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1. 发明授权

KR100848098B1 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
公开(公告)号：KR100848098B1
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：KR1020020035356
申请日：2002-06-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강숙영 , 김현재 , 강명구
IPC分类号： G02F1/136
摘要： 절연 기판 위에 비정질 규소층을 형성하는 단계, 상기 비정질 규소층을 완전 용융시킬 수 있는 에너지 밀도를 가지며 소정의 빔폭을 가지는 레이저로 스캐닝하여 열처리함으로써 다결정 규소층으로 변환하는 단계, 게이트선을 형성하는 단계, 데이터선을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 다결정 규소층으로 변환하는 단계에서 레이저 스캐닝은 상기 데이터선을 따라 진행하며 상기 소정의 빔폭은 상기 데이터선간의 거리의 정수배에 해당하는 방법을 사용하여 박막 트랜지스터 기판을 제조한다.
박막트랜지스터기판, 다결정규소, 레이저, 결정립

2. 发明授权

KR100831227B1 다결정 규소를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법 有权
标题翻译：使用聚硅制造薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR100831227B1
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：KR1020010080074
申请日：2001-12-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송진호 , 최준후 , 최범락 , 강명구 , 강숙영
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L29/78675
摘要： 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법에서는, 우선, 절연 기판의 상부에 비정질 규소 박막을 형성하고, 레이저를 조사하여 고상 결정 공정으로 비정질 규소 박막을 결정화하여 다결정 규소 박막을 형성한다. 이어, Cl
2 , SF
6 , Ar 기체가 3:1:2의 비율로 혼합된 혼합 기체를 이용한 플라스마 공정으로 건식 식각을 실시하여 다결정 규소 박막(25)의 표면으로 돌출되어 있는 돌출부를 제거하여 다결정 규소 박막(25)의 표면을 평탄화한 다음, 패터닝하여 반도체층을 형성한다. 이어, 반도체층을 덮는 게이트 절연막을 형성한 다음, 반도체층의 게이트 절연막의 상부에 게이트 전극을 형성한다. 이어, 반도체층에 불순물을 주입하여 게이트 전극을 중심으로 양쪽에 소스 및 드레인 영역을 형성하고, 소스 및 드레인 영역과 각각 전기적으로 연결되는 소스 및 드레인 전극을 각각 형성한다.
다결정, 고상결정, 평탄화, 레이저

3. 发明授权

KR100796758B1 다결정 규소용 마스크 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의제조 방법 有权
标题翻译：用于结晶多晶硅的掩模和使用该掩模形成薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR100796758B1
公开(公告)日：2008-01-22
申请号：KR1020010070661
申请日：2001-11-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강명구 , 김현재 , 강숙영
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02675 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/2026 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10S260/35
摘要： 본 발명의 실시예에 따른 다결정 규소용 마스크에는 가로 방향으로 형성되어 있는 슬릿(slit) 패턴이 각각 세로 방향으로 동일한 폭으로 다수 배열되어 있는 제1 내지 제4 슬릿 영역을 가진다. 여기서. 제1 내지 제4 슬릿 영역에 배열되어 있는 슬릿 패턴의 폭은 가로 방향으로 진행할수록 순차적으로 제1 슬릿 영역의 슬릿 패턴 폭(d)의 배수로 증가하는 폭으로 형성되어 있다. 또한, 가로 방향으로 배열되어 있는 슬릿 패턴의 중심선은 동일선상에 위치하며 각각의 영역에 배치되어 있는 각각의 슬릿 패턴은 8*d의 간격으로 배열되어 있다. 여기서는 슬릿 패턴의 폭이 순차적으로 증가하도록 제1 내지 제4 슬릿 영역을 배치하였지만, 반대로 배치할 수도 있으며, 가로 방향으로 배열된 제1 내지 제4 슬릿 영역을 세로 방향으로 배치할 수도 있다.

4. 发明授权

KR100885013B1 박막 트랜지스터 및 액정 표시 장치 有权
标题翻译：薄膜传输器和液晶显示器
公开(公告)号：KR100885013B1
公开(公告)日：2009-02-20
申请号：KR1020020000179
申请日：2002-01-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강명구 , 김현재 , 강숙영 , 정우석
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L29/42384 , G02F1/13454 , G02F2202/104 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L29/78675
摘要： 본 발명은 박막 트랜지스터 및 액정 표시 장치에 관한 것으로, 구동회로부의 크기를 증가시키지 않고서도 각 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 균일하게 하기 위하여, 적어도 일부분이 결정립의 성장 방향에 교차하는 방향을 가지는 게이트 전극을 형성한다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터는, 절연 기판 위에 결정립이 성장하여 형성된 다결정 규소의 박막으로 이루어진 반도체 패턴이 형성되어 있는데, 이 반도체 패턴은 채널 영역과 채널 영역의 양쪽에 위치하는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하고 있다. 이러한 반도체 패턴을 게이트 절연막이 덮고 있다. 게이트 절연막 위에는 적어도 일부가 결정립의 성장 방향과 교차하는 방향을 가지는 게이트 전극이 채널 영역에 중첩한다. 또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는, 데이터 구동회로부 또는 게이트 구동회로부를 구성하는 다수개의 박막 트랜지스터는 순차적 측면 고상 결정화법에 의하여 형성된 다결정 규소의 박막으로 형성되고, 게이트 전극의 적어도 일부가 결정립의 성장 방향과 교차하는 방향을 가지고 있으며, 다수개의 박막 트랜지스터 중 적어도 하나는 다른 박막 트랜지스터와 게이트 전극의 패턴이 다르다.
순차적 측면 고상 결정화법, 다결정 규소, 결정립 성장 방향, 채널

5. 发明授权

KR100796755B1 다결정 규소를 이용한 표시 장치용 박막 트랜지스터 및그의 제조 방법 失效
标题翻译：用于使用聚硅的显示装置的薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR100796755B1
公开(公告)日：2008-01-22
申请号：KR1020010059317
申请日：2001-09-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강명구 , 김현재 , 신경주 , 강숙영
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법에서는, 우선 기판의 상부에 비정질 규소를 적층하고 패터닝하여 비정질 규소 박막을 형성한다. 이어, 박막 트랜지스터의 채널 영역을 정의하며 산화 규소와 같이 레이저의 투과율을 증가시킬 수 있는 저반사 코팅막을 비정질 규소 박막의 상부에 형성한다. 이어, 비정질 규소 박막에 레이저빔을 조사하여 완전 용융 영역을 형성한 다음 그레인을 성장시키는 순차적 측면 고상 결정 공정을 진행하여 다결정 규소의 반도체층을 형성한다. 이렇게 하면 레이저 마스크를 포함하는 광학계 및 이를 이동하기 위한 스테이지가 없이도 순차적 측면 고상 결정 공정을 진행할 수 있어 제조 공정을 단순화 할 수 있으며, 전면적으로 박막 트랜지스터의 채널 영역을 균일한 결정립계로 형성할 수 있다. 이어, 게이트 절연막을 형성한 다음, 반도체층의 채널 영역 상부에 게이트 전극을 형성하고, 게이트 전극을 마스크로 하여 반도체층에 불순물을 이온 주입하여 소스 및 드레인 영역을 형성한다. 이어, 소스 및 드레인 영역과 각각 전기적으로 연결되는 소스 및 드레인 전극을 형성한다.
다결정, 순차적고상결정, 반사방지코팅, 반사막, 레이저

6. 发明公开

KR1020040072182A 규소 결정화 방법 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의제조방법 有权
标题翻译：用于制造有机发光显示器的硅结晶方法和方法
公开(公告)号：KR1020040072182A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：KR1020030008153
申请日：2003-02-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이수경 , 강숙영 , 강명구 , 김현재
IPC分类号： H05B33/10
CPC分类号： H01L27/1274 , H01L27/3244
摘要： PURPOSE: A silicon crystallization method and a method for manufacturing an organic light emitting display are provided to prevent a non-uniformity of crystallization by disposing thin film transistors in a uniform manner all over a substrate. CONSTITUTION: A silicon crystallization method comprises a step of depositing an amorphous silicon layer; a step of melting the amorphous silicon layer by radiating laser beams through a mask(50) having a permeating area and a cut-off area(52); and a step of crystallizing the molten silicon layer. At least certain part of the interface between the cut-off area and the permeating area of the mask is formed into a stepped shape. A method for manufacturing an organic light emitting display comprises a step of depositing an amorphous silicon layer of a thin film transistor; a step of melting the amorphous silicon layer by radiating laser beams; and a step of crystallizing the molten silicon layer.
摘要翻译：目的：提供硅结晶方法和制造有机发光显示器的方法，以通过在整个基板上均匀地设置薄膜晶体管来防止结晶的不均匀性。构成：硅结晶方法包括沉积非晶硅层的步骤; 通过辐射激光束通过具有渗透区域和截止区域（52）的掩模（50）来熔化非晶硅层的步骤; 以及使熔融硅层结晶的工序。截止区域和掩模的渗透区域之间的界面的至少一部分形成为阶梯状。制造有机发光显示器的方法包括沉积薄膜晶体管的非晶硅层的步骤; 通过辐射激光束熔化非晶硅层的步骤; 以及使熔融硅层结晶的工序。

7. 发明公开

KR1020030049764A 다결정 규소를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법 有权
标题翻译：使用多晶硅制造薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020030049764A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020010080074
申请日：2001-12-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송진호 , 최준후 , 최범락 , 강명구 , 강숙영
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L29/78675
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a thin film transistor using polycrystalline silicon is provided to uniformly apply a photoresist layer by crystallizing an amorphous silicon layer and by planarizing the crystallized silicon layer through an etch process using a plasma process. CONSTITUTION: The amorphous silicon layer is formed on an insulated substrate. Laser is irradiated to the amorphous silicon layer and the amorphous silicon layer is crystallized through a lateral solidification process to form a crystalline silicon layer. The crystalline silicon layer is planarized through an etch process using plasma. The crystalline silicon layer is patterned to form a semiconductor layer. The semiconductor layer is covered with a gate insulation layer. A gate electrode is formed on the gate insulation layer of the semiconductor layer. Impurity ions are implanted into the semiconductor layer to form source and drain regions at both sides of the gate electrode. Source and drain electrodes are electrically connected to the source and drain regions, respectively.
摘要翻译：目的：提供使用多晶硅制造薄膜晶体管的方法，以通过使非晶硅层结晶并通过使用等离子体工艺的蚀刻工艺平坦化结晶硅层来均匀地施加光致抗蚀剂层。构成：在绝缘基板上形成非晶硅层。激光被照射到非晶硅层，并且非晶硅层通过侧向固化工艺结晶以形成晶体硅层。通过使用等离子体的蚀刻工艺对结晶硅层进行平面化处理。图案化晶体硅层以形成半导体层。半导体层被栅极绝缘层覆盖。在半导体层的栅极绝缘层上形成栅电极。将杂质离子注入到半导体层中以在栅电极的两侧形成源区和漏区。源极和漏极电极分别电连接到源极和漏极区域。

8. 发明公开

KR1020030046101A 박막 트랜지스터 失效
标题翻译： TFT
公开(公告)号：KR1020030046101A
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：KR1020010076503
申请日：2001-12-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강명구 , 김현재 , 신경주 , 강숙영 , 채종철
IPC分类号： H01L29/786
摘要： PURPOSE: A TFT(Thin Film Transistor) is provided to obtain uniformly the mobility of the current of the TFT by forming a gate electrode having an arbitrary angle to the growing direction of a grain. CONSTITUTION: A semiconductor layer(20) is formed with polysilicon. The semiconductor layer includes a channel region(21) and a source and a drain region(22,23) formed at both sides of the channel region. A gate insulating layer(30) is formed on the semiconductor layer. A gate electrode(40) is formed on an upper portion of the gate insulating layer of the channel region. The gate electrode has an arbitrary angle to the growing direction of a grain of the polysilicon. A source electrode(62) and a drain electrode(63) are connected to the source and the drain regions, respectively.
摘要翻译：目的：提供TFT（薄膜晶体管），以通过形成与晶粒生长方向成任意角度的栅电极来均匀地获得TFT的电流的迁移率。构成：半导体层（20）由多晶硅形成。半导体层包括形成在沟道区两侧的沟道区（21）和源区和漏区（22,23）。在半导体层上形成栅极绝缘层（30）。栅电极（40）形成在沟道区的栅极绝缘层的上部。栅电极与多晶硅颗粒的生长方向成任意角度。源电极（62）和漏电极（63）分别连接到源区和漏区。

9. 发明公开

KR1020030026471A 다결정 규소를 이용한 표시 장치용 박막 트랜지스터 및그의 제조 방법 失效
标题翻译：使用多晶硅显示的TFT及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030026471A
公开(公告)日：2003-04-03
申请号：KR1020010059317
申请日：2001-09-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강명구 , 김현재 , 신경주 , 강숙영
IPC分类号： H01L29/786
摘要： PURPOSE: A TFT for display using polysilicon and a fabricating method thereof are provided to simplify a fabricating method of the TFT for display by using polysilicon having a uniform characteristic. CONSTITUTION: An amorphous silicon layer(200) is formed on an upper portion of a substrate(100). A low reflective coating layer(300) is formed on an upper portion of the amorphous silicon layer(200). An excimer laser beam is irradiated on the low reflective coating layer(300) and the amorphous silicon layer(200). A liquified region(210) is locally formed on the amorphous silicon layer(200) by irradiating the excimer laser beam. A non-liquified region(220) is formed at both sides of the liquified region(220). A polysilicon layer is formed by cooling the amorphous silicon layer(200).
摘要翻译：目的：提供一种用于使用多晶硅进行显示的TFT及其制造方法，以通过使用具有均匀特性的多晶硅来简化用于显示的TFT的制造方法。构成：在衬底（100）的上部形成非晶硅层（200）。在非晶硅层（200）的上部形成低反射涂层（300）。将准分子激光束照射在低反射涂层（300）和非晶硅层（200）上。通过照射准分子激光束，在非晶硅层（200）上局部形成液化区（210）。在液化区域（220）的两侧形成非液化区域（220）。通过冷却非晶硅层（200）形成多晶硅层。

10. 发明公开

KR1020020094514A 저온 다결정 실리콘 박막 형성 방법 无效
标题翻译：形成低温聚合物薄膜薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020020094514A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：KR1020010032779
申请日：2001-06-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김현재 , 강숙영
IPC分类号： G02F1/136
摘要： PURPOSE: A method for forming a polymer silicon thin film of low temperatures is provided to reduce the time required for subsidiary steps except the sealing step for poly crystallizing an amorphous silicon thin film by radiating laser beams. CONSTITUTION: In a method for forming a polymer silicon thin film of low temperatures, a plurality of substrates(111,112) are mounted continuously in a direction that a laser beam radiator moves, so that the scanning is continuously carried out for the plurality of substrates entirely, and the silicon thin film is formed by the sequential lateral solidification(SLS).
摘要翻译：目的：提供用于形成低温聚合物硅薄膜的方法，以减少辅助步骤所需的时间，除了通过辐射激光束多晶结晶非晶硅薄膜的密封步骤。构成：在形成低温聚合物硅薄膜的方法中，多个基板（111,112）沿着激光束散热器移动的方向连续地安装，从而对多个基板进行连续的扫描，并且通过顺序侧向固化（SLS）形成硅薄膜。

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