基本信息:
- 专利标题: 질소 주입 영역을 구비하는 질화물계 트랜지스터 및 이의 제조 방법
- 专利标题(英):nitride-based transistor with nitrogen injection area and method of fabricating the same
- 专利标题(中):具有硝酸注射区域的基于氮化物的晶体管及其制造方法
- 申请号:KR1020130073337 申请日:2013-06-25
- 公开(公告)号:KR1020150000785A 公开(公告)日:2015-01-05
- 发明人: 이강녕 , 타케야모토노부 , 곽준식 , 이관현 , 정영도
- 申请人: 서울반도체 주식회사
- 申请人地址: 경기도 안산시 단원구 산단로***번길 **-** (원시동)
- 专利权人: 서울반도체 주식회사
- 当前专利权人: 서울반도체 주식회사
- 当前专利权人地址: 경기도 안산시 단원구 산단로***번길 **-** (원시동)
- 代理人: 특허법인에이아이피
- 主分类号: H01L29/778
- IPC分类号: H01L29/778 ; H01L21/335
摘要:
일 실시예에 따르는 질화물계 트랜지스터는 제1 질화물계 반도체를 포함하는 채널층, 상기 채널층 상에 배치되며 상기 제1 질화물계 반도체의 에너지 밴드갭과 다른 에너지 밴드갭을 가지는 제2 질화물계 반도체를 포함하는 장벽층, 상기 장벽층 상에 이격하여 배치되는 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극, 및 상기 게이트 전극의 하부에 위치하는 상기 장벽층 및 상기 채널층의 적어도 일부분에 형성되는 질소 주입 영역을 포함한다.
摘要(中):
本发明提供一种具有正常关断特性的氮化物基晶体管。 根据本发明的一个实施例的基于氮化物的晶体管包括沟道层,其包括第一氮化物基半导体,阻挡层,其布置在沟道层上并且包括具有能带隙的第二氮化物基半导体 其不同于分隔设置在阻挡层上的第一氮化物基半导体,源电极,栅电极和漏极的能带隙,以及形成在至少一部分上的氮注入区域 沟道层和阻挡层位于栅电极的下侧。
摘要(英):
The nitride-based transistor according to one embodiment includes a first nitride-based channel layer comprising a semiconductor and disposed on the channel layer, the second nitride-based semiconductor having the first nitride-based semiconductor in the energy band gap and different energy band gaps including including the barrier layer, the source electrode is disposed apart from each other on said barrier layer, a gate electrode and a drain electrode, and a nitrogen implanted region is formed on the barrier layer and at least a portion of the channel layer located below the gate electrode do.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件 |
--------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
------------H01L29/70 | ...双极器件 |
--------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
----------------H01L29/778 | .....带有二维载流子气沟道的,如HEMT |