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1. 发明专利

KR102230264B1 KR102230264B1 - Method and apparatus for video encoding, and method and apparatus for video decoding 有权
公开(公告)号：KR102230264B1
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020150122090A
申请日：2015-08-28
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 나상권 , 채수익 , 유기원 , 최순우 , 정우석
IPC分类号： H04N19/147 , H04N19/124 , H04N19/176 , H04N19/50
CPC分类号： H04N19/147 , H04N19/567 , H04N19/124 , H04N19/176 , H04N19/50 , H04N19/61
摘要： 일 실시예에 따른 영상의 부호화 방법은, 예측 모드에 따라 예측을 수행한 블록에 대해 변환 블록 단위로 변환 및 양자화를 수행하여 심볼들을 생성하는 단계, 상기 변환 블록에 포함된 서브 블록들 중에서 이전 서브 블록의 확률 인덱스를 이용하여 현재 서브 블록의 확률 인덱스를 업데이트하는 단계, 상기 확률 인덱스를 이용하여 상기 현재 서브 블록의 비트길이에 따른 율(Rate)을 결정하는 단계, 상기 서브 블록들의 율을 이용하여 상기 변환 블록의 율을 결정하는 단계, 원본 영상에서 상기 변환 및 양자화에 따른 복원 영상간의 차이를 이용하여 왜곡(Distortion)을 결정하는 단계 및 상기 왜곡 및 상기 율을 이용하여 율-왜곡 비용(R-D Cost)을 결정하는 단계를 포함할 수 있다.

2. 发明授权

KR101770300B1 비디오 부호화 방법 및 그 장치, 비디오 복호화 방법 및 그 장치 有权
标题翻译：视频编码方法和装置，视频解码方法和装置
公开(公告)号：KR101770300B1
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：KR1020150081530
申请日：2015-06-09
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 나상권 , 채수익 , 유기원 , 김재문 , 정우석
IPC分类号： H04N19/146 , H04N19/59 , H04N19/176 , H04N19/103 , H04N19/423
CPC分类号： H04N19/103 , H04N19/146 , H04N19/176 , H04N19/423 , H04N19/59
摘要： 비트스트림을복호화하여현재블록에관한제1 비트심도(bit depth)의레지듀를획득하고, 현재블록을인트라예측할때, 제1 비트심도로이전에복호화되어버퍼에저장된블록을이용하여현재블록의예측블록을생성하고, 예측블록및 제1 비트심도의레지듀를이용하여제1 비트심도의복원블록을생성하는비디오복호화방법이개시된다. 개시된비디오복호화방법에서현재블록을인터예측할때, 제2 비트심도로이전에복호화된영상을이용하여제2 비트심도의예측블록이생성되고, 생성된제2 비트심도의예측블록이제1 비트심도로변경되어현재블록의예측블록이생성될수 있다. 이때, 제1 비트심도는제2 비트심도보다높다.
摘要翻译：比特流被解码以获得与当前块有关的第一比特深度的残差，并且当当前块被帧内预测时，当前块在第一比特深度被解码，一种视频解码方法，用于使用预测块和第一比特深度的残差来生成预测块并且生成第一比特深度的重建块。在所公开的视频解码方法，所述当前块时，产生帧间预测，第二位元深度，通过使用先前的图像的第二位元深度的预测块解码，所生成的第二比特深度的预测块现在是一比特字段可以生成当前块的预测块。此时，第一比特深度高于第二比特深度。

3. 发明公开

KR1020170027508A 율―왜곡 최적화 기반의 양자화 방법 및 그 장치 审中-实审
标题翻译：基于速率失真优化的量化方法和装置
公开(公告)号：KR1020170027508A
公开(公告)日：2017-03-10
申请号：KR1020150124232
申请日：2015-09-02
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 나상권 , 채수익 , 유기원 , 최순우 , 정우석
IPC分类号： H04N19/146 , H04N19/147 , H04N19/124 , H04N19/176
CPC分类号： H04N19/124 , H04N19/147 , H04N19/176 , H04N19/19 , H04N19/44 , H04N19/567 , H04N19/61
摘要： 서브블록의계수레벨들중 제 1 계수레벨및 제 1 계수레벨에인접하는제 2 계수레벨의정수값을이용하여계산된왜곡(Distortion) 차, 및제 1 계수레벨및 제 2 계수레벨사이의레이트(Rate) 변화량을이용하여, 제 1 계수레벨의율-왜곡비용(R-D Cost)과제 2 계수레벨의율-왜곡비용사이의차이값을계산하고, 제 1 계수레벨의율-왜곡비용과제 2 계수레벨의율-왜곡비용사이의차이값에기초하여, 제 1 계수레벨및 제 2 계수레벨의정수값 중하나를제 1 계수레벨의수정된값으로선택하며, 제 1 계수레벨의수정된값을출력하는영상의부호화방법이개시된다.
摘要翻译：提供了一种视频编码方法，包括：从子块的系数级别中计算第一系数级的速率失真（RD）成本与第一系数级相邻的第二系数级的RD成本之间的差值通过使用通过使用第一系数电平的整数和第二系数电平的整数以及第一系数电平和第二系数电平之间的速率变化来计算的失真差; 基于所述差值，将所述第一和第二系数电平的整数值之一选择为所述第一系数电平的修正值; 并输出第一系数电平的修正值。

4. 发明授权

KR100872465B1 검사장치 및 이의 검사 방법 失效
标题翻译：用于检查液晶显示器的装置及其检测方法
公开(公告)号：KR100872465B1
公开(公告)日：2008-12-05
申请号：KR1020020060664
申请日：2002-10-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정우석 , 황장원
IPC分类号： G02F1/13
摘要： 액정표시장치의 불량을 검사할 수 있는 검사장치 및 이의 검사 방법이 개시된다. 검사장치는 게이트 라인, 데이터 라인, 게이터 라인과 데이터 라인에 연결된 스위칭 소자 및 스위칭 소자에 연결된 화소전극으로 이루어진 다수의 화소를 포함하는 표시부의 주변에서 게이트 및 데이터 라인의 양단부에 각각 형성된 검사용 패드부로부터 검출된 신호를 비교하여 게이트 및 데이터 라인의 불량 및 스위칭 소자의 불량을 판단한다.
따라서, 액정표시장치의 표시부에서 발생된 불량을 검사할 수 있다.

5. 发明授权

KR100806896B1 액정 표시 장치 有权
标题翻译：液晶显示器
公开(公告)号：KR100806896B1
公开(公告)日：2008-02-22
申请号：KR1020010043031
申请日：2001-07-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정우석 , 김치우
IPC分类号： G02F1/133
摘要： 액정 표시 장치는 소정의 셀갭으로 칼라 필터 기판과 박막 트랜지스터 어레이 기판이 서로 마주하고 있다. 칼라 필터 기판에는 다수의 화소 집합으로 이루어져 있는 표시 영역을 정의하는 블랙 매트릭스와 표시 영역의 각 화소에 R(빨강), G(초록), B(파랑)의 칼라 필터가 순차적으로 형성되어 있다. 박막 트랜지스터 어레이 기판에는 표시 영역의 화소에 각각 형성되어 있으며 적어도 하나 이상의 최외각 화소에서 표시 영역의 밖으로 연장되어 블랙 매트릭스와 중첩되어 있는 화소 전극과 화소에 각각 형성되어 있으며 화소 전극과 전기적으로 연결되어 있는 박막 트랜지스터가 형성되어 있다.
비결정실리콘, 다결정실리콘, 화소전극, 표시영역, 블랙매트릭스
摘要翻译：在液晶显示装置中，彩色滤光片基板和薄膜晶体管阵列基板以预定的单元间隙彼此面对。的滤色器基板具有R（红），G（绿），B（蓝）的滤色器的多个黑矩阵和显示区域，以限定由一组像素构成的显示区域的像素的顺序形成。形成在显示区域的每个像素中的薄膜晶体管阵列基板和在至少在显示区域外延伸的一个或多个最外层的像素被分别形成在像素电极和与该黑矩阵重叠的像素连接至所述像素电极和电形成薄膜晶体管。

6. 发明授权

KR100766493B1 박막트랜지스터 액정표시장치 有权
标题翻译：薄膜晶体管液晶显示器
公开(公告)号：KR100766493B1
公开(公告)日：2007-10-15
申请号：KR1020010006820
申请日：2001-02-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정우석 , 황장원
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2203/02 , H01L27/124 , H01L29/458
摘要： 반사막을 가지는 박막트랜지스터 액정표시장치가 개시된다. 개시된 장치에 따르면, 기판에 적어도 하나 형성되는 화소의 박막트랜지스터, 소오스/드레인 전극 및 배선들, 박막트랜지스터, 소오스/드레인 전극 및 배선들 위로 기판 전면에 걸쳐 적층되며 상기 드레인 전극 일부를 드러내는 콘택 홀을 가지는 절연막, 절연막 위로 형성되며 상기 콘택 홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되며 상기 박막트랜지스터와 대응관계에 있는 반사형 화소전극을 가지는 박막트랜지스터 액정표시장치에 있어서, 화소전극이 화소전극 전면에 걸쳐서 다중 도전금속막으로 형성되는 것을 특징으로 한다. 이때, 드레인 전극은 상층막이 크롬층 혹은 텅스텐 몰리브덴층 가운데 하나로 이루어지는 복층으로 형성되고, 다중 도전금속막은 하층이 드레인 전극 상층막과 같은 재질로 이루어지고, 상층은 알미늄 함유 금속으로 형성된 이중층으로 이루어지는 것이 바람직하다.
摘要翻译：公开了一种具有反射膜的薄膜晶体管液晶显示装置。根据所公开的装置中，至少一个形成的薄膜晶体管中，源/漏电极，这是在所述基板上的像素的布线，所述薄膜晶体管中，源极/漏极电极和导线顶端被层压在基片的整个表面的接触孔暴露漏电极部分具有形成在绝缘膜上的绝缘膜，并连接到通过在具有与所述薄膜晶体管的对应关系的反射像素电极的薄膜晶体管的液晶显示装置的接触孔与漏极电极，所述像素电极是一个多导电在像素电极前并且由金属膜形成。此时，漏极电极上层膜是较低层，形成多层，所述膜是多导电金属包括诸如漏电极上层膜，上层最好由含铝的金属形成的双层的材料制成的铬层或钨 - 钼层的一个我会的。

7. 发明授权

KR100753365B1 쉬프트 레지스터 및 이를 갖는 액정표시장치 有权
标题翻译：移位寄存器和液晶显示器
公开(公告)号：KR100753365B1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：KR1020010063800
申请日：2001-10-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정우석
IPC分类号： G09G3/36
CPC分类号： G11C19/285 , G09G3/3611 , G11C19/00
摘要： 쉬프트 레지스터 및 액정표시장치가 개시된다. 쉬프트 레지스터는 복수의 스테이지들이 종속 연결되고, 각 스테이지들은 제 1 입력단자, 제 2 입력단자, 제 1 출력단자, 제 2 출력단자, 제 3 출력단자, 클럭단자, 및 반전클럭단자를 포함한다. 각 스테이지는 입력회로, 레벨쉬프터, 출력회로를 포함한다. 입력회로는 입력단자에 공급되는 이전 스테이지의 제 1 출력단자로부터 공급되는 제 1 출력신호와 자신의 제 1 출력신호를 조합하여 제어신호를 발생한다. 레벨쉬프터는 상기 제어신호 및 상기 이전 스테이지의 제 2 출력단자로부터 공급되는 제 2 출력신호에 응답하여 상기 반전클럭단자에 공급되는 반전클럭신호의 레벨을 쉬프트시킨 제 1 펄스신호와, 상기 제어신호와 상기 제 1 펄스신호에 응답하여 상기 클럭단자에 공급되는 클럭신호의 레벨을 쉬프트시킨 제 2 펄스신호를 각각 발생한다. 출력회로는 제 1 펄스신호를 위상 반전시켜서 다음 스테이지의 제 1 입력단자에 결합된 상기 제 1 출력단자에 상기 제 1 출력신호로 출력하고, 상기 제 2 펄스신호를 위상 반전시켜서 다음 스테이지의 제 2 입력단자에 결합된 상기 제 2 출력단자에 제 2 출력신호를 출력하고, 상기 제 2 펄스신호를 버퍼링하여 상기 제 3 출력단자에 제 3 출력신호로 출력한다. 따라서, 쉬프트레지스터의 전력소모를 줄일 수 있다.

8. 发明授权

KR100547824B1 블루투스를 구비하는 이동통신 단말기에서 긴급구조요청방법 有权
标题翻译：在具有蓝牙功能的移动通信终端中发送紧急呼叫的方法
公开(公告)号：KR100547824B1
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：KR1020010088386
申请日：2001-12-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정우석
IPC分类号： H04B1/38
CPC分类号： H04L12/12 , H04L67/04 , H04L67/18 , H04L69/329 , H04W4/90 , H04W76/50
摘要： A method of requesting emergency rescue in a mobile communication terminal having a Bluetooth device. The method comprises the steps of: computing position information of the terminal in case of emergency; switching into a sleep mode after computing the position information of the terminal; transmitting an emergency-informing packet containing the position information into the Bluetooth device after switching into the sleep mode; and executing by the Bluetooth device communication with another nearby Bluetooth device.

9. 发明公开

KR1020040035419A 어레이 기판 및 이를 갖는 액정표시장치 有权
标题翻译：阵列基板和液晶显示装置，具有阵列基板
公开(公告)号：KR1020040035419A
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：KR1020020064556
申请日：2002-10-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정우석 , 황장원 , 김철호 , 송석천
IPC分类号： G02F1/1345
CPC分类号： G02F1/13452 , G02F1/136286 , G02F2001/136222 , G02F2001/136295 , G02F2201/54 , H01L27/1214
摘要： PURPOSE: An array substrate is provided to enable a discharge line to discharge the second signal on a crossed point when the second signal far away from a normal range of the first signal moves through signal lines, thereby reducing a defective proportion. CONSTITUTION: Checking lines(160) consist of a checking pad(162) and a checking line(161). The checking pad(162) receives image signals from a checking device around an array substrate. One end of the checking line(161) is connected to the checking pad(162), and the other end thereof(161) is connected to data lines(131). The checking line(161) is electrically connected with the data lines(131) through a contact hole, or the checking line(161) is integrated with the data lines(131). Common electrode lines(150) cross the data lines(131) at intervals of the first insulating layer. The first discharge line(141) firstly crosses the data lines(131) at the intervals of the first insulating layer.
摘要翻译：目的：当远离第一信号的正常范围的第二信号通过信号线移动时，提供阵列基板以使放电线能够在交叉点放电第二信号，从而减少缺陷比例。规定：检查线（160）由检查板（162）和检查线（161）组成。检查板（162）从阵列基板周围的检查装置接收图像信号。检查线（161）的一端连接到检查垫（162），其另一端（161）连接到数据线（131）。检查线（161）通过接触孔与数据线（131）电连接，或者检查线（161）与数据线（131）集成。公共电极线（150）以第一绝缘层的间隔与数据线（131）交叉。第一放电线（141）首先以第一绝缘层的间隔与数据线（131）交叉。

10. 发明公开

KR1020020083401A 액정표시장치용 다결정실리콘 박막 트랜지스터 및 그제조방법 有权
标题翻译：用于LCD的多晶硅TFT及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020083401A
公开(公告)日：2002-11-02
申请号：KR1020010044295
申请日：2001-07-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정우석 , 김현재 , 황장원 , 문규선 , 박태형 , 강숙영
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1288 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/1214
摘要： PURPOSE: A polysilicon TFT(Thin Film Transistor) for an LCD and a method for fabricating the same are provided to reduce the number of mask by forming various layers of the same materials on the same layer. CONSTITUTION: A shielding layer(102) is formed on a transparent substrate(100). An active pattern(104) is formed on the shielding layer(102). A lower electrode(105T) of capacitor is formed on the active pattern(104). A gate insulating layer(106) is formed on the active pattern(104) and the shielding layer(102). A gate electrode(108a) is formed on the gate insulating layer(106) in order to limit a source/drain region(105S,105D) and a channel region(105C). A capacitor line(108b) and a gate pad(108c) are formed on the same layer as the gate electrode(108a). An interlayer dielectric(110) is formed on the gate electrode(108a), the capacitor line(108b), the gate pad(108c), and the gate insulating layer(106). A data line(114a), a pixel electrode(114b), and a gate pad conductive pattern(114c) are formed on the interlayer dielectric(110).
摘要翻译：目的：提供一种用于LCD的多晶硅TFT（薄膜晶体管）及其制造方法，以通过在同一层上形成相同材料的各种层来减少掩模的数量。构成：在透明基板（100）上形成屏蔽层（102）。在屏蔽层（102）上形成有源图案（104）。电容器的下电极（105T）形成在有源图案（104）上。栅极绝缘层（106）形成在有源图案（104）和屏蔽层（102）上。为了限制源极/漏极区域（105S，105D）和沟道区域（105C），在栅极绝缘层（106）上形成栅电极（108a）。电容器线（108b）和栅极焊盘（108c）形成在与栅电极（108a）相同的层上。在栅电极（108a），电容器线（108b），栅极焊盘（108c）和栅极绝缘层（106）上形成层间电介质（110）。数据线（114a），像素电极（114b）和栅极焊盘导电图案（114c）形成在层间电介质（110）上。

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