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1. 发明授权

KR101169129B1 에칭액 有权
标题翻译：蚀刻解决方案
公开(公告)号：KR101169129B1
公开(公告)日：2012-07-30
申请号：KR1020097022596
申请日：2008-04-08
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 이타노미츠시 , 나카무라신고 , 게즈카다케히코 , 와타나베다이스케
IPC分类号： C09K13/08
CPC分类号： C09K13/08 , C09K13/00 , C09K13/06 , C09K15/00 , H01L21/02052 , H01L21/02063 , H01L21/30604 , H01L21/31053 , H01L21/31105 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/32134 , H01L21/76814
摘要： 본 발명은, 약액의 증발 등에 수반하는 조성 변화가 적고, 약액의 교환 빈도가 적어도 되고, 한편, 경시적으로도 에칭 레이트의 변화가 적고 균일하게 실리콘 산화막을 에칭 가능한 에칭액을 제공한다. 구체적으로는, 불화수소산(a), 불화암모늄(b) 및 불화수소와 암모니아보다 비점이 높은 염기와의 염(c)을 포함하는 에칭액이고, 불화암모늄(b)의 농도가 8.2mol/kg 이하이고, 불화암모늄(b)과 불화수소와 암모니아보다 비점이 높은 염기의 염(c)과의 합계가 9.5mol/kg 이상인 에칭액, 그 제조 방법 및 그 에칭액을 이용한 에칭 방법에 관한 것이다.

2. 发明公开

KR1020080011229A ＢＰＳＧ막과 ＳＯＤ막을 포함하는 기판의 에칭액 有权
标题翻译：用于具有BPSG和SOD层的基板的捕获
公开(公告)号：KR1020080011229A
公开(公告)日：2008-01-31
申请号：KR1020077029067
申请日：2006-05-24
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 이타노미츠시 , 와타나베다이스케
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/768 , H01L21/3063
CPC分类号： H01L21/31111
摘要： An etchant for etching the non-annealed BPSG (boron phosphosilicate glass) layer and THOX (thermal oxide) layer of a nanodevice produced by low-temperature process or the non-annealed SOD (Spin on Dielectric) layer and THOX layer thereof at equivalent rates or nearly equivalent rates; an etching process; and products of etching. Specifically, an etchant which contains at least one salt selected from among fluoride salts and hydrogendifluoride salts and an organic solvent having a heteroatom and which exhibits etching rates of 100Å/min or below at 23°C against THOX layer, non-annealed BPSG layer, and non-annealed SOD layer and etching rate ratios of non-annealed BPSG layer and non-annealed SOD layer to THOX layer of 3 or below.
摘要翻译：蚀刻用于蚀刻通过低温工艺或非退火的SOD（电介质）上的非退火的BPSG（硼磷硅酸盐玻璃）层和THOX（热氧化物）层，其等效速率或几乎相当的税率; 蚀刻工艺; 和蚀刻产品。具体地说，含有至少一种选自氟化物盐和二氢
化甘油醚的盐的蚀刻剂和具有杂原子的有机溶剂，并且在23℃下相对于THOX层，未退火的BPSG层表现出100 / min或更低的腐蚀速率，和未退火的SOD层和未退火的BPSG层和未退火的SOD层与THOX层的蚀刻速率比为3或更低。

3. 发明公开

KR1020050043947A 에칭액 및 에칭 방법 失效
标题翻译：蚀刻和蚀刻方法
公开(公告)号：KR1020050043947A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：KR1020057004243
申请日：2003-08-04
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 이타노미츠시 , 가네무라다카시 , 모모타히로시 , 와타나베다이스케
IPC分类号： C09K13/04 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/31111
摘要： An etchant preferable to etch an object on which a film (a high-k film) having a relative dielectric constant of not less than 8 and a silicon oxide film are formed, wherein the etching rate of the high-k film is not less than 2 Å/min., and the ratio of the etching rate of a thermal oxide film (THOX) to that of the high-k film is not more than 50. A mixture of a hydrogen fluoride (HF) and various ether organic solvents is preferably used as the etchant.
摘要翻译：优选蚀刻具有相对介电常数不小于8的膜（高k膜）和氧化硅膜的物体的蚀刻剂，其中高k膜的蚀刻速率不小于 2 / min，热氧化膜（THOX）的蚀刻速率与高k膜的蚀刻速率之比不大于50.氟化氢（HF）与各种醚类有机溶剂的混合物为优选用作蚀刻剂。

4. 发明授权

KR101170296B1 에칭액 有权
公开(公告)号：KR101170296B1
公开(公告)日：2012-07-31
申请号：KR1020127011925
申请日：2008-04-08
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 이타노미츠시 , 나카무라신고 , 게즈카다케히코 , 와타나베다이스케
IPC分类号： C09K13/08 , H01L21/308
CPC分类号： C09K13/08 , C09K13/00 , C09K13/06 , C09K15/00 , H01L21/02052 , H01L21/02063 , H01L21/30604 , H01L21/31053 , H01L21/31105 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/32134 , H01L21/76814
摘要： 본 발명은, 약액의 증발 등에 수반하는 조성 변화가 적고, 약액의 교환 빈도가 적어도 되고, 한편, 경시적으로도 에칭 레이트의 변화가 적고 균일하게 실리콘 산화막을 에칭 가능한 에칭액을 제공한다. 구체적으로는, 불화수소산(a), 불화암모늄(b) 및 불화수소와 암모니아보다 비점이 높은 염기와의 염(c)을 포함하는 에칭액이고, 불화암모늄(b)의 농도가 8.2mol/kg 이하이고, 불화암모늄(b)과 불화수소와 암모니아보다 비점이 높은 염기의 염(c)과의 합계가 9.5mol/kg 이상인 에칭액, 그 제조 방법 및 그 에칭액을 이용한 에칭 방법에 관한 것이다.

5. 发明公开

KR1020120068965A 에칭액 有权
标题翻译：蚀刻解决方案
公开(公告)号：KR1020120068965A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：KR1020127011925
申请日：2008-04-08
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 이타노미츠시 , 나카무라신고 , 게즈카다케히코 , 와타나베다이스케
IPC分类号： C09K13/08 , H01L21/308
CPC分类号： C09K13/08 , C09K13/00 , C09K13/06 , C09K15/00 , H01L21/02052 , H01L21/02063 , H01L21/30604 , H01L21/31053 , H01L21/31105 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/32134 , H01L21/76814
摘要： 본 발명은, 약액의 증발 등에 수반하는 조성 변화가 적고, 약액의 교환 빈도가 적어도 되고, 한편, 경시적으로도 에칭 레이트의 변화가 적고 균일하게 실리콘 산화막을 에칭 가능한 에칭액을 제공한다. 구체적으로는, 불화수소산(a), 불화암모늄(b) 및 불화수소와 암모니아보다 비점이 높은 염기와의 염(c)을 포함하는 에칭액이고, 불화암모늄(b)의 농도가 8.2mol/kg 이하이고, 불화암모늄(b)과 불화수소와 암모니아보다 비점이 높은 염기의 염(c)과의 합계가 9.5mol/kg 이상인 에칭액, 그 제조 방법 및 그 에칭액을 이용한 에칭 방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明中，伴随该药物溶液或类似的蒸发低成分变化，化学液体的交换速率至少为，在另一方面，随着时间的推移也提供可以均匀地蚀刻的蚀刻速率的硅氧化膜的蚀刻剂的变化较小。具体而言，氢氟酸（a）中，氟化铵（b）和含有具有比基，氢和氨，氟化铵（b）中8.2mol / kg或更低的浓度更高的沸点的氟化物的盐（c）的蚀刻液并涉及一种氟化铵（b）和具有比所述的基础上，氢和氨（c）一种高沸点的氟化物盐和的总和为9.5mol / kg以上的蚀刻液，使用其制造的方法的蚀刻方法，并且该蚀刻溶液。

6. 发明公开

KR1020100009557A 에칭액 有权
标题翻译：蚀刻解决方案
公开(公告)号：KR1020100009557A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：KR1020097022596
申请日：2008-04-08
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 이타노미츠시 , 나카무라신고 , 게즈카다케히코 , 와타나베다이스케
IPC分类号： C09K13/08
CPC分类号： C09K13/08 , C09K13/00 , C09K13/06 , C09K15/00 , H01L21/02052 , H01L21/02063 , H01L21/30604 , H01L21/31053 , H01L21/31105 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/32134 , H01L21/76814
摘要： An etching solution that is less in the composition change attributed to evaporation of chemical liquid, etc., minimizing the frequency of replacement of chemical liquid, and that is less in the change of etching rate over time, realizing uniform etching of a silicon oxide film. In particular, the etching solution is one comprising hydrofluoric acid (a), ammonium fluoride(b) and a salt (c) from hydrogen fluoride and a base having a boiling point higher than that of ammonia, wherein the concentration of ammonium fluoride(b) is 8.2 mol/kg or below, and wherein the sum of ammonium fluoride(b) and salt (c) from hydrogen fluoride and a base having a boiling point higher than that of ammonia is 9.5 mol/kg or more. Further, there are disclosed a process for producing the etching solution and a method of etching with the use of the etching solution.
摘要翻译：由于化学液体的蒸发等导致的组成变化较小的蚀刻溶液，使化学液体的更换频率最小化，并且随着时间的推移蚀刻速率的变化越少，实现氧化硅膜的均匀蚀刻。特别地，蚀刻溶液是由氟化氢和沸点高于氨的碱的氢氟酸（a），氟化铵（b）和盐（c）构成的溶液，其中氟化铵（b ）为8.2mol / kg以下，其中氟化氢和沸点高于氨的碱的氟化铵（b）和盐（c）之和为9.5mol / kg以上。此外，公开了一种用于制造蚀刻溶液的方法和使用蚀刻溶液进行蚀刻的方法。

7. 发明授权

KR100927080B1 ＢＰＳＧ막과 ＳＯＤ막을 포함하는 기판의 에칭액 有权
标题翻译：用于具有BPSG和SOD层的基板的捕获
公开(公告)号：KR100927080B1
公开(公告)日：2009-11-13
申请号：KR1020077029067
申请日：2006-05-24
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 이타노미츠시 , 와타나베다이스케
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/768 , H01L21/3063
CPC分类号： H01L21/31111
摘要： 본 발명은, 저온화 프로세스에 의해 제조되는 초미세 디바이스의 비어닐링된 BPSG막과 열산화막, 및, 비어닐링된 SOD막과 열산화막을 모두 등속도 또는 그에 가까운 속도로 에칭하기 위한 에칭액, 에칭 방법 및 에칭 처리물을 제공한다. 구체적으로는, 불화물염 및 중불화물염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 염과, 헤테로 원자를 갖는 유기용매를 포함하고, 열산화막(THOX), 비어닐링된 BPSG(붕소 인 유리)막, 비어닐링된 SOD(Spin on Dielectric)막의 에칭 레이트가 모두 23℃에서 100Å/분 이하이고, 또한, 비어닐링된 BPSG막/열산화막과의 에칭 레이트비, 및, 비어닐링된 SOD막/열산화막과의 에칭 레이트비가 모두 3 이하인 에칭액을 제공한다.

8. 发明授权

KR100742069B1 에칭액 및 에칭 방법 失效
标题翻译：蚀刻和蚀刻方法
公开(公告)号：KR100742069B1
公开(公告)日：2007-07-23
申请号：KR1020057004243
申请日：2003-08-04
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 이타노미츠시 , 가네무라다카시 , 모모타히로시 , 와타나베다이스케
IPC分类号： C09K13/04 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/31111
摘要： 본 발명은, 비유전율이 8이상인 막(High-k막)과 실리콘 산화막이 표면에 형성된 것을 에칭 처리하는데 적합한 에칭액으로서, High-k막의 에칭 레이트가 2Å/분 이상이고, 열 산화막(THOX)과 High-k막의 에칭 레이트의 비가 50이하인 것을 제공한다. 상기 에칭액으로는, 플루오르화수소(HF)와 다양한 에테르계 유기 용매를 혼합한 것이 바람직하게 사용된다.

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