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1. 发明申请

WO2014046469A2 적응형 액티브 쿨러 구동회로를 포함하는 교류 엘이디 구동 아이씨, 이를 포함하는 LED 조명장치 및 이를 이용한 제어방법 审中-公开
标题翻译：包括自适应有源冷却器驱动电路的AC LED驱动IC，包括其的LED照明装置以及使用其的控制方法
公开(公告)号：WO2014046469A2
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：PCT/KR2013/008420
申请日：2013-09-17
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 정혜만 , 강현구 , 이강녕 , 한상욱
IPC分类号： H05B37/02
CPC分类号： H05B33/0821 , Y02B20/19
摘要： 본 발명은 적응형 액티브 쿨러 구동회로를 포함하는 교류 엘이디 구동 아이씨, 이를 포함하는 LED 조명장치 및 이를 이용한 제어방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 액티브 쿨러의 구동을 위해 다양한 유형의 제어신호를 선택적으로 출력할 수 있고, 또한, 액티브 쿨러의 구동을 적응적으로 제어할 수 있는 적응형 액티브 쿨러 구동회로를 포함하는 교류 엘이디 구동 아이씨, 이를 포함하는 LED 조명장치 및 이를 이용한 제어방법을 제안한다.
摘要翻译：
本发明涉及一种AC LED该死，驱动时，LED照明装置和使用该包含相同，包括在自适应有源冷却器驱动器电路的控制方法。更具体地，本发明提供了用于活性冷却器的驱动，并且可以有选择地输出的各种类型的控制信号，而且，AC，包括自适应到有源冷却器驱动电路，其可控制活性冷却器的驱动自适应包括LED的LED照明设备以及使用它的控制方法。

2. 发明申请

WO2014003349A1 Ⅲ-Ⅴ계 트랜지스터 및 그것을 제조하는 방법 审中-公开
标题翻译： III-V晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2014003349A1
公开(公告)日：2014-01-03
申请号：PCT/KR2013/005334
申请日：2013-06-18
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 타케야모토노부 , 이강녕 , 이관현 , 서일경 , 정영도 , 곽준식 , 한유대
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7783 , H01L21/02458 , H01L21/02496 , H01L21/0254 , H01L21/30612 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L27/0688 , H01L29/045 , H01L29/0847 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/1037 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/4232 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/66681 , H01L29/66734 , H01L29/7786 , H01L29/7788 , H01L29/7816 , H01L29/7825
摘要： Ⅲ-Ⅴ계 트랜지스터 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 이 Ⅲ-Ⅴ계 트랜지스터는, 상부면과 하부면을 갖고, Ⅲ-Ⅴ계 반도체층을 포함하는 반도체 적층 구조체와, 반도체 적층 구조체의 상부면측에서 하부면측으로 연장하는 적어도 하나의 2DEG 영역을 포함한다. 이러한 2DEG 영역을 채택함으로써, 2DEG를 이용하는 수직형 구조의 GaN계 트랜지스터를 제공할 수 있다.
摘要翻译：公开了III-V晶体管及其制造方法。 III-V晶体管包括：具有上表面和下表面并且包括III-V半导体层的层叠半导体结构; 以及从层叠半导体结构的上表面延伸到其下表面的至少一个2DEG区域。可以采用2DEG区域提供使用2DEG的垂直型GaN基晶体管。

3. 发明公开

KR1020150007547A 수직형 갈륨나이트라이드 트랜지스터의 제조방법 审中-实审
标题翻译：制造垂直放大透镜的方法
公开(公告)号：KR1020150007547A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：KR1020130081623
申请日：2013-07-11
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 타케야모토노부 , 이관현 , 곽준식 , 정영도 , 이강녕
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7783 , H01L29/66712 , H01L29/778 , H01L29/7802
摘要： 수직형 갈륨나이트라이드(GaN)계 트랜지스터의 제조방법은, 제1 갈륨나이트라이드(GaN)층 위에 마스크층패턴을 형성하는 단계와, 마스크층패턴에 의해 노출된 제1 갈륨나이트라이드(GaN)층 위에 제2 갈륨나이트라이드(GaN)층을 형성하는 단계와, 제2 갈륨나이트라이드(GaN)층 위에 제3 갈륨나이트라이드(GaN)층을 형성하는 단계와, 제3 갈륨나이트라이드(GaN)층 위에 제4 갈륨나이트라이드(GaN)층을 형성하는 단계와, 제4 갈륨나이트라이드(GaN)층 위에 전류차단층패턴을 형성하는 단계와, 전류차단층패턴 및 제4 갈륨나이트라이드(GaN)층의 노출표면 위에 제5 갈륨나이트라이드(GaN)층을 형성하는 단계와, 그리고 제5 갈륨나이트라이드(GaN)층 위에 제6 갈륨나이트라이드(GaN)층을 형성하는 단계를 포함한다.
摘要翻译：制造垂直GaN晶体管的方法包括：在第一GaN层上形成掩模层图案的步骤，在由掩模层图案曝光的第一GaN层上形成第二GaN层的步骤，形成第三GaN层的步骤 GaN层，在第三GaN层上形成第四GaN层的步骤，在第四GaN层上形成电流阻挡层图案的步骤，在第一GaN层的暴露表面上形成第五GaN层的步骤第四GaN层和电流阻挡层图案，以及在第五GaN层上形成第六GaN层的步骤。

4. 发明公开

KR1020150000785A 질소 주입 영역을 구비하는 질화물계 트랜지스터 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：具有硝酸注射区域的基于氮化物的晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150000785A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：KR1020130073337
申请日：2013-06-25
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 이강녕 , 타케야모토노부 , 곽준식 , 이관현 , 정영도
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 일 실시예에 따르는 질화물계 트랜지스터는 제1 질화물계 반도체를 포함하는 채널층, 상기 채널층 상에 배치되며 상기 제1 질화물계 반도체의 에너지 밴드갭과 다른 에너지 밴드갭을 가지는 제2 질화물계 반도체를 포함하는 장벽층, 상기 장벽층 상에 이격하여 배치되는 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극, 및 상기 게이트 전극의 하부에 위치하는 상기 장벽층 및 상기 채널층의 적어도 일부분에 형성되는 질소 주입 영역을 포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种具有正常关断特性的氮化物基晶体管。根据本发明的一个实施例的基于氮化物的晶体管包括沟道层，其包括第一氮化物基半导体，阻挡层，其布置在沟道层上并且包括具有能带隙的第二氮化物基半导体其不同于分隔设置在阻挡层上的第一氮化物基半导体，源电极，栅电极和漏极的能带隙，以及形成在至少一部分上的氮注入区域沟道层和阻挡层位于栅电极的下侧。

5. 发明公开

KR1020140143595A 트렌치형 절연분리막을 구비하는 질화물계 트랜지스터 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：带有固化绝缘隔离层的氮化物晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140143595A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：KR1020130065348
申请日：2013-06-07
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 이강녕 , 타케야모토노부 , 곽준식 , 이관현 , 정영도
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 일 실시예에 따르는 질화물계 트랜지스터는 제1 질화물계 반도체를 포함하는 채널층, 상기 채널층 상에 배치되며 상기 제1 질화물계 반도체의 에너지 밴드갭과 다른 에너지 밴드갭을 가지는 제2 질화물계 반도체를 포함하는 장벽층, 상기 장벽층 상에 이격하여 배치되는 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극, 및 상기 게이트 전극의 하부의 트렌치를 채우며 상기 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 배치되는 절연분리막을 포함한다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例的基于氮化物的晶体管包括：沟道层，其包括第一氮化物基半导体; 阻挡层，其布置在沟道层上并且包括具有与第一氮化物基半导体的能带隙不同的能带隙的第二氮化物基半导体; 源极电极，栅极电极和漏电极，分别布置在阻挡层上; 以及绝缘隔离层，其填充在栅电极的下侧的沟槽并且布置在栅电极和漏电极之间。

6. 发明公开

KR1020140140766A 트렌치 게이트 질화물 트랜지스터 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译： TRENCH GATE NITRIDE晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140140766A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020130061554
申请日：2013-05-30
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 타케야모토노부 , 이강녕 , 이관현 , 곽준식 , 정영도
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 본 발명의 노멀리 오프 타입 질화물 트랜지스터는, 소스 전극 및 드레인 전극; 핵 생성층, 및 상기 핵 생성층 상에서 에피텍셜 측면 과성장으로 성장하는 고 저항 질화물계 반도체층을 포함하는 채널 형성 적층체; 상기 채널 형성 적층체 상에 형성되고, 일부 영역이 움푹 패인 구조를 구비하는 스위치 반도체층; 상기 움푹 패인 구조 상에 위치하는 게이트 전극을 포함하되, 상기 핵 생성층은 상기 게이트 전극의 하부 영역에 위치하여, 상기 에피텍셜 측면 과성장된 고 저항 질화물계 반도체층 중 상기 게이트 전극의 하부 영역이 아닌 영역의 TD 밀도가 낮은 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：根据本发明的常闭型氮化物晶体管包括源电极和漏电极; 通道形成层压体，其包括通过外延横向过度生长在成核层上生长的成核层和高电阻氮化物半导体层; 开关半导体层，其形成在沟道形成层叠体上并且包括具有部分中空区域的结构; 以及栅电极，其位于具有部分中空区域的结构上。成核层位于栅电极的下部区域。由此，通过外延横向过度生长生长的高电阻氮化物半导体层上的栅电极的下部区域以外的区域的TD密度低。

7. 发明公开

KR1020140024279A LED발광장치 및 LED발광장치를 구동하는 방법 审中-实审
标题翻译： LED发光装置及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020140024279A
公开(公告)日：2014-02-28
申请号：KR1020137022737
申请日：2012-01-27
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 정영도 , 강현구 , 정혜만 , 이강녕
IPC分类号： H05B37/02
CPC分类号： H05B33/083 , H01L2224/05554 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49113 , H01L2924/181 , H05B33/0803 , H05B33/0809 , H05B33/0818 , H05B33/0824 , Y02B20/347 , H05B37/0227 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011
摘要： The present invention relates to a light emitting diode (LED) emitting device, which comprises the following: a rectifier circuit unit for outputting one way pulsating voltage by rectifying voltage of AC and receiving the voltage of AC; a plurality of LED units connected in serial; a plurality of switches in which a cathode of the LED units is connected to one end of each switch; a constant current control circuit unit connected to the other end of each switch to receive current from each switch; and a current comparison unit for receiving current from the switches and for creating switching control signals for the switches to operate the constant current control circuit units in consecutive order. For this, each LED unit is designed to receive one way pulsating voltage and includes anode and cathode. The constant current control circuit units output current control signals to each switch to control a current received from each switch to have a certain value.
摘要翻译：发光二极管（LED）发光装置技术领域本发明涉及一种发光二极管（LED）发光装置，其包括：整流电路单元，用于通过整流AC电压并接收AC的电压来输出单向脉动电压; 串联连接的多个LED单元; 多个开关，其中LED单元的阴极连接到每个开关的一端; 连接到每个开关的另一端以从每个开关接收电流的恒流控制电路单元; 以及电流比较单元，用于从开关接收电流，并产生用于开关的开关控制信号，以连续的顺序操作恒流控制电路单元。为此，每个LED单元被设计为接收单向脉动电压并且包括阳极和阴极。恒流控制电路单元向每个开关输出电流控制信号，以控制从每个开关接收的电流具有一定值。

8. 发明公开

KR1020150039416A 질화갈륨계 수직형 트랜지스터 审中-实审
标题翻译：氮化镓立式晶体管
公开(公告)号：KR1020150039416A
公开(公告)日：2015-04-10
申请号：KR1020130117960
申请日：2013-10-02
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 타케야모토노부 , 이관현 , 곽준식 , 정영도 , 이강녕
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L29/4232 , H01L29/42356
摘要： 본발명의수직형질화갈륨계트랜지스터는, 지지기판; 상기지지기판상에형성된드레인전극층; 상기드레인전극층상에형성된제1 도전형의고농도질화갈륨반도체층; 상기제1 도전형의고농도질화갈륨반도체층상에형성된제1 도전형질화갈륨반도체층; 상기제1 도전형질화갈륨반도체층의상부영역일부가제거된리세스홈 구조상에형성된게이트절연막; 상기게이트절연막상에형성된접시형측단면을가지는게이트전극; 상기리세스홈 구조가없는상기제1 도전형질화갈륨반도체층의상에형성되고, 그측면이상기리세스홈 구조의측면을따라연속된형태를가지는제2 도전형질화갈륨반도체층; 상기제2 도전형질화갈륨반도체층의상부측면영역에형성되고, 그측면이상기리세스홈 구조의측면및 상기제2 도전형질화갈륨반도체층의측면을따라연속된형태를가지는제1 도전형의스위치반도체층; 및상기제2 도전형질화갈륨반도체층및 제1 도전형의스위치반도체층상부에형성된소스전극을포함할수 있다.
摘要翻译：本发明的氮化镓垂直型晶体管可以包括：支撑板要形成在上述支撑板上的漏电极层; 将形成在上述漏电极层上的第一导电类型的高浓度氮化镓半导体层; 在上述第一导电型高浓度氮化镓半导体层上形成的第一导电氮化镓半导体层; 形成在其上去除上述第一导电氮化镓半导体层的上部区域的凹槽结构的栅极绝缘层; 在上述栅极绝缘层上形成具有碟形侧面截面的栅电极; 在上述第一导电氮化镓半导体层上形成的第二导电氮化镓半导体层，而不具有上述凹槽结构，并且其侧面沿着上述凹槽结构的侧面具有连续形状; 第一导电开关半导体层，形成在上述第二导电氮化镓的上侧，并且其一侧沿着上述凹槽结构的侧面和上述第二导电氮化镓半导体层的一侧具有连续形状 ; 以及要形成在上述第二导电氮化镓半导体层和第一导电开关半导体层的上部的源电极。

9. 发明公开

KR1020150012537A LED 조명장치 审中-实审
标题翻译： LED发光装置
公开(公告)号：KR1020150012537A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：KR1020130088169
申请日：2013-07-25
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 이강녕 , 한상욱 , 강현구
IPC分类号： H05B37/02
CPC分类号： H05B33/0824 , H05B33/0827
摘要： 본 발명은, 역률 보상회로를 이용해 비발광 구간을 제거함으로써, 및/또는 LED 조명장치를 구성하는 LED들 중 역률 보상회로에 의해 보상되는 구간(보상구간)에서 발광하는 LED들의 비율을 증가시킴으로써, 및/또는 비보상구간(정상동작 구간) 중 적어도 일부 구간에서만 발광하는 LED들을 나머지 LED들보다 낮은 광속(Luminousflux)을 가진 LED로 구성함으로써, 및/또는 비보상구간 중 적어도 일부 구간에서만 발광하는 LED들이 발광하는 구간에서 LED들에 공급되는 LED 구동전류를 그 외의 구간에서 LED들에 공급되는 LED 구동전류보다 낮게 제어함으로써, 플릭커 인덱스를 개선할 수 있는, LED 조명장치를 개시한다.
摘要翻译：本发明涉及一种能够通过使用功率因数补偿电路去除非发光间隔来提高闪烁指数的LED照明装置，通过功率因数补偿来提高在补偿周期（补偿间隔）发光的LED的速率构成LED照明装置的LED之间的电路，在作为具有低于其余LED的光通量的LED的非补偿间隔（正常工作间隔）内至少部分间隔地配置发光的LED，以及LED驱动电流以仅以至少部分间隔从不补偿间隔发射光的时间间隔提供给LED，所述非补偿间隔低于待以提供给LED的LED驱动电流以剩余间隔。

10. 发明公开

KR1020140024278A LED구동 회로 패키지 审中-实审
标题翻译： LED驱动电路封装
公开(公告)号：KR1020140024278A
公开(公告)日：2014-02-28
申请号：KR1020137022736
申请日：2012-01-27
申请人： 서울반도체 주식회사
发明人： 정영도 , 강현구 , 정혜만 , 이강녕
IPC分类号： H05B37/02
CPC分类号： H05B33/083 , H01L2224/05554 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49113 , H01L2924/181 , H05B33/0803 , H05B33/0809 , H05B33/0818 , H05B33/0824 , Y02B20/347 , H05B37/0227 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011
摘要： An LED driving circuit package comprises a rectification unit, an LED driving switch unit, and a low voltage control unit. The rectification unit receives voltage of AC power and generates aneurysm voltage by rectifying the voltage of the AC power. The LED driving switch unit comprises a plurality of switch units and a plurality of current control units. The low voltage control unit comprises a circuit power supply unit, a voltage detection unit, a reference frequency generation unit, and a reference pulse generation unit. The circuit power supply unit generates low voltage power. The voltage detection unit detects the size of the aneurysm voltage. The reference frequency generation unit generates a reference frequency by using the low voltage power generated by the circuit power supply unit. The reference pulse generation unit generates a reference pulse to control the operation of the LED driving switch unit according to the reference frequency and the size of the voltage detected in the voltage detection unit. The reference pulse generation unit operates by using the low voltage power generated by the circuit power supply unit.
摘要翻译： LED驱动电路封装包括整流单元，LED驱动开关单元和低压控制单元。整流单元接收交流电力的电压，并通过整流交流电的电压来产生动脉瘤电压。 LED驱动开关单元包括多个开关单元和多个电流控制单元。低电压控制单元包括电路电源单元，电压检测单元，参考频率产生单元和参考脉冲产生单元。电路电源单元产生低电压电源。电压检测单元检测动脉瘤电压的大小。参考频率产生单元通过使用由电路电源单元产生的低电压来产生参考频率。参考脉冲发生单元产生参考脉冲，以根据参考频率和在电压检测单元中检测到的电压的大小来控制LED驱动开关单元的操作。参考脉冲发生单元通过使用由电路电源单元产生的低电压来工作。

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