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1. 发明公开

KR1020160129178A 액정 표시장치 审中-实审
标题翻译：液晶显示装置
公开(公告)号：KR1020160129178A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：KR1020150060623
申请日：2015-04-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 서미선 , 정금동 , 김기환 , 이주연 , 박문수
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1343 , G02F1/133
CPC分类号： G02F1/134309 , G02F1/13624 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134345
摘要： 본발명은박막트랜지스터들의저항비를용이하게설정할수 있는액정표시장치에관한것으로, 게이트라인및 데이터라인을포함하는제 1 기판; 제 1 기판과제 2 기판사이에위치한액정층; 제 1 기판의제 1 부화소영역에위치한제 1 부화소전극; 제 1 기판의제 2 부화소영역에위치한제 2 부화소전극; 게이트라인, 데이터라인및 제 1 부화소전극에연결된제 1 트랜지스터; 게이트라인, 상기제 1 트랜지스터및 제 2 부화소전극에연결된제 2 트랜지스터; 게이트라인, 제 2 부화소전극및 유지라인에연결된제 3 트랜지스터를포함하며; 제 1 내지제 3 트랜지스터들중 어느하나의트랜지스터는서로분리된복수의채널영역들을포함한다.
摘要翻译：一种液晶显示器（“LCD”）器件，其能够容易地在薄膜晶体管之间建立精确的电阻比，所述LCD器件包括包括栅极线和数据线的第一基板，与第一基板相对的第二基板，液体第一基板和第二基板之间的第一子像素电极，第一基板的第一子像素区域中的第一子像素电极，第一基板的第二子像素区域中的第二子像素电极，第一晶体管连接到栅极线，数据线和第一子像素电极，连接到栅极线的第二晶体管，第一晶体管和第二子像素电极，以及连接到栅极线的第三晶体管，第二子像素电极和存储线，其中第一，第二和第三晶体管中的一个包括多个分割的沟道区。

2. 发明公开

KR1020160092152A 박막 트랜지스터 제조 방법과 박막 트랜지스터 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160092152A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：KR1020150012375
申请日：2015-01-26
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 류명관 , 김기환 , 윤갑수 , 이현준 , 허정욱
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66742 , H01L21/324 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66969 , H01L29/78621 , H01L29/78666 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78606 , H01L29/78618
摘要： 본발명은박막트랜지스터제조방법과박막트랜지스터를포함하는표시장치에관한것이다. 본발명의실시예에따른박막트랜지스터제조방법은기판위에장벽층을형성하는단계; 상기장벽층위에반도체층을형성하는단계; 상기반도체층 위에게이트절연막을형성하는단계; 상기게이트절연막위에게이트전극을형성하는단계; 플라즈마열처리또는어닐링공정을통해상기게이트전극의외곽에오프셋영역을형성하는단계; 상기게이트전극의오프셋영역을식각하는단계; 상기게이트전극의아래에위치한게이트절연막을제외한게이트절연막을식각하는단계; 상기게이트전극위에층간절연막을형성하는단계; 및상기층간절연막을식가처리한후 소스전극과드레인전극을형성하는단계;를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种包括薄膜晶体管的显示装置及其制造方法。根据本发明的实施例，制造薄膜晶体管的方法包括：在衬底上形成壁层的步骤; 在所述壁层上形成半导体层的步骤; 在半导体层上形成栅极绝缘膜的步骤; 在栅极绝缘膜上形成栅电极的步骤; 通过等离子体热处理或退火处理在栅电极的边界上形成偏移区域的步骤; 蚀刻栅电极的偏移区域的步骤; 蚀刻位于栅极下方的栅极绝缘膜以外的栅极绝缘膜的工序; 在栅电极上形成绝缘膜的步骤; 以及蚀刻形成绝缘膜之后形成源电极和漏电极的步骤。

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