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1. 发明公开

KR1020130030456A 스퍼터링 타겟용 탄탈륨 판재 및 그 제조방법 有权
标题翻译：溅射目标及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130030456A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：KR1020110093927
申请日：2011-09-19
申请人： 한국생산기술연구원 , (주)나인디지트
发明人： 권혁천 , 임성철 , 임용덕 , 김현민 , 우상모 , 송규영
IPC分类号： C21D8/02 , B21J5/00 , C22F1/18 , C22B34/24
CPC分类号： C21D8/021 , B21J5/00 , C22B34/24 , C22F1/18
摘要： PURPOSE: A Ta(tantalum) sheet for a sputtering target and a manufacturing method thereof are provided to improve purity because the size of final grains of the Ta sheet is below 35 micrometers and is composed of a structure in which orientation is priority. CONSTITUTION: A Ta sheet manufacturing method includes the following steps: Melted and casted Ta ingots or billets are cold-forged and cold-rolled in order and are annealed at 1173-1573K in order to make the mean diameter of the grains to below 35 micrometers. The cold-forging step includes the following steps: A forging process is implemented by applying a plastic working rate of 40-60%. An intermediate forging process is implemented at below the recrystalization temperature of Ta in order to improve processability.
摘要翻译：目的：提供用于溅射靶的Ta（钽）片及其制造方法，以提高纯度，因为Ta片的最终晶粒的尺寸低于35微米，并且由优先取向的结构构成。构成：Ta片材的制造方法包括以下步骤：熔融和铸造的钽锭或坯料按照冷锻和冷轧的方法，并在1173-1573K下进行退火，以使晶粒的平均直径小于35微米。冷锻步骤包括以下步骤：通过施加40-60％的塑性加工率来实施锻造过程。在Ta的重结晶温度以下进行中间锻造工序，以提高加工性。

2. 发明授权

KR100498871B1 인듐 제조방법 失效
标题翻译：铟制造方法
公开(公告)号：KR100498871B1
公开(公告)日：2005-07-04
申请号：KR1020010076884
申请日：2001-12-06
申请人： (주)나인디지트
发明人： 우상모
IPC分类号： C07F5/00
摘要： 본 발명은 인듐 제조방법에 관한 것으로, 순도 4N(99.99%)의 금속 인듐을 진공로에 투입하여 소정의 온도로 일정시간 동안 유지시킨 후 냉각시키는 진공정련단계와, 진공정련된 목적물을 InCl로 치환하는 단계와, 치환된 고체 InCl을 기체로 승화시킨 다음 이를 응축시켜 다시 고체로 되돌리는 증발/승화단계 및, 상기 승화단계에서 얻어진 InCl을 In으로 환원시키는 단계를 거쳐, 4N의 순도를 가진 금속 인듐을 원료로 하여 6N(99.9999%) 이상의 고순도 인듐을 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 전해정련과정을 통해 7N급의 인듐을 제조할 수 있도록 된 것이다.

3. 发明授权

KR100738404B1 갈륨산아연계 녹색형광체 및 이의 제조방법 失效
标题翻译：基于氧化锌的绿色磷光体及其制备方法
公开(公告)号：KR100738404B1
公开(公告)日：2007-07-13
申请号：KR1020050095295
申请日：2005-10-11
申请人： 한국화학연구원 , (주)나인디지트
发明人： 류호진 , 싱,비노드쿠마 , 우상모
IPC分类号： C09K11/78 , C09K11/62 , C09K11/55 , C09K11/54
摘要： 본 발명은 갈륨산아연계 녹색형광체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 하기 화학식 1로 표시되는, 본 발명에 따른 형광체는 저전압 전자선 여기 하에서 우수한 발광휘도 및 색순도를 나타내어 전계 방출 디스플레이(FED)에 유용하게 사용될 수 있다:
Zn
1-xy Mg
x Ga
2 O
4 :Mn
y

상기 식에서, 0.001≤x≤0.5 및 0

4. 发明公开

KR1020060036629A 고순도 인듐 제조 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于制造高纯度印刷品的方法及其装置
公开(公告)号：KR1020060036629A
公开(公告)日：2006-05-02
申请号：KR1020040085679
申请日：2004-10-26
申请人： (주)나인디지트
发明人： 우상모 , 선우정호 , 송규영
IPC分类号： C22B58/00
CPC分类号： C22B58/00 , C25C3/34 , F27B14/10 , F27B14/20 , F27B2014/102
摘要： 본 발명은 액정 디스플레이의 투명 도전막에 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide) 타겟의 원재료가 되는 인듐을 고순도화하는 정제 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명은 주석이 주요 불순물로 함유되어 있는 조인듐을 고순도로 정제함에 있어 주석의 분리 효율 및 생산성이 종래의 수용액 전해 대비 최소한 3배 이상 향상된 용융염 전해 정련에 관한 것으로 조인듐을 양극으로 사용하고 일염화인듐 또는 일염화인듐과 염화아연의 복합 화합물을 전해질로 사용하여 전해질의 녹는점 이상의 온도에서 전해 정련을 행하여 인듐을 정제하는 방법 및 장치에 관한 기술이다.
인듐, 용융염 전해, 일염화인듐, 염화아연
摘要翻译：本发明涉及一种生产高纯度铟的方法，其中铟用于液晶显示器用导电膜所用的靶材料ITO（铟锡氧化物）的起始材料而以高纯度精制而成。本发明涉及一种熔融盐电解精炼，其中以锡为主要原料的辅助铟以高纯度精炼而成，因此与常规的水性电解相比，锡的去除效率和生产率提高至少三倍，其是关于用于精炼铟的方法的技术及其装置，其特征在于，电解精炼在不低于使用辅助铟作为阳极的电解质的熔点的温度下进行，并使用InCl或InCl的复合化合物和ZnCl as as电解质。铟，熔盐电解，InCl，Zncl

5. 发明公开

KR1020030046669A 인듐 제조방법 失效
标题翻译：制备印刷工艺
公开(公告)号：KR1020030046669A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：KR1020010076884
申请日：2001-12-06
申请人： (주)나인디지트
发明人： 우상모
IPC分类号： C07F5/00
CPC分类号： C22B58/00 , C22B9/04
摘要： PURPOSE: A process for preparing indium is provided, thereby preparing high purity indium having a purity of 6N(99.9999%) or more from indium having a purity of 4N. CONSTITUTION: A process for preparing indium comprises the steps of: inserting metal indium having a purity of 4N(99.99%) into a vacuum furnace, heating it up to 900 to 1000 deg. C and maintaining the temperature for a certain period of time and cooling it; adding NH4Cl into the heated indium and introducing Ar gas or N2 gas into the indium to prepare InCl; heating InCl under vacuum condition up to 600 to 700 deg. C to sublimate InCl and condensing InCl to obtain solid InCl; and introducing H2 gas into the solid InCl under vacuum condition to prepare reduced In, wherein the reduced In and sublimated solid InCl is optionally inserted into an electrolytic bath having the temperature above the melting point of indium.
摘要翻译：目的：提供铟的制造方法，由纯度为4N的铟制备纯度为6N（99.9999％）以上的高纯度铟。构成：制备铟的方法包括以下步骤：将纯度为4N（99.99％）的金属铟插入真空炉中，将其加热至900至1000℃。并将温度保持一定时间并冷却; 将NH 4 Cl加入到加热的铟中并将Ar气或N 2气引入铟中以制备InCl; 在真空条件下加热InCl至600至700度。 C升华InCl并冷凝InCl，得到固体InCl; 并在真空条件下将H 2气体引入固体InCl中以制备还原In，其中还原In和升华的固体InCl任选地插入到具有高于铟熔点的温度的电解槽中。

6. 发明授权

KR101031985B1 탄탈륨 광석으로부터 습식제련을 이용한 고순도 금속 화합물의 제조방법 失效
标题翻译：使用钽矿石的湿法冶金工艺制造高纯金属化合物的方法
公开(公告)号：KR101031985B1
公开(公告)日：2011-05-02
申请号：KR1020090026240
申请日：2009-03-27
申请人： (주)나인디지트
发明人： 우상모 , 전덕일 , 송규영 , 구본우
IPC分类号： C22B3/06 , C22B34/24
CPC分类号： Y02P10/214 , Y02P10/23 , Y02P10/234
摘要： 본 발명은 탄탈륨 광석으로부터 탄탈륨 또는 니오븀을 분리 제조하는 방법 또는 고순도 K
2 TaF
7, Ta
2 O
5, 또는 Nb
2 O
5 분말을 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 불산(HF)과 질산(HNO
3 )의 혼산을 이용한 광석의 침출과 Cyanex272와 TBP의 혼합용매에 의한 철(Fe)을 포함한 여러 비철금속류로부터 탄탈륨(Ta)과 니오븀(Nb)의 분리와 2-Octanol을 이용한 탄탈륨, 니오븀의 분리ㆍ정제를 특징으로 한다.
본 발명은 탄탈륨 또는 니오븀 회수 및 재생에 있어서 산업용 폐기물인 스크랩에 한정되어 있는 출발원료를 광석으로 확대함으로써 부가가치를 극대화함과 더불어 원료 수급의 다각화와 함께 기존 습식공정의 단점 및 문제점을 해결하여 분리효율과 안정성이 보다 우수한 분리ㆍ정제공정을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
탄탈륨, 니오븀, Cyanex272, TBP, 2-Octanol, 케로신

7. 发明公开

KR1020070040034A 갈륨산아연계 녹색형광체 및 이의 제조방법 失效
标题翻译：绿色荧光体及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070040034A
公开(公告)日：2007-04-16
申请号：KR1020050095295
申请日：2005-10-11
申请人： 한국화학연구원 , (주)나인디지트
发明人： 류호진 , 싱,비노드쿠마 , 우상모
IPC分类号： C09K11/78 , C09K11/62 , C09K11/55 , C09K11/54
摘要： 본 발명은 갈륨산아연계 녹색형광체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 하기 화학식 1로 표시되는, 본 발명에 따른 형광체는 저전압 전자선 여기 하에서 우수한 발광휘도 및 색순도를 나타내어 전계 방출 디스플레이(FED)에 유용하게 사용될 수 있다:
Zn
1-xy Mg
x Ga
2 O
4 :Mn
y

상기 식에서, 0.001≤x≤0.5 및 0
摘要翻译：本发明镓出生相关联的绿色荧光材料，并且作为其根据本发明，由通式涉及一种用于制备，对于荧光体（1）显示出低电压电子束在这里是在一个场致发射显示器有用下优异的亮度和色纯度（FED）可以：

8. 发明公开

KR1020030006564A 텅스텐-구리 분말합금 제조방법 无效
标题翻译： W-CU粉末合金的制造方法
公开(公告)号：KR1020030006564A
公开(公告)日：2003-01-23
申请号：KR1020010042380
申请日：2001-07-13
申请人： (주)나인디지트
发明人： 우상모 , 김근 , 김진화
IPC分类号： B22F3/04
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of W-Cu powder alloy is provided to manufacture the W-Cu powder alloy by fusion bonding tungsten (W) powder and copper (Cu) powder each other through mechanical alloying. CONSTITUTION: The manufacturing method of W-Cu powder alloy comprises the processes of charging copper powder and tungsten powder along with balls into a reactor; and producing the tungsten-copper powder alloy by rotating the reactor at a high speed so that copper is pressed and fused onto tungsten by centrifugal force of the balls, wherein 10 to 20 wt.% of copper powder and 90 to 80 wt.% of tungsten powder together with the balls are charged into the reactor, 50 to 70 wt.% of copper powder and 50 to 30 wt.% of tungsten powder together with the balls are charged into the reactor, and Teflon as a dispersing agent is injected into the reactor.
摘要翻译：目的：提供W-Cu粉末合金的制造方法，通过机械合金化将钨（W）粉末和铜（Cu）粉末彼此熔合，制造W-Cu粉末合金。构成：W-Cu粉末合金的制造方法包括将铜粉和钨粉与球一起装入反应器的工艺; 并通过高速旋转反应器来生产钨铜粉末合金，使得铜通过球的离心力被挤压并熔合到钨上，其中10至20重量％的铜粉和90至80重量％的将钨粉与球一起装入反应器中，将50至70重量％的铜粉和50至30重量％的钨粉与球一起装入反应器中，并将作为分散剂的特氟龙注入反应堆。

9. 发明授权

KR101374281B1 스퍼터링 타겟용 탄탈륨 판재 및 그 제조방법 有权
标题翻译：溅射目标及其制造方法
公开(公告)号：KR101374281B1
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：KR1020110093927
申请日：2011-09-19
申请人： 한국생산기술연구원 , (주)나인디지트
发明人： 권혁천 , 임성철 , 임용덕 , 김현민 , 우상모 , 송규영
IPC分类号： C21D8/02 , B21J5/00 , C22F1/18 , C22B34/24
摘要： 본 발명은, 용해 주조된 탄탈륨 잉고트 또는 빌렛트에 대해, 냉간 단조 및 냉간 압연을 차례로 수행한 후 1173K ~ 1573K에서 재결정 소둔을 수행하여, 결정립의 평균 입경이 35㎛ 이하가 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 탄탈륨 판재 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명에 의하면, 결정립 미세화 및 결정입도의 균일도가 우수한 탄탈륨 판재를 제조할 수 있게 되고, 특히 탄탈륨 판재의 최종 결정립 크기가 35㎛ 이하가 되며, (111)배향이 우선적인 조직으로 이루어져서 고순도 스퍼터링 타겟으로 이용할 수 있게 된다.

10. 发明授权

KR100614891B1 고순도 인듐 회수방법 失效
标题翻译：回收高纯度铟的方法
公开(公告)号：KR100614891B1
公开(公告)日：2006-08-25
申请号：KR1020040085681
申请日：2004-10-26
申请人： (주)나인디지트
发明人： 우상모 , 선우정호 , 송규영
IPC分类号： C22B58/00
CPC分类号： C25C3/34 , C22B5/10 , C22B7/001 , C22B25/06 , C22B58/00 , Y02P10/214 , Y02P10/228 , Y02P10/232
摘要： 본 발명은 ITO 폐타겟과 같은 인듐 스크랩으로부터 불활성 기체 분위기하에서 인듐-주석 합금으로의 건식 환원을 거쳐 주석을 제거하는 1차 전해와 인듐을 고순도화하는 2차 전해 및 전해시 유입된 아연을 제거하는 진공정제로 구성된 인듐 회수 및 정제 방법에 관한 것이다.
본 발명은 인듐 산화물을 포함하는 스크랩을 환원하여 합금화하는 환원공정, 상기 합금을 양극으로 하고, 일염화인듐과 염화아연을 전해질로 하여 전해하는 용융염 전해공정, 상기 용융염 전해공정에서 얻은 정제 인듐용융물을 진공조에서 처리하여 높은 증기압을 가진 불순물을 제거하는 진공정제공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고순도 인듐 회수방법을 제공한다.
본 발명의 회수 공정은 환원-전해-진공정제의 간단한 세 가지의 건식 공정으로만 구성되어 있기 때문에 폐수 발생이 전혀 없다는 잇점이 있으며 높은 생산성과 낮은 원가로 인듐 회수율이 95% 이상 달성할 수 있다.
인듐, 회수, 스크랩, 아연

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