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1. 发明授权

KR100459271B1 구리 단일막 또는 구리 몰리브덴막의 식각용액 및 그식각방법 有权
标题翻译：美国职业棒球协会
公开(公告)号：KR100459271B1
公开(公告)日：2004-12-03
申请号：KR1020020023091
申请日：2002-04-26
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김기섭 , 김성수 , 오금철
IPC分类号： C23F1/18
摘要： PURPOSE: Etching solutions for Cu monolayer or Cu-molybdenum multilayers comprising deionized water and two types of additives comprising hydrogen peroxide water, organic acid, phosphate and nitrogen, and an etching method are provided. CONSTITUTION: The etching solutions comprises first additive comprising 8 to 20 wt.% of hydrogen peroxide water for the total weight of composition, 1 to 5 wt.% of organic acid for the total weight of composition, 0.2 to 5 wt.% of phosphate for the total weight of composition and 0.2 to 5 wt.% of nitrogen for the total weight of composition; second additive comprising 0.2 to 5 wt.% of nitrogen for the total weight of composition; and a balance of deionized water for the total weight of composition. The etching method comprises first step of depositing copper/molybdenum layer on a substrate; second step of selectively leaving photoresist on the copper/molybdenum layer; and third step of etching the copper/molybdenum layer using the etching solution, wherein the copper/molybdenum layer is a double film in which copper film(14) is formed on molybdenum layer(12), wherein thickness of the copper layer is thicker than that of the molybdenum layer, wherein the substrate is a glass substrate(10) for TFT LCD (thin film transistor liquid crystal display), and wherein the copper layer is a source/drain wiring.
摘要翻译：目的：提供包含去离子水和包含过氧化氢水，有机酸，磷酸盐和氮的两种添加剂的铜单层或铜钼多层膜的蚀刻溶液以及蚀刻方法。组成：蚀刻溶液包含第一添加剂，其包含组合物总重量的8至20重量％的过氧化氢水，组合物总重量的1至5重量％的有机酸，0.2至5重量％的磷酸盐对于组合物的总重量和组合物总重量为0.2-5重量％的氮; 第二添加剂，其包含组合物总重量的0.2至5重量％的氮; 余量的去离子水用于组合物的总重量。该蚀刻方法包括在基底上沉积铜/钼层的第一步骤; 第二步，在铜/钼层上选择性地留下光刻胶; 以及使用所述蚀刻溶液蚀刻所述铜/钼层的第三步骤，其中所述铜/钼层是在钼层（12）上形成铜膜（14）的双层膜，其中所述铜层的厚度比其中基板是用于TFT LCD（薄膜晶体管液晶显示器）的玻璃基板（10），并且其中铜层是源极/漏极布线。

2. 发明授权

KR100505328B1 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법 有权
标题翻译：蚀刻解决方案和去除多晶硅多晶硅的莫来石残留的方法
公开(公告)号：KR100505328B1
公开(公告)日：2005-07-29
申请号：KR1020030082375
申请日：2003-11-19
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김성수 , 최용석 , 이승용
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/32134
摘要： 과산화수소수, 유기산, 인산염 (phosphate), 질소 (N) 을 포함하는 첨가제 두 종류, 플루오르 화합물 및 탈이온수를 포함하는 구리 단일막 또는 구리 몰리브덴막의 식각용액을 제공한다. 더 구체적으로는, 조성물 총중량에 대하여 5 내지 30 중량% 의 과산화수소수, 0.5 내지 5 중량% 의 유기산, 0.2 내지 5 중량% 의 인산염, 0.2 내지 5 중량% 의 질소를 포함하는 첨가제 두 종류, 0.01 내지 1.0 중량%의 플루오르 화합물 및 탈이온수를 포함하는 구리 단일막 혹은 구리 몰리브덴막의 식각 용액 및 그 식각 방법을 제공한다.
이와 같은 식각용액 및 식각방법을 통하여, 저저항 금속배선을 구현함과 더불어, 식각 속도의 조절이 쉽고, 테이프 프로파일이 양호하며, 패턴의 직선성이 우수하고, 많은 수의 기판을 식각하여도 식각 특성이 변하지 않아 공정상에서 큰 마진을 가지며, 특히 구리 몰리브덴 막에서 몰리브덴이 잔사로 남아 불량을 야기시킬 수 있는 문제를 제거할 수 있어 차세대 반도체 및 TFT-LCD 회로 제작에 널리 이용할 수 있다.

3. 发明公开

KR1020040051502A 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법 有权
标题翻译：能够从铜层中去除钼析出的蚀刻溶液及其蚀刻方法
公开(公告)号：KR1020040051502A
公开(公告)日：2004-06-18
申请号：KR1020030082375
申请日：2003-11-19
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김성수 , 최용석 , 이승용
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/32134
摘要： PURPOSE: An etching solution capable of removing molybdenum debris from a copper molybdenum layer and an etching method thereof are provided to easily control etching rate, improve tape profile, enhance the linearity of a pattern, constantly conserve the same etching characteristics, and increase the maintenance time of the etching solution. CONSTITUTION: An etching solution of a copper molybdenum layer contains a hydrogen peroxide solution of 5-30 weight%, organic acid of 0.5-5 weight%, and phosphate salt of 0.2-5 weight%. The etching solution further includes the first addictive of 0.2-5 weight%, the second addictive of 0.2-5 weight%, a fluorine compound of 0.01-1.0 weight% and deionized water.
摘要翻译：目的：提供能够从铜钼层除去钼屑的蚀刻溶液及其蚀刻方法，以便容易地控制蚀刻速率，改善胶带轮廓，增强图案的线性，同时保持相同的蚀刻特性，并增加维护蚀刻溶液的时间。构成：铜钼层的蚀刻溶液含有5-30重量％的过氧化氢溶液，0.5-5重量％的有机酸和0.2-5重量％的磷酸盐。蚀刻溶液还包括0.2-5重量％的第一上瘾剂，0.2-5重量％的第二成瘾剂，0.01-1.0重量％的氟化合物和去离子水。

4. 发明授权

KR100419071B1 구리-티타늄 막의 식각용액 및 그 식각방법 有权
标题翻译： 구리 - 티타늄막의식각용액및그식각방법
公开(公告)号：KR100419071B1
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：KR1020010035127
申请日：2001-06-20
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 송형수 , 김기섭 , 박민춘 , 김성수
IPC分类号： C23F1/18
摘要： PURPOSE: An etching solution for copper titanium layer is provided, which has excellent taper profile against copper layer while etching copper layer and titanium layer at the same time, and has decreased attack against glass substrate and lower silicon layer, thus it is applicable to TFT LCD manufacture process. CONSTITUTION: The etching solution comprises 0.1 to 5 wt.% of inorganic oxidizers selected from the group consisting of CuCl2, Cu(NO3)2, CuSO4, Al(NO3)3, Al2(SO4)3, FeCl3, Fe2(SO4)3 and Fe(Cl4)3; 0.5 to 10 wt.% of inorganic acid or their salts; 0.05 to 0.5 wt.% of fluorine; and a balance of deionized water, and optionally 0.005 wt.% or more of additives selected from the group consisting of pyrrolidine, pyrrolin, pyrrol, indole, pyrazol, imidazol, pyrimidine, purine, pyrimidine and their derivatives.
摘要翻译：目的：提供一种铜钛层的蚀刻液，它在对铜层和钛层同时进行蚀刻的同时对铜层具有优良的锥形轮廓，并且对玻璃基板和下层硅层的侵蚀减少，因此适用于TFT LCD制造工艺。组成：蚀刻溶液包含0.1-5重量％的选自CuCl 2，Cu（NO 3）2，CuSO 4，Al（NO 3）3，Al 2（SO 4）3，FeCl 3，Fe 2（SO 4）3 和Fe（Cl4）3; 0.5至10重量％的无机酸或其盐; 0.05至0.5重量％的氟; 和余量的去离子水以及任选的0.005重量％或更多的选自吡咯烷，吡咯啉，吡咯，吲哚，吡唑，咪唑，嘧啶，嘌呤，嘧啶及其衍生物的添加剂。

5. 发明公开

KR1020020097348A 구리-티타늄 막의 식각용액 및 그 식각방법 有权
标题翻译：铜层蚀刻解决方案及其蚀刻方法
公开(公告)号：KR1020020097348A
公开(公告)日：2002-12-31
申请号：KR1020010035127
申请日：2001-06-20
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 송형수 , 김기섭 , 박민춘 , 김성수
IPC分类号： C23F1/18
CPC分类号： C23F1/44 , C23F1/18 , C23F1/38
摘要： PURPOSE: An etching solution for copper titanium layer is provided, which has excellent taper profile against copper layer while etching copper layer and titanium layer at the same time, and has decreased attack against glass substrate and lower silicon layer, thus it is applicable to TFT LCD manufacture process. CONSTITUTION: The etching solution comprises 0.1 to 5 wt.% of inorganic oxidizers selected from the group consisting of CuCl2, Cu(NO3)2, CuSO4, Al(NO3)3, Al2(SO4)3, FeCl3, Fe2(SO4)3 and Fe(Cl4)3; 0.5 to 10 wt.% of inorganic acid or their salts; 0.05 to 0.5 wt.% of fluorine; and a balance of deionized water, and optionally 0.005 wt.% or more of additives selected from the group consisting of pyrrolidine, pyrrolin, pyrrol, indole, pyrazol, imidazol, pyrimidine, purine, pyrimidine and their derivatives.
摘要翻译：目的：提供铜钛层蚀刻溶液，同时对铜层和钛层进行蚀刻时具有优异的锥形曲线，同时对玻璃基板和硅层的侵蚀减少，因此适用于TFT LCD制造工艺。构成：蚀刻液含有0.1〜5重量％的选自CuCl 2，Cu（NO 3）2，CuSO 4，Al（NO 3）3，Al 2（SO 4）3，FeCl 3，Fe 2（SO 4）3 和Fe（Cl4）3; 0.5〜10重量％的无机酸或其盐; 0.05〜0.5重量％的氟; 和余量的去离子水，和任选0.005重量％或更多的选自吡咯烷，吡咯啉，吡咯，吲哚，吡唑，咪唑，嘧啶，嘌呤，嘧啶及其衍生物的添加剂。

6. 发明公开

KR1020030084397A 구리 단일막 또는 구리 몰리브덴막의 식각용액 및 그식각방법 有权
标题翻译：用于CU单层或多层多层的蚀刻方法及其制备方法
公开(公告)号：KR1020030084397A
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：KR1020020023091
申请日：2002-04-26
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김기섭 , 김성수 , 오금철
IPC分类号： C23F1/18
CPC分类号： C23F1/44 , C23F1/02
摘要： PURPOSE: Etching solutions for Cu monolayer or Cu-molybdenum multilayers comprising deionized water and two types of additives comprising hydrogen peroxide water, organic acid, phosphate and nitrogen, and an etching method are provided. CONSTITUTION: The etching solutions comprises first additive comprising 8 to 20 wt.% of hydrogen peroxide water for the total weight of composition, 1 to 5 wt.% of organic acid for the total weight of composition, 0.2 to 5 wt.% of phosphate for the total weight of composition and 0.2 to 5 wt.% of nitrogen for the total weight of composition; second additive comprising 0.2 to 5 wt.% of nitrogen for the total weight of composition; and a balance of deionized water for the total weight of composition. The etching method comprises first step of depositing copper/molybdenum layer on a substrate; second step of selectively leaving photoresist on the copper/molybdenum layer; and third step of etching the copper/molybdenum layer using the etching solution, wherein the copper/molybdenum layer is a double film in which copper film(14) is formed on molybdenum layer(12), wherein thickness of the copper layer is thicker than that of the molybdenum layer, wherein the substrate is a glass substrate(10) for TFT LCD (thin film transistor liquid crystal display), and wherein the copper layer is a source/drain wiring.
摘要翻译：目的：提供包含去离子水和包含过氧化氢水，有机酸，磷酸盐和氮气的两种添加剂的Cu单层或Cu-钼多层的蚀刻溶液和蚀刻方法。构成：蚀刻溶液包含第一添加剂，其包含8至20重量％的组合物总重量的过氧化氢水，占组合物总重量的1至5重量％的有机酸，0.2至5重量％的磷酸盐对于组合物的总重量和组合物总重量的0.2至5重量％的氮; 第二添加剂，其占组合物总重量的0.2至5重量％的氮; 以及组合物总重量的去离子水的余量。蚀刻方法包括在基板上沉积铜/钼层的第一步骤; 选择性地将光致抗蚀剂留在铜/钼层上的第二步骤; 以及使用蚀刻溶液蚀刻铜/钼层的第三步骤，其中铜/钼层是在钼层（12）上形成铜膜（14）的双层膜，其中铜层的厚度比钼层的特征在于，所述基板是用于TFT LCD（薄膜晶体管液晶显示器）的玻璃基板（10），所述铜层是源极/漏极配线。

7. 发明授权

KR102018293B1 솔더 범프 형성용 플럭스 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102018293B1
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：KR1020120009555
申请日：2012-01-31
申请人： 삼성전자주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 강동민 , 김성훈 , 강인구 , 김태성 , 명중재 , 김상태 , 성시진 , 송인각 , 안승현 , 조규철
IPC分类号： C08L93/04 , C08K5/09 , H01B1/12 , H01L21/60

8. 发明公开

KR1020130088360A 솔더 범프 형성용 플럭스 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于形成焊膏的通路组合物和使用组合物制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020130088360A
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：KR1020120009555
申请日：2012-01-31
申请人： 삼성전자주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 강동민 , 김성훈 , 강인구 , 김태성 , 명중재 , 김상태 , 성시진 , 송인각 , 안승현 , 조규철
IPC分类号： C08L93/04 , C08K5/09 , H01B1/12 , H01L21/60
CPC分类号： B23K35/362 , B23K35/3612 , B23K35/3613 , B23K35/3618 , H01L24/11 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A flux composition for solder bumps is provided to have the flux composition in which flux reflow profile and copper corrosion property are excellent, thereby having the excellent bump shape and forming the solder bump in which the defective product is not generated. CONSTITUTION: A flux composition for forming solder bumps includes resin, activator and solvent; and the resin comprises gum rosin and rosin ester; a mass ratio of the gum rosin versus rosin ester is 60:40 ~ 90:10. In addition, a semiconductor device manufacturing method comprises: a step of forming a bump (15) on the substrate (1); a step of providing the flux composition to cover the bump; a step of reflowing the bump; a step of removing a residual flux composition.
摘要翻译：目的：提供焊锡凸块用助焊剂组合物，其具有焊剂组成，其中焊剂回流曲线和铜腐蚀性能优异，从而具有优异的凸块形状并形成不产生缺陷产物的焊料凸块。构成：用于形成焊料凸块的焊剂组合物包括树脂，活化剂和溶剂; 树脂包括松香和松香酯; 松香与松香酯的质量比为60:40〜90:10。此外，半导体器件制造方法包括：在衬底（1）上形成凸块（15）的步骤; 提供焊剂组合物以覆盖凸块的步骤; 回流的一个步骤; 去除残余焊剂组合物的步骤。

9. 发明授权

KR101174767B1 금속배선 식각용액을 이용한 액정표시장치의 제조방법 有权
标题翻译：使用金属层的蚀刻剂制造液晶显示装置的方法
公开(公告)号：KR101174767B1
公开(公告)日：2012-08-17
申请号：KR1020050020107
申请日：2005-03-10
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 백귀종 , 이태형 , 조규철 , 채기성 , 권오남 , 황용섭
IPC分类号： C09K13/08
摘要： 본발명은구리/몰리브데늄(합금)막으로구성된금속배선을식각하기위한금속배선식각용액을이용한액정표시장치의제조방법을제공하는데그 목적이있는것으로, 이와같은목적을달성하기위한본 발명의금속배선식각용액은조성물총 중량을기준으로, 12 내지 35 중량%의과산화수소, 0.5 내지 5 중량 %의황산염, 0.5 내지 5 중량%의인산염, 0.001 내지 0.5 중량%의조성물에플르오르이온을제공할수 있는불화물, 0.1 내지 5 중량%의수용성고리형아민화합물, 0.1 내지 5 중량%의킬레이트제및 전체조성물총 중량이 100 중량%가되도록하는탈이온수를포함하는것을특징으로한다.

10. 发明授权

KR101165868B1 소프트몰드와 그 제조방법 有权
标题翻译：软模具及其制造
公开(公告)号：KR101165868B1
公开(公告)日：2012-07-13
申请号：KR1020050057547
申请日：2005-06-30
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 이창희 , 채기성 , 조규철 , 김진욱
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 본 발명에 따른 소프트 몰드는 따른 크기가 작은 패턴과; 크기가 크고 넓은 패턴과; 상기 크기가 크고 넓은 패턴은 상기 크기가 작은 패턴보다 단면의 높이가 작게 구비된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 이루기 위한 수단으로 소프트몰드 제조하는 방법은 하프톤 마스크를 마련하는 단계와; 마스터기판 상에 감광성막을 형성하는 단계와; 상기 하프톤 마스크를 사용하여 상기 감광성막을 노광하여 경화시키는 단계와; 상기 노광된 감광성막에 미경화영역을 식각하여 마스터몰드를 성하는 단계와; 상기 마스터몰드에 소프트몰드 재료를 도포하는 단계와; 상기 소프트몰드 재료를 경화하는 단계와; 상기 경화된 소프트몰드 재료를 마스터몰드에서 탈착시켜 소프트몰드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 소프트몰드에 의해 형성된 패턴의 신뢰성 있게 형성할 수 있어 소프트몰드의 간소한 패턴공정을 수행할 수 있게 된다.

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