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1. 发明公开

KR1020110104106A 에칭액 有权
标题翻译：蚀刻液
公开(公告)号：KR1020110104106A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：KR1020117018656
申请日：2010-03-11
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 이타노미츠시 , 나카무라신고 , 게즈카다케히코 , 에토우유우스케
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/31111 , C09K13/08
摘要： 불화 수소산(A), 불화 암모늄(B), 불화 수소산(pKa=3.17)보다 큰 pKa를 가지는 산(C1)과 암모니아(pKa=9.24)보다 큰 pKa를 가지는 염기(C2)로 이루어지는 염(C), 및 물(D)을 포함함으로써, 약액의 증발 등에 수반하는 조성 변화가 적고, 약액의 교환 빈도가 적어도 되고, 또한, 경시적으로도 균일하게 실리콘 산화막을 에칭 가능한 에칭액을 제공한다.

2. 发明授权

KR100177568B1 세정제 및 세정방법 失效
标题翻译：清洁剂和方法
公开(公告)号：KR100177568B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019960703441
申请日：1995-01-25
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 게즈카다케히코 , 이타노미츠시 , 구보모토노부
IPC分类号： C11D7/08
CPC分类号： H01L21/02052 , C11D1/004 , C11D3/042 , C11D7/08 , C11D11/0047
摘要： 본 발명은 0.1∼4중량%의 플루오르화수소산, 50∼1500ppm농도의 하기 일반식(1)의 계면활성제 또는 50∼100000ppm농도의 하기 일반식(2) 그렇지 않으면 (3)의 계면활성제 및 잔부가 물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 세정제 및 그것을 사용하여 실리콘 웨이퍼의 표면을 세정하는 방법을 제공한다.

(식중 Rf'는 탄소수 5∼15의 함플루오르탄화수소기, R는 수소 또는 탄소수 1∼4의 알킬기, n는 5∼20을 표시한다.)

3. 发明授权

KR100874813B1 드라이 에칭 가스 및 드라이 에칭 방법 有权
公开(公告)号：KR100874813B1
公开(公告)日：2008-12-19
申请号：KR1020037006277
申请日：2001-11-08
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 나카무라신고 , 이타노미츠시
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/31116
摘要： A dry etching gas containing a compound having a CF3C fragment directly bonded to a triple bond.

4. 发明授权

KR100727834B1 드라이 에칭 가스 및 드라이 에칭 방법 有权
标题翻译：干蚀刻气体和干蚀刻方法
公开(公告)号：KR100727834B1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：KR1020037003418
申请日：2001-09-05
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 히로세마사타카 , 나카무라신고 , 이타노미츠시 , 아오야마히로카즈
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/31056 , H01L21/31116
摘要： 본 발명은 이중결합에 직접 결합한 CF
3 CF 프래그먼트를 갖는 화합물(단, CF
3 CF=CFCF=CF
2 를 제외한다.)을 포함하는 드라이 에칭 가스에 관한 것이다. 이 드라이 에칭 가스에 의하면, 고 종횡비의 콘택트 홀 등의 패턴을 형성하는 것이 가능해진다.

5. 发明授权

KR100649418B1 박리액 有权
标题翻译：拆卸解决方案
公开(公告)号：KR100649418B1
公开(公告)日：2006-11-27
申请号：KR1020057003010
申请日：2003-08-21
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 이타노미츠시 , 가네무라다카시 , 나카무라신고 , 가미야후미히로 , 게즈카다케히코
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： H01L21/02063 , C11D7/08 , C11D7/24 , C11D7/263 , C11D7/264 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/32 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , G03F7/42 , G03F7/422 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , G03F7/428 , H01L21/02071 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/76802 , H01L21/76838 , H05K3/26
摘要： 본 발명은, 유기산 및 유기용매로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종 ; 및 불화수소(HF)를 포함하는, low-k막용의 레지스트 박리액 및 비아홀 또는 캐패시터 세정액 ; 및 이들을 이용한 레지스트 박리 방법 및 비아홀 또는 캐패시터의 세정 방법을 제공한다.

6. 发明授权

KR100540525B1 세정용 조성물 有权
标题翻译：清洁组合物
公开(公告)号：KR100540525B1
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：KR1020027014274
申请日：2001-04-26
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 게즈카다케히코 , 이타노미츠시
IPC分类号： C11D7/10
摘要： (1) 불화물염 및 중불화물염 중 적어도 1종; (2) 헤테로 원자를 가지는 유기 용매; 및 (3) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 세정용 조성물: 및 상기 조성물을 이용한 메탈 게이트, 콘택홀, 비아홀 및 커패시터의 세정 방법, 레지스트 유래의 잔존 폴리머 박리 방법, 및 CMP후 세정 방법.
세정용 조성물, 폴리머 박리 방법, 불화물염, 중불화물염
摘要翻译：（1）氟化物盐和半氟化物盐中的至少一种; （2）具有杂原子的有机溶剂; 和（3）水;以及使用该组合物清洗金属栅极，接触孔，通路孔和电容器的方法，除去源自抗蚀剂的来自残留聚合物的聚合物的方法以及CMP后清洁方法。

7. 发明公开

KR1020050019721A 식각액, 식각 처리물 및 식각 처리물의 제조 방법 有权
标题翻译：蚀刻解决方案，蚀刻文章和蚀刻文章的方法
公开(公告)号：KR1020050019721A
公开(公告)日：2005-03-03
申请号：KR1020047019111
申请日：1999-11-22
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 게즈카다케히코 , 스야마마코토 , 이타노미츠시
IPC分类号： C09K13/08
CPC分类号： C09K13/08 , C03C15/00 , H01L21/31111
摘要： 본 발명은, 플루오르화 수소(HF)를 포함하고, (BSG 또는 BPSG의 식각율)/(열산화막(THOX)의 식각율)이 25℃에서 10 이상인 식각액에 관한 것이다.

8. 发明公开

KR1020040047959A 세정용 조성물 有权
标题翻译： 세정용조성
公开(公告)号：KR1020040047959A
公开(公告)日：2004-06-05
申请号：KR1020047006091
申请日：2002-10-23
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 이타노미츠시 , 게즈카다케히코
IPC分类号： C11D7/10
CPC分类号： C11D7/32 , C11D3/26 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/5013 , C11D7/5018 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/425
摘要： 본 발명은, (1) 히드록실아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종과 불화수소산으로 형성된 불화물염 및 중불화물염의 적어도 1종 ; (2) 헤테로 원자를 갖는 유기 용매의 적어도 1종 ; 및 (3) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정용 조성물에 관한 것이다.
摘要翻译： 1。一种清洁组合物，其包含（1）至少一种由选自羟胺，脂族胺，芳族胺，脂族季铵盐和芳族季铵盐的氢氟酸中的至少一种形成的氟化物和/或氢氟二氟化物盐; （2）至少一种包含一个或多个杂原子的有机溶剂; 和（3）水。

9. 发明公开

KR1019990063592A 웨이퍼 처리액 및 그 제조방법 失效
标题翻译：晶圆加工液及其制造方法
公开(公告)号：KR1019990063592A
公开(公告)日：1999-07-26
申请号：KR1019980702035
申请日：1996-11-11
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 게즈카다케히코 , 스야마마코토 , 가미야후미히로 , 이타노미츠시
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 20∼60중량%의 플루오르화수소(HF)에, C
n H
2n+1 ph(SO
3 M)Oph(SO
3 M)(ph는 페닐렌기, n은 5∼20, M은 수소 또는 염을 나타낸다), C
n H
2n+1 phO(CH
2 CH
2 O)
m SO
3 M(ph는 페닐렌기, n은 5∼20, m은 0∼20, M은 수소 또는 염을 나타낸다) 및 C
n H
2n+1 O(CH
2 CH
2 O)
m SO
3 M(n은 5∼20, m은 0∼20, M은 수소 또는 염을 나타낸다)의 적어도 하나가 0.01∼1000ppm 용해하고 잔부가 물(합계 100중량%)로 이루어지는 웨이퍼 처리액 및 이 처리액에 물, H
2 O
2 , HNO
3 , CH
3 COOH, NH
4 F 등을 첨가하여 저농도의 웨이퍼 처리액을 제조하는 방법에 관한 것이다.
또, HF, H
2 O
2 , HNO
3 , CH
3 COOH, NH
4 F, HCl, H
3 PO
4 및 식
[(R
1 )(R
2 )(R
3 )(R
4 )N]
+ OH
-
(R
1 , R
2 , R
3 , R
4 는 각각 수산기를 가져도 되는 탄소수 1∼6의 알킬기를 나타낸다)으로 표시되는 암모늄히드록시드의 적어도 1종에 C
n H
2n+1 ph(SO
3 M)Oph(SO
3 M)(ph는 페닐렌기, n은 5∼20, M은 수소 또는 염을 나타낸다), C
n H
2n+1 phO(CH
2 CH
2 O)
m SO
3 M(ph는 페닐렌기, n은 5∼20, m은 0∼20, M은 수소 또는 염을 나타낸다) 및 C
n H
2n+1 O(CH
2 CH
2 O)
m SO
3 M(n은 5∼20, m은 0∼20, M은 수소 또는 염을 나타낸다)으로 표시되는 계면활성제의 적어도 하나가 0.01∼1000ppm 용해하고 잔부가 물(합계 100중량%)로 이루어지는 웨이퍼 처리액에 관한 것이다.

10. 发明授权

KR101170296B1 에칭액 有权
公开(公告)号：KR101170296B1
公开(公告)日：2012-07-31
申请号：KR1020127011925
申请日：2008-04-08
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 이타노미츠시 , 나카무라신고 , 게즈카다케히코 , 와타나베다이스케
IPC分类号： C09K13/08 , H01L21/308
CPC分类号： C09K13/08 , C09K13/00 , C09K13/06 , C09K15/00 , H01L21/02052 , H01L21/02063 , H01L21/30604 , H01L21/31053 , H01L21/31105 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/32134 , H01L21/76814
摘要： 본 발명은, 약액의 증발 등에 수반하는 조성 변화가 적고, 약액의 교환 빈도가 적어도 되고, 한편, 경시적으로도 에칭 레이트의 변화가 적고 균일하게 실리콘 산화막을 에칭 가능한 에칭액을 제공한다. 구체적으로는, 불화수소산(a), 불화암모늄(b) 및 불화수소와 암모니아보다 비점이 높은 염기와의 염(c)을 포함하는 에칭액이고, 불화암모늄(b)의 농도가 8.2mol/kg 이하이고, 불화암모늄(b)과 불화수소와 암모니아보다 비점이 높은 염기의 염(c)과의 합계가 9.5mol/kg 이상인 에칭액, 그 제조 방법 및 그 에칭액을 이용한 에칭 방법에 관한 것이다.

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