬 합금 분말의 제조방법 有权
标题翻译：使用RF等离子体处理制造红外光粉的方法
公开(公告)号：KR1020150031750A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：KR1020130111326
申请日：2013-09-16
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 임성철 , 권혁천 , 최한신 , 호종환 , 허규영 , 백종진
IPC分类号： B22F9/14 , B22F9/04 , B22F1/00
CPC分类号： B22F9/14 , B22F1/0011 , B22F1/0081 , B22F9/04 , B22F2303/15 , C22C1/04
摘要： 본 발명은 폐기 스퍼터링 타겟으로부터 얻어지는 루네늄-크롬 벌크 합금의 분쇄 및 RF 플라즈마 처리로 된 일련의 공정을 통해 새로운 스퍼터링 타겟을 제조하는데 사용될 수 있는 고순도 및 구상화된 재생분말을 제조하는 방법 및 그 제조장치를 제공하는데 주된 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 RF 플라즈마 처리를 이용한 루테늄-크롬 합금 분말의 제조방법은, 루테늄-크롬 합금으로 된 폐 스퍼터링 타겟으로부터 원자%로 루테늄 50 ~ 95% 및 크롬 5 ~ 50%의 벌크 합금을 마련하는 단계; 상기 루테늄-크롬의 벌크 합금을 0.1 ~ 1.0mm 크기의 분말로 조분쇄하는 단계; 상기 조분쇄된 루테늄-크롬 합금 분말을 20 ~ 250㎛ 크기의 분말로 미분쇄하는 단계; 및 상기 미분쇄된 루테늄-크롬 합금 분말을 RF 플라즈마 공정을 통해 고순도 및 구상화된 합금 분말로 제조하는 단계;를 포함한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种制造高纯度和球形再生粉末的方法，其可用于通过一系列方法制造新的溅射靶，所述方法包括从废弃溅射靶和RF等离子体获得的钌 - 铬体合金粉碎治疗; 以及制造该装置的装置。为了实现本发明的目的，使用RF等离子体处理制造钌 - 铬合金粉末的方法包括：从废弃物制备由5-50原子％的铬和50-95原子％的钌组成的块状合金的步骤由钌铬合金组成的溅射靶; 将钌 - 铬体积合金粗粉碎为粉末形式的尺寸为0.1-1.0mm的步骤; 将粗大的钌 - 铬合金粉末细粉碎成具有20-250μm的粉末形式的步骤; 以及通过RF等离子体处理制造高纯度的细磨钌 - 铬合金粉末和球形合金粉末的步骤。

3. 发明公开

KR1020140103479A 금속-세라믹 층상 복합소재 및 그 제조방법 有权
标题翻译：金属陶瓷复合材料及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140103479A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020130016893
申请日：2013-02-18
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 임성철 , 권혁천 , 이효수 , 허규영 , 백종진 , 호종환
IPC分类号： C04B35/74 , B28B3/02
CPC分类号： C04B37/021 , C04B2237/343 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/52
摘要： The present invention relates to a metal-ceramic layered composite material and a method for manufacturing the same and, more particularly, to a method for manufacturing a metal-ceramic layered composite material including a step for simultaneously surface-treating a metal and ceramic, which are bonding targets, in a vacuum chamber by using plasma; and a step for bonding the metal and the ceramic during the surface treatment process, in which the surface treatment and the bonding are performed at room temperature, and a metal-ceramic layered composite material manufactured by using the manufacturing method described above. According to the present invention, surfaces of the metal and the ceramic, which constitute the composite material, are cleaned and activated by using the plasma in a high-vacuum state, and thus foreign matters generated on the surfaces can be easily removed. Also, the possibility of foreign matter growth, in which the foreign matters are nuclei, is extremely low. Accordingly, the manufactured composite material can be uniform in material properties and improved in performance.
摘要翻译：金属陶瓷层状复合材料及其制造方法技术领域本发明涉及金属 - 陶瓷层状复合材料及其制造方法，更具体地，涉及一种金属 - 陶瓷层状复合材料的制造方法，其包括同时表面处理金属和陶瓷的工序是通过使用等离子体在真空室中的结合靶; 以及在室温下进行表面处理和接合的表面处理工序中的金属和陶瓷的接合工序，以及使用上述制造方法制造的金属 - 陶瓷层状复合材料。根据本发明，构成复合材料的金属和陶瓷的表面通过在高真空状态下使用等离子体被清洗和活化，因此可以容易地除去表面产生的异物。另外，外来事物是核心的异物增长的可能性极低。因此，制造的复合材料在材料性能方面可以是均匀的，并且性能提高。

4. 发明授权

KR101374281B1 스퍼터링 타겟용 탄탈륨 판재 및 그 제조방법 有权
标题翻译：溅射目标及其制造方法
公开(公告)号：KR101374281B1
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：KR1020110093927
申请日：2011-09-19
申请人： 한국생산기술연구원 , (주)나인디지트
发明人： 권혁천 , 임성철 , 임용덕 , 김현민 , 우상모 , 송규영
IPC分类号： C21D8/02 , B21J5/00 , C22F1/18 , C22B34/24
摘要： 본 발명은, 용해 주조된 탄탈륨 잉고트 또는 빌렛트에 대해, 냉간 단조 및 냉간 압연을 차례로 수행한 후 1173K ~ 1573K에서 재결정 소둔을 수행하여, 결정립의 평균 입경이 35㎛ 이하가 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 판재 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명에 의하면, 결정립 미세화 및 결정입도의 균일도가 우수한 탄탈륨 판재를 제조할 수 있게 되고, 특히 탄탈륨 판재의 최종 결정립 크기가 35㎛ 이하가 되며, (111)배향이 우선적인 조직으로 이루어져서 고순도 스퍼터링 타겟으로 이용할 수 있게 된다.

5. 发明授权

KR101284598B1 탄탈륨 분말 및 그 제조방법 有权
标题翻译： TANTALLUM粉及其制造方法
公开(公告)号：KR101284598B1
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020110034699
申请日：2011-04-14
申请人： 한국생산기술연구원 , 희성금속 주식회사
发明人： 임성철 , 권혁천 , 김현민 , 임용덕 , 이규인 , 윤원규 , 양승호 , 홍길수 , 김홍식
IPC分类号： B22F9/04 , B22F1/00
摘要： 본 발명은 탄탈륨 소재를 3 ~ 5bar 수소 가압의 수소 분위기 및 700 ~ 900℃ 온도 범위에서 일정 시간 동안 유지하여, 탄탈륨 소재의 산화막을 제거하는 제1단계; 산화막이 제거된 탄탈륨 소재의 온도를 하강시켜서, 수소를 소재 내부로 환원시키는 제2단계; 및 수소 취화된 탄탈륨 소재를 분쇄하는 제3단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 분말 제조방법에 관한 것이고, 바람직하게는 제1단계에서, 탄탈륨 소재를 5bar 수소 가압의 수소 분위기 및 800℃ 온도 범위에서 일정 시간 동안 유지하여, 탄탈륨 소재의 산화막을 제거하는 것이 바람직하다. 이러한 본 발명에 의하면, 탄탈륨 소재를 HDH 방법으로 분쇄함으로써 고순도의 탄탈륨 분말을 효율적으로 제조할 수 있게 된다.

6. 发明公开

KR1020120063902A 티타늄 합금 주조용 주형 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：用于铸造钛合金的模具及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120063902A
公开(公告)日：2012-06-18
申请号：KR1020100125076
申请日：2010-12-08
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 임성철 , 권혁천 , 김경훈 , 김영석 , 강문수 , 김현민 , 임용덕
IPC分类号： B22C9/00 , B22C1/18 , B22F3/10 , C04B35/64
CPC分类号： B22C9/061 , B22C1/183 , B22D21/005 , B22F3/10
摘要： PURPOSE: A titanium alloy casting mold and a manufacturing method thereof are provided to remove an interfacial reaction layer from a titanium casting to obtain a high quality titanium alloy casting. CONSTITUTION: A manufacturing method of a titanium alloy casting mold comprises the following steps: mixing 55-90wt% of TiO2 powder with 1-50wt% of tungsten powder using a colloidal silica bonging agent(S1); stirring the mixed powder for more than 12 hours(S2); and sintering the powder mixture at 850-1,200 deg. Celsius(S3).
摘要翻译：目的：提供钛合金铸造模具及其制造方法，以从钛铸件中除去界面反应层以获得高质量的钛合金铸件。构成：钛合金铸造模具的制造方法包括以下步骤：使用胶体二氧化硅球化剂（S1）将55-90重量％的TiO 2粉末与1-50重量％的钨粉混合; 搅拌混合粉末超过12小时（S2）; 并在850-1200度烧结该混合物。摄氏（S3）。

7. 发明授权

KR100923542B1 이형재를 이용한 임베디드 반도체 패키지 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：包装装置包括使用释放构件的嵌入芯片及其制造方法
公开(公告)号：KR100923542B1
公开(公告)日：2009-10-27
申请号：KR1020070115874
申请日：2007-11-14
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 이효수 , 이해중 , 권혁천 , 임성철 , 최한신 , 손성호 , 이홍기
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L2224/16225
摘要： 본 발명은 이형재를 이용한 임베디드 반도체 패키지 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 이형재를 이용한 임베디드 반도체 패키지 장치는 미리 설정된 패턴의 배선 회로를 구비하는 절연체 기판, 그 외면 중 적어도 일부가 이형재 커버로 둘러싸인 상태로 상기 절연체 기판에 내장되는 반도체 칩, 그리고 상기 반도체 칩과 상기 배선 회로를 전기적으로 연결하는 범프를 포함한다. 본 발명은 반도체 칩이 이형재 커버로 둘러싸인 상태로 절연체 기판에 내장됨으로써 재활용이 용이한 임베디드 반도체 패키지 장치를 제공할 수 있다.
임베디드, 반도체 칩, 절연체 기판

8. 发明授权

KR100797633B1 무인자동 주조 장치 有权
标题翻译：自动铸造装置
公开(公告)号：KR100797633B1
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：KR1020060062361
申请日：2006-07-04
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 임성철 , 김경훈 , 강장원
IPC分类号： B22D21/04 , B22D45/00
摘要： 본 발명은 재해, 분진 소음 등 알루미늄 주조 및 후처리과정에서 발생하는 3D 직무기피 요인을 해소하고 생산성 향상 및 품질의 획기적 증대를 위한 무인자동 주조 장치에 관한 것인바, 본 발명은 무인자동 주조 장치에 있어서, 하부바디의 하단으로는 고정받침대가 구비되며 측면의 일측으로는 실린더가 설치되고 상부에는 메인바디가 고정 설치되며, 메인바디의 후면에는 서버모터가 축설되고 서버모터의 구동에 의해 회전하는 레들아암의 끝단에는 바스켓이 설치되어 이루어진 주탕장치와; 소정형태의 형상을 갖도록 하는 금형이 구비된 주조기와; 원재를 용융하여 융탕을 만드는 전기보온로와; 상기 금형이 고정 설치되며 실린더에 의해 제품을 취출시키는 취출장치와; 동력을 발생시키는 구동모터에는 벨트에 의해 무한 구동형태의 메쉬벨트가 프레임에 설치되고 프레임의 상부에는 냉각팬이 설치되며 상기 냉각팬은 노즐유니트에 의해 냉각된 에어가 하방향으로 분사 되도록 구성된 냉각콘베이어장치와; 내측의 절단기 외측에 발포알루미늄재로 이루어진 방음수단을 감싸 외부로 소음이 전파되는 것을 방지한 절단장치와; 전체 장비를 중앙제어로 컨트롤할 수 있는 중앙제어 컨트롤러를 포함하여 이루어진 것에 그 특징이 있다.

9. 发明授权

KR100752232B1 용강용 철-알루미늄 복합 탈산재의 제조방법 및 장치 失效
标题翻译：用于制造铁铝复合材料的方法和设备
公开(公告)号：KR100752232B1
公开(公告)日：2007-08-27
申请号：KR1020060063956
申请日：2006-07-07
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 권혁천 , 임성철 , 남철우
IPC分类号： C21C7/06 , C21C7/00

10. 发明授权

KR100659285B1 플라즈마 아크 용해법 및 이를 이용한 고융점 활성금속소경봉 제조방법 有权
标题翻译： 플라즈마아크용해법및이를이용한고융점활성금속소경봉제조방플
公开(公告)号：KR100659285B1
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：KR1020050084749
申请日：2005-09-12
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 권혁천 , 임성철 , 김경훈 , 이흥복
IPC分类号： B22D21/02 , B22D25/00
摘要： A plasma arc melting method which is economical since the method is easily applied and can maximize electricity utility ratio, and which is excellent in quality reproducibility of a small-diameter rod obtained after casting, and a method of manufacturing a small-diameter active metal rod with high melting point using the same are provided. In a method of manufacturing a small-diameter active metal rod with high melting point using an equipment of manufacturing a small-diameter active metal rod with high melting point comprising a vacuum chamber, a crucible(140), a plasma torch gun, a mold part(180), a water cooling device and a transfer device(150), the method comprises the steps of: (a) maintaining a degree of vacuum within the vacuum chamber to a value near 2.0 Pa; (b) controlling pressure of Ar gas for the plasma torch gun to 7 kgf/cm^2 or more, maintaining a gap between the plasma torch gun and a high melting point active metal material to a range of 3 to 4 cm, and maintaining pressure of Ar gas of an atmosphere for melting high melting point active metal by generating plasma to a range of 0.04 to 0.06 MPa; (c) holding melt of the high melting point active metal for 20 to 200 seconds; (d) injecting the melt of the high melting point active metal into a melt injection port; and (e) lowering the melt at a rate of 0.1 to 10 mm/s and continuously supplying the melt of the high melting point active metal onto the injected melt again at the same time while solidifying the injected melt by the water cooling device near the melt injection port.
摘要翻译：由于该方法容易施加并且可以使电效率最大化并且在铸造后获得的小直径棒的质量再现性优异，所以是经济的等离子弧熔融法以及制造小直径活性金属棒的方法提供使用相同的高熔点的材料。在使用制造具有高熔点的小直径活性金属棒的设备来制造具有高熔点的小直径活性金属棒的方法中，所述设备包括真空室，坩埚（140），等离子体喷枪枪，模具所述方法包括以下步骤：（a）将真空室内的真空度保持在接近2.0Pa的值; （b）将等离子枪的氩气压力控制在7kgf /平方公分以上，使等离子枪与高熔点活性金属材料之间的间隙保持在3〜4cm的范围内，通过产生等离子体至0.04至0.06MPa范围内的用于熔化高熔点活性金属的气氛的Ar气体的压力; （c）将高熔点活性金属的熔体保持20至200秒; （d）将高熔点活性金属的熔体注入熔体注入口; （e）以0.1-10mm / s的速率降低熔体，同时再次将熔融的高熔点活性金属连续供给注入的熔体，同时通过靠近熔体注射口。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式